"04/17 IKZ-News: Kick-off Veranstaltung anlässlich der Gründung des neuen
Zentrums für Lasermaterialien"

Im Rahmen eines zweitägigen Workshops lud das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) am 27. und 28.04.2017 Fachleute aus Forschung und Industrie dazu ein, einen Einblick in die Arbeit des neuen Zentrums für Lasermaterialien zu erlangen.

Unter Leitung von Herrn Dr. Christian Kränkel entsteht am IKZ seit April 2017 ein Kompetenzzentrum, welches in Zusammenarbeit mit dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), innovative Lasermaterialien erforscht, qualifiziert und entwickelt.

Die Teilnehmer des Workshops kamen in einem offenen Rahmen zusammen, um Einblicke in aktuelle Kompetenzen der Stakeholder und zukünftige Arbeitsschwerpunkte des neuen Zentrums zu gewinnen sowie Möglichkeiten für industrielle Anwendungen zu diskutieren. Eine Reihe von Fachvorträgen zum Thema Lasertechnologie rundete das Programm ab.

 


Zentrum für Lasermaterialien / Center for Laser Materials
(web presence)
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"05/17 IKZ in der Presse: 25 Jahre Forschungsverbund Berlin - schwieriger Neuanfang nach der Wende - Gespräch mit Dr. Günter Wagner"

Quelle: Berliner Zeitung, 17.05.2017
25 Jahre Forschungsverbund Berlin - schwieriger Neuanfang nach der Wende

...So entstand auch das Institut für Kristallzüchtung (IKZ), das zum Forschungsverbund gehört und seinen Sitz in Adlershof hat. „Nach der Evaluierung wurde beschlossen, dass der Bereich Kristallzüchtung eines der Akademie-Institute gute Impulse für die gesamtdeutsche Forschungslandschaft geben würde“, erinnert sich Günter Wagner. Der Kristallograf ist seit 1992 wissenschaftlicher Mitarbeiter am IKZ. Aus diesem speziellen Bereich wurde ein neues, eigenständiges Institut gegründet – mit Wissenschaftlern aus unterschiedlichen Einrichtungen, die sich mit dem Thema Kristallzucht befassten. Heute ist das Institut europaweit führend. Die Kristalle werden beispielsweise für Datenspeicher, Quantentechnologie und Elektronik gebraucht.

 

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"03/17 IKZ-News: Gründerpreis für IKZ-Ausgründung GOLARES"

Ausgezeichnet beschichten – Gründerpreis für IKZ-Ausgründung GOLARES

Die GOLARES GmbH wurde am 24. März 2017 mit dem mit 50.000 Euro dotierten Gründerpreis der Leibniz-Gemeinschaft ausgezeichnet. Die Ausgründung des Leibniz-Instituts für Kristallzüchtung (IKZ) bietet Beschichtung und Mikrostrukturierung mittels Plasmatechnologie von opto- und mikro­elektronischen Bauelementen an. Die Behandlung von Oberflächen mit Gas-Plasma ist ein Schlüsselschritt bei der Herstellung derartiger High-Tech-Produkte. Dr. Michael Arens und Dr. Sebastian Golka beschäftigen sich seit mehr als 10 Jahren mit dieser Technologie und haben GOLARES im Juni 2016 ausgegründet.

,,Unser Verfahren ist besonders schädigungsarm“, erklärt Sebastian Golka, ,,gleichzeitig sind unsere Schichten von hoher Qualität, die mit anderen Verfahren so nicht erreicht werden kann.“ Das wiederum erhöht die Effizienz und die Lebensdauer der Endprodukte. Hinzu kommt, dass es kaum Anbieter für Beschichtungen mit speziellen Materialien wie Titan- oder Aluminiumnitrid mit der plasmaunterstützten Gasphasenbeschichtung gibt. „Wir bieten Dienstleistungen, die besonders für kleine und mittlere Unternehmen interessant sind, die keine eigenen Plasmaanlagen haben“, ergänzt Michael Arens. Oftmals sind auch nur kleine Serien für die Forschung und Entwicklung notwendig.

Das Gründungsvorhaben erfolgte zunächst aus Mitteln des Bundeswirtschaftsministeriums im Rahmen eines EXIST-Gründerstipendiums. Mit dem Preisgeld von 50.000 € erhalten die beiden Gründer die Möglichkeit, den Markteintritt erfolgreich zu gestalten und damit ihr Unternehmenskonzept weiter auszubauen.

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"02/17 Development of large Gallium(III)oxide single crystals for electronic devices"

 

An intensive research on bulk growth of β-Ga2O3 by the Czochralski method resulted in development of large single crystals of 2 inch diameter and length up to 4 inch.
High thermal instability at high temperatures of that compound required an application of unique technical solutions to thermodynamically stabilize and make the growth of β-Ga2O3 stable. The provision of this proprietary technology allows for yet further scaling-up of melt grown β-Ga2O3 crystals.
β-Ga2O3 is a transparent semiconducting oxide with a wide energy gap of 4.85 eV, a wide range of possible free electron concentrations between 1016 and 1019 cm-3 and electron mobility up to 150 cm2V-1s-1. Electrically insulating crystals can also be obtained by doping with Mg.
A unique combination of electrical and optical properties make β-Ga2O3 a great candidate for designing devices in different areas of state of the art technology, such as in transparent or high power electronics, optoelectronics and detecting systems.

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16. Girls'Day! Auch das IKZ öffnet am 30.04.16 seine Türen für den diesjährigen Girls'Day

Auch am diesjährigen Girlsday nutzt das IKZ seine Chance, das Interesse von Mädchen der Klassen 5 bis 10 für unsere vielfältgen Arbeitsbereiche zu wecken und sich so vielfältige Personalressourcen für die Zukunft zu erschließen. An diesem Tag werden unsere Labore, Büros und Werkstätten für interessierte Teilnehmerinnen geöffnet sein!  

Lange Nacht der Wissenschaften 2016 - 1.828 Besucher kamen zum Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Auch dieses Jahr fand in Berlin und Potsdam wieder die Lange Nacht der Wissenschaften statt. Am Samstag, den 11.06.2016, öffneten 73 wissenschaftliche Einrichtungen wieder ihre Türen, um interessierten Besuchern einen Einblick in ihre Räumlichkeiten und Forschungsinhalte zu geben! Dieses Jahr kamen 1.828 interessierte Besucher ans IKZ, um unsere Räumlichkeiten in der Max-Born-Str.2 in Berlin Adlershof zu besuchen. Zeitweise bestand eine 90minutige Wartezeit, aufgrund der sehr großen Nachfrage, um einen Platz für eine Führung zu erhalten.

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