03.09.18, 14.00 Uhr: Kolloquium - Dr. Frank Zobel:
'Float-Zone Kristalle aus vorgezogenen Vorratsstäben für Anwendungen in der Photovoltaik'

 

Am Montag, den 03.09.18 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Dr. Frank Zobel
Fraunhofer-Center für Silizium Photovoltaik CSP


zum Thema:

"Float-Zone Kristalle aus vorgezogenen Vorratsstäben
für Anwendungen in der Photovoltaik"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

13.08.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Dr. h.c. Ullrich Pietsch:
'Probing Structure to property relations of single semiconductor nanowires'

 

Am Montag, den 13.08.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. Dr. h.c. Ullrich Pietsch
Department Physik, Festkörperphysik, Universität Siegen


zum Thema:

"Probing Structure to property relations of single semiconductor nanowires"

 


Abstract:

Semiconductor nanowires, including core-multi-shell nanowire heterostructures, grow in the cubic zincblende and/or the hexagonal wurtzite phases. Due to their different structural properties, these crystal phases can possess different physical properties. Here, we demonstrate the direct correlation between the structural and electrical and optical properties of several single core-multi-shell GaAs/In0.15Ga0.85As/GaAs/AlAs/GaAs nanowires grown by MBE onto pre-patterned 111 Si substrate. Due to alignment of electron beam lithography drilled holes along a single line, it was possible to access individual nanowires and to investigate both properties in as-grown geometry. The structural phase composition of single nanowires was revealed by synchrotron beam assisted X-ray nano-diffraction. The optical and electrical properties of the same NWs were extracted by home lab cathodoluminescence measurements and measuring I-V characteristics by a focussed beam equipment.


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

04.07.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Peter Gaal:
'Photoacoustics in synchrotron-based material science'

 

Am Mittwoch, den 04.07.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium


Dr. Peter Gaal
Institut für Nanostruktur- und Festkörperphysik, Universität Hamburg


zum Thema:

"Photoacoustics in synchrotron-based material science"

 


Abstract:

The talk will give a brief introduction to optical generation of tailored strain pulses and monitoring of coherent and incoherent nanoscale deformations in solids. In particular, I will discuss applications of tailored strain waves for synchrotron pulse shortening and coherent control of surface phonons. In the second part of my talk, I will discuss temperature dependent deformation of so-called air-gap heterostrucutres. The thermal expansion coefficient of the structure is determined by static XRD measurements and shows a strong deviation compared to properties of the bulk material. The unusual thermal expansion is reproduced in time-resolved XRD and optical reflectivity experiments.

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

02.07.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Brice Gautier:
'Nanoscale measurement of the electrical properties of ferroelectric thin films and crystals for the control and the engineering of domains and domain walls'

 

Am Dienstag, den 03.07.18, um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. Brice Gautier
INSA, Lyon


zum Thema:

"Nanoscale measurement of the electrical properties of ferroelectric thin films and crystals for the control and the engineering of domains and domain walls"

 


Abstract:

The goal of the presentation will be to present the research topics and past work from our INL team, in connection with ferroelectric materials, and also perspectives for the future. I will focus on results obtained with Piezoresponse Force Microscopy especially on the influence of water on the electrical properties of thin dielectrics and apparent growth speed of ferroelectric domains. Then I will switch on the limits of the PFM technique and development of new ways to assess ferroelectricity at the nanoscale based on current measurements. Eventually, I will present our projects around the control of ferroelectric domains and conductive domain walls.

Several words about the team :
Francis Calmon and I are the leaders of the "electronic devices" team of the Institute of Nanotechnology of Lyon. The team aims at studying and developing new types of transistors, memories and sensors in close collaboration with people involved in the microelectronics (including industrial partners like STMicroelectronics). My own work focuses on near field microscopies, and more precisely on the electrical measurement at the nanoscale using techniques derived from Atomic Force Microscopy (especially Conductive AFM, Piezoresponse Force Microscopy etc).


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

25.06.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Roman Schnabel:
'Gravitational-wave detection and the role of 100kg-sized crystalline-silicon mirrors'

 

Am Montag, den 25.06.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. Roman Schnabel
Institut für Laserphysik und Zentrum für Optische Quantentechnologien, Universität Hamburg


zum Thema:

"Gravitational-wave detection
and the role of 100kg-sized crystalline-silicon mirrors"

 


Abstract:
Heavy high-quality mirrors that are suspended as pendulums are a key ingredient of gravitational-wave (GW) detectors. All GW detectors today use Suprasil 3001 as the mirror substrate material. Future GW detectors will use cryogenically-cooled crystalline mirrors, most likely made from crystalline silicon. The international GW community, which consists of more than a thousand researchers, is highly interested in know-how about minimizing the optical absorption of crystalline silicon bulk and surface between 1.55µm and 2.1µm. We aim for less than a few ppm/cm, and an absorption of superpolished surfaces down to below 1ppm. Solving this challenge will strongly push the realization of the next-generation of GW detectors such as the European Einstein Telescope.


