November 2019: Entwicklung neuer Züchtungstechnologie für definierte lokale Kristallisation

ZchtungsmethodeZüchtungsprinzip der neu zu entwickelnden Technologie: Lokale thermische Zersetzung durch laserassistierte Chemische Gasphasenabscheidung (CVD).

In der Sektion „Niedrigdimensionale Strukturen“ wird in Zusammenarbeit mit Industriepartnern, darunter die BESTEC GmbH, die Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung (BAM) und die Universität Duisburg-Essen eine neue Methode zur ortsgenauen Kristallisation auf Substraten entwickelt.


Der Gegenstand des Vorhabens ist die Realisierung von lokalisierter Strukturbildung auf amorphen Oberflächen ohne Anwendung von aufwändigen Masken- oder Lithografie­prozessen. Dazu soll fokussierte Laserstrahlung geeigneter Wellenlänge und Intensität eingesetzt werden. Durch einen Scanner bzw. durch ein Linsensystem ist ein musterförmiger Energieeintrag zu ermöglichen. Die resultierende thermische Inhomogenität soll die selektive Bildung flüssiger und letztlich kristalliner Strukturen auf der Oberfläche bewirken.

Derartige Inseln können als Präkursoren für das örtlich definierte Wachstum von Verbindungshalbleitern dienen. Das Wirtschaftsministerium fördert die Entwicklung mit 1,5 Mio Euro, wovon rund 700T € dem IKZ zugutekommen.

 

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