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"Juli 2019: Senat der Leibniz-Gemeinschaft beschließt positive Förderempfehlung für das IKZ
in Berlin"

IKZ

In seiner Förderempfehlung bescheinigt der Senat der Leibniz-Gemeinschaft dem Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) in Berlin eine positive Entwicklung und empfiehlt der Gemeinsamen Wissenschaftskonferenz (GWK), das Institut auch weiterhin als Leibniz-Einrichtung zu fördern.

 

Der Leibniz-Senat schließt sich hierbei dem positiven Evaluierungsbericht der internationalen Gutachterkommission an, die das Haus im Dezember 2018 besuchte. Die Gutachter betonen, dass das Institut im vergangenen Evaluierungszeitraum seine international führende Position in den Bereichen Wissenschaft & Technologie sowie Service & Transfer für kristalline Materialien behauptet hat. Zum weiteren Ausbau dieser führenden Position unterstützt das internationale Gutachtergremium in seiner Bewertung ausdrücklich die geplante Strategie - Erweiterung des IKZ. Das Institut plant hierbei, mittels einer verstärkten Prototypenforschung und -entwicklung eine zentrale Innovationslücke im Bereich innovativer kristalliner Materialien für zukünftige Anwendungen in Elektronik und Photonik zu schließen.

 

Das IKZ freut sich auf die Bearbeitung dieser künftigen wissenschaftlich-technologischen Herausforderungen und dankt den Mitgliedern der Evaluierungskommission für ihre engagierte, umsichtige und hervorragende Arbeit im Rahmen der IKZ Leibniz-Evaluierung 2018.

 

Die vollständige Stellungnahme des Senats zur Evaluierung des IKZ steht Ihnen als Download zur Verfügung:

 

 

Zum Hintergrund der Evaluierung:

Jede Einrichtung in der Leibniz-Gemeinschaft wird in einem Turnus von in der Regel 7 Jahren extern evaluiert. Ein international besetztes Gutachtergremium beurteilt die Forschungsstrategie sowie die wissenschaftlichen Leistungen des Instituts zunächst anhand schriftlicher Unterlagen. Bei einem Evaluierungsbesuch vor Ort überzeugt sich im Anschluss das Gremium unter anderem im direkten Gespräch von der Qualität der geleisteten Arbeit und hält die Ergebnisse in einem Evaluierungsbericht fest. Auf dieser Grundlage wird durch den Senat der Leibniz-Gemeinschaft entschieden, ob dieser Bund und Ländern eine weitere Leibniz Förderung der Einrichtung empfiehlt.

 

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"Juni 2019: IKZ als familienfreundlicher Arbeitgeber:
Zertifikatsverleihung zum audit berufundfamilie"

Zertifikat

Am 25. Juni 2019 wurde dem IKZ das Zertifikat zum audit berufundfamilie für weitere 3 Jahren verliehen. Mit dem Zertifikat wird das IKZ für sein Engagement im Bereich der strategisch ausgerichteten familien- und lebensphasenbewussten Personalpolitik ausgezeichnet.

Voraussetzung für die Zertifizierung war das erfolgreiche Durchlaufen des von der berufundfamilie Service GmbH angebotenen Auditierungsverfahrens. Das IKZ hat sich selbstverpflichtend das Ziel gesetzt, familienfreundliche Arbeitsbedingungen zu schaffen. In einer Laufzeit von drei Jahren wird das Institut die in der Zielvereinbarung getroffenen familien- und lebensphasenbewussten Maßnahmen bewusst weiterverfolgen.

Die erneute Zertifizierung zeigt, dass das IKZ kontinuierlich an einer familienfreundlichen Personalpolitik arbeitet. Das Institut hat es sich zur Aufgabe gemacht, die Rahmenbedingungen für seine Beschäftigten zu verbessern und ihnen Instrumente an die Hand zu geben, mit denen sich Familie/Privatleben und Beruf besser miteinander vereinbaren lassen. Hierzu gehören z.B. flexible Möglichkeiten zur Gestaltung der Arbeitszeit, ob es sich dabei um die tägliche Arbeitszeit oder eine (vorübergehende) Teilzeitbeschäftigung handelt. Ein Eltern-Kind-Zimmer steht Beschäftigten für die Überbrückung von kurzzeitigen Engpässen zur Verfügung.

Die gemeinsame Pressemitteilung der berufundfamilie Service GmbH und des Bundesministeriums für Familie, Senioren, Frauen und Jugend (BMFSFJ) zur Zertifikatsverleihung finden Sie hier.

 

 

Verleihung 2

 

"Mai 2019: Ur-Kilogramm abgelöst -
Neues Internationales Einheitensystem (SI) am 20. Mai 2019 in Kraft getreten"

Neben Ampere, Kelvin, Mol und Co. wird ab sofort nun auch das Kilogramm über eine Naturkonstante definiert. Konkret bedeutet dies, dass das seit 130 Jahren als Maß aller Dinge geltende Ur-Kilogramm in Paris ausgedient hat. Ermöglicht wird das durch die am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) gezüchteten Einkristalle aus dem hoch angereicherten Isotop Silizium-28.

Si AnlageIm Kontext des KILOGRAMM-Projekts in einer Floating Zone Anlage gezüchteter Prototyp eines Silizium-28 Einkristalls  (Quelle: IKZ)

Bereits am 16. November 2018 wurde auf der 26. Generalkonferenz für Maße und Gewichte in Paris das neue Internationale Einheitensystem (SI) beschlossen. Nun trat das System am 20. Mai 2019, dem Weltmetrologietag, offiziell in Kraft. Von jetzt an bilden 7 Naturkonstanten das Fundament allen Messens.

 

Für das Kilogramm gilt ab sofort die Neudefinition über die Planck-Konstante, und somit wird diese Einheit nicht mehr über die Masse des Ur-Kilogramms bestimmt. Davon profitieren vor allem die Wissenschafts- und Hochtechnologie-Communities. Das IKZ hatte einen entscheidenden Anteil daran, dass das fast 130 Jahre alte künstliche Objekt des Ur-Kilogramms abgelöst wird, denn die am IKZ gezüchteten hochperfekten Kristalle aus nahezu isotopenreinem Silizium-28 (28Si, Anreicherung bis zu 99,9995 %) waren für dieses Vorhaben von entscheidender Bedeutung.

Bei diesen Kristallen haben nahezu alle Atome die gleiche Masse und sind in einem regelmäßigen dreidimensionalen Gitter angeordnet, was eine sehr genaue Zuordnung zwischen der Masse des Kristalls und der Zahl seiner Atome ermöglicht. Aus diesem Zusammenhang konnte der Wert der Avogadro-Konstante mit nie dagewesener Präzision abgeleitet werden und damit als fundamentale Naturkonstante unter anderem zur Definition des Kilogramms herangezogen werden, da mit Hilfe der Avogadro-Konstante die Plank-Konstante genauer bestimmt werden konnte. Im neuen SI wird der Wert der Avogadro-Konstante festgelegt und ein Mol enthält deswegen genau 6,02214076×1023 Einzelteilchen.

Aber das ist noch nicht alles. Insgesamt werden alle 7 Basiseinheiten nun über Naturkonstanten definiert. Bei der Sekunde (mit dem Hyperfeinstrukturübergang des Grundzustands im Cs-Atom), beim Meter (über die Lichtgeschwindigkeit) und bei der Candela (über das photometrische Strahlungsäquivalent einer speziellen Strahlung) ist dies bereits seit vielen Jahrzehnten der Fall. Nun ziehen auch die übrigen Einheiten nach, wobei hier die Elementarladung (für das Ampere), die Boltzmann-Konstante (für das Kelvin), die Avogadro-Konstante (für das Mol) und die Planck-Konstante (für das Kilogramm) die entscheidenden Rollen spielen.

Im Rahmen der von der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt in Braunschweig (PTB) geführten „KILOGRAMM“-Projekte wurden aus den im IKZ nach dem Float-Zone-Verfahren (FZ) gezüchteten 28Si-Kristallen mehrere sehr präzise Kugeln mit weniger als 20 nm Formabweichungen bei rund 94 mm Durchmesser und mit einer defektfrei polierten Oberfläche präpariert. Unter diesen Voraussetzungen gelang es der PTB, die Zahl der 28Si-Atome, die eine Kristallkugel von 1 kg Gesamtmasse ergeben mit der geforderten Unsicherheit von weniger als 2 x 10-8 zu bestimmen.


Sie beträgt:        2,152538397 x 1025 Atome Silizium-28    


Um die notwendige Reinheit der aus diesem Material gezüchteten Kristalle zu gewährleisten, sind diverse materialintensive Schmelzzonen-Reinigungsschritte notwendig. Die besonderen Herausforderungen waren deshalb der ca. 1000-fach höhere Materialpreis gegenüber herkömmlichem Silizium sowie die begrenzte Stoffmenge.

 

Silizium gilt als ein sehr umfassend untersuchtes Halbleitermaterial, das weltweit die Mikroelektronik und damit die Kommunikationstechnologien dominiert. Das IKZ wird weiterhin an den extremen Anforderungen für die weitere Verbesserung der Materialeigenschaften arbeiten, um künftige Anwendungen wie künstliche Intelligenz und Quantentechnologien zu ermöglichen. „Die im Rahmen dieses Metrologie-Projektes entwickelte Expertise des IKZ zu isotopenreinen Si Kristallen erlaubt uns, künftig eine zentrale Rolle als Materialforschungsinstitut bei der Entwicklung innovativer Quantentechnologien einzunehmen“, so Prof. Dr. Thomas Schröder, Wissenschaftlicher Direktor des IKZ.

   

Si kg

 

Mehr unter https://www.ptb.de/cms/forschung-entwicklung/forschung-zum-neuen-si/

 

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"März 2019: Einrichtung des Zentrums für Lasermaterialien (ZLM) erfolgreich abgeschlossen"

ZLM Er Lu2O3 crystal bearbeitetMit dem OFZ-Verfahren gezüchteter Erbium-dotierter Lutetiumoxid-Kristall (Er:Lu2O3) | Pho­to: Anastasia Uvarova © IKZ
ZLM Terbium laserWeltweit erster diodengepumpter Terbium-laser.
| Pho­to: Christian Ehlers © IKZ

Seit August 2016 wurden am IKZ unter der Leitung von Dr. Christian Kränkel die Labore und Anlagen des Zentrums für Lasermaterialien - Kristalle (ZLM-K) aufgebaut. Im Fokus standen dabei zunächst die Forschungsziele des BMBF-geförderten Projekts "EQuiLa - Erforschung und Qualifizierung innovativer Lasermaterialien und -kristalle".


Ob in der Materialbearbeitung, der Medizin oder in der Messtechnik - Laser finden in unzähligen Bereichen des täglichen Lebens Anwendung. Dennoch gibt es auch knapp 60 Jahre nach der Erfindung des Lasers noch nicht für jeden Bereich den optimalen Laser. In vielen Fällen liegt dies daran, dass kein geeignetes Lasermaterial zur Verfügung steht, in dem die Laserstrahlung erzeugt werden kann. Hier Abhilfe zu schaffen ist zukünftig Ziel der Forschungsarbeiten am neuen Zentrum für Lasermaterialien am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) in Berlin-Adlershof.

Für das gemeinsam mit dem Ferdinand-Braun-Institut (FBH) eingeworbene Projekt wurden am IKZ modernste Anlagen zur Züchtung hochschmelzender Kristalle nach dem optischen Zonenschmelzverfahren (OFZ) aufgebaut. Die erfolgreiche Züchtung von Erbium-dotiertem Lutetiumoxid (Er:Lu2O3) ist ein erster Beleg für die Eignung dieses Ansatzes. Die Züchterin Anastasia Uvarova, Doktorandin am ZLM-K, freut sich: "Dieser sonst nur schwer herstellbare Kristall ist wichtig für Laser im mittleren infraroten Spektralbereich, die zum Beispiel für Laserskalpelle benötigt werden."

Terbium-dotierte Fluoride als aktive Medien eignen sich aufgrund ihrer Emission im sichtbaren Spektralbereich für die direkte und effiziente Erzeugung grüner und gelber Laserstrahlung. Im Projekt wurde nun ein diodengepumpter, Terbium-dotierter Festkörperlaser basierend auf Terbium-dotiertem Lithium-Lutetium-Fluorid (Tb3+:LiLuF4) aufgebaut. "Die erstmalige Anwendung einer solch einfachen Anregungsquelle ist ein wichtiger Schritt für die Nutzung dieser Laser in kommerziellen Anwendungen", erläutert die Laser-Spezialistin Elena Castellano, ebenfalls Doktorandin am ZLM-K.

Dr. Christian Kränkel, Leiter des neuen Zentrums für Lasermaterialien,  erläutert das Konzept: "Die Arbeiten am IKZ und FBH umfassen die gesamte Wertschöpfungskette diodengepumpter Festkörperlaser von der Züchtung der Laserkristalle und deren Präparation über das Wachstum von Halbleiterschichten für Laserdioden und deren Konfektionierung bis zum Aufbau von Laserdemonstratoren."

Zum Beleg dieses Konzepts wurde als Abschluss des Projekts „EQuiLa“ ein diodengepumpter Chrom-Laser-Demonstrator aufgebaut: Das Lasermedium, ein Chrom-dotierter Lithium-Kalzium-Aluminium-Fluorid-Kristall (Cr3+:LiCaAlF6), wurde am IKZ gezüchtet und poliert, während die Pumpquelle, ein auf Indium-Gallium-Phosphid basierender rote Diodenlaser, am FBH hergestellt wurde.

Mit diesen Ergebnissen sind nun am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung die Weichen gestellt für weitere erfolgreiche Forschungs- und Entwicklungsarbeiten im Bereich neuartiger Festkörperlaser basierend auf am IKZ gezüchteten Laserkristallen.

 

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"März 2019: Konstruktives multinationales Quantum Tech Meeting am IKZ"

GAs 01Molekularstrahlepitaxie (MBE):
Anlage zur Abscheidung von Silizium und Silizium/Germanium-Nanostrukturen
| Pho­to: IKZ

Die Erforschung innovativer Lösungsansätze durch Nutzung von Quantentechnologien gewinnt einen immer entscheidenderen Beitrag auf Gebieten wie Digitalisierung, Kommunikation, Sensorik oder Kryptografie.

Dabei hängt die erfolgreiche Realisierung der Quantentechnologien in erheblichem Maße von kristallinen Materialien höchster Präzision ab.

 

Genau hier liegt die Expertise des Leibniz-Instituts für Kristallzüchtung (IKZ). Insbesondere die Verwendung von isotopenreinem Silizium und Germanium (Si/Ge) gilt als ein wichtiger Ansatz für Quantenbauelemente.

Das IKZ profitiert im Bereich der Herstellung von reinen und isotopenangereicherten Si/Ge-Kristallen erheblich von seiner weltweit führenden Erfahrung, z.B. bei Projekten zur Definition des neuen kg-Kalibrierstandards.

 

Am 22. März 2019 organisierte das IKZ einen Si/Ge Quantum Materials Workshop, um die gesamte Wertschöpfungskette von der isotopenangereicherten Si/Ge-Materialreinigung und Einkristallzüchtung, der Heteroepitaxie durch CVD und MBE bis hin zur Herstellung von Qubit-Strukturen, einschließlich der Material und Device-Charakterisierung, zu erörtern.

 

Zu diesem Zweck begrüßte das IKZ eine Gruppe von weltweit führenden Forschern: Aus Russland (Prof. Petr G. Sennikov, Institute of Chemistry of High-Purity Substances of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod; Prof. Andrey D. Bulanov, Institute of Chemistry of High-Purity Substances of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod; Prof. Alexander A. Ezhevskii, Department of Physics of Semiconductors and Optoelectronics, Nizhny Novgorod Lobachevsky University), aus Australien (Prof. Sven Rogge, Department of Condensed Matter Physics, University of New South Wales, Sydney), aus Kanada (Prof. Oussama Moutanabbir, Department of Engineering Physics, Polytechnique Montréal), aus Italien (Prof. Giovanni Capellini, Department of Science, Roma Tre University) und aus Deutschland (Dr. Lars Schreiber, Institut für Quanteninformation, RWTH, Aachen; Dr. Wolfgang Klesse , Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP), Frankfurt/Oder)

 

Das IKZ wird auch weiterhin sein internationales Gastwissenschaftsprogramm nutzen, um die Verbindungen zu diesen führenden Forschungsgruppen durch gegenseitige Forschungsaufenthalte, sowie durch die Initiierung gemeinsamer, drittmittelgestützter Forschungsprojekte zu stärken.

 

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"März 2019: DGKK-Nachwuchspreis 2019 an Dr. Dirk Johannes Kok vergeben"

 

dgkk logo


Für seine Forschungen, im Rahmen seiner Dissertation am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, über den Einfluss der Wachstumsbedingungen auf die optischen Eigenschaften von Strontiumtitanat (SrTiO3) wird Herr Dr. Dirk Johannes Kok mit dem Nachwuchspreis der Deutschen Gesellschaft für Kristallzüchtung und Kristallwachstum (DGKK) ausgezeichnet.

Strontiumtitanat-Kristalle sind unter anderem ein wichtiges Basismaterial für supraleitende Schichten (z.B. extrem sensitive Magnetfeldsensoren) sowie für neuartige elektronische Anwendungen, die die interessanten Eigenschaften oxidischer Schichtstrukturen ausnutzen, z.B. schaltbare Widerstände (Memristoren), Grenzflächenleitung und nichtflüchtige Speicher durch kontrollierte Bildung ferroelektrischer Domänen. Am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) wurde eine Züchtungsmethode entwickelt, um Strontiumtitanat-Einkristalle aus der Schmelze mit sehr hoher struktureller Qualität herzustellen. Dirk Kok hat dieses Vorhaben mit seiner Promotionsarbeit, in der er den Einfluss der Wachstumsbedingungen auf die optischen Eigenschaften untersucht hat, wesentlich unterstützt. Die von ihm gefundenen und publizierten Ergebnisse und Modelle zeigen anwendungsrelevante Zusammenhänge zwischen der Wachstumsatmosphäre, der Stöchiometrieabweichung im Kristall und der damit verbundenen Änderung des Gitterparameters. Seine Beobachtungen zum Verlauf der temperaturabhängigen Wärmeleitfähigkeit und Bandlücke sind auf viele andere komplexe Oxidmaterialien anwendbar.


Bereits während seines Chemie-Studiums an der Radboud Universität in Nijmegen, Niederlande kam Herr Kok mit Kristallisationsthemen in Berührung. Die Dissertation wurde von 2013 bis 2017 am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) in der Gruppe Oxide und Fluoride unter direkter Betreuung durch Dr. Christo Guguschev sowie PD Dr. Detlef Klimm, Dr. Klaus Irmscher und Prof. Dr. Matthias Bickermann angefertigt. Nach erfolgreicher Verteidigung an der Humboldt-Universität zu Berlin hat Herr Kok am Helmholtz-Zentrum Berlin zur Synthese von Wolframbronzen, in der Abteilung von Priv.-Doz. Dr. Klaus Habicht, geforscht. Ab Mai 2019 wird er für eine PostDoc-Stelle an die Radboud Universität Nijmegen zurückkehren (Gruppe von Prof. Elias Vlieg).


Mit dem DGKK-Nachwuchspreis würdigt die Gesellschaft herausragende wissenschaftliche Leistungen von Nachwuchswissenschaftlern auf dem Gebiet der Kristallzüchtung und des Kristallwachstums. Der Preis ist mit 2.500 € dotiert, die feierliche Übergabe findet am 20. März 2019 auf der DGKK-Kristallzüchtertagung in Posen (Polen) statt. Dirk Kok teilt sich den Preis für 2019 mit Dr. Pascal Puphal vom PSI Villingen (Schweiz).

 

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"Februar 2019: G-ray Nanotech und das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ)
entwickeln gemeinsam Galliumarsenid-Wafer in Detektorqualität"

GAs 01Galliumarsenid-Einkristall 4", gezüchtet
mit der VGF-Methode | Photo: IKZ

Neue Plattform für leistungsstarke Röntgendetektoren:

G-ray Nanotech und das IKZ sind eine Forschungs- und Entwicklungskooperation eingegangen, die die Dotierung von Galliumarsenidstrukturen und die Herstellung von hochreinen Kristallen in Waferform für Detektoranwendungen umfasst.

„Wir freuen uns, mit einem weltweit führenden Institut im Bereich der Materialwissenschaften zusammenzuarbeiten“, sagt Philippe Le Corre, CEO von G-ray Nanotech. „Die Kompetenzen des IKZ werden es uns ermöglichen, den Ausbau unserer latenium™ Detektorarchitektur für Röntgenanwendungen mittlerer bis hoher Energie sowie im Infrarotspektrum deutlich zu beschleunigen.“

G-ray Industries SA, ein Neuchâteler Start-up-Unternehmen, entwickelt derzeit Detektoren ultra-hoher Leistungsfähigkeit für industrielle zerstörungsfreie Prüflösungen. Diese außerordentlich leistungsfähigen Detektoren werden in Zusammenarbeit mit dem CSEM entwickelt und basieren auf der revolutionären, patentierten latenium™-Technologie von G-ray.

Die latenium™ Evaluation Kits sind ab dem ersten Quartal 2019 für Evaluierungszwecke verfügbar. Darüber hinaus werden die G-Ray-Technologien - insbesondere die kovalente Bindung eines Siliziumwafers an einen GaAs, Ge oder Si-Wafer bei niedrigen Temperaturen und das sehr schnelle epitaktische Wachstum von Germaniumstrukturen - in den Bereichen der Hochenergiephysik-Forschung für neue Partikeldetektoren und in Visionssystemen für die Automobilindustrie positioniert.

„Wir freuen uns, eine langfristige Zusammenarbeit mit G-ray Industries zu beginnen“, sagt Prof. Thomas Schröder, wissenschaftlicher Direktor des IKZ. „Wir sind bestrebt, hochleistungsfähige kristalline Materialien für den Markt zu entwickeln, und die hochmoderne Entwicklung von Röntgenbilddetektoren bei G-Ray ist eine gute Gelegenheit für uns. Wir betrachten die 3D-Heterointegration über “bonding”-Ansätze als eine erfolgreiche Strategie für uns, um neue Technologien durch qualitativ hochwertige, präzise zugeschnittene kristalline Materialien zu entwickeln.“

"Mit unserer Expertise in der Materialwissenschaft und -technologie haben wir das G-ray-Team von Anfang an unterstützt. Dies ist eine hervorragende Gelegenheit, eine bahnbrechende Röntgendetektortechnologie auf den Markt zu bringen", sagt Gian-Luca Bona, CEO Empa, der Eidgenössischen Materialprüfungsanstalt.

Weitere Informationen:
FVB-Berlin
G-ray Nanotech SA

 

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"Dezember 2018: SiGeQuant: Kooperatives Bestreben zur Weiterentwicklung der
Siliziumquantentechnologie"

Vom Senatsausschuss der Leibniz-Gemeinschaft kamen Ende November gute Neuigkeiten: Das Projekt SiGeQuant, unter der Leitung der IKZ-Abteilung "Schichten & Nanostrukturen", wurde im Rahmen des Leibniz-Wettbewerbs ausgewählt und wird in den nächsten drei Jahren mit 998 T€ gefördert. In diesem Projekt bündeln zwei Leibniz- und zwei RWTH-Hochschulinstitute ihre Kompetenzen, um hochreine isotopenangereicherte Si- und Si/Ge-Strukturen zu untersuchen und Bauelemente für die Quantenelektronik herzustellen.

In den letzten Jahren hat sich das Quantencomputing von der Grundlagenforschung zur realen Zukunftstechnologie entwickelt und wird Bereiche wie Kryptographie, Wettervorhersage, Modellierung neuer Materialien oder Logistik revolutionieren. Die Skalierung von Quantenbauelementen, die für die praktische Durchführung groß angelegter paralleler Berechnungen unerlässlich ist, stellt jedoch nach wie vor eine Herausforderung dar. Eine dünne Schicht aus isotopenangereichertem 28Si, die zwischen zwei SiGe-Schichtstapeln eingebettet ist, bietet einen vielversprechenden Ansatz für das Design skalierbarer Spin-Qubits, da er die Kohärenzeigenschaften von Qubits verbessert und mit der CMOS-Technologie kompatibel ist. In diesem Ansatz spielen die Materialeigenschaften der Qubit-Umgebung eine wesentliche Rolle: Kristalldefekte, Verunreinigungen, das Vorhandensein von 29Si-Isotopen und Grenzflächendefekte gefährden die Qubit-Funktion. Ein Projekt, das sich auf diesen grundlegenden Teil der Quantenbauelementeherstellung konzentriert, fehlte jedoch bisher.

 

Im Rahmen der externen Zusammenarbeit wird das IKZ seine interne Expertise für das Wachstum von hochreinem 28Si, für die Entwicklung eines epitaktischen Wachstumsprozesses von hochreinen, elastisch verspannten, versetzungsfreien SiGe/28Si/SiGe-Stapeln mittels Molekularstrahl-Epitaxietechnik (MBE) und für die Untersuchung der elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften der gewachsenen Schichten einbringen. Das Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP) wird komplementäre Wachstums- und Charakterisierungstechniken entwickeln, während das Institut für Halbleitertechnik (IHT) und das Institut für Quanteninformation (IQI) der RWTH Aachen Quantenpunktbauelemente im Wafer-Maßstab auf Basis dieser Strukturen herstellen und charakterisieren werden.

 

"[....] Die Silizium-Quantenelektronik ist gegenwärtig einer der interessantesten wissenschaftlichen Wettbewerbe aber derzeit existiert kein anderes Projekt mit dem Umfang und der Tiefe, in dem spezifische (und anspruchsvolle) Aspekte der Materialherstellung und –charakterisierung untersucht werden. Die Umsetzung eines solchen Projekts ohne die bei IHP, IHT, IKZ und IQI bereits vorhandene Expertise und Infrastruktur wäre finanziell nicht zu rechtfertigen oder gar unmöglich. " – stellt einer der Gutachter fest.

 

Das SiGeQuant adressiert sowohl grundlegende wissenschaftliche als auch anwendungsrelevante Fragen, die die beteiligten deutschen Institute ermutigen sollen, neue Brücken zur internationalen Quanteninformationsgemeinschaft zu bauen.

 Schema

 

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"Dezember/17 IKZ-News: Beta-Galliumoxid - Ein neuer Halbleiter für die Leistungselektronik"

Effizient schaltende mikroelektronische Leistungsbauelemente leisten einen bedeutenden Beitrag, wenn es darum geht, innovative Technologien zu entwickeln. Gegenwärtig werden in der Leistungselektronik hauptsächlich Bauelemente auf der Basis von Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) verwendet. Nun rückt jedoch ein neues Material in den Fokus des Interesses.

 

Monoklines β-Galliumoxid (β-Ga2O3) ist ein transparentes, halbleitendes Oxid mit vielversprechenden Eigenschaften. Durch einen Bandabstand von 4.8 eV, einer hohen theoretisch bestimmten Feldstärke von 8 MV/cm sowie einer hohen Leistungskennzahl bietet β-Ga2O3 eine aussichtsreiche Perspektive auf dem Gebiet der Leistungselektronik.

Das IKZ hat sich in den vergangenen Jahren eine ausgezeichnete Expertise bei der Züchtung von β-Ga2O3-Einkristallen und –Schichten erarbeitet. Dem Institut ist es gelungen, eine Kristallzüchtungstechnologie nach dem Czochralski-Verfahren für β-Ga2O3-Kristallen zu entwickeln und zu patentieren. Mit diesem Verfahren lassen sich Kristalle prinzipiell in hoher kristalliner Qualität herstellen.

Auf dieser Grundlage wurde im Sommer 2017 ein gemeinsames, durch das BMBF im Rahmen des VIP+ Programms gefördertes Forschungsprojekt mit der Technischen Universität Berlin und dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin, begonnen. Bereits Voruntersuchungen zeigten, dass Metall-Isolator-Halbleiter Feldeffekttransistoren (MISFETs) auf der Basis von (100)-orientierten β-Ga2O3 – Epitaxieschichten sehr gute Bauelementeigenschaften aufweisen, die das große Potential des Halbleiters β-Ga2O3 für die Leistungselektronik demonstrieren.


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"März 2019: Kleine Forscherinnen ganz groß - Girls'Day 2019 am IKZ"

GirlsDay2019Teilnehmerinnen des diesjährigen Girls'Day besichtigen die Züchtungshalle für Oxid-Kristalle am IKZ | Pho­to: Torsten Boeck, IKZ

Für einen Tag in die Wunderwelt der Kristalle eintauchen. Das machten sich 10 junge Mädchen im Alter von 10 bis 14 Jahren zum Ziel und verbrachten am 28.03.2019 einen spannenden Tag am IKZ.

Die kleinen Forscherinnen von morgen lernten im Rahmen des Girls´Days wie Kristalle sie in ihrem alltäglichen Leben begleiten und dass unsere moderne, digitale Welt ohne Kristalle schlichtweg nicht funktionieren würde.

Zusammen mit unseren jungen Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler, wurden fleißig kleine Kristalle selbst gezüchtet und unter dem Mikroskop angeschaut. Wie das Ganze dann in groß aussieht, konnten die kleinen Forscher anschließend in unseren Züchtungshallen erleben.

Neben der wichtigen Frage, was Eisbären und Solarzellen gemeinsam haben wurden viele weitere Fragen geklärt, die die interessierten Mädchen auf dem Herzen hatten. Als große Überraschung konnte am Ende sich jede über einen echten Kristall für Zuhause freuen.

 

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"November/17 IKZ-News: Thomas Schröder nimmt Ruf als neuen Direktor des IKZ an"

Herr Prof. Dr. Thomas Schröder hat den Ruf auf die Professur „Kristallwachstum“ an der Humboldt-Universität zu Berlin angenommen. Damit erhält das IKZ einen neuen Direktor. Herr Schröder wird die Position voraussichtlich im ersten Quartal 2018 antreten.

Herr Schröder ist derzeitig Abteilungsleiter der Sektion        Materialforschung am Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik in Frankfurt (Oder) und besetzt eine Professur für Halbleitermaterialien an der BTU Cottbus – Senftenberg.


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"Oktober/17 IKZ-News: Dorothee Braun schließt Promotion mit Auszeichnung ab"

Dr. Dorothee Braun (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung) hat ihre Promotion am 17.10.2017 an der Technischen Universität Berlin mit dem Thema “Strain-phase relations in lead-free ferroelectric KxNa1-xNbO3 epitaxial films for domain engineering“ mit Auszeichnung bestanden.

In ihrer Doktorarbeit untersuchte Frau Braun Materialien mit ferro- und piezoelektrischen Eigenschaften, wie sie für elektronische Anwendungen, z.B. für Drucksensoren oder Ultraschallgeräte, einsetzt werden. Die derzeit verwendeten Materialien stellen aufgrund ihres Bleianteils ein potentielles Gesundheitsrisiko dar. Daher gilt es, bleifreie Materialien mit vergleichbaren oder neuartigen Eigenschaften zu finden. Hierzu untersuchte sie insbesondere dünne kristalline Kaliumnatriumniobat-Schichten und betrachtete die Beziehung zwischen der kristallinen Struktur und der sich ausbildenden ferroelektrischen Ordnung. Dorothee Braun legte mit ihrer Doktorarbeit die Basis für die weitere, zielgerichtete Forschung an der Struktur-Eigenschafts-Beziehung von Oxidschichten, insbesondere mit Perowskitstruktur. Die experimentellen und theoretischen Arbeiten wurden in der AG Ferroelektrische Oxidschichten im IKZ durchgeführt.

Ihr Bachelor- und Masterstudium in Physik, mit dem Schwerpunkt Festkörperphysik, absolvierte sie an der Humboldt-Universität zu Berlin. Frau Braun wird zwei weitere Jahre am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung in der Arbeitsgruppe Ferroelektrische Oxidschichten an der Herstellung und Charakterisierung von bleifreien Perowskitschichten arbeiten.


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"Oktober 2018 IKZ-News: "Langjährige, erfolgreiche Kooperation mit Kistler Instrumente AG soll erneut verlängert werden"

Bereits seit 25 Jahren verbindet das IKZ eine enge Zusammenarbeit mit der Firma Kistler Instrumente AG im Bereich piezoelektrischer Kristalle sowie die Entwicklung derer Züchtungsprozesse. Nun wurde bereits frühzeitig über eine Verlängerung des Vertrages über 2019 hinaus gesprochen.

 

Der IKZ-Direktorenwechsel im Februar 2018 gab Anlass für die Firma Kistler dem IKZ einen Besuch abzustatten. Prof. Dr. Thomas Schröder empfing mit Freude den langjährigen Kooperationspartner der IKZ-Arbeitsgruppe Oxide und Fluoride, um gemeinsam die zukünftige Zusammenarbeit zu sondieren.

Ein besonderer Fokus soll in Zukunft erneut auf die Forschung an der Volumenkristallzüchtung an piezoelektrischen Hochtemperaturkristallen für Druck-, Kraft- und Beschleunigungssensorprodukte gerichtet werden. Diese finden vor allem Anwendung in der industriellen Prozesskontrolle sowie der Automobil-F&E. Darüber hinaus soll weiter im Bereich der Kristallbearbeitung geforscht werden, sobald das IKZ seine Fähigkeiten durch das geplante anwendungsorientierte Programm für Kristalle für die Elektronik und Photonik erweitert hat. Darauf einigten sich beide Partner.

„Für Kistler hat diese Zusammenarbeit eine sehr große Bedeutung, bilden doch die piezoelektrischen Kristalle das Herz der Sensoren. Im Laufe der Zusammenarbeit wurden zahlreiche neue Kristallverbindungen gezüchtet und evaluiert.“ (Dr. Claudio Cavalloni, Firma Kistler Instrumente AG).

Das IKZ hat mit der Firma Kistler einen sehr wertvollen Partner an der Seite, der weltweit führend auf dem Gebiet der sensorischen Messtechnik ist. Geschätzt wird insbesondere die langjährig gewachsene, persönliche und effiziente Zusammenarbeit.

 

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"September/17 IKZ-News: Dr. Kaspars Dadzis erhält internationalen LIMTECH Nachwuchspreis"

Für seine Arbeiten auf dem Gebiet der Modellexperimente und numerischen Simulation bei der Kristallzüchtung wird Herr Dr. Kaspars Dadzis (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung) mit dem LIMTECH Young Scientist Award 2017 ausgezeichnet.

Herr Dadzis arbeitete von 2002 bis 2007 an der Universität von Lettland, Riga, an der Simulation von Kristallzüchtungsprozessen nach dem Float Zone-Verfahren bevor er sich ab 2008 näher mit der industriellen Kristallzüchtung beschäftigte (SolarWorld, Freiberg). Seine Promotion erlangte er im Bereich der gerichteten Erstarrung von Silizium an der TU Bergakademie Freiberg in Kooperation mit den Fraunhofer Instituten IISB und THM. Seit 2016 forscht Herr Dadzis am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung in der Arbeitsgruppe Silizium & Germanium an der Entwicklung neuer Methoden beim Wachstum kristalliner Materialien.

Der Preis wird jährlich von der LIMTECH Alliance, eine von der Helmholtz-Gemeinschaft Deutscher Forschungszentren geförderte Forschungsinitiative zur Flüssigmetalltechnologie, verliehen. Im Rahmen eines Symposiums der Allianz am 19. und 20. September 2017 in Dresden wird Herr Dr. Dadzis seinen Vortrag zur Preisverleihung zum Thema „Modellexperimente in der Kristallzüchtung“ halten. Der Preis ist mit 2000 € dotiert.

Weitere Informationen zum Preis und zur Konferenz finden Sie hier:

International LIMTECH Young Scientist Award

Final LIMTECH Colloquium and International Symposium on Liquid Metal Technologies


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"November 2018 IKZ-News: Am IKZ gezüchtete Einkristalle aus dem hoch angereicherten
Isotop Silizium-28 ermöglichen die Neudefinition der Kilogramm-Masseeinheit"

Am 16. November 2018 hat die Generalkonferenz für Maße und Gewichte in Paris eine neue Definition des Kilogramms auf Basis von Naturkonstanten beschlossen, die am 20. Mai 2019 in Kraft treten wird. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung hatte einen Anteil daran, dass das fast 140 Jahre alte künstliche Objekt des Ur-Kilogramms abgelöst wird, denn hochperfekte Kristalle aus nahezu isotopenreinem Silizium-28 (Si-28) waren für dieses Vorhaben von entscheidender Bedeutung.

Si kg

 

Im Kontext des internationalen Avogadro-Projekts wurde am IKZ die Züchtung hochreiner Si-28-Kristalle, einschließlich der Abscheidung der polykristallinen Rohstäbe, entwickelt.


Bei diesen Kristallen haben nahezu alle Atome die gleiche Masse und sind in einem regelmäßigem dreidimensionalen Gitter angeordnet, was eine sehr genaue Zuordnung zwischen der Masse des Kristalls und der Zahl seiner Atome ermöglicht. Aus diesem Zusammenhang kann der Wert der Avogadro-Konstante mit nie dagewesener Präzision abgeleitet werden und damit als fundamentale Naturkonstante zur Definition des Kilogramms herangezogen werden.


Im Rahmen der von der Physikalisch-Technische Bundesanstalt in Braunschweig (PTB) geführten „KILOGRAMM“-Projekte wurden aus den Si-28-Kristallen aus dem IKZ mehrere sehr präzise Kugeln mit weniger als 20nm Formabweichungen bei rund 94mm Durchmesser und mit einer defektfrei polierten Oberfläche präpariert. Unter diesen Voraussetzungen gelang es der PTB, die Zahl der Si-28-Atome, die eine Kristallkugel von 1 kg Gesamtmasse ergeben mit der geforderten Unsicherheit von weniger als 2 x 10-8 zu bestimmen.


Sie beträgt:        2,152538397 x 1025 Atome Silizium-28  

 
Kristallines Silizium liegt üblicherweise als natürliches Gemisch der stabilen Isotope der Massezahlen 28, 29 und 30 vor. In Russland steht erfreulicherweise die Technologie der Isotopenanreicherung mit Ultrazentrifugen für zivile Anwendungen zur Verfügung. Durch eine Weiterentwicklung dieser Technologie konnten Rekordwerte von über 99,999%  Si-28 erreicht werden.
Um die notwendige Reinheit der aus diesem Material gezüchteten Kristalle zu gewährleisten sind diverse materialintensive Schmelzzonen-Reinigungsschritten notwendig. Die besonderen Herausforderungen waren deshalb der ca. 1000-fach höhere Materialpreis gegenüber herkömmlichem Silizium sowie die begrenzte Stoffmenge.  

 
Silizium gilt als ein sehr umfassend untersuchtes Halbleitermaterial, das weltweit die Mikroelektronik und damit Kommunikationstechnologien dominiert. Das IKZ wird weiterhin an den extremen Anforderungen für die weitere Verbesserung der Materialeigenschaften arbeiten, um künftige Anwendungen wie künstliche Intelligenz und Quantentechnologien zu ermöglichen.

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"Oktober 2018 IKZ-News: "Familienfreundlicher Arbeitgeber: Leibniz-Institut für Kristallzüchtung erhält erneut Zertifikat zum audit berufundfamilie"

Für weitere 3 Jahre wurde dem Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) am 30. September 2018 das Zertifikat zum audit berufundfamilie bestätigt. Mit dem Zertifikat wird das Institut für sein Engagement im Bereich der strategisch ausgerichteten familien- und lebensphasenbewussten Personalpolitik ausgezeichnet.

Logo audit beruf familie A4

Voraussetzung für die Zertifizierung ist das erfolgreiche Durchlaufen des von der berufundfamilie Service GmbH angebotenen Auditierungsverfahrens, das einen systematischen Prozess der betrieblichen Vereinbarkeit initiiert und verfolgt. Im Auditierungsprozess wurden die vorhandenen Instrumente zur Unterstützung der Vereinbarkeit von Beruf, Familie und Privatleben evaluiert und weitere unternehmensspezifische Maßnahmen vereinbart.

 

Die erneute Zertifizierung zeigt, dass das IKZ kontinuierlich an einer familienfreundlichen Personalpolitik arbeitet. Das Institut hat es sich zur Aufgabe gemacht, die Rahmenbedingungen für seine Beschäftigten zu verbessern und ihnen Instrumente an die Hand zu geben, mit denen sich Familie/Privatleben und Beruf besser miteinander vereinbaren lassen. Hierzu gehören z.B. flexible Möglichkeiten zur Gestaltung der Arbeitszeit, ob es sich dabei um die tägliche Arbeitszeit oder eine (vorübergehende) Teilzeitbeschäftigung handelt. Ein Eltern-Kind-Zimmer steht Beschäftigten für die Überbrückung von kurzzeitigen Engpässen zur Verfügung.

 

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"September/17 IKZ-News: Das IKZ erfolgreich bei der Adlershofer Firmenstaffel 2017"

Am 7. September 2017 fand auf dem ehemaligen Flugfeld Johannisthal die 5. Adlershofer Firmenstaffel statt. Insgesamt gingen 163 Teams für die in Adlershof ansässigen Firmen an den Start und kämpften auf einer Gesamtstrecke von 8,7 km (3 x 2,9 km) um die beste Laufzeit.

Das IKZ wurde hierbei erfolgreich vertreten von Felix Lange, Natalia Stolyarchuk und Christian Ehlers (von links nach rechts), welche eine gute Platzierung in der vorderen Hälfte belegen konnten.

 

Wir bedanken uns an dieser Stelle recht herzlich bei den Organisatoren Gesundheitssport Berlin-Brandenburg e. V. (GSBB) für die sehr gelungene Veranstaltung.


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"Oktober 2018: IKZ Sommerschule 2018"

Vom 24. - 26. September 2018 lud das IKZ zur Sommerschule mit dem Thema "Solid-State Lasers". Die mehr als 50 Teilnehmer waren zur Hälfte Nachwuchsforscher und Studenten von externen Einrichtungen, teilweