Juli/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft &) Masterarbeit 'Charakterisierung der Defektverteilung in epitaktisch gewachsenen AlN- und AlGaN-Schichten'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Charakterisierung der Defektverteilung in epitaktisch gewachsenen AlN- und AlGaN-Schichten"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung ab sofort eine

 

Masterarbeit.

 

Epitaktisch gewachsene AlN- bzw. AlGaN-Schichten mit hoher kristalliner Perfektion sind die Grundlage für Leuchtdioden (LEDs), die im tiefen ultravioletten Spektralbereich (210-280 nm) Licht emittieren. Die Effizienz dieser UVC-LEDs wird stark durch Kristalldefekte (Versetzungen, Korngrenzen, …) beeinträchtigt, die durch Elektronenmikroskopie sowie durch defekt-selektives Ätzen der AlN/AlGaN-Schichten mit basischen Schmelzlösungen charakterisiert werden können. Die gewonnenen Ergebnisse bilden die Grundlage zur Optimierung der Züchtungsbedingungen mit dem Ziel der Defektreduzierung.

 

Im Rahmen der Masterarbeit sollen:
die Ätzbedingungen (Zeit, Temperatur,…) für verschiedene AlN/AlGaN-Schichten optimiert und das wissenschaftliche Verständnis vertieft werden. Die Auswertungen der einzelnen Ätzversuche soll mittels Rasterkraftmikroskop (AFM) und Rasterelektronenmikroskop (SEM) erfolgen.
Weitere Schwerpunkte der Arbeit können je nach Vorkenntnissen und Interesse angepasst werden. Möglichkeiten sind:

 

  • die Optimierung der Ätzzusammensetzung inklusive Bestimmung von Phasendiagrammen durch die Software FactSage und durch Differenz-Thermoanalyse (DTA)
  • der Vergleich der Defektdichte zwischen defekt-selektiven Ätzen und der Analyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM)
  • die Zuordnung unterschiedlicher Versetzungstypen zu den verschiedenen Ätzpitgeometrien

 

Die hohe fachliche Expertise und die hervorragende Ausstattung des IKZ mit Charakterisierungsanlagen (AFM, SEM, DTA, TEM,…) sind exzellente Vorrausetzungen für die Durchführung wissenschaftlicher Abschlussarbeiten.

 

Erforderlich sind:

  • ein erfolgreich abgeschlossenes Bachelorstudium der Chemie, Materialwissenschaften oder Physik

 

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft bis zu 8 Wochenstunden a 11,24 € ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Carsten Hartmann
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+49 30 6392-2848

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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August/17 Stellenangebot: Postdoc/ wiss. Mitarbeiter:  'Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden oxidischen epitaktischen Schichten'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden oxidischen
epitaktischen Schichten"


Suchen wir ab November 2017 in der Arbeitsgruppe Halbleitende Oxidschichten eine/einen

 

Postdoc/ wiss. Mitarbeiter

 

Die Arbeitsaufgabe ist Bestandteil eines Projektes zur Erforschung und Herstellung von transpa-renten halbleitenden Oxiden als Basismaterial für eine neue Generation von elektronischen Bau-elementen in der Leistungselektronik. Sie besteht in der Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden Oxidschichten mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MO-VPE).

Ziel ist es, zu einem grundlegenden Verständnis des Zusammenhanges zwischen den Substratei-genschaften, den Abscheidebedingungen bei der MO-VPE und den strukturellen, optischen und elektronischen Eigenschaften von homo- und heteroepitaktischen Schichtstrukturen zu kommen. Die Ergebnisse sollen bei der Realisierung neuartiger mikroelektronischer Bauelemente genutzt werden.

Voraussetzung ist ein Studium der Physik, der Werkstoffwissenschaften, der Chemie oder eines verwandten Studienganges und eine abgeschlossene Promotion in diesem Fachgebiet. Neben ei-nem soliden physikalischen bzw. chemischen Grundlagenwissen werden experimentelles Ge-schick, eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit und gute Kenntnisse der englischen Sprache erwartet. Erfahrungen in der Herstellung von Epitaxieschichten und der Charakterisierung von strukturellen und elektrischen Materialeigenschaften sind erwünscht.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Günter Wagner
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+49 30 6392-2846

 

Die Stelle ist zu nächst für 3 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergü-tet. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung strebt die Erhöhung des Frauenanteils an. Bewerbungen von Frauen sind daher ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 06.Oktober 2017 unter Angabe der Kennziffer 08/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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September/17 Stellenangebot: Doktorandin/Doktoranden (Teilzeit): 'Generation und Evolution von Strukturdefekten bei der AlN-Kristallzüchtung, der AlN-Substratpräparation und der AlN/AlGaN- Epitaxie'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Generation und Evolution von Strukturdefekten bei der AlN-Kristallzüchtung, der AlN-Substratpräparation und der AlN/AlGaN- Epitaxie"


Suchen wir zum 01.12.2017  eine/einen

 

Doktorandin/Doktoranden
(Teilzeit)

 

Nach dem erfolgreichen Einsatz weißer LEDs für Beleuchtungszwecke werden nun Möglichkeiten erforscht, UV-LEDs z.B. für Desinfektionsanwendungen herzustellen. Solche Bauelemente bestehen aus AlGaN- und AlN-Epitaxieschichten, die z.B. auf einkristallinen Substraten aus Aluminium-nitrid (AlN) abgeschieden werden. Die AlN-Substrate sollen auf ihrer Oberfläche eine möglichst geringe Dichte an Strukturdefekten (Versetzungen) aufweisen, um darauf Epitaxieschichten höchster Qualität herstellen zu können.
Am IKZ werden AlN-Volumenkristalle aus der Gasphase hergestellt (PVT-Verfahren), die als Basis für eine Substratpräparation dienen. Am Partnerinstitut FBH werden auf diesen Substraten Epitaxieversuche durchgeführt.
Das Aufgabengebiet umfasst neben der Mitwirkung bei der Züchtung von AlN-Volumenkristallen vor allem die Charakterisierung der Kristalle und der daraus hergestellten Substrate und Epitaxieschichten hinsichtlich ihrer strukturellen Eigenschaften. Die Defektstruktur soll durch defektselektives nasschemisches Ätzen der Probenoberfläche sowie durch die Anwendung optischer, röntgenographischer und elektronenmikroskopischer Methoden aufgeklärt werden.
Ziele der Arbeit sind die Erfassung und Beschreibung der Ursachen für die Versetzungsbildung, die Analyse der Defektevolution über die komplette Prozessabfolge sowie die Konzeption und Evaluation neuer Ansätze zur Verringerung der Defektdichte in den AlN-Kristallen, bei der Substratpräparation und in der Epitaxie.

 

Notwendige Voraussetzung ist ein abgeschlossenes Studium der Physik, Materialwissenschaften, Chemie oder eines verwandten Studiengangs. Experimentelle Erfahrungen auf dem Gebiet der strukturellen Charakterisierung von Festkörpern sind wünschenswert. Darüber hinaus werden gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit erwartet.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Wollweber
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+49 30 6392-2843

 

Die Stelle ist befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (Bund) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 15.10.2017 unter Angabe der Kennziffer 09/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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August/17 Stellenangebot: studentische Hilfskraft:  'Visualisierung und Auswertung von Prozessdaten bei der AlN-Züchtung'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Visualisierung und Auswertung von Prozessdaten bei der AlN-Züchtung"


Suchen wir ab sofort in der Arbeitsgruppe Aluminiumnitride eine

 

studentische Hilfskraft

 

Die Arbeitsgruppe züchtet Aluminiumnitride-Einkristalle durch Sublimati-on/Rekondensation bei zirka 2100°C in einer Stickstoff-Atmosphäre. Während des Pro-zesses fallen eine Vielzahl von charakteristischen Daten an, deren komplexe Zusam-menhänge durch eine flexible Visualisierung ausgewertet dargestellt werden sollen.

Zur Aufgabenstellung gehören die Definition einer Schnittstelle zur Anlagen-SPS, die Erarbeitung eines Programmkonzepts und die Programmierung der Datenvisualisierung auf Basis von MS Visual Basic oder OriginPro (LabTalk, Origin C oder Python).

Voraussetzungen sind ein Studium der Informatik, Industrie-Informatik, Mathematik oder Vergleichbares. Kenntnisse in der SPS-Programmierung sind förderlich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Wollweber
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+49 30 6392-2843

 

Die Arbeitszeit beträgt ca. 10 Stunden pro Wochen (nach Vereinbarung). Die Stelle ist zunächst bis 31.01.2018 befristet und wird mit 11,24 € pro Stunde vergütet. Schwerbe-hinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

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Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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Birgit Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
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Frau Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Frau Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
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September/17 Stellenangebot: Doktorandin/Doktoranden (Teilzeit): 'Züchtung und Lasercharakterisierung von Er3+-dotierten Sesquioxiden'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Züchtung und Lasercharakterisierung von Er3+-dotierten Sesquioxiden"


Suchen wir zum 01.01.2018 eine/einen

 

Doktorandin/Doktoranden
(Teilzeit)

 

Kubische Seltenerd-Sesquioxide wie Lu2O3, Y2O2 und Sc2O3 sind hervorragende Wirtsmaterialien für Laser im nahen und mittleren infraroten Spektralbereich. Insbesondere bei Dotierung mit Er3+ wurden auf dem Übergang um 3 µm höhere Effizienzen und Ausgangsleistungen als mit jedem anderen Lasermaterial erzielt. Aufgrund Ihrer hohen Schmelzpunkte ist die Züchtung mit tiegelbasierten Verfahren jedoch aufwendig und teuer.


In dieser Arbeit sollen Sesquioxidkristalle mit dem tiegelfreien Zonenschmelzverfahren (engl. Optical floating zone technique, OFZ) hergestellt werden. Hierfür steht eine eigens zu diesem Zweck neu aufgebaute Züchtungsanlage zur Verfügung. Die Materialien sollen anschließend in den neu eingerichteten Laboratorien des Zentrums für Lasermaterialien am IKZ in Hinblick auf Ihre Eignung als Lasermaterialien spektroskopisch charakterisiert werden. An den vielversprechendsten Proben sollen Laserexperimente im Wellenlängenbereich um 3 µm durchgeführt werden.

 

Notwendige Voraussetzung ist ein abgeschlossenes Studium der Physik, Optical Sciences, Lasertechnik oder eines verwandten Studiengangs. Experimentelle Erfahrungen auf dem Gebiet der Kristallzüchtung und/oder Laserphysik sind wünschenswert. Bereitschaft zur Teamarbeit und sehr gute Englischkenntnisse werden vorausgesetzt, grundlegende Kenntnisse der deutschen Sprache wären hilfreich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Christian Kränkel
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+49 30 6392-3019

 

Die Stelle ist befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (Bund) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 01.11.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
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