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

20.06.18, 14:00 Uhr: Kolloquium -
Kuan-Kan HU: 'Moving direction of grain boundary during directional solidification of mc-Si' &
Lu-Chung CHUANG: 'Interaction between grain boundaries at the crystal/melt interface of mc-Si'

 

Am Mittwoch, den 20.06.18, um 14:00 Uhr
sprechen in einem außerordentlichen Kolloquium


Kuan-Kan HU
Tohoku University Sendai, Japan


zum Thema:

"Moving direction of grain boundary during directional solidification of mc-Si"


Lu-Chung CHUANG
Tohoku University Sendai, Japan


zum Thema:

"Interaction between grain boundaries at the crystal/melt interface of mc-Si"


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

19.06.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Linus Pithan:
'Enabling tailored molecular thin film growth through in-situ x-ray diffraction'

 

Am Dienstag, den 19.06.18, um 14:00 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Kolloquium


Dr. Linus Pithan

ESRF - The European Synchrotron
Experiments Division, ID03 Beamline, Grenoble


zum Thema:

"Enabling tailored molecular thin film growth through in-situ x-ray diffraction"


Abstract
Applied physical research on soft matter thin films based on small organic molecules has been a vital field in the past decade. Nowadays a significant share of research on organic thin film structures is attributed to new deposition techniques and the quest for additional growth control parameters in order to follow surface-by-design approaches. Besides the choice of the molecular specials employed in the organic thin film its functionality crucially depends on the structural properties which are in turn a result of the employed growth process.
In this talk a novel strategy to fabricate organic thin films with tailored structural properties is presented. More specifically, the impact of dynamic temperature oscillations on structural thin film properties is analysed in depth. These temperature oscillations are employed on the time scales of molecular monolayer growth. X-ray growth oscillation (at the anti-Bragg point) are used to trigger rapid thermal cooling cycles during the nucleation phase of each individual monolayer while growing the organic semiconducting molecule PTCDI-C8. Using in-situ grazing incidence small angle x-ray scattering (GISAXS) the enhanced layer-by-layer growth of the thin film is analyzed in real time. Following the concept of two motilities the island density is strongly increased during nucleation diffusive processes are selectively enhanced at later stages of mono-layer growth. Based on analytical growth models and phase field simulations the interplay between inter-layer transport and the size of molecular islands is analysed to shine light on kinetic processes during growth defining the surface morphology.


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

18.06.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Joerg Schäfer:
'Novel Nanoscale Quantum Materials – From Design to Spectroscopy'

 

Am Montag, den 18.06.18, um 14:00 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Kolloquium


Prof. Dr. Joerg Schäfer

University of Wuerzburg, Experimental Physics IV


zum Thema:

"Novel Nanoscale Quantum Materials – From Design to Spectroscopy"


Abstract

Today, the quantum properties of a large range of materials have come into focus, because this reflects back onto the electronic and optical properties, and their application potential in terms of electron transport and computing. The underlying quantum physics becomes particularly apparent in nanoscale materials, where, e.g., the Coulomb interaction between atom starts to play a role, or when two-dimensional (2D) materials are realized that have specific spin transport properties. At the very heart of such studies is the epitaxial growth of materials with atomic scale control, which allows the realization of artificial material architectures that would otherwise not exist in nature. We will present an overview of several such designer materials. The high-resolution spectroscopic inspection by scanning tunneling microscopy and angle- and spin-resolved photoemission allows a full account of their electronic properties. By employing local spectroscopy with the tunneling tip, one can even detect the conduction channels of interest spatially resolved.

Key representatives include 2D electron systems grown on semiconductor wafers where one can control the degree of electron correlation, and the resulting conduction and spin properties. A second and very modern class of materials are topological insulators – which carry metallic conduction states at their surface, separated by spin character and inherently protected against defect scattering. These materials exist as bulk systems with large-area topological surface states, as photoemission data can illustrate nicely. With a perspective for applications, recent developments of 2D materials are particularly intriguing: when a graphene lattice is mimicked by very heavy atoms, specifically bismuth, one can generate a Bismuthene monolayer supported in an insulating substrate [F. Reis et al., Science 357, 287 (2017)]. It is a wide-gap quantum spin Hall insulator which exhibits protected conductive edge states at the flake boundaries – a candidate material for room temperature applications. The talk will present a perspective of the possibilities and challenges of such novel approaches for electronic quantum materials.


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

27. - 31.05.18: 1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference

 

  9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)  

Venue: Seminaris Seehotel Potsdam, Germany
The reception will be planned in the early evening of Sunday, May 27 and the scientific program will start on Monday, 28 May 2018


Homepage der Konferenz

 

09.06.18 / 17:00 - 24:00 Uhr: Lange Nacht der Wissenschaften

 

  Lange Nacht der Wissenschaften am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung  

Kristalle sind das (versteckte) Herzstück fast aller technischen Lösungen, die uns in unserem Alltag begegnen. Sie bilden die Grundlage der modernen Beleuchtung, sind für die Computertechnik und die Datenübertragung unentbehrlich, sie ermöglichen die Erzeugung und Speicherung von Energie. Für Spezialanwendungen werden Kristalle mit genau bestimmten Eigenschaften benötigt, zum Beispiel für die Detektion von Strahlung im Weltall oder die Neudefinition des Kilogramm-Maßstabs. Wir zeigen ihre Entwicklung, Charakterisierung und Bearbeitung sowie die entsprechenden Herstellungstechnologien.


Homepage Lange Nacht der Wissenschaften

Download Programm-PDF

 

18.05.18, 14:30 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Winicjusz Drozdowski:
'Advanced Techniques in Research on Scintillator Materials'

 

Am Freitag, den 18.05.18, um 14:30 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Kolloquium

  Prof. Dr. Winicjusz Drozdowski
Scintillator and Phosphor Materials Spectroscopy Group Optoelectronics,
Institute of Physics Nicolaus Copernicus University, Torun, Poland

zum Thema:

"Advanced Techniques in Research on Scintillator Materials"


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

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14.05.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Stefan Schmult:
'Functional GaN/AlGaN heterostructures grown on bulk GaN by MBE'

 

Am Montag, den 14.05.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Stefan Schmult
TU Dresden, Electrical & Computer Engineering Inst. of Semiconductors and Microsystems,
Nanoelectronics Materials Laboratory (NaMLab)

zum Thema:

"Functional GaN/AlGaN heterostructures grown on bulk GaN by MBE"


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

03.05.18, 13:30 Uhr: Kolloquium - Dr. Amol Choudhary: 'Miniature femtosecond laser sources'

 

Am Donnerstag, den 03.05.18, um 13:30 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Amol Choudhary
ARC DECRA Fellow in the School of Physics University of Sydney

zum Thema:

"Miniature femtosecond laser sources"


Abstract:


The first ever laser consisted of a flash-lamp-pumped ruby rod and was built by T.H. Maiman in 1960 and since then lasers have captured the imagination of many physicists and the general public alike. Lasers can operate in the continuous wave (CW) regime, where the intensity remains constant as a function of time or in the pulsed regime where periodic pulses of light are emitted with durations in the order of femtoseconds (mode-locking) to nanoseconds (Q-switching).

There has been a recent focus on the development of pulsed laser sources with high (> 1 GHz) repetition rates owing to various applications such as non-linear microscopy, optical sampling, optical frequency comb metrology, and in the calibration of astronomical spectrographs (astro-combs). For most of these applications, the available sources are quite bulky, making the setup quite complicated, expensive and prone to instability. There is in general, a need for low-cost, multi-GHz sources which are compact, mass-producible and energy-efficient.
In this talk, I will give a brief overview of the state of the art high-repetition-rate, mode-locked lasers. I will then focus on my research on the development compact lasers based on waveguides, micron-scale structures that can efficiently guide light. I will also outline the importance of material platforms, especially crystals in the realization of such high-performance integrated devices.


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

22. - 25.04.18: International Conference on UV LED Technologies & Applications (ICULTA-2018)

 

  Welcome to the International Conference on UV LED Technologies & Applications 
  (ICULTA-2018)  

It is all about UV LEDs – the variety of their structures, manufacturing technologies, applications, trends, and novel developments. The International Conference ‘UV LED Technologies & Applications’ (ICULTA-2018) brings together experts from science and industry to crosslink and to discuss the related issues. The conference will be held from April 22 to 25, 2018 at the MELIÃ Hotel in Berlin, Germany.


Homepage der Konferenz

16.04.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Charlotte Wouters:
'TEM investigations on phase formation in (Ga1-xInx)2O3'

 

Am Montag, den 16.04.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  MSc Charlotte Wouters
IKZ, AG Elektronenmikroskopie

zum Thema:

"TEM investigations on phase formation in (Ga1-xInx)2O3

 


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

26.04.18: Girls'Day! Das IKZ öffnet seine Türen für den diesjährigen Girls'Day

 

  Faszination Kristalle  

Tauche ein in die Wunderwelt der Kristalle und lerne wie sie dich in deinem alltäglichen Leben begleiten.

 

Du bist zwischen 10 und 14 Jahren alt und möchtest z.B. gerne wissen woraus Dein Handy besteht?


Dann verbringe mit uns einen Tag am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung!


Nach einer kurzen Einführung darüber, was wir machen und wo Kristalle überall zum Einsatz kommen werden unsere jungen Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler dir erklären, was Eisbären und Solarzellen gemeinsam haben. Im Anschluss hast du die Möglichkeit hautnah zu erleben, wie Kristalle gezüchtet werden und wirst auch selbst diese in kleinen Experimenten züchten und unter dem Mikroskop anschauen. Begleitet wird der Tag mit einem kleinen Quiz. Der Sieger erhält von uns einen echten Kristall.



Angebotsdauer
10:00 Uhr bis 14:00 Uhr

Platzangebot
Plätze insgesamt: 8
Anzahl der freien Plätze auf der Gils`Day-Website einsehbar

Anmeldung
Bei diesem Angebot musst du dich hier online anmelden.

 
Ansprechpartnerin
Frau Stefanie Grüber
Presse- und Öffentlichkeitsarbeit
Telefon: 030.6392 3263
E-Mail: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!

 

09.04.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Kookrin Char:
'Progress in BaSnO3-based Materials and Devices'

 

Am Montag, den 09.04.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr. Kookrin Char
Institute of Applied Physics, Dept. of Physics and Astronomy, Seoul National University

zum Thema:

"Progress in BaSnO3-based Materials and Devices"


Abstract:
A wide-bandgap perovskite oxide semiconductor BaSnO3 was recently found to possess high mobility and excellent stability. Its single crystal mobility value of about 300 cm2/Vs in the doping range of 1019~1020/cm3, when n-type La dopants in place of Ba are used, is the highest among all the semiconductors. Furthermore, the oxygen diffusion constant in BaSnO3 was measured to be several orders of magnitude lower than other oxides, demonstrating superb stability of the material.
Taking advantage of such properties, excellent field effect transistors were recently demonstrated using amorphous gate oxides (AlOx and HfOx) as well as high-k epitaxial gate oxides such as LaInO3 and BaHfO3, which led to development of an all-perovskite transparent high mobility field effect transistor. In addition, p-type doping by K in place of Ba is feasible and the pn-junctions made with K-doped BaSnO3 and La-doped
BaSnO3 were demonstrated to exhibit near-ideal IV characteristics. Moreover, 2DEG behavior is found at the polar interface of BaSnO3 and LaInO3. We will go over the parameters that control the 2DEG behavior and discuss the mechanism behind such behavior.
In spite of these tremendous progresses, the device performances are currently limited by defects such as threading dislocations. Once all the major defects are removed, the perovskite oxide semiconductor BaSnO3 system, especially when it is combined with other perovskite oxides, is expected to offer much more opportunities for science and technology.


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

19.03.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Andreas Danilewsky: 'Diffraction imaging: More than nice pictures'

 

Am Montag, den 19.03.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr. Andreas Danilewsky
Kristallographie, Institut für Geo- und Umweltnaturwissenschaften Albert-Ludwigs-Universität, Freiburg

zum Thema:

"Diffraction imaging: More than nice pictures"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

12.03.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Silvana Botti:
'Discovery and characterization of new materials using supercomputers:  crystal structure prediction and theoretical spectroscopy'

 

Am Montag, den 12.03.18, 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr. Silvana Botti
AG Festkörpertheorie, Institut für Festkörpertheorie und Optik (IFTO) der FSU Jena

zum Thema:

"Discovery and characterization of new materials using supercomputers:
crystal structure prediction and theoretical spectroscopy
"

 


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

15.03.18, 11:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Hugo Schlich: 'Kristallzüchtung bei MaTecK'

 

Am Donnerstag, den 15.03.18, um 11:00 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium

  Dr. Hugo Schlich
Fa. MaTecK (Material-Technologie & Kristalle GmbH)

zum Thema:

"Kristallzüchtung bei MaTecK"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

26.02.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Andreas Fuhrer: 'From Transistors to Qubits'

 

Am Montag, den 26.02.18 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Andreas Fuhrer
Quantum Technology group at IBM Research - Zurich

zum Thema:

"From Transistors to Qubits"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof


Abstract
Since the invention of the first bipolar transistor, integrated circuits have evolved to incredibly complex, ultra-scaled devices with on the order of 109 transistors per chip. Even if these devices no longer rely on bipolar technology, excellent control of highly doped regions is still a critical factor for device performance. Moreover, single dopant atoms in a silicon crystal or nanoscale silicon transistors are thought to be candidates for spin qubits with a long spin lifetime.
The hydrogen resist lithography technique is capable of preparing atomic scale planar dopant devices. This is enabled by a large difference in chemical reactivity of the bare and hydrogen passivated Si (001): 2x1 surface. Using a scanning tunneling microscope (STM), the hydrogen layer of the H:Si (001) surface is locally desorbed with nanometer precision leaving behind exposed areas of reactive Si. When a gaseous dopant precursor such as phosphine or diborane is introduced, the hydrogen layer acts as a resist and the dopants stick only to the desorbed areas. Compared to conventional fabrication methods, hydrogen resist lithography enables degenerate delta-doping with sub-nanometer lateral resolution and highly abrupt doping profiles.
In the first part of my talk I’ll present results on how an STM fabricated 6 x 6 nm n-type quantum dot in the Coulomb blockade regime can be used to characterize nanoscale barriers between dopant contacts [1]. We have since extended the hydrogen-resist technique to p-type doping with diborane and I’ll show initial electrical transport measurements on p-type dopant wires and a simple planar pn-junction fabricated by STM patterning. In addition, I’ll also outline our efforts to simplify the slow STM-based device fabrication with UHV-compatible pre-patterned SOI chips that do not require in-situ surface preparation and can be reintegrated into a CMOS process flow.
In a second part I’ll give an outlook on how dopants and field effect transistors can also be used as qubits and I’ll discuss ideas on how we would like to integrate such silicon based qubits with superconducting qubit technology.

 

[1] N. Pascher, S. Hennel, S. Mueller, and A. Fuhrer. Tunnel barrier design in donor nanostructures defined by hydrogen-resist lithography. New Journal of Physics, 18, 083001 (2016).
[2] S. E. Nigg, A. Fuhrer, and D. Loss. Superconducting grid-bus surface code architecture for hole-spin qubits.Phys. Rev. Lett., 118, 147701 (2017).

15.01.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Neil Curson: 'Fabrication and characterisation of nanoscale donor devices towards silicon quantum information processing'

 

Am Montag, den 15.01.18 um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Neil Curson
London Centre for Nanotechnology,
and Dept. Electronic & Electrical Engineering, University College London

zum Thema:

"Fabrication and characterisation of nanoscale donor devices towards
silicon quantum information processing"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

06.12.17, 18 Uhr: Parlamentarischer Abend der Leibniz-Gemeinschaft Wissen — Wahrheit — Wunsch
Zur Rolle der Wissenschaft im Diskurs um Fakten und Meinungen

 

Am Mittwoch, den 06.12.2017 um 18 Uhr (Einlass 17.15 Uhr)


veranstaltet die Leibniz-Gemeinschaft
einen  Parlamentarischer Abend zum Thema:

 

  Wissen — Wahrheit — Wunsch  
  Zur Rolle der Wissenschaft im Diskurs um Fakten und Meinungen  


Programm und Einladung (PDF)
Weblink


Bitte senden Sie Ihre Anmeldung bis zum 24. November 2017 per E-Mail an Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! oder per Fax an +49 30 206049-28.

 

Veranstaltungsort:

Haus der Leibniz-Gemeinschaft,
Chausseestraße 111
10115 Berlin

 

10.11.17, 13 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Jürgen Schreuer -
'Elasticity - A powerful probe for the exploration of structure/property relationships'

 

Am Freitag, den 10.11.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr. Jürgen Schreuer
AG Kristallphysik, Institut für Geologie, Mineralogie und Geophysik,
Ruhr-Universität Bochum, Deutschland

zum Thema:

"Elasticity - A powerful probe for the exploration

of structure/property relationships"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

08.11.17, 19 Uhr: Verleihung des Marthe-Vogt-Preises 2017

 

Marthe Vogt Logo kopie

 

Am Mittwoch, den 08.11.2017 um 19:00 Uhr

 

wird der diesjährige

 

"Marthe-Vogt-Preis"

 

verliehen.

 

 


 

Die Verleihung des Marthe-Vogt-Preises ist Teil der Berlin Science Week 2017.

Anmeldung unter: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! | Tel. 030 / 6392-3339

Weitere Informationen erhalten Sie unter:
http://www.fv-berlin.de/nachwuchs/nachwuchswissenschaftlerinnen-preis-1
oder auf der Einladung.


Veranstaltungsort:

Haus der Leibniz-Gemeinschaft,
Chausseestraße 111 (Ecke Invalidenstraße), 10115 Berlin
(U-Bahn-Station Naturkundemuseum)

 

13.10.17, 14 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Sven Rogge - 'Engineered quantum matter'

 

Am Freitag, den 13.10.2017 um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr. Sven Rogge
School of Physics, ARC Centre for Quantum Computation and Communication Technology,
University of New South Wales, Sydney, Australia

zum Thema:

"Engineered quantum matter"

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

20. - 22. September 2017: Deutsch-Japanischer Workshop 'Advanced Material Science'

Vom 20. bis 22. September 2017 richtet die Leibniz-Gemeinschaft gemeinsam mit der Japan Science and Technology Agency (JST) am Leibniz-Institut für Polymerforschung Dresden e. V. (IPF) einen binationalen Workshop zum Thema „Advanced Material Science“ aus. Auch das IKZ ist an der Veranstaltung beteiligt: Dr. Tobias Schulz aus der Arbeitsgruppe Elektronenmikroskopie spricht zum Thema “InGaN structure at the atomic scale - correlation to optical properties“

 

Bei der Veranstaltung, die unter der Schirmherrschaft und in Anwesenheit der Präsidenten von Leibniz-Gemeinschaft und JST stattfindet, stellen rund 40 hochrangige Wissenschaftler aktuelle materialwissenschaftliche Forschungsarbeiten zu den Themengebieten Photonik, Polymer- und Nanotechnologie sowie (Nano)Messtechnik vor und loten Potenziale künftiger Kooperationen aus. Neben Direktoren und anderen leitenden Wissenschaftlern aus neun Leibniz-Instituten sowie von japanischer Seite aus sechs Universitäten und einem Industrieunternehmen nehmen am Workshop auch Vertreter von Förderorganisationen beider Seiten teil, um konkrete Unterstützungsmaßnahmen und Fördermöglichkeiten für bilaterale Vorhaben aufzuzeigen.

 

Die JST ist eine der wichtigsten Säulen der Förderung von Forschung und Entwicklung in Japan. Mit rund 900 Millionen EUR pro Jahr zu 95 Prozent staatlich finanziert, zielen die Aktivitäten der JST auf alle Bereiche von Forschung, der Schaffung der Infrastrukturen und Netzwerke dafür bis hin zum Wissenstransfer in Wirtschaft und Gesellschaft.

 

Die Leibniz-Gemeinschaft verbindet 91 selbständige Forschungseinrichtungen in Deutschland. Deren Ausrichtung reicht von den Natur-, Ingenieur- und Umweltwissenschaften über die Wirtschafts-, Raum- und Sozialwissenschaften bis zu den Geisteswissenschaften. Leibniz-Institute bearbeiten gesellschaftlich, ökonomisch und ökologisch relevante Fragestellungen. Aufgrund ihrer gesamtstaatlichen Bedeutung fördern Bund und Länder die Institute der Leibniz-Gemeinschaft gemeinsam. Die Leibniz-Institute beschäftigen rund 18.700 Personen, darunter 9.500 Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler. Der Gesamtetat der Institute liegt bei mehr als 1,8 Milliarden Euro.

 

Workshop-Programm

25.08.17, 13 Uhr: Kolloquium - Prof. Liang Wu - 'Novel Approach to Spontaneously Grow High-quality Freestanding AlN Single Crystals on Pre-sintered AlN Powder Source by PVT Method'

 

Am Freitag, den 25.08.2017 um 11:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Liang Wu
School of Materials and Science Engineering, Shanghai University, China

zum Thema:

"Novel Approach to Spontaneously Grow High-quality
Freestanding AlN Single Crystals on Pre-sintered AlN Powder Source
by PVT Method
"

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

18.08.17, 13 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr.-Ing. Ulf Schümann - 'Die Herausforderungen des Packaging von Wide-Bandgap Halbleitern und deren Einsatz in leistungselektronischen Schaltungen'

 

Am Freitag, den 18.08.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr.-Ing. Ulf Schümann
Institut für Elektrische Energietechnik
Fachbereich Informatik und Elektrotechnik der FH Kiel – Hochschule für angewandte Wissenschaften

zum Thema:

"Die Herausforderungen des Packaging von
Wide-Bandgap Halbleitern und deren Einsatz in
leistungselektronischen Schaltungen
"

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

04.08.17, 13 Uhr: Kolloquium - MSc Mariia Anikeeva - 'Optical and structural properties of In0.25Ga0.75N/GaN short-period superlattices'

 

Am Freitag, den 04.08.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  MSc Mariia Anikeeva
AG Elektronenmikroskopie, IKZ

zum Thema:

           "Optical and structural properties of          
 In0.25Ga0.75N/GaN short-period superlattices" 

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

17.07.17, 14 Uhr: Kolloquium - Dr. Hans Boschker - 'A two-dimensional interface superconductor with unconvential gap behaviour and in-gap states'

 

Am Montag, den 17.07.2017 um 14:00 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium

  Dr. Hans Boschker
Max Planck Institute für Festkörperforschung AG Festkörper-Quantenelektronik (Prof. Mannhart)

zum Thema:

       "A two-dimensional interface superconductor      
 with unconvential gap behaviour and in-gap states" 

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

05.07.17, 13 Uhr: Kolloquium - Prof. Zuo-Guang Ye - 'Morphotropic Phase Boundary
and Structure-Property Relations in High-Performance Piezo-/ferroelectrics'

 

Am Mittwoch, den 05.07.2017 um 13:00 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium

  Prof. Zuo-Guang Ye
Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia, Canada

zum Thema:

       "Morphotropic Phase Boundary and Structure-Property Relations       
                            in High-Performance Piezo-/ferroelectrics"                           

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

02.07 - 06.07 2017: 7th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-7)

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) veranstaltet vom 2. - 6. Juli 2017 den

7th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-7)

weitere Informationen

23.06.17, 13 Uhr: Kolloquium - Leonhard von Helden - 'Ferroelectric Domains in Strained K0.7Na0.3NbO3 Thin Films for Surface Acoustic Wave Propagation'

 

Am Freitag, den 23.06.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Leonhard von Helden
AG Ferroelektrische Oxidschichten

zum Thema:

       "Ferroelectric Domains in Strained K0.7Na0.3NbO3 Thin Films       
       for Surface Acoustic Wave Propagation"      

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

16.06.17, 13 Uhr: Kolloquium - Dr. Dmitri V. Berkov -
'Multiscaling dislocation modelling and calculation of dislocation-induced stress'

 

Am Freitag, den 16.06.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  PD Dr. Dmitri V. Berkov
Research Director
General Numerics Research Lab e.V., Jena

zum Thema:

                "Multiscaling dislocation modelling               
       and calculation of dislocation-induced stress"      

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

09.06.17, 13 Uhr: Kolloquium - Dr. Yuansu Luo - 'Thermophysical properties of SiGe-melt measured under microgravity conditions'

 

Am Freitag, den 09.06.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Yuansu Luo
I. Physikalisches Institut, Uni Göttingen

zum Thema:

       "Thermophysical properties of SiGe-melt       
       measured under microgravity conditions"      

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

09.06.17, 13 Uhr: Kolloquium - Dr. Jos Boschker -
'Growth of 2D materials: From fundamentals to nanoscale applications'

 

Am Freitag, den 02.06.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Jos Boschker
AG Ferroelektrische Oxidschichten

zum Thema:

       "TGrowth of 2D materials: From fundamentals to nanoscale applications"      

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

05.05.17, 13 Uhr: Kolloquium - MSc Frederik Steib - 'Pulsed Sputter Deposition of group-III nitrides'

 

Am Freitag, den 05.05.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  MSc Frederik Steib
TU Braunschweig, Institut für Halbleitertechnik

zum Thema:

       "Pulsed Sputter Deposition of group-III nitrides"      

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

27. + 28.April 2017: Kick-off and laser materials meeting (ZLM)

briefkopf zlm blau


kick-off and laser materials meeting

on the occasion of the founding of the Zentrum für Lasermaterialien (ZLM)


taking place on
April 27th and 28th 2017
at the Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) in Berlin.


Workshop Schedule (Further details and updates regarding the program you find here)

Zentrum für Lasermaterialien / Center for Laser Materials (web presence)

 

As of March 1st 2017 Dr. Christian Kränkel will head the new Zentrum für Lasermaterialien - Kristalle (Center for Laser Materials - Crystals, ZLM-K) located at the Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ).

The initiating project funded by the BMBF (project supervised by VDI) will be in close collaboration with the Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) in Berlin, where the Zentrum für Lasermaterialien - Halbleiter (Center for Laser Materials - Semiconductors, ZLM-H) will be installed.

The ZLM-K will be equipped to characterize and qualify laser crystals and other optical materials with respect to laser applications. Besides research on new materials, another important aspect of the ZLM will be the supply and qualification of optical materials as a service job for research groups and industrial users.

To promote the ZLM in the community and to solicit input for future activities of the ZLM, we will hold a two-day ZLM kick-off and laser materials meeting at the IKZ in Berlin on April 27th and 28th.

During this meeting we will introduce the ZLM and demonstrate its abilities. Renowned experts from research and industry will provide lectures on the state-of-the art of German laser research. Also, lab-tours are offered at the IKZ and the FBH and there will be enough time to discuss and exchange with the other participants.

Participating in the workshop is free, but we would request an informal registration via e-mail to Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! before April 3rd.

 

21.04.17, 13 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr.-Ing. Jostein Grepstad -
'Controlling topological spin textures in epitaxial oxide thin film micromagnets'

 

Freitag, den 07.04.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr.-Ing. Jostein Grepstad
Norwegian University of Science and Technology (NTNU), Trondheim, Dept. of Electronics and Telecommunications,
Nanoelectronics and Photonics research group

zum Thema:

          Controlling topological spin textures          
      in epitaxial oxide thin film micromagnets      

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

07.04.17, 13 Uhr: Kolloquium - Dr. Joseph Janicsko - 'GERDA Phase II, from the concept to first results

 

Freitag, den 07.04.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

Dr. Joseph Janicsko
TU München E15, Chair for Experimental Physics and Astroparticle Physicszum

zum Thema:

       "GERDA Phase II - from the concept to the first results"      

 


Abstract
The GERmanium Detector Array (GERDA) experiment, located at the Gran Sasso underground laboratory in Italy, is built for the search of neutrinoless double beta decay in Ge-76. GERDA operates bare high purity germanium detectors submersed in liquid Argon (LAr).
Phase I of the experiment was successfully completed reaching an exposure of about 21 kg yr with the best background level in the field (if normalized to region of interest) of 10exp-2 counts/ (keV kg yr). GERDA Phase I set a limit on the neutrinoless doublel beta decay of Ge-76 of 2.1 x 10exp25 yr.

In Phase II of the experiment 35.6 kg of enriched germanium detectors are operated. The application of active background rejection methods, such as a liquid argon scintillation light read-out and pulse shape discrimination of germanium detector signals, allowed to reduce the background index to the intended level of 10exp-3 counts/(keV kg yr).

I will report about the hardware upgrades that were done for Phase II, the production of 30 new Germanium detectors and the installation of the LAr veto. Finally, I will give the results of the first five month of Phase II data taking with 10.8 kg yr of exposure.


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

24.02.17, 13 Uhr: Kolloquim - Dr. Vladimir Roddatis -
'Environmental Transmission Electron Microscopy of CaxPryMnO3 Perovskites'

Freitag, den 24.02.2017 um 13:00 Uhr spricht in unserem Institutskolloquium

Dr. Vladimir Roddatis
Institut für Materialphysik Universität Göttingen

 

zum Thema: "Environmental Transmission Electron Microscopy of CaxPryMnO3 Perovskites"

 

Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

03.03.17, 13 Uhr: Kolloquim - Stefan Kayser - 'Modelling of Lateral-Photovoltage-Sannning Method'

Freitag, den 03.03.2017 um 13:00 Uhr spricht in unserem Institutskolloquium

MSc Phys Stefan Kayser
IKZ, AG Si/Ge

 

zum Thema: "Modelling of Lateral-Photovoltage-Sannning Method"

 

Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

23.02.17, 13 Uhr: Kolloquim - Diana Karsch & Sven Jachalke -
'Charakterisierung und Anwendung pyroelektrischer Materialien'

Am Freitag, den 03.02.17 um 13:00 Uhr sprechen in unserem Institutskolloquium

M.Sc. Diana Karsch und Sven Jachalke

vom Institut für exp. Physik der TU Bergakademie Freiberg
AG Verbindungshalbleiter und Festkörperspektroskopie

 

zum Thema: "Charakterisierung und Anwendung pyroelektrischer Materialien"

 

Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

10.02.17, 13 Uhr: Kolloquim - Dr.-Ing. Björn Hinze - 'Einkristalle in der Luftfahrt'

Freitag, den 10.02.2017 um 13:00 Uhr spricht in unserem Institutskolloquium

Dr.-Ing. Björn Hinze
Materials and Manufacturing Capability Acquisition
(ET-M3) Rolls-Royce, Deutschland

 

zum Thema: "Einkristalle in der Luftfahrt"

 

Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

25.01.17, 14 Uhr: Kolloquim - Dr. Catherine Dubourdieu - 'Epitaxial complex oxides heterostructures'

Am Mittwoch, den 25.01.17 um 14:00 Uhr

 

spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium

Dr. Catherine Dubourdieu

Direktorin des Instituts Funktionale Oxide für die energieeffiziente IT, HZB-Berlin

 

zum Thema: "Epitaxial complex oxides heterostructures"

 

Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

31.01.17, 13 Uhr: Dissertationsverteidigung  - M.Sc. Dirk Johannes Kok -
'Influence of the growth conditions on the optical properties of  Strontium Titanate'

Dissertationsverteidigung

 

Herr M.Sc. Dirk Johannes Kok

Thema: „Influence of the growth conditions on the optical properties of SrTiO3

 

Dienstag, 31. Januar 2017 um 13:00 Uhr

 

Humboldt-Universität zu Berlin - Institut für Physik

Newtonstr. 14, Raum 0´05 im Lehrraumgebäude

12489 Berlin-Adlershof

 

Alle Interessenten sind herzlich eingeladen.

16.01 - 20.01.2017: Präsentationen der Bewerber für die Direktorenstelle am IKZ

Presentations for the position of Director of IKZ with associated Professorship at HU Berlin

 

Monday, 16th Jan 2017

09.00    Prof. Dr. Thomas Hannappel, TU Ilmenau

12.30    Prof. Dr. Markus Pollnau, KTH Royal Institute of Technology


Location:    IKZ, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin-Adlershof – Room 316

 


Friday, 20th Jan 2017

09.00    Prof. Dr. Thomas Schröder, IHP – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

12.00    Dr. Dirk Ehrentraut, Soraa Inc., California

 

Location:     Max-Born-Saal, Max-Born-Str. 2a, 12489 Berlin-Adlershof

Vortrag 'Impact of sodium excess on electric and structural properties of (...) thin films'

Am kommenden Donnerstag, den 17.11.16, 15:00 Uhr
hält im Seminarraum 316 in einem außerordentlichen internen Institutskolloquium
Herr Christoph Feldt einen Abschlussvortrag zu seiner Masterarbeit zum Thema:

“Impact of sodium excess on electric and structural properties of compressively strained NaNbO3 thin films”

Wie immer wird um rege Teilnahme gebeten.

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