January/Stellenangebot (K05/18): Research Scientist (m/f):
'Compound semiconductor research and development (R & D) for micro- / optoelectronic applications'

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and power electronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin e.V. and a member of the Leibniz-Association.

 

We are presently offering a

Research Scientist (m/f) Position


Topic:
Compound semiconductor research and development (R & D) for micro- / optoelectronic applications

 

IKZ is looking for an experienced senior doctoral scientists in the area of compound sem-iconductor research and development (R & D) for micro- / optoelectronic applications. R & D activities will focus on innovative compound semiconductor materials and substrates (e.g. AlN) to close the innovation gap between basic research activities and technology readiness in the area of crystals and substrates. The successful candidate is expected to actively collaborate a) with crystal growth and materials characterization teams to improve quality, size and reproducibility of crystals and b) with the crystal preparation laboratory to develop recipes in order to deliver well-defined substrates to partners in academia and industry for prototyping. A candidate with strong networking activities in academia and industry on national and international level for acquiring third party funds is highly wel-comed; experience in leadership in the area of crystal growth and substrate development in an industry environment is considered an advantage.

 

An University degree (MSc, diploma or comparable degree) in physics, chemistry or a related field of study as well as a successful doctorate study, demonstrated by scientific publications in international journals, is requested.

 

For academic questions please contact: 
Prof. Thomas Schröder
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3001

 

The employment will be limited to two years and paid according to the TVöD labour agreement. Among equally qualified applicants, preference will be given to disabled can-didates. The IKZ is an equal opportunity employer and actively supports reconciliation of work and family life.

 

We await your informative application with reference to the job number K05/18, including the usual documents,
by February 28, 2018.


Please send them to:
Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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Januar/18 Stellenangebot (K06/18): Doktorandin/Doktorand:
'Wachstum und Optimierung von verspannten ferroelektrischen Kalium-Natrium-Niobat-Schichten''

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.


Wir suchen zum 01.04.2018 in der Arbeitsgruppe „Ferroelektrische Oxidschichten

 

eine/einen
Doktorandin/Doktorand


Zum Thema:
"Wachstum und Optimierung von verspannten ferroelektrischen
Kalium-Natrium-Niobat-Schichten"

 

Die Gruppe „Ferroelektrische Oxidschichten“ des IKZ beschäftigt sich mit der Abscheidung und Charakterisierung von bleifreien ferro- und piezoelektrischen Perowskitschichten. Innerhalb des Projektes „Barium stannate based heterostructures for electronic applications“ sollen verspannte, ferroelektrische Kalium-Natrium-Niobat-Schichten mit der gepulsten Laserdeposition (PLD) und der metallorganischen Gasphasendeposition (MOCVD) abgeschieden werden.

Das übergeordnete Ziel des Projektes besteht in der Erforschung von epitaktischen Heterostrukturen für die Anwendung als ferroelektrischer Feldeffekttransistor (FeFET). Das Teilprojekt beinhaltet die Abscheidung und Optimierung von Kalium-Natrium-Niobat-Schichten auf verschiedenen Oxidsubstraten und -schichten. Dabei soll eine Korrelation zwischen Wachstumsparameter, Gitterverspannung, Interface- und Domänenbildung sowie den ferroelektrischen Eigenschaften wie remanente Polarisation und Curie-Temperatur erarbeitet werden.

Außerdem soll der Einbau von aliovalenten Ionen in die Schichten zur Reduktion des Leckstromes untersucht werden. Neben der Abscheidung sollen von dem Bewerber auch Messungen mit Röntgendiffraktometrie, dem Rasterkraftmikroskop (AFM/CAFM/PFM) und einem ferroelektrischen Tester durchgeführt werden.

Die Arbeiten finden in enger Kooperation mit den anderen Projektgruppen statt.

 

Voraussetzungen sind ein abgeschlossenes Studium in Physik, Chemie, Materialwissenschaften oder verwandten Fachgebieten, gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie Bereitschaft zur Teamarbeit. Erfahrungen mit der Abscheidung von Oxidschichten und Kenntnisse auf dem Gebiet der Dünnschichtcharakterisierung sind notwendig.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Jutta Schwarzkopf
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+49 30 6392-3053

 

Die Stelle ist für 3 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (75 %) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber/innen besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.


hre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis 23.02.2018 unter Angabe der Kennziffer 06/18 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany


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Februar/18 Ausbildungsplatz (K07/18): Zerspanungsmechaniker/in

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.


Zum 01. September 2018 bieten wir einen Ausbildungsplatz

 

zum/zur
Zerspanungsmechaniker/in

 

 

Der/Die Zerspanungsmechaniker/-in ist ein/eine qualifizierte/-r Facharbeiter/-in, der/die mit Hilfe konventioneller und numerisch gesteuerter Werkzeugmaschinen verschiedenste Materialien bearbeitet sowie Bauteile für Maschinen und Anlagen herstellt und montiert.

 

Voraussetzungen:
Wir erwarten ein ausgeprägtes Interesse an technischen und mechanischen Systemen, Realschulabschluss bzw. Abitur mit guten Noten in den Naturwissenschaften und Mathematik sowie gute PC-Kenntnisse. Zu Ihren Stärken sollten Lernbereitschaft, Teamfähigkeit, Fleiß und Disziplin sowie handwerkliches Geschick im Umgang mit Werkzeugen gehören.

 

Ausbildung:
Die Ausbildung dauert 3,5 Jahre und kann bei guten Leistungen um ein halbes Jahr verkürzt werden. Die nötige Praxis wird dem/der Auszubildenden am Institut, der theoretische Hintergrund an der Berufsschule vermittelt. Teile der Ausbildung finden in einem vom IKZ vertraglich gebundenen Ausbildungszentrum statt.

 

Fachliche Auskünfte:
Herr Bernd Spotowitz
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+49 30 6392-3064

 

Die Stelle wird nach dem Tarifrecht  für Auszubildende des Öffentlichen Dienstes TVAöD vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.


Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen (pdf-Format) senden Sie bitte bis zum 29.03.2018 unter Angabe der Kennziffer 07/18 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany


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März/18 Stellenangebot: studentische Hilfskraft: 'Modellierung von Kristallzüchtungsprozessen für Silizium'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovol-taik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundle-gende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu indust-riell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz Gemeinschft.


Wir suchen ab sofort
in der Arbeitsgruppe Silizium & Germanium eine

 

studentische Hilfskraft


für das Thema:
„Modellierung von Kristallzüchtungsprozessen für Silizium“

 

Aufgaben:
•    Untersuchungen des Wärme- und Stofftransports in Kristallzüchtungsprozessen
•    Durchführung und Auswertung von numerischen Simulationen
•    Entwicklung von Modellexperimenten zur Validierung der Simulation
•    Vorbereitung, Durchführung und Auswertung von Experimenten


Voraussetzungen:
•    Mindestens 4 abgeschlossene Studien-Semester in Natur- oder Ingenieurswissenschaften
•    Vertiefte Kenntnisse in den Bereichen Wärmetransport und Strömungsmechanik
•    Erfahrung mit Software für numerische Simulation (z.B. Comsol, ANSYS, OpenFOAM)
•    Erfahrung im Aufbau von Versuchsständen für naturwissenschaftliche Experimente
•    Basiswissen in Mess- und Regelungstechnik


Unser Angebot:
•    Zukunftsorientiertes und industrierelevantes Forschungsthema im High-Tech Bereich
•    Arbeit im interdisziplinären Projektteam sowohl im technischen als auch wissenschaftlichen Bereich
•    Bei Interesse: Möglichkeit für eine Bachelor-, Master- oder Praktikumsarbeit

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Kaspars Dadzis
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Tel.: +49 30 6392-2830

 

Die Arbeitszeit beträgt ca. 10 Stunden pro Woche (nach Vereinbarung). Die Stelle ist zunächst auf 6 Monate befristet und wird mit 11,24 € pro Stunde vergütet. Schwerbehinderte werden bei glei-cher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancen-gleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 27.04.2018 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
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November/17 Stellenangebot: Technische/n Mitarbeiter/in -
Arbeitsgruppe Ferroelektrische Oxidschichten

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Wir suchen ab sofort in der Arbeitsgruppe Ferroelektrische Oxidschichten eine/einen

 

Technische/n Mitarbeiter/in

 

Die Arbeitsaufgabe ist eingebettet in die Entwicklung und Optimierung von bleifreien ferroelektrischen Oxidschichten. Sie umfasst die Vorbereitung und Durchführung von Schichtabscheidungen mittels chemischer Gasphasendeposition, die Charakterisierung der Schichtenoberflächen mit Hilfe der Rasterkraftmikroskopie, die Präparation von Substratoberflächen sowie die Wartung der Züchtungsanlagen.

Voraussetzungen sind eine abgeschlossene Berufsausbildung als physikalisch technische/r Assistent/in, Verfahrenstechniker/in, Mikrotechnologe/in oder in verwandten Gebieten. Kenntnisse auf dem Gebiet der Schichtabscheidung bzw. Anlagen- und Vakuumtechnik sind wünschenswert. Eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit und Englischkenntnisse werden erwartet.

 

Fachliche Auskünfte:
Frau Dr. Jutta Schwarzkopf
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+49 30 6392-3053

 

Die Stelle ist vorerst auf 2 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber/innen besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis 27.11.2017 unter Angabe der Kennziffer 15/17 an:

Frau Birgit Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
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Januar/18 Stellenangebot (K03/18): Research Scientist (m/f):
'Research and education in the area of crystalline inorganic materials for micro-/optoelectronics applications'

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and power electronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin e.V. and a member of the Leibniz-Association.

 

We are presently offering a

Research Scientist (m/f) Position


Topic:
Research and education in the area of crystalline inorganic materials for micro-/op-toelectronics applications

 

The Leibniz Institute for Crystal Growth in Berlin Adlershof is seeking a talented scientist to establish in collaboration with the Physics Department at HU Berlin a Nanolithography Centre to explore and evaluate novel functional crystalline materials with respect to po-tential micro-/ optoelectronics applications. The successful candidate is an highly inde-pendently working personality with an excellent knowledge of materials processing to-wards device test structures, including detailed experience on materials characterization, surface science and solid state physics of crystalline materials. Proven capability to ac-quire third party funds from public sources (e.g. DFG, AvH etc.) and / or private sector (e.g. industry, foundations etc.) is of central importance. Furthermore, the candidate is active on lectures about the fundamentals of growth and properties of crystalline materials as well as their applications in modern societies; networking within Berlin-Brandenburg research and education area by collaborations with partners is particularly welcomed. 

 

For academic questions please contact: 
Prof. Thomas Schröder
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3001

 

The employment will be limited to two years and paid according to the TVöD labour agreement. Among equally qualified applicants, preference will be given to disabled can-didates. The IKZ is an equal opportunity employer and actively supports reconciliation of work and family life.

We await your informative application with reference to the job number K03/18, including the usual documents, by February 28, 2018.


Please send them to:
Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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Januar/18 Stellenangebot (K04/18): Doktorandin/Doktorand:
'MOCVD of perovskite oxide films'

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and power electronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin e.V. and a member of the Leibniz-Association.


Commencing as soon as possible there is an opening for a


Ph.D. Student Position


Topic:
"MOCVD of perovskite oxide films"

 

The group "Ferroelectric oxide layers" of the IKZ deals with epitaxial growth of complex oxide films, thereby SrTiO3 as a prototype of perovskite oxide is of particular interest. Despite many experimental and theoretical efforts, the fundamental understanding of growth process and related defects, oxygen vacancies and interface phenomena in SrTiO3 is still limited yet. Therefore, within the Leibniz ScienceCampus GraFox, SrTiO3 thin films shall be basically investigated in dependence of growth parameters and choice of the substrate (lattice strain). Epitaxial deposition will be focused on metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), which provides stoichiometric films with low defect density. Additionally, pulsed laser deposition will be used, thus a large range of deposition parameters is available. This offers systematic studies on point defects, electronic transport mechanisms, and interface formation.
Characterization of the thin films shall be performed by x-ray diffraction and electron microscopy as well as atomic force microscopy equipped with a conductive (CAFM) module.

 

Applicants should hold a Diploma or a MSc degree in physics, chemistry, materials science or a related discipline as well as good English language skills. Expertise in the field of oxides/perovskites, thin film growth or knowledge regarding thin film characterization is highly desirable. Capability of working scientifically on an independent basis and ability to carry out structured scientific work within a highly motivated team of researchers and technicians are further requirements.

 

The position is part of the Leibniz ScienceCampus “Growth and fundamentals of oxides for electronic applications (GraFox)”, which seizes to fuse the excellent individual activities and competences in Berlin on one of the most prospective material systems for future electronic and (renewable) energy applications. Through collaborative research and publications we aim to establish an internationally renowned key region in Berlin. The ScienceCampi of the Leibniz Association promote cooperation on an equal footing between Leibniz institutions and universities in the form of thematically-focused, complementary regional partnerships. These networks aim to strengthen the scientific environment for the relevant themes by conducting strategic research and encouraging interdisciplinarity in their topics, projects and methods.

 

The position is limited to three years. Payment is according to TVöD (Treaty for German public service). IKZ is an equal opportunity employer. Therefore, female candidates are encouraged to apply and will be preferred in case of adequate qualification. Among equally qualified applicants preference will be given to disabled candidates.

 

 

 

For information about the project contact:
Dr. Jutta Schwarzkopf
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3053


The position is limited to three years. Payment is according to TVöD (Treaty for German public service). IKZ is an equal opportunity employer. Therefore, female candidates are encouraged to apply and will be preferred in case of adequate qualification. Among equally qualified applicants preference will be given to disabled candidates.


We await your informative application with reference to the job number K04/18, including the usual documents, by February 12th, 2018. Please send them to:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany


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April/18 Stellenangebot: Doktorandin/Doktorand:
'physics on SiGe heteroepitaxy materials science for future Silicon nanoelectronics'

Based on a collaboration between industry (Siltronic) and academia (IKZ & IHP), a Ph.D. position is opened for a young talented researcher in the area of advanced heteroepitaxy and state-of-the-art materials characterization for future Silicon nanoelectronics.

 

Science:
Due to their higher carrier mobility, SiGe or Ge based transistors are promising candidates for next-generation devices. Such transistors can be realized by SiGe heteroepitaxy on silicon substrates. A basic manufacturing process is available. However, one major obstacle for the introduction of the material class is the current defect level in the order of 1E5/cm2. These defects are threading dislocations (TDs) generated as a result of the lattice mismatch between a silicon substrate and SiGe epitaxial layer. The defect level is not only dependent on the deposition process but also on the Silicon substrate properties. It is the target of the thesis to gain understanding in the nucleation dynamics of the TDs and to reduce the TD density to a level suitable for sufficient device reliability.

 

International networking:
The thesis is planned to be incorporated into a funded pan-European 3-year project on next-generation lithography and device technology providing contract and collaboration with further international semiconductor partners and organizations.

 

Supervision & Organization:
The Ph.D. student will be enrolled at the Institute of Physics at the Humboldt University Berlin; the Ph.D. student will be hired by Siltronic and will mainly work at the company in Burghausen; research stays at IKZ Berlin and IHP Frankfurt (Oder) are carried out during the research work.

 

Your tasks:

  • Running epitaxial SiGe deposition tests with defined Germanium compositions
  • Analysis of the main impact parameter for the threading dislocation defect generation
  • Refinement and improvement of characterization methods on strain, composition and defect levels in cooperation with Siltronic metrology and supporting institutes

 

Your profile:

  • Master degree in physics or materials science
  • Experimental skills, most suitable first experience in epitaxial deposition
  • theoretical background on semiconductor materials and epitaxial processes
  • Strong motivation to look into defect formation and developing models on nucleation dynamics
  • Commitment to the project´s success and willingness to collaborate with an innovative R & D team.

 

Further information:

  • about supervision: Prof. Thomas Schroeder (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung)
    Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
  • about project work: Dr. Georg (Siltronic AG)
    Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!

 

We await your informative application  by May 15th, 2018
Please use the following link:
https://karriere.siltronic.com/jobposting/b4182d648811149e24621b7f1e7c969b19d8f627
for your application.


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Mai/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft) & Masterarbeit 'Charakterisierung und Modellierung monokristalliner Germaniumkristalle mit der Lateral Photovoltage Scanning (LPS)- Methode'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Charakterisierung und Modellierung monokristalliner Germaniumkristalle
mit der Lateral Photovoltage Scanning (LPS)- Methode"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung ab sofort eine

Masterarbeit

 

Die Arbeit umfasst:
die Simulation und Untersuchung der physikalischen Zusammenhänge zwischen dem LPS-Messsignal von Germaniumkristallen im Vergleich zu Siliciumkristallen und Probenparametern wie:
•    Probengeometrie und Probenmaße
•    Spezifischer elektrischer Widerstand.

 

Erforderlich sind:
•    ein abgeschlossenes Bachelorstudium der Physik, mit aktueller Spezialisierung: Festkörperphysik.
•    Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Simulation von Messprozessen (finite Volumen wünschenswert)  
•    Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Züchtung und Charakterisierung von Halbleiterkristallen.

 

Kreative Mitarbeit in der Arbeitsgruppe, Fähigkeiten im Umgang mit moderner Computertechnik bei der Messwertauswertung sowie sehr gute englische Sprachkenntnisse und die Fähigkeit zur selbständigen Erarbeitung wissenschaftlicher Publikationen sind weitere Voraussetzungen.

 

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft bis zu 8 Wochenstunden a 11,24 € ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Stefan Kayser
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3126

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 03.07.2017 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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November/17 Stellenangebot (K18/17): Doktorandin/Doktorand:
'Generation und Evolution von Strukturdefekten bei der AlN-Kristallzüchtung,
der AlN-Substratpräparation und der AlN/AlGaN-Epitaxie'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Generation und Evolution von Strukturdefekten bei der AlN-Kristallzüchtung,
der AlN-Substratpräparation und der AlN/AlGaN-Epitaxie"


Suchen wir ab sofort eine/einen

 

Doktorandin/Doktoranden

 

Nach dem erfolgreichen Einsatz weißer LEDs für Beleuchtungszwecke werden nun Möglichkeiten erforscht, UV-LEDs z.B. für Desinfektionsanwendungen herzustellen. Solche Bauelemente bestehen aus AlGaN- und AlN-Epitaxieschichten, die z.B. auf einkristallinen Substraten aus Aluminiumnitrid (AlN) abgeschieden werden. Die AlN-Substrate sollen auf ihrer Oberfläche eine möglichst geringe Dichte an Strukturdefekten (Versetzungen) aufweisen, um darauf Epitaxieschichten höchster Qualität herstellen zu können.
Am IKZ werden AlN-Volumenkristalle aus der Gasphase hergestellt (PVT-Verfahren), die als Basis für eine Substratpräparation dienen. Am Partnerinstitut FBH werden auf diesen Substraten Epitaxieversuche durchgeführt.
Das Aufgabengebiet umfasst neben der Mitwirkung bei der Züchtung von AlN-Volumenkristallen vor allem die Charakterisierung der Kristalle und der daraus hergestellten Substrate und Epitaxieschichten hinsichtlich ihrer strukturellen Eigenschaften. Die Defektstruktur soll durch defektselektives nasschemisches Ätzen der Probenoberfläche sowie durch die Anwendung optischer, röntgenographischer und elektronenmikroskopischer Methoden aufgeklärt werden.
Ziele der Arbeit sind die Erfassung und Beschreibung der Ursachen für die Versetzungsbildung, die Analyse der Defektevolution über die komplette Prozessabfolge sowie die Konzeption und Evaluation neuer Ansätze zur Verringerung der Defektdichte in den AlN-Kristallen, bei der Substratpräparation und in der Epitaxie.

Notwendige Voraussetzung ist ein abgeschlossenes Studium der Physik, Materialwissenschaften, Chemie oder eines verwandten Studiengangs. Experimentelle Erfahrungen auf dem Gebiet der strukturellen Charakterisierung von Festkörpern sind wünschenswert. Darüber hinaus werden gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit erwartet.

 

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Jürgen Wollweber
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-2843

 

Die Stelle ist auf drei Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (75%) vergü-tet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 22.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 18/17 an:

Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

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Dezember/17 Stellenangebot (K20/17): Fachinformatiker/in für Systemintegration

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Zur Verstärkung des IT-Teams suchen wir ab sofort eine/n

Fachinformatiker/in für Systemintegration

 

 

Das Arbeitsgebiet der IT-Gruppe umfasst alle Aspekte des Betriebs einer modernen IT-Infrastruktur auf der Basis von MS Active Directory Services, MS Exchange 2013 und VMware vSphere von der Beschaffung und Bereitstellung von Internet-, Netzwerk- und Serverdiensten bis hin zur Hard- und Software für Büro- und Anlagenrechner und den Betrieb von Compute Server für Modellierungsaufgaben.


Ihre Aufgaben:

  • Hardware- und Software-Support (1st level Support)
  • Betreuung und Beratung unserer Mitarbeiter/innen hinsichtlich aller IT-Fragen
  • Implementation und Konfiguration von IT-Systemen
  • Unterstützen und Betreiben der IT-Infrastruktur / LAN


Fachliche Kenntnisse:

  • Kenntnisse im Netzwerkbereich (z.B. HP Procurve, Palo Alto Networks, Infoblox, Macmon)
  • Erfahrung im Bereich der Clientsysteme MS Windows 10 und MS Windows 7
  • Linux-Kenntnisse (RHEL / CentOS)
  • Von Vorteil sind außerdem Erfahrungen im Umgang mit NAS-Systemen (NetApp) in der Server-Virtualisierung mit VMware vSphere, mit Microsoft Server-Produkten (MS Windows 2012R2, MS SQL-Server, MS Exchange 2013), mit MS AD und/oder erste Erfahrungen im Systemmonitoring auf der Basis von Nagios.


Einstellungsvoraussetzungen:

  • abgeschlossene Berufsausbildung als Fachinformatiker/-in, staatlich geprüfte/-r Techniker/-in oder entsprechende, langjährige Berufserfahrung
  • Analytische Fähigkeiten bei der Erfassung komplexer Zusammenhänge
  • Bereitschaft, sich selbständig und aktiv in neue Soft- und Hardwareumgebungen einzuarbeiten
  • Bereitschaft zur nutzerorientierten Lösung von Problemstellungen sowie zur Kommunikation der dazu notwendigen Schritte an Mitarbeiterinnen/Mitarbeiter.

Eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit wird vorausgesetzt.

 

 

Fachliche Auskünfte:
Herr Rehse
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3070

 

Diese Stelle wird nach dem öffentlichen Tarifrecht (TVöD) vergütet. Die Besetzung erfolgt zunächst für 2 Jahre mit einer Probezeit von 6 Monaten und der Option der anschließenden Umwandlung in ein unbefristetes Arbeitsverhältnis. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt be-rücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 22.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 20/17 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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Januar/18 Stellenangebot (K02/18): Postdoc / wiss. Mitarbeiter:
'Elektronenmikroskopische Charakterisierung von szintillierenden β-Ga2O3-Kristallen'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Wir suchen ab sofort in der Arbeitsgruppe Elektronenmikroskopie eine/einen

Postdoc / wiss. Mitarbeiter (m/w)


Für das Thema:
Elektronenmikroskopische Charakterisierung von szintillierenden β-Ga2O3-Kristallen

 

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung hat hervorragende Expertisen und Möglichkeiten in der elektronenmikroskopischen Charakterisierung von Halbleitermaterialien. Zur Ausstattung des Institutes gehören u.a. ein aberrationskorrigiertes TEM, ein Rasterelektronenmikroskop für Kathodolumineszenz sowie ein Computercluster für TEM/STEM Bildsimulationen und molekulardynamische Rechnungen.

Im Rahmen eines Polnisch-Deutschen Verbundprojektes des Leibniz-Institutes für Kristallzüchtung und der Nikolaus-Kopernikus-Universität Torun, dass durch die DFG und das NCN finanziert wird, soll einkristallines, mit Ce dotiertes β-Ga2O3 für Anwendungen als Szintillator gezüchtet werden. Die Züchtung, sowie die strukturelle und physikalische Charakterisierung der Kristalle erfolgt am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung. Aktuell dominieren anorganische kristalline Szintillatoren das Gebiet der Hochenergiedetektoren in der Nuklearmedizin, (Positronen-Emissions-Tomographie), in der Hochenergiephysik und der Astrophysik. β-Ga2O3 ist ein breitlückiger Halbleiter (Bandlücke: 4.85 eV), der Transparenz im sichtbaren und tiefen UV des optischen Spektrums mit halbleitenden Eigenschaften verbindet. Das erlaubt neue Detektorkonzepte mit einem höheren Grad der Integration. Die Arbeitsaufgabe des hier ausgeschriebenen wissenschaftlichen Mitarbeiters/der Mitarbeiterin besteht in der grundlegenden Eigenschaften der strukturellen, elektrischen, optischen, szintillierenden und thermolumineszenten Eigenschaften von Ce dotiertem β-Ga2O3. Die Arbeiten dienen als Grundlage der Bauelemente-Entwicklung auf der Basis dieses Materialsystems, die beim polnischen Partner erfolgen. Dazu sollen vorrangig Methoden der hochauflösende Elektronenmikroskopie und der Kathodolumineszenz eingesetzt werden.

Voraussetzung ist ein Diplom oder Master in der Physik, der Kristallographie, den Materialwissenschaften oder einer vergleichbaren Disziplin mit experimenteller Ausrichtung. Ausgezeichnete Kenntnisse in der Physik, insbesondere der Festkörperphysik werden vorausgesetzt. Expertise in der aberrationskorrigierten hochauflösenden Transmissionselektronenmikroskopie, der Rastertransmissionselektronenmikroskopie, der Kathodolumineszenz, der elektronenmikroskopischen Bildsimulation sowie in der β-Ga2O3-Charakterisierung sind für einen sofortigen Start des Projektes notwendig. Wir suchen eine Person, die gut im Team arbeitet, über sehr guten Kommunikati-onsfähigkeiten verfügt und in der Lage ist selbstbewusst in einem hochmotivierten Team von Wissenschaftler*inne*n und Techniker*inne*n zu arbeiten.

 

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Zbigniew Galazka
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+49 30 6392-3020

 

Die Stelle ist für 3 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung strebt die Erhöhung des Frauenanteils an. Bewerbungen von Frauen sind daher ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung be-vorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 31.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 02/18 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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März/18 Stellenangebot (K08/18): Doktorandin/Doktorand:
'Transmission electron microscopy studies on Barium stanate based heterostructures for electronic applications'

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and powerelectronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin e.V. and a member of the Leibniz Association. You may find more details at www.ikz-berlin.de.


Commencing May, 1st  there is an opening for a

 

Ph.D. Student (f/m)


for the topic:
"Transmission electron microscopy studies on Barium stanate based
heterostructures for electronic applications"

 

IKZ has excellent expertise and facilities for the characterization of low-dimensional semiconductors, among them an aberration-corrected TEM/STEM equipped with in-situ holders for in-situ measurements of the structure under electrical bias. A computer cluster for performing STEM and molecular dynamics simulations is available. Recently we are extending our activities into the field of heterostructures between semiconductors and ferroelectric layers for nonvolatile memory applications. Such heterostructures are promising candidates to overcome the speed gap between logical and memory devices in data communication and processing.


The objective of the thesis is to study the relation between physical and structural properties of such heterostructures study by means of atomic scale (scanning) transmission electron microscopy. This comprises the structural properties of the epitaxial grown ferroelectric layers, the structure and physics of the various interfaces as well as in-situ studies of the ferroelectric layers under bias. The Ph.D. work is part of a joint project that is performed in close collaboration with groups at the Paul-Drude Institut and Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, performing growth of the structures, Humboldt-University, Berlin providing ab-initio calculations and the Technical University performing scanning tunneling microscopy.


The Ph.D. project is performed in the framework of the Leibniz Science Campus GraFox - Growth and fundamentals of oxides for electronic applications, which seizes to fuse the excellent individual activities and competences in Berlin on one of the most prospective material systems for future electronic and (renewable) energy applications. Through collaborative research and publications, we aim to establish an internationally renowned key region in Berlin. Details can be found on http://grafox.pdi-berlin.de.


Applicants should hold a Diploma or an MSc degree in physics, crystallography, materials science or a related discipline with a strong experimental background. Excellent knowledge of basic physics and of solid state physics are necessary. Expertise in high-resolution transmission electron microscopy and image simulation are highly desirable. We are looking for a team player with a high level of communication skills and the assertiveness to work in a highly motivated team of researchers and technicians.

 

 

For information about the project contact:
Dr. Martin Albrecht
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Phone +49 30 6392 3094.

 

The employment will be limited to three years and paid according to the TVöD labour agreement (75 %). Among equally qualified applicants, preference will be given to disabled candidates. The IKZ is an equal opportunity employer and actively supports reconciliation of work and family life.

 

We await your informative application with reference to the job number K08/18,
including the usual documents, by May 15th, 2018.
Please send them to:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany


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September/17 Stellenangebot: Doktorandin/Doktoranden (Teilzeit): 'Züchtung und Lasercharakterisierung von Er3+-dotierten Sesquioxiden'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Züchtung und Lasercharakterisierung von Er3+-dotierten Sesquioxiden"


Suchen wir zum 01.01.2018 eine/einen

 

Doktorandin/Doktoranden
(Teilzeit)

 

Kubische Seltenerd-Sesquioxide wie Lu2O3, Y2O2 und Sc2O3 sind hervorragende Wirtsmaterialien für Laser im nahen und mittleren infraroten Spektralbereich. Insbesondere bei Dotierung mit Er3+ wurden auf dem Übergang um 3 µm höhere Effizienzen und Ausgangsleistungen als mit jedem anderen Lasermaterial erzielt. Aufgrund Ihrer hohen Schmelzpunkte ist die Züchtung mit tiegelbasierten Verfahren jedoch aufwendig und teuer.


In dieser Arbeit sollen Sesquioxidkristalle mit dem tiegelfreien Zonenschmelzverfahren (engl. Optical floating zone technique, OFZ) hergestellt werden. Hierfür steht eine eigens zu diesem Zweck neu aufgebaute Züchtungsanlage zur Verfügung. Die Materialien sollen anschließend in den neu eingerichteten Laboratorien des Zentrums für Lasermaterialien am IKZ in Hinblick auf Ihre Eignung als Lasermaterialien spektroskopisch charakterisiert werden. An den vielversprechendsten Proben sollen Laserexperimente im Wellenlängenbereich um 3 µm durchgeführt werden.

 

Notwendige Voraussetzung ist ein abgeschlossenes Studium der Physik, Optical Sciences, Lasertechnik oder eines verwandten Studiengangs. Experimentelle Erfahrungen auf dem Gebiet der Kristallzüchtung und/oder Laserphysik sind wünschenswert. Bereitschaft zur Teamarbeit und sehr gute Englischkenntnisse werden vorausgesetzt, grundlegende Kenntnisse der deutschen Sprache wären hilfreich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Christian Kränkel
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+49 30 6392-3019

 

Die Stelle ist befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (Bund) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 01.11.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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November/17 Stellenangebot (K17/17): Doktorandin/Doktorand:
'Untersuchung von ferroelektrischen Domänen in verspannten dünnen Schichten mittels moderner Röntgenbeugungsverfahren'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Untersuchung von ferroelektrischen Domänen in verspannten dünnen Schichten
mittels moderner Röntgenbeugungsverfahren"


Suchen wir ab sofort eine/einen

 

Doktorandin/Doktoranden

 

Im Leibniz-Institut für Kristallzüchtung werden ferroelektrische Oxidschichten mittels Epitaxie her-gestellt. Diese sollen mit modernen Röntgenbeugungsverfahren (auch mittels hochbrillanter Syn-chrotronstrahlung) strukturell untersucht werden. Ferroelektrische Schichten bilden häufig komple-xe, periodische Domänenmuster aus, mit Strukturgrößen auf Nanometerskala. Im Fokus der vor-liegenden Arbeit stehen dabei vor allem Phasenübergänge, die in Abhängigkeit von der Temperatur in situ verfolgt werden sollen. Für eine detaillierte Interpretation der experimentell ermittelten Intensi-tätsverteilung sollen geeignete strukturelle Modelle entwickelt und entsprechende numerische Beu-gungssimulationen durchgeführt werden.

Ihr Profil

  • Sie haben ein erfolgreich abgeschlossenes Hochschulstudium der Fachrichtung Physik, Chemie, Materialwissenschaften oder vergleichbar
  • Sie besitzen tiefergehende Kenntnisse in mindestens zwei der Disziplinen: Materialwissen-schaften, Röntgenbeugung, Epitaxie, Piezo-/Ferroelektrizität und Synchrotronstrahlung
  • Sie arbeiten gerne in einem hochmotivierten Team
  • Sie besitzen sehr gute Kenntnisse der englischen Sprache in Wort und Schrift

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Martin Schmidbauer
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+49 30 6392-3079

 

Die Stelle ist auf drei Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (75%) vergü-tet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 02.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 17/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

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November/17 Stellenangebot (K19/17): Studentische Hilfskraft - IT-Team

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Zur Verstärkung des IT-Teams suchen wir ab sofort eine

 

Studentische Hilfskraft (m/w)

 

Das Arbeitsgebiet der IT-Gruppe umfasst alle Aspekte des Betriebs einer modernen IT-Infrastruktur auf der Basis von MS Active Directory Services, MS Exchange 2013 und VMware vSphere von der Beschaffung und Bereitstellung von Internet-, Netzwerk- und Serverdiensten bis hin zur Hard- und Software für Büro- und Anlagenrechner und den Betrieb von Compute Server für Modellierungsaufgaben.
Zu den aktuellen Projekten in der IT gehört die Erweiterung des Nagios-basierten Monitoringsystems Centreon mit dem Ziel, die Ergebnisse der technischen Systemüberwachung auch anderen Fachgruppen im Institut zugänglich zu machen.

Aufgaben:

Aus diesem Projekt leiten sich die Arbeitsaufgaben ab:

  • Update des bestehenden Monitoringsystems
  • Integration verschiedenster neuer SNMP-fähiger Systeme in die Überwachung
  • Wartung des zugrundeliegenden Linux-Servers sowie anderer im Institut eingesetzte Linux-Systeme

Darüber hinaus wird die Bereitschaft zur Unterstützung des Teams beim Endnutzersupport vorausgesetzt.

Voraussetzungen: 

Die Bearbeitung der geplanten Aufgaben erfordern:

  • Erfahrungen im Systemmonitoring mit Nagios oder einem vergleichbaren Tool
  • sichere Linux-Kenntnisse (RHES / CentOS)
  • sicheren Umgang mit Windows 7 und Windows 10
  • anwendungsbereite PC-Hardwarekenntnisse.

 

Fachliche Auskünfte:
Herr Uwe Rehse
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+49 30 6392-3070

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen (pdf-Format) senden Sie bitte bis zum 05.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 19/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

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Dezember/17 Stellenangebot (K01/18): Postdoc / wiss. Mitarbeiter:
'Herstellung und Charakterisierung oxidischer Lasermaterialien'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Wir suchen ab Mai 2018 in der Arbeitsgruppe Zentrum für Lasermaterialien eine/einen

Postdoc / wiss. Mitarbeiter


Für das Thema:
Herstellung und Charakterisierung oxidischer Lasermaterialien

 

Die Arbeitsaufgabe besteht in der Züchtung von seltenerd-dotierten oxidischen Lasermaterialien nach der Czochralski- und der Optical Floating Zone Methode sowie deren optische Charakterisierung. Diese Charakterisierung umfasst neben spektroskopischen Analysen auch die Untersuchung der Lasereigenschaften der gezüchteten Materialien in einfachen Laserresonatoren. In den im Aufbau befindlichen, neu ausgestatteten Laboren des Zentrums für Lasermaterialien wird neben den wissenschaftlichen Arbeiten auch die Bereitschaft zur Mitwirkung am Aufbau neuer und der Verbesserung bestehender Züchtungs- und Charakterisierungseinrichtungen sowie bei der Projektakquise erwartet.
Ziel der Arbeiten ist die Entwicklung neuer und die Optimierung der strukturellen und optischen Qualität bekannter Lasermaterialien zur Verwendung in neuartigen Lasersystemen in Industrie und Forschung.

Voraussetzung ist ein Studium der Physik, der Photonik, der Chemie oder eines verwandten Studienganges und eine abgeschlossene Promotion in diesem Fachgebiet. Neben fundierten Kenntnissen in der Kristallzüchtung werden auch Kenntnisse in der Spektroskopie und Lasercharakterisierung seltenerd-dotierter Lasermaterialien erwartet. Experimentelles Geschick, eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit und gute Kenntnisse der englischen Sprache werden ebenfalls vorausgesetzt. Praktische Erfahrungen im Umgang mit der für die elektronische Messdatenaufnahme benötigten Hard- und Software (Labview) sowie grundlegende Kenntnisse der deutschen Sprache sind wünschenswert.

 

Fachliche Auskünfte:
Herr Dr. Christian Kränkel
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+49 30 6392-3019

 

Die Stelle ist zu nächst für 2 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung strebt die Erhöhung des Frauenanteils an. Bewerbungen von Frauen sind daher ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie..

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 01.03.2018 unter Angabe der Kennziffer 01/18 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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September/17 Stellenangebot: Doktorandin/Doktoranden (Teilzeit): 'Generation und Evolution von Strukturdefekten bei der AlN-Kristallzüchtung, der AlN-Substratpräparation und der AlN/AlGaN- Epitaxie'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Generation und Evolution von Strukturdefekten bei der AlN-Kristallzüchtung, der AlN-Substratpräparation und der AlN/AlGaN- Epitaxie"


Suchen wir zum 01.12.2017  eine/einen

 

Doktorandin/Doktoranden
(Teilzeit)

 

Nach dem erfolgreichen Einsatz weißer LEDs für Beleuchtungszwecke werden nun Möglichkeiten erforscht, UV-LEDs z.B. für Desinfektionsanwendungen herzustellen. Solche Bauelemente bestehen aus AlGaN- und AlN-Epitaxieschichten, die z.B. auf einkristallinen Substraten aus Aluminium-nitrid (AlN) abgeschieden werden. Die AlN-Substrate sollen auf ihrer Oberfläche eine möglichst geringe Dichte an Strukturdefekten (Versetzungen) aufweisen, um darauf Epitaxieschichten höchster Qualität herstellen zu können.
Am IKZ werden AlN-Volumenkristalle aus der Gasphase hergestellt (PVT-Verfahren), die als Basis für eine Substratpräparation dienen. Am Partnerinstitut FBH werden auf diesen Substraten Epitaxieversuche durchgeführt.
Das Aufgabengebiet umfasst neben der Mitwirkung bei der Züchtung von AlN-Volumenkristallen vor allem die Charakterisierung der Kristalle und der daraus hergestellten Substrate und Epitaxieschichten hinsichtlich ihrer strukturellen Eigenschaften. Die Defektstruktur soll durch defektselektives nasschemisches Ätzen der Probenoberfläche sowie durch die Anwendung optischer, röntgenographischer und elektronenmikroskopischer Methoden aufgeklärt werden.
Ziele der Arbeit sind die Erfassung und Beschreibung der Ursachen für die Versetzungsbildung, die Analyse der Defektevolution über die komplette Prozessabfolge sowie die Konzeption und Evaluation neuer Ansätze zur Verringerung der Defektdichte in den AlN-Kristallen, bei der Substratpräparation und in der Epitaxie.

 

Notwendige Voraussetzung ist ein abgeschlossenes Studium der Physik, Materialwissenschaften, Chemie oder eines verwandten Studiengangs. Experimentelle Erfahrungen auf dem Gebiet der strukturellen Charakterisierung von Festkörpern sind wünschenswert. Darüber hinaus werden gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit erwartet.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Wollweber
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+49 30 6392-2843

 

Die Stelle ist befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (Bund) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 15.10.2017 unter Angabe der Kennziffer 09/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Dezember/17 Stellenangebot (K14/17): Doktorand/Doktorandin  in der Massivkristallzüchtung:
'Entwicklung von Kristallisationsverfahren zur Herstellung von hochreinen Germaniumeinkristallen für Strahlungsdetektoren'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Entwicklung von Kristallisationsverfahren zur Herstellung von hochreinen
Germaniumeinkristallen für Strahlungsdetektoren"


Suchen wir in der Massivkristallzüchtung eine/n

 

Doktorand/Doktorandin

 

Die Forschungsarbeiten sind Bestandteil eines Verbundprojektes zur Entwicklung von Ge-Detektoren zum Nachweis des neutrinolosen ßß-Zerfalls. Ziel ist die Entwicklung von Verfahren zur Züchtung von ultrareinen Ge-Einkristallen mit definierter Defektstruktur.


Ihre Aufgaben

  • Sie arbeiten an der Entwicklung eines Zonenschmelz- und Czochralskiprozesses für Ge durch experimentelle Forschung an unseren Kristallzüchtungsanlagen
  • Sie analysieren Ge-Kristalle hinsichtlich ihrer Defektstruktur und Eignung als Detektormaterial
  • Sie ziehen daraus Rückschlüsse für die Optimierung von Prozessparametern und die konzeptionelle Weiterentwicklung der Züchtungsapparaturen.
  • Sie führen Parameterstudien mittels geeigneter Simulationen durch
  • Sie präsentieren die Ergebnisse Ihrer Arbeit an internationalen Fachtagungen und publizieren in wissenschaftlichen Fachzeitschriften


Ihr Profil

  • Sie haben ein erfolgreich abgeschlossenes Hochschulstudium der Fachrichtung Physik, Physikalische Ingenieurwissenschaften, Materialwissenschaften oder vergleichbar
  • Sie besitzen Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Züchtung und Charakterisierung von Halbleiterkristallen.
  • Sehr gute Kenntnisse der englischen Sprache in Wort und Schrift
  • Sie haben experimentelles Geschick und Freude an angewandter, industrienaher Forschung

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Frank M. Kießling
frank.kiessling@ikz-berlin
+49 30 6392-3033

 

Die Stelle ist auf drei Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (75%) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 22.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 14/17 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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November/17 Stellenangebot (K16/17): Technische/n Mitarbeiter/in -  Arbeitsgruppe Oxide & Fluoride

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Wir suchen ab sofort in der Arbeitsgruppe Oxide & Fluoride eine/einen

 

Technische/n Mitarbeiter/in

 

Die Arbeitsaufgabe besteht in der Durchführung technisch/wissenschaftlicher Labor-versuche, d.h. Züchtung von oxidischen und fluoridischen Einkristallen auf hochmoder-nen Schmelzzüchtungsanlagen, Präparation kristalliner Proben, Material- und Prozess-vorbereitung, Nachbereitung/Dokumentation und weitere Laborarbeiten.

Einstellungsvoraussetzung ist eine abgeschlossene Ausbildung beispielsweise als La-borant/in oder technische/r Assistent/in in einem der verwandten Gebiete. Experimentel-les Geschick, selbstständiges zielorientiertes Arbeiten und die Bereitschaft zur Team-arbeit werden vorausgesetzt. Eine einschlägige Berufserfahrung sowie Grundkenntnisse in der englischen Sprache sind von Vorteil

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Steffen Ganschow
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+49 30 6392-3024

 

Die Stelle ist vorerst auf 2 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber/innen besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 22.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 16/17 an:

Frau Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

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August/17 Stellenangebot: studentische Hilfskraft:  'Visualisierung und Auswertung von Prozessdaten bei der AlN-Züchtung'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Visualisierung und Auswertung von Prozessdaten bei der AlN-Züchtung"


Suchen wir ab sofort in der Arbeitsgruppe Aluminiumnitride eine

 

studentische Hilfskraft

 

Die Arbeitsgruppe züchtet Aluminiumnitride-Einkristalle durch Sublimati-on/Rekondensation bei zirka 2100°C in einer Stickstoff-Atmosphäre. Während des Pro-zesses fallen eine Vielzahl von charakteristischen Daten an, deren komplexe Zusam-menhänge durch eine flexible Visualisierung ausgewertet dargestellt werden sollen.

Zur Aufgabenstellung gehören die Definition einer Schnittstelle zur Anlagen-SPS, die Erarbeitung eines Programmkonzepts und die Programmierung der Datenvisualisierung auf Basis von MS Visual Basic oder OriginPro (LabTalk, Origin C oder Python).

Voraussetzungen sind ein Studium der Informatik, Industrie-Informatik, Mathematik oder Vergleichbares. Kenntnisse in der SPS-Programmierung sind förderlich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Wollweber
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+49 30 6392-2843

 

Die Arbeitszeit beträgt ca. 10 Stunden pro Wochen (nach Vereinbarung). Die Stelle ist zunächst bis 31.01.2018 befristet und wird mit 11,24 € pro Stunde vergütet. Schwerbe-hinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Dezember/17 Stellenangebot (K13/17): Doktorand/Doktorandin  in der Massivkristallzüchtung:
'Entwicklung eines Eigentiegelverfahrens zur Herstellung von einkristallinem Silizium'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Entwicklung eines Eigentiegelverfahrens zur Herstellung von einkristallinem Silizium"


Suchen wir in der Massivkristallzüchtung eine/n

 

Doktorand/Doktorandin

 

Die Promotionsstelle wird für das von der Leibniz-Gemeinschaft geförderte Forschungsprojekt: Silizium Granulat Eigentiegelverfahren (SiGrEt) ausgeschrieben. Ziel des Projektes ist die Entwicklung eines neuartigen Züchtungsprozesses für Silizium, mit für die Solar- und Halbleiterindustrie geeigneten Kristalleigenschaften.


Ihre Aufgaben

  • Sie arbeiten an der Entwicklung eines induktiven Zonenschmelzprozesses für Si durch experimentelle Forschung an unseren Kristallzüchtungsanlagen
  • Sie analysieren Konzepte für die Verbesserung des Verfahrens hinsichtlich ihrer physikalischen, technischen und wirtschaftlichen Machbarkeit
  • Sie charakterisieren das gezüchtete Material und ziehen daraus Rückschlüsse für die Optimierung von Prozessparametern
  • Sie präsentieren die Ergebnisse Ihrer Arbeit an internationalen Fachtagungen und publizieren in wissenschaftlichen Fachzeitschriften


Ihr Profil

  • Sie haben ein erfolgreich abgeschlossenes Hochschulstudium der Fachrichtung Physik, Physikalische Ingenieurwissenschaften, Chemieingenieur, Prozess- und Verfahrenstechnik, Materialwissenschaften oder vergleichbar
  • Sie besitzen tiefergehende Kenntnisse in mind. 2 der Disziplinen: Elektromagnetismus (Induktive Erwärmung), Wärme- und Stofftransport, Kristallographie, Mess- und Regelungstechnik, Maschinenbau
  • Vorkenntnisse der Siliziumkristallzüchtung, insbesondere Cz oder FZ Verfahren, sind von Vorteil aber nicht zwingend erforderlich
  • Sehr gute Kenntnisse der englischen Sprache in Wort und Schrift
  • Sie haben experimentelles Geschick und Freude an angewandter, industrienaher Forschung

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Robert Menzel
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+49 30 6392-3071

 

Die Stelle ist auf drei Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (75%) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 22.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 13/17 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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November/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft) & Masterarbeit
'Thermochemische Untersuchungen im Phasensystem KF–TbF3'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Thermochemische Untersuchungen im Phasensystem KF–TbF3"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung in der Arbeitsgruppe „Chemische und Thermodynamische Analyse
ab dem 1. Januar 2018 eine


Masterarbeit

 

Am IKZ werden u.a. Oxide und Fluoride als Einkristalle für optische Anwendungen hergestellt. Eine aktuelle Aufgabe ist die Herstellung von Volumenkristallen aus Kalium-Terbium-Fluorid (KTb3F10). Grundvoraussetzung für eine erfolgreiche Züchtung von Einkristallen in optischer Qualität und ausreichender Größe ist die genaue Kenntnis des Phasendiagramms des entsprechenden Systems in der Umgebung der zu wachsenden Verbindung. Im Falle vom KTb3F10 sind die wenigen existierenden Berichte widersprüchlich.

Ziel der Masterarbeit ist eine sorgfältige Bestimmung des Phasendiagramms des Systems KF–TbF3 im Bereich der Zielverbindung bis hin zu den Nachbarphasen, ggfs. auch unter Berücksichtigung von Tb4+-haltigen Phasen und sauerstoffhaltigen Restverunreinigungen. Dazu steht ein exzellent ausgestattetes thermochemisches Labor mit Messinstrumenten zur Differential-Thermoanalyse (DTA), Kalorimetrie (DSC) und Thermogravimetrie (TG) zur Verfügung. Parallel wird die Modellierung des Phasensystems mit der Software FactSage durchgeführt. Die Ergebnisse werden mit Untersuchungen zum Phasenbestand der Proben und mit chemischen Analysen korreliert. Für eine fachliche Einarbeitung wird gesorgt.

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft am Institut ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Herr PD Dr. Detlef Klimm
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+49 30 6392-3018

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte an:

Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

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Doktorandenstelle  "Physics and control of defects in oxide films for adaptive electronics"

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) performs basic and applied research in the fields of growth, characterization and processing of crystalline matter. It is part of Forschungsverbund Berlin e. V. and a member of the Leibniz Association. The IKZ is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and powerelectonics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development.

 

IKZ invites applicants for a PhD Position

 within the framework of the project

“Physics and control of defects in oxide films for adaptive electronics”

 

(three-year grant of the Leibniz Competition). Anticipated start of work is March 1, 2017.

In information and communication technology, memristors are currently a hot topic. They allow storing information at higher speeds and densities with lower energy consumption and smaller dimensions compared to silicon technology. Their electrical properties are closely linked to the atomic microstructure of the host material, but a detailed understanding of the storage mechanism is still not well established. The project aims at exploring the role defects in single crystalline oxides play in charge transport and storage under the influence of switching electric fields. Within the project epitaxial thin films of SrTiO3 and Nb2O5 will be grown by pulsed laser deposition and metal-organic chemical vapor deposition and characterized with respect to their atomic microstructure by transmission electron microscopy. We are looking for a candidate working in the third work package “Electrical properties”. It comprises the electrical characterization of the oxide films, the spectroscopic identification of electrically active point defects relevant for resistive switching, and the proof of resistive switching behavior using simple Schottky barrier structures. As experimental methods, Hall effect and capacitance-voltage measurements, deep level transient, Fourier-transform infrared, Raman and electron paramagnetic resonance spectroscopies will be used.

We are looking for a candidate with excellent knowledge of basic physics, in particular solid-state physics, with experimental background and expertise in electrical and optical characterization techniques. Applicants must hold a Diploma or an MSc degree in physics, crystallography, materials science or a related discipline. Furthermore, we expect good English language skills, scientific self-dependence, cooperativeness, and ability to work in a team.


For technical information please contact:

Dr. Klaus Irmscher
phone:  +49 30 6392 3047
email:   Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!

 

The employment will be limited to three years, with the salary paid according to the TVöD labor agreement. Among equally qualified applicants, preference will be given to disabled candidates. The IKZ is an equivalent opportunity employer and actively supports reconciliation of work and family life.


Please submit your application with reference to the job number K14/16 including the usual documents
by January 31, 2017, to:

 

Birgit Ruthenberg
email: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Juli/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft &) Masterarbeit 'Charakterisierung der Defektverteilung in epitaktisch gewachsenen AlN- und AlGaN-Schichten'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Charakterisierung der Defektverteilung in epitaktisch gewachsenen AlN- und AlGaN-Schichten"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung ab sofort eine

 

Masterarbeit.

 

Epitaktisch gewachsene AlN- bzw. AlGaN-Schichten mit hoher kristalliner Perfektion sind die Grundlage für Leuchtdioden (LEDs), die im tiefen ultravioletten Spektralbereich (210-280 nm) Licht emittieren. Die Effizienz dieser UVC-LEDs wird stark durch Kristalldefekte (Versetzungen, Korngrenzen, …) beeinträchtigt, die durch Elektronenmikroskopie sowie durch defekt-selektives Ätzen der AlN/AlGaN-Schichten mit basischen Schmelzlösungen charakterisiert werden können. Die gewonnenen Ergebnisse bilden die Grundlage zur Optimierung der Züchtungsbedingungen mit dem Ziel der Defektreduzierung.

 

Im Rahmen der Masterarbeit sollen:
die Ätzbedingungen (Zeit, Temperatur,…) für verschiedene AlN/AlGaN-Schichten optimiert und das wissenschaftliche Verständnis vertieft werden. Die Auswertungen der einzelnen Ätzversuche soll mittels Rasterkraftmikroskop (AFM) und Rasterelektronenmikroskop (SEM) erfolgen.
Weitere Schwerpunkte der Arbeit können je nach Vorkenntnissen und Interesse angepasst werden. Möglichkeiten sind:

 

  • die Optimierung der Ätzzusammensetzung inklusive Bestimmung von Phasendiagrammen durch die Software FactSage und durch Differenz-Thermoanalyse (DTA)
  • der Vergleich der Defektdichte zwischen defekt-selektiven Ätzen und der Analyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM)
  • die Zuordnung unterschiedlicher Versetzungstypen zu den verschiedenen Ätzpitgeometrien

 

Die hohe fachliche Expertise und die hervorragende Ausstattung des IKZ mit Charakterisierungsanlagen (AFM, SEM, DTA, TEM,…) sind exzellente Vorrausetzungen für die Durchführung wissenschaftlicher Abschlussarbeiten.

 

Erforderlich sind:

  • ein erfolgreich abgeschlossenes Bachelorstudium der Chemie, Materialwissenschaften oder Physik

 

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft bis zu 8 Wochenstunden a 11,24 € ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Carsten Hartmann
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+49 30 6392-2848

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte an:

Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Oktober/17 Stellenangebot: studentische Hilfskraft: 'Züchtung von Nioboxid-Kristallen'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Züchtung von Nioboxid-Kristallen"


Suchen wir ab sofort in der Arbeitsgruppe Oxide & Fluoride eine

 

studentische Hilfskraft

 

Innerhalb des Leibniz-Projektes „Physics and control of defects in oxide films for adaptive electronics“ sollen einkristalline Nioboxidschichten homoepitaktisch abgeschieden werden. Für diese Arbeiten sind Nioboxid-Substratkristalle erforderlich, welche mit dem tiegelfreien Zonenschmelzverfahren gezüchtet werden sollen. Zur Aufgabenstellung gehören präparative Arbeiten (Nähr- und Keimbarrenherstellung) sowie die Durchführung der Züchtungsexperimente.

 

Notwendige Voraussetzungen sind ein ausgeprägtes experimentelles Geschick, ein hohes Interesse an Kristallzüchtung und ein materialwissenschaftlich orientiertes Master- oder Bachelor-Studium (Chemie, Physik, Mineralogie, Werkstoffwissenschaften oder verwandte Studiengänge). Die Fähigkeit und Bereitschaft zur Teamarbeit sowie hinreichende Deutsch- und Englischkenntnisse werden erwartet.

 

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Christo Guguschev
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3124

 

Die Arbeitszeit beträgt ca. 10 Stunden pro Woche (nach Vereinbarung). Die Stelle ist zunächst auf 12 Monate befristet und wird mit 11,24 € pro Stunde vergütet.
Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 31.10.2017 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
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wiss. Mitarbeiterstelle VZ - Arbeitsgruppe: Silizium & Germanium

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V.


Wir suchen ab sofort in der Arbeitsgruppe Silizium & Germanium einen

wissenschaftlichen Mitarbeiter/in (VZ)

 


Die Aufgaben
umfassen Züchtungen von halbleitenden Materialien nach dem Czochraslki-Verfahren und die selbstständige Entwicklung dazugehöriger Konzepte. In einer industrieorientierten, modernen Laborumgebung soll ein neues Verfahren für das Wachstum von qualitativ hochwertigen Ge- und Si-Kristallen für verschiedene Anwendungsbereiche in einem Team von Forschern erarbeitet werden. Ihre Aufgaben umfassen die Prozessentwicklung und die konzeptionelle Weiterentwicklung der Züchtungsapparaturen. Sie werden für Planung, Durchführung und Auswertung von Experimenten Verantwortung tragen.


Voraussetzungen:

  • abgeschlossenes Hochschulstudium der Verfahrenstechnik, der Physik oder der Materialwissenschaften
  • ausgeprägte experimentelle Erfahrungen in der Czochralski-Züchtung von Silicium oder Germanium
  • Erfahrung in der Konstruktionsentwicklung (technisches Zeichnen, 3-D Modelierung im AutoCAD)
  • Gute Kenntnisse in Vakuumtechnik und Elektrotechnik
  • Office Kenntnisse (Excel, Powerpoint)
  • Hands-on-Mentalität und zielorientierter, kollaborativer Arbeitsstil
  • Bereitschaft zur Schichtarbeit 

 

Für fachliche Auskünfte steht Ihnen Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! Tel.: 030/6392-3010, zur Verfügung.

Die Stelle ist auf 2 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung strebt die Erhöhung des Frauenanteils an. Bewerbungen von Frauen sind daher ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 19.09.2016 unter Angabe der Kennziffer 08/16 an:

 

Frau Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany
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Projektmitarbeiter/in - Wissenschaftsmanagement

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V..

Der Bereich Wissenschaftsmanagement des IKZ agiert als Schnittstelle zwischen Wissenschaft, Wirtschaft und Bildung und agiert als Dienstleister für die Fachabteilungen des Instituts. Zur Unterstützung der Aktivitäten im Bereich Marketing und Technologietransfer suchen wir zum nächstmöglichen Zeitpunkt eine/n

 

Projektmitarbeiter/in Wissenschaftsmanagement


 Ihre Aufgaben:

  • Erstellung von aussagefähigen Technologie-Exposés und Marketingunterlagen
  • Redaktion von Internetangeboten
  • Durchführung von Marktrecherchen und Direktmarketing
  • Organisation von themenbezogenen Workshops
  • Unterstützung bei der Planung und Kalkulation von Projektanträgen
  • Recherche nach für das Institut geeigneten Förderprogrammen


 Ihre Qualifikation:

  •          Abgeschlossenes Hochschulstudium, vorzugsweise in den Natur- oder Ingenieurwissenschaften
  • Selbstständige und zuverlässige Arbeitsweise, strukturiertes und konzeptionelles Arbeiten, Organisationstalent, sehr gute Kommunikations- und Teamfähigkeit
  • Fähigkeit zur Analyse und Vermittlung komplexer Sachverhalte
  • sehr gute Deutsch- und Englischkenntnisse in Wort und Schrift

 
Wünschenswert sind:

  • Erfahrungen in Öffentlichkeitsarbeit/Marketing im Wissenschaftsbereich
  • Gute Kenntnisse des nationalen Wissenschaftssystems sowie der nationalen und europäischen Förderlandschaft
  • Erfahrungen über Abläufe und Vorschriften im öffentlichen Dienst
  • Erfahrungen in der Antragsstellung öffentlich geförderter Projekte

 

Für fachliche Auskünfte steht Ihnen Frau Dr. Maike Schröder (Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!), Tel.: 030/6392 3008, zur Verfügung. 

Diese Stelle ist bis zum 30.06.2018 befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht (TVöD) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 13.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 13/16 an:

 

 

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

 

Masterarbeit Gruppe Si/Ge Nanostrukturen

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V.


Für das Thema

"Wachstum und Charakterisierung von Silizium auf amorphen Substraten"

vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

ab März 2016 eine Masterarbeit.


Die Entwicklung einer Kristallisationsmethode für ein kontinuierliches Wachstum von Si aus einer metallischen Lösung mit der Zielsetzung kostengünstige Solarzellen herzustellen, ist Gegenstand einer Kooperation zwischen dem Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), dem Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme (ISE) und einer Reihe europäischer Partner. Die Forschung wird sowohl durch die EU als auch von der DFG gefördert.


Die Masterarbeit umfasst die Züchtung von kristallinem Silizium, durch Wachstum aus zinnreicher Lösung und durch Anwendung von Depositionsverfahren aus der Gasphase sowie die morphologische und elektrische Charakterisierung der Proben.

 

Erforderlich sind:

 

  • Bachelor in Physik, Chemie oder Materialwissenschaften
  • Vorkenntnisse und Interesse auf dem Gebiet der Kristallografie
  • Gute Kenntnisse in Thermodynamik und Physikalischer Chemie
  • Interesse an Charakterisierungsmethoden wie REM, AFM und elektrischen Messungen sowie an Laserexperimenten zur Desorption dünner Siliziumoxidschichten
  • Experimentelles Geschick im Umgang mit moderner Anlagentechnik und bei der nasschemischen Probenpräparation.

 

Kreative Mitarbeit bei der Anlagen- und Verfahrensentwicklung sowie sehr gute englische Sprachkenntnisse sind weitere Voraussetzungen.
Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als Studentische Hilfskraft ist möglich.

Für detaillierte Informationen wenden Sie sich bitte an:
Dr. Torsten Boeck, Tel.: 030-6392-3051.

Ihre kurze Bewerbung richten Sie bitte an:
Frau B. Ruthenberg
Email: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!

Postdoc - Arbeitsgruppe: Ferroelektrische Oxidschichten

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V.


Wir suchen ab sofort befristet in der Arbeitsgruppe Ferroelektrische Oxidschichten eine/einen

wissenschaftlichen Mitarbeiter (Postdoc)

Die Gruppe Ferroelektrische Oxidschichten des IKZ beschäftigt sich mit epitaktisch verspannten Oxidschichten aus bleifreien Materialien mit verschiedenen funktionalen Eigenschaften wie Ferro- und Piezoelektrizität oder resistivem Schalten. Innerhalb des Projektes „Physics and Control of De-Fects in Oxide Films for Adaptive Electronics“ sollen Nioboxid- und Strontiumtitanatschichten sowohl mit der gepulsten Laserdeposition (PLD) als auch der metallorganischen Gasphasendeposition (MOCVD) abgeschieden werden. Ziele des Projektes sind u.a. das Wachstum von einkristallinen Schichten zu realisieren und durch die Wahl der Abscheideparameter die eingebauten Defekte zu kontrollieren. Dadurch soll ein fundamentales Verständnis des Wachstumsprozesses und der damit verbundenen resistiven Schichteigenschaften und Defekte erreicht werden. Neben der Abscheidung sollen von dem Bewerber oder der Bewerberin auch Messungen mit Röntgendiffraktometrie und dem Raster-kraftmikroskop (AFM/CAFM) durchgeführt werden. Die Arbeiten finden in enger Kooperation mit den Gruppen Elektronenmikroskopie und Physikalische Charakterisierung statt.

 

Voraussetzungen sind eine abgeschlossene Promotion in Physik, Chemie, Materialwissenschaften oder verwandten Fachgebieten, gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie Bereitschaft zur Teamarbeit. Erfahrungen mit der Abscheidung von Oxidschichten und Kenntnisse auf dem Gebiet der Dünnschichtcharakterisierung sind notwendig.

 

Für fachliche Auskünfte:
Frau Dr. Jutta Schwarzkopf
Tel.: 030/6392-3053, 
E-Mail: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! 

Die Stelle ist befristet bis zum 31.12.2019 und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.


Bewerbungsunterlagen:
Senden Sie bitte bis zum 5.12.2016 unter Angabe der Kennziffer 09/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin 

Juli/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft &) Masterarbeit 'Charakterisierung und Modellierung monokristalliner Germaniumkristalle mit der Lateral Photovoltage Scanning (LPS) - Methode' 

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Charakterisierung und Modellierung monokristalliner Germaniumkristalle
mit der Lateral Photovoltage Scanning (LPS) - Methode"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung ab sofort eine

 

Masterarbeit

 

Die Arbeit umfasst:
die Simulation und Untersuchung der physikalischen Zusammenhänge zwischen dem LPS-Messsignal von Germaniumkristallen im Vergleich zu Siliciumkristallen und Probenparametern wie:
•    Probengeometrie und Probenmaße
•    Spezifischer elektrischer Widerstand.

 

Erforderlich sind:
•    ein abgeschlossenes Bachelorstudium der Physik, mit aktueller Spezialisierung: Festkörperphysik.
•    Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Simulation von Messprozessen
•    Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Charakterisierung von Halbleiterkristallen.

 

Kreative Mitarbeit in der Arbeitsgruppe, Fähigkeiten im Umgang mit moderner Computertechnik bei der Messwertauswertung sowie sehr gute englische Sprachkenntnisse und die Fähigkeit zur selbständigen Erarbeitung wissenschaftlicher Publikationen sind weitere Voraussetzungen.

 

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft bis zu 8 Wochenstunden a 11,24 € ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Stefan Kayser
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+49 30 6392-3126

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 24.08.2017 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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August/17 Stellenangebot: Postdoc/ wiss. Mitarbeiter:  'Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden oxidischen epitaktischen Schichten'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden oxidischen
epitaktischen Schichten"


Suchen wir ab November 2017 in der Arbeitsgruppe Halbleitende Oxidschichten eine/einen

 

Postdoc/ wiss. Mitarbeiter

 

Die Arbeitsaufgabe ist Bestandteil eines Projektes zur Erforschung und Herstellung von transpa-renten halbleitenden Oxiden als Basismaterial für eine neue Generation von elektronischen Bau-elementen in der Leistungselektronik. Sie besteht in der Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden Oxidschichten mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MO-VPE).

Ziel ist es, zu einem grundlegenden Verständnis des Zusammenhanges zwischen den Substratei-genschaften, den Abscheidebedingungen bei der MO-VPE und den strukturellen, optischen und elektronischen Eigenschaften von homo- und heteroepitaktischen Schichtstrukturen zu kommen. Die Ergebnisse sollen bei der Realisierung neuartiger mikroelektronischer Bauelemente genutzt werden.

Voraussetzung ist ein Studium der Physik, der Werkstoffwissenschaften, der Chemie oder eines verwandten Studienganges und eine abgeschlossene Promotion in diesem Fachgebiet. Neben ei-nem soliden physikalischen bzw. chemischen Grundlagenwissen werden experimentelles Ge-schick, eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit und gute Kenntnisse der englischen Sprache erwartet. Erfahrungen in der Herstellung von Epitaxieschichten und der Charakterisierung von strukturellen und elektrischen Materialeigenschaften sind erwünscht.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Günter Wagner
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+49 30 6392-2846

 

Die Stelle ist zu nächst für 3 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergü-tet. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung strebt die Erhöhung des Frauenanteils an. Bewerbungen von Frauen sind daher ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 06.Oktober 2017 unter Angabe der Kennziffer 08/17 an:

Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Doktorandenstelle - Arbeitsgruppe: Ferroelektrische Schichten

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and power electronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin and a member of the Leibniz Association. You may find more details at www.ikz-berlin.de.

Commencing as soon as possible there is an opening for a PhD position 
for the topic: MOCVD of Perovskite Oxide Films


The group Ferroelectric Oxide Layers of the IKZ deals with epitaxially grown complex oxide films. SrTiO3 as a prototype of perovskite oxide is of particular interest. Despite many experimental and theoretical efforts, the fundamental understanding of growth process and related defects, oxygen vacancies, and interface phenomena is still limited yet. In the framework of this PhD study, SrTiO3 thin films shall be basically investigated in dependence of growth parameters and choice of the substrate (lattice strain). Systematic studies on point defects, electronic transport mechanisms, the the role of hydrogen and interface formation will be performed. The method of choice for the epitaxial deposition is focused mainly on the metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), which provides stoichiometric films with low defect density. Additionally, pulsed laser deposition will be used, whereby a large range of deposition conditions is available. Characterization of the thin films will be performed by x-ray diffraction and electron microscopy as well as atomic force microscopy equipped with a conductive (CAFM) module. 

Applicants should hold a Diploma or a MSc degree in physics, chemistry, materials science or a related discipline as well as good English language skills. Expertise in the field of oxides, thin film growth or knowledge regarding thin film characterization is highly desirable. The capability of working scientifically on an independent basis and ability to carry out structured scientific work within a highly motivated team of researchers and technicians are further requirements. 

The position is part of the Leibniz ScienceCampus “Growth and fundamentals of oxides for electronic applications (GraFox)”, which seizes to fuse the excellent individual activities and competencies in Berlin on one of the most prospective material systems for future electronic and (renewable) energy applications. Through collaborative research and publications, we aim to establish an internationally renowned key region in Berlin. The ScienceCampi of the Leibniz Association promote cooperation on an equal footing between Leibniz institutions and universities in the form of thematically-focused, complementary regional partnerships. These networks aim to strengthen the scientific environment for the relevant themes by conducting strategic research and encouraging interdisciplinarity in their topics, projects and methods. 

The position is available by September 2016 and its duration is limited to three years. Payment is according to TVöD (Treaty for German public service). IKZ is an equal opportunity employer. Therefore, female candidates are encouraged to apply and will be preferred in case of adequate qualification. Among equally qualified applicants preference will be given to disabled candidates.

Please submit your application by August 12st, 2016, to: 

Dr. Jutta Schwarzkopf:
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3053 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

wiss. Mitarbeiterstelle - Arbeitsgruppe: Ferroelektrische Oxidschichten

Die Arbeitsgruppe Ferroelektische Oxidschichten sucht ab sofort befristet auf 3 Jahre einen Doktoranden/in (VZ). Die bewerbungsfrist endet am 31.10.2016Weitere Informationen finden Sie hier:

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Doktorandenstelle - Arbeitsgruppe Elektronenmikroskopie

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and power electronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin and a member of the Leibniz Association. You may find more details at www.ikz-berlin.de.

 

Commencing as soon as possible there is an opening for a PhD position

for the topic: Transmission Electron Microscopy Studies on Phase Formation in Group III- Sesquioxides

 

IKZ has excellent expertise and facilities for the characterization of low-dimensional semiconductors, among them an aberration corrected TEM/STEM and a computer cluster for performing STEM and molecular dynamics simulations. Recently we are extending our activities in the field of Group III-Sesquioxides.  Group III sesquioxides oxides are distinguished by the fact that they can be efficiently n-doped despite a wide band gap that ranges from 2.7 eV for In2O3 over 4.8 eV for Ga2O3 to 8.9 eV for Al2O3. Possible fields of applications include unipolar devices like field effect devices, switching memories, and UV photodetectors. Full exploitation of these properties requires band gap engineering of these binary compounds through a formation of solid solutions of these oxides.

The main objective of the thesis to contribute by transmission electron microscopy investigations to a fundamental understanding of phase formation in this materials system. This comprises methodological developments to characterize parameters like coordination numbers and bond distortions as well as experimental studies on phase diagrams. The project on phase formation is performed in close collaboration with groups at Paul-Drude Institut and IKZ, who are performing growth and the Fritz-Haber-Institut providing ab-initio calculations.

The PhD project is performed in the framework of the Leibniz Science Campus GraFox - Growth and fundamentals of oxides for electronic applications, which seizes to fuse the excellent individual activities and competencies in Berlin on one of the most prospective material systems for future electronic and (renewable) energy applications. Through collaborative research and publications, we aim to establish an internationally renowned key region in Berlin. Details can be found on http://grafox.pdi-berlin.de.

Applicants should hold a Diploma or an MSc degree in physics, crystallography, materials science or a related discipline with a strong experimental background. Excellent knowledge of basic physics and of solid state physics are necessary. Expertise in high-resolution transmission electron microscopy and image simulation are highly desirable. We are looking for a team player with a high level of communication skills and the assertiveness to work in a highly motivated team of researchers and technicians.

The position is available by September 2016 and its duration is limited to three years. Payment is according to TVöD (Treaty for German public service). IKZ is an equal opportunity employer. Therefore, female candidates are encouraged to apply and will be preferred in case of adequate qualification. Among equally qualified applicants preference will be given to disabled candidates.

Please submit your application by August 1st, 2016, to:  

Dr. Martin Albrecht:
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!,
+49 30 6392-3094
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

wiss. Mitarbeiterstelle (Postdoc) - Arbeitsgruppe: Ferroelektrische Schichten

Die Gruppe Ferroelektrische Oxidschichten sucht einen Postdoc ab sofort. Ziele des Projektes sind u.a. das Wachstum von einkristallinen Schichten zu realisieren und durch die Wahl der Abscheideparameter die eingebauten Defekte zu kontrollieren. Neben der Abscheidung sollen von dem Bewerber oder der Bewerberin auch Messungen mit Röntgendiffraktometrie und dem Rasterkraftmikroskop (AFM/CAFM) durchgeführt werden. Die Arbeiten finden in enger Kooperation mit den Gruppen Elektronenmikroskopie und Physikalische Charakterisierung statt. Voraussetzungen sind eine abgeschlossene Promotion in Physik, Chemie, Materialwissenschaften oder verwandten Fachgebieten, gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie Bereitschaft zur Teamarbeit. Erfahrungen mit der Abscheidung von Oxidschichten und Kenntnisse auf dem Gebiet der Dünnschichtcharakterisierung sind notwendig. Weitere Informationen finden Sie hier:

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wiss. Mitarbeiterstelle TZ - Arbeitsgruppe: Silizium & Germananium

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V.

 

Wir suchen ab sofort befristet bis 31.03.2017 in der Arbeitsgruppe Silizium & Germanium einen

wissenschaftlichen Mitarbeiter/in (TZ)

für das Thema: Aufbau eines Versuchsstandes zur Züchtung von Einkristallen aus Si Wirbelschichtgranulat

 

Zum Aufgabengebiet der zu besetzenden Stelle gehört:

•  Thermische und strömungsmechanische Berechnungen

•  Inbetriebnahme und Kalibrierung von Messinstrumenten (Thermoelemente, Pyrometer)

•  Spezifikation und Beschaffung von Versuchseinbauten und Rohmaterial

•  Dokumentation von experimentellen Ergebnissen

 

Voraussetzungen:

• abgeschlossenes Hochschulstudium der Chemie, der Physik oder der Materialwissenschaften

• vertiefte Kenntnisse in den Bereichen Strömungsmechanik und Wärmetransport

• Erfahrung im Aufbau von Versuchsständen im Maschinenbau o.Ä. und CAD Programmen

• Basiswissen in numerischer Simulation, vorzugsweise in der Software Comsol Multiphysics

• Office Kenntnisse (Excel, Powerpoint)

 

Für fachliche Auskünfte steht Ihnen Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!, Tel.: 030 6392-3071, zur Verfügung.

Die Stelle wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet und es handelt sich um eine Teilzeitstelle mit 19,5 Wochenstunden. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte per Email bis zum 09.09.2016 unter Angabe der Kennziffer 07/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!

+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany
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Studentische Hilfskraft - Bereich: Verwaltung

Wir suchen ab sofort eine studentische Hilfskraft (m/w) im Bereich Verwaltung. Der Aufgabenbereich umfasst unter anderem Sekretariats- und Verwaltungsaufgaben, die Unterstützung des Bereiches Personal & Einkauf
und die Dateneingabe und Datenpflege.Die Stelle ist zunächst bis zum 31.10.2017 befristet. Die Arbeitszeit beträgt 8 Wochenstunden. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Die Bewerbungsfrist endet am 02.01.2016. Weitere Informationen finden Sie hier:

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wiss. Mitarbeiterstelle - Arbeitsgruppe: Silizium & Germananium

Die Arbeitsgruppe Silizium & Germanium sucht ab sofort befristet auf 2 Jahre einen wissenschaftlichen Mitarbeiter/in (VZ). Die Aufgaben umfassen Züchtungen von halbleitenden Materialien nach dem Czochraslki-Verfahren und die selbstständige Entwicklung dazugehöriger Konzepte. In einer industrieorientierten, modernen Laborumgebung soll ein neues Verfahrens für das Wachstum von qualitativ hochwertigen Ge- und Si-Kristallen für verschiedene Anwendungsbereiche in einem Team von Forschern erarbeitet werden. Ihre Aufgaben umfassen die Prozessentwicklung und die konzeptionelle Weiterentwicklung der Züchtungsapparaturen. Sie werden für Planung, Durchführung und Auswertung von Experimenten Verantwortung tragen. Weitere Informationen finden Sie hier:

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wiss. Mitarbeiterstelle TZ - Arbeitsgruppe: Silizium & Germanium

Die Arbeitsgruppe Silizium & Germanium sucht ab sofort befristet bis 31.03.2017 einen wissenschaftlichen Mitarbeiter/in (TZ) für das Thema: Aufbau eines Versuchsstandes zur Züchtung von Einkristallen aus Si Wirbelschichtgranulat. Weitere Informationen finden Sie hier:

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