November/17 Stellenangebot: Technische/n Mitarbeiter/in -
Arbeitsgruppe Ferroelektrische Oxidschichten

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Wir suchen ab sofort in der Arbeitsgruppe Ferroelektrische Oxidschichten eine/einen

 

Technische/n Mitarbeiter/in

 

Die Arbeitsaufgabe ist eingebettet in die Entwicklung und Optimierung von bleifreien ferroelektrischen Oxidschichten. Sie umfasst die Vorbereitung und Durchführung von Schichtabscheidungen mittels chemischer Gasphasendeposition, die Charakterisierung der Schichtenoberflächen mit Hilfe der Rasterkraftmikroskopie, die Präparation von Substratoberflächen sowie die Wartung der Züchtungsanlagen.

Voraussetzungen sind eine abgeschlossene Berufsausbildung als physikalisch technische/r Assistent/in, Verfahrenstechniker/in, Mikrotechnologe/in oder in verwandten Gebieten. Kenntnisse auf dem Gebiet der Schichtabscheidung bzw. Anlagen- und Vakuumtechnik sind wünschenswert. Eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit und Englischkenntnisse werden erwartet.

 

Fachliche Auskünfte:
Frau Dr. Jutta Schwarzkopf
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+49 30 6392-3053

 

Die Stelle ist vorerst auf 2 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber/innen besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis 27.11.2017 unter Angabe der Kennziffer 15/17 an:

Frau Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

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November/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft) & Masterarbeit
'Thermochemische Untersuchungen im Phasensystem KF–TbF3'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Thermochemische Untersuchungen im Phasensystem KF–TbF3"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung in der Arbeitsgruppe „Chemische und Thermodynamische Analyse
ab dem 1. Januar 2018 eine


Masterarbeit

 

Am IKZ werden u.a. Oxide und Fluoride als Einkristalle für optische Anwendungen hergestellt. Eine aktuelle Aufgabe ist die Herstellung von Volumenkristallen aus Kalium-Terbium-Fluorid (KTb3F10). Grundvoraussetzung für eine erfolgreiche Züchtung von Einkristallen in optischer Qualität und ausreichender Größe ist die genaue Kenntnis des Phasendiagramms des entsprechenden Systems in der Umgebung der zu wachsenden Verbindung. Im Falle vom KTb3F10 sind die wenigen existierenden Berichte widersprüchlich.

Ziel der Masterarbeit ist eine sorgfältige Bestimmung des Phasendiagramms des Systems KF–TbF3 im Bereich der Zielverbindung bis hin zu den Nachbarphasen, ggfs. auch unter Berücksichtigung von Tb4+-haltigen Phasen und sauerstoffhaltigen Restverunreinigungen. Dazu steht ein exzellent ausgestattetes thermochemisches Labor mit Messinstrumenten zur Differential-Thermoanalyse (DTA), Kalorimetrie (DSC) und Thermogravimetrie (TG) zur Verfügung. Parallel wird die Modellierung des Phasensystems mit der Software FactSage durchgeführt. Die Ergebnisse werden mit Untersuchungen zum Phasenbestand der Proben und mit chemischen Analysen korreliert. Für eine fachliche Einarbeitung wird gesorgt.

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft am Institut ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Herr PD Dr. Detlef Klimm
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+49 30 6392-3018

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

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Oktober/17 Stellenangebot: Doktorand/Doktorandin  in der Massivkristallzüchtung: 'Entwicklung eines Eigentiegelverfahrens zur Herstellung von einkristallinem Silizium'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Entwicklung eines Eigentiegelverfahrens zur Herstellung von einkristallinem Silizium"


Suchen wir in der Massivkristallzüchtung eine/n

 

Doktorand/Doktorandin

 

Die Promotionsstelle wird für das von der Leibniz-Gemeinschaft geförderte Forschungsprojekt: Sili-zium Granulat Eigentiegelverfahren (SiGrEt) ausgeschrieben. Ziel des Projektes ist die Entwicklung eines neuartigen Züchtungsprozesses für Silizium, mit für die Solar- und Halbleiterindustrie geeigne-ten Kristalleigenschaften.


Ihre Aufgaben

  • Sie arbeiten an der Entwicklung eines induktiven Zonenschmelzprozesses für Si durch experi-mentelle Forschung an unseren Kristallzüchtungsanlagen
  • Sie analysieren Konzepte für die Verbesserung des Verfahrens hinsichtlich ihrer physikalischen, technischen und wirtschaftlichen Machbarkeit
  • Sie charakterisieren das gezüchtete Material und ziehen daraus Rückschlüsse für die Optimie-rung von Prozessparametern
  • Sie präsentieren die Ergebnisse Ihrer Arbeit an internationalen Fachtagungen und publizieren in wissenschaftlichen Fachzeitschriften


Ihr Profil

  • Sie haben ein erfolgreich abgeschlossenes Hochschulstudium der Fachrichtung Physik, Physi-kalische Ingenieurwissenschaften, Chemieingenieur, Prozess- und Verfahrenstechnik, Materi-alwissenschaften oder vergleichbar
  • Sie besitzen tiefergehende Kenntnisse in mind. 2 der Disziplinen: Elektromagnetismus (Indukti-ve Erwärmung), Wärme- und Stofftransport, Kristallographie, Mess- und Regelungstechnik, Maschinenbau
  • Vorkenntnisse der Siliziumkristallzüchtung, insbesondere Cz oder FZ Verfahren, sind von Vorteil aber nicht zwingend erforderlich
  • Sehr gute Kenntnisse der englischen Sprache in Wort und Schrift
  • Sie haben experimentelles Geschick und Freude an angewandter, industrienaher Forschung

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Robert Menzel
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+49 30 6392-3071

 

Die Stelle ist auf drei Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (75%) vergü-tet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 20.11.2017 unter Angabe der Kennziffer 13/17 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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Oktober/17 Stellenangebot: Doktorand/Doktorandin  in der Massivkristallzüchtung: 'Entwicklung von Kristallisationsverfahren zur Herstellung von hochreinen Germaniumeinkristallen für Strahlungsdetektoren'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Entwicklung von Kristallisationsverfahren zur Herstellung von hochreinen
Germaniumeinkristallen für Strahlungsdetektoren"


Suchen wir in der Massivkristallzüchtung eine/n

 

Doktorand/Doktorandin

 

Die Forschungsarbeiten sind Bestandteil eines Verbundprojektes zur Entwicklung von Ge-Detektoren zum Nachweis des neutrinolosen ßß-Zerfalls. Ziel ist die Entwicklung von Verfahren zur Züchtung von ultrareinen Ge-Einkristallen mit definierter Defektstruktur.


Ihre Aufgaben

  • Sie arbeiten an der Entwicklung eines Zonenschmelz- und Czochralskiprozesses für Ge durch experimentelle Forschung an unseren Kristallzüchtungsanlagen
  • Sie analysieren Ge-Kristalle hinsichtlich ihrer Defektstruktur und Eignung als Detektormaterial
  • Sie ziehen daraus Rückschlüsse für die Optimierung von Prozessparametern und die konzepti-onelle Weiterentwicklung der Züchtungsapparaturen.
  • Sie führen Parameterstudien mittels geeigneter Simulationen durch
  • Sie präsentieren die Ergebnisse Ihrer Arbeit an internationalen Fachtagungen und publizieren in wissenschaftlichen Fachzeitschriften


Ihr Profil

  • Sie haben ein erfolgreich abgeschlossenes Hochschulstudium der Fachrichtung Physik, Physikalische Ingenieurwissenschaften, Materialwissenschaften oder vergleichbar
  • Sie besitzen Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Züchtung und Charakterisierung von Halb-leiterkristallen.
  • Sehr gute Kenntnisse der englischen Sprache in Wort und Schrift
  • Sie haben experimentelles Geschick und Freude an angewandter, industrienaher Forschung

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Frank M. Kießling
frank.kiessling@ikz-berlin
+49 30 6392-3033

 

Die Stelle ist auf drei Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (75%) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 20.11.2017 unter Angabe der Kennziffer 14/17 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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September/17 Stellenangebot: Doktorandin/Doktoranden (Teilzeit): 'Züchtung und Lasercharakterisierung von Er3+-dotierten Sesquioxiden'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Züchtung und Lasercharakterisierung von Er3+-dotierten Sesquioxiden"


Suchen wir zum 01.01.2018 eine/einen

 

Doktorandin/Doktoranden
(Teilzeit)

 

Kubische Seltenerd-Sesquioxide wie Lu2O3, Y2O2 und Sc2O3 sind hervorragende Wirtsmaterialien für Laser im nahen und mittleren infraroten Spektralbereich. Insbesondere bei Dotierung mit Er3+ wurden auf dem Übergang um 3 µm höhere Effizienzen und Ausgangsleistungen als mit jedem anderen Lasermaterial erzielt. Aufgrund Ihrer hohen Schmelzpunkte ist die Züchtung mit tiegelbasierten Verfahren jedoch aufwendig und teuer.


In dieser Arbeit sollen Sesquioxidkristalle mit dem tiegelfreien Zonenschmelzverfahren (engl. Optical floating zone technique, OFZ) hergestellt werden. Hierfür steht eine eigens zu diesem Zweck neu aufgebaute Züchtungsanlage zur Verfügung. Die Materialien sollen anschließend in den neu eingerichteten Laboratorien des Zentrums für Lasermaterialien am IKZ in Hinblick auf Ihre Eignung als Lasermaterialien spektroskopisch charakterisiert werden. An den vielversprechendsten Proben sollen Laserexperimente im Wellenlängenbereich um 3 µm durchgeführt werden.

 

Notwendige Voraussetzung ist ein abgeschlossenes Studium der Physik, Optical Sciences, Lasertechnik oder eines verwandten Studiengangs. Experimentelle Erfahrungen auf dem Gebiet der Kristallzüchtung und/oder Laserphysik sind wünschenswert. Bereitschaft zur Teamarbeit und sehr gute Englischkenntnisse werden vorausgesetzt, grundlegende Kenntnisse der deutschen Sprache wären hilfreich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Christian Kränkel
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+49 30 6392-3019

 

Die Stelle ist befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (Bund) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 01.11.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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September/17 Stellenangebot: Doktorandin/Doktoranden (Teilzeit): 'Generation und Evolution von Strukturdefekten bei der AlN-Kristallzüchtung, der AlN-Substratpräparation und der AlN/AlGaN- Epitaxie'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Generation und Evolution von Strukturdefekten bei der AlN-Kristallzüchtung, der AlN-Substratpräparation und der AlN/AlGaN- Epitaxie"


Suchen wir zum 01.12.2017  eine/einen

 

Doktorandin/Doktoranden
(Teilzeit)

 

Nach dem erfolgreichen Einsatz weißer LEDs für Beleuchtungszwecke werden nun Möglichkeiten erforscht, UV-LEDs z.B. für Desinfektionsanwendungen herzustellen. Solche Bauelemente bestehen aus AlGaN- und AlN-Epitaxieschichten, die z.B. auf einkristallinen Substraten aus Aluminium-nitrid (AlN) abgeschieden werden. Die AlN-Substrate sollen auf ihrer Oberfläche eine möglichst geringe Dichte an Strukturdefekten (Versetzungen) aufweisen, um darauf Epitaxieschichten höchster Qualität herstellen zu können.
Am IKZ werden AlN-Volumenkristalle aus der Gasphase hergestellt (PVT-Verfahren), die als Basis für eine Substratpräparation dienen. Am Partnerinstitut FBH werden auf diesen Substraten Epitaxieversuche durchgeführt.
Das Aufgabengebiet umfasst neben der Mitwirkung bei der Züchtung von AlN-Volumenkristallen vor allem die Charakterisierung der Kristalle und der daraus hergestellten Substrate und Epitaxieschichten hinsichtlich ihrer strukturellen Eigenschaften. Die Defektstruktur soll durch defektselektives nasschemisches Ätzen der Probenoberfläche sowie durch die Anwendung optischer, röntgenographischer und elektronenmikroskopischer Methoden aufgeklärt werden.
Ziele der Arbeit sind die Erfassung und Beschreibung der Ursachen für die Versetzungsbildung, die Analyse der Defektevolution über die komplette Prozessabfolge sowie die Konzeption und Evaluation neuer Ansätze zur Verringerung der Defektdichte in den AlN-Kristallen, bei der Substratpräparation und in der Epitaxie.

 

Notwendige Voraussetzung ist ein abgeschlossenes Studium der Physik, Materialwissenschaften, Chemie oder eines verwandten Studiengangs. Experimentelle Erfahrungen auf dem Gebiet der strukturellen Charakterisierung von Festkörpern sind wünschenswert. Darüber hinaus werden gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit erwartet.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Wollweber
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+49 30 6392-2843

 

Die Stelle ist befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (Bund) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 15.10.2017 unter Angabe der Kennziffer 09/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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August/17 Stellenangebot: studentische Hilfskraft:  'Visualisierung und Auswertung von Prozessdaten bei der AlN-Züchtung'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Visualisierung und Auswertung von Prozessdaten bei der AlN-Züchtung"


Suchen wir ab sofort in der Arbeitsgruppe Aluminiumnitride eine

 

studentische Hilfskraft

 

Die Arbeitsgruppe züchtet Aluminiumnitride-Einkristalle durch Sublimati-on/Rekondensation bei zirka 2100°C in einer Stickstoff-Atmosphäre. Während des Pro-zesses fallen eine Vielzahl von charakteristischen Daten an, deren komplexe Zusam-menhänge durch eine flexible Visualisierung ausgewertet dargestellt werden sollen.

Zur Aufgabenstellung gehören die Definition einer Schnittstelle zur Anlagen-SPS, die Erarbeitung eines Programmkonzepts und die Programmierung der Datenvisualisierung auf Basis von MS Visual Basic oder OriginPro (LabTalk, Origin C oder Python).

Voraussetzungen sind ein Studium der Informatik, Industrie-Informatik, Mathematik oder Vergleichbares. Kenntnisse in der SPS-Programmierung sind förderlich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Wollweber
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+49 30 6392-2843

 

Die Arbeitszeit beträgt ca. 10 Stunden pro Wochen (nach Vereinbarung). Die Stelle ist zunächst bis 31.01.2018 befristet und wird mit 11,24 € pro Stunde vergütet. Schwerbe-hinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Juli/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft &) Masterarbeit 'Charakterisierung der Defektverteilung in epitaktisch gewachsenen AlN- und AlGaN-Schichten'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Charakterisierung der Defektverteilung in epitaktisch gewachsenen AlN- und AlGaN-Schichten"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung ab sofort eine

 

Masterarbeit.

 

Epitaktisch gewachsene AlN- bzw. AlGaN-Schichten mit hoher kristalliner Perfektion sind die Grundlage für Leuchtdioden (LEDs), die im tiefen ultravioletten Spektralbereich (210-280 nm) Licht emittieren. Die Effizienz dieser UVC-LEDs wird stark durch Kristalldefekte (Versetzungen, Korngrenzen, …) beeinträchtigt, die durch Elektronenmikroskopie sowie durch defekt-selektives Ätzen der AlN/AlGaN-Schichten mit basischen Schmelzlösungen charakterisiert werden können. Die gewonnenen Ergebnisse bilden die Grundlage zur Optimierung der Züchtungsbedingungen mit dem Ziel der Defektreduzierung.

 

Im Rahmen der Masterarbeit sollen:
die Ätzbedingungen (Zeit, Temperatur,…) für verschiedene AlN/AlGaN-Schichten optimiert und das wissenschaftliche Verständnis vertieft werden. Die Auswertungen der einzelnen Ätzversuche soll mittels Rasterkraftmikroskop (AFM) und Rasterelektronenmikroskop (SEM) erfolgen.
Weitere Schwerpunkte der Arbeit können je nach Vorkenntnissen und Interesse angepasst werden. Möglichkeiten sind:

 

  • die Optimierung der Ätzzusammensetzung inklusive Bestimmung von Phasendiagrammen durch die Software FactSage und durch Differenz-Thermoanalyse (DTA)
  • der Vergleich der Defektdichte zwischen defekt-selektiven Ätzen und der Analyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM)
  • die Zuordnung unterschiedlicher Versetzungstypen zu den verschiedenen Ätzpitgeometrien

 

Die hohe fachliche Expertise und die hervorragende Ausstattung des IKZ mit Charakterisierungsanlagen (AFM, SEM, DTA, TEM,…) sind exzellente Vorrausetzungen für die Durchführung wissenschaftlicher Abschlussarbeiten.

 

Erforderlich sind:

  • ein erfolgreich abgeschlossenes Bachelorstudium der Chemie, Materialwissenschaften oder Physik

 

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft bis zu 8 Wochenstunden a 11,24 € ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Carsten Hartmann
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+49 30 6392-2848

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
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