Wachstum & Charakterisierung von Silizium aus Zinn - Lösungen für die Photovoltaik

Christian Ehlers
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
Mittwoch, 11. Mai 2016, 14:00
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
Max-Born-Str. 2
Geb. 19.31, Raum 316

Kolloquium Nitridation & Polarity Control During MOVPE Growth of Group-III Nitrides on Sapphire Substrates

Natalia Stolyarchuk
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
Freitag, 27. Mai 2016, 13:00 Uhr
Leibniz- Institut für Kristallzüchtung
Max-Born-Str. 2
Geb. 19.31, Raum 316 

Kolloquium Materialherstellung für CIGSe-Mikrokonzentrator-Solarzellen

Katharina Ehlers
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
AG HL-Mikrokristalle
Freitag, 15. Juli 2016, 13:00
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
Max-Born-Str. 2
Geb. 19.31, Raum 316

Partnerlogo 1

Partnerlogo 2

Partnerlogo 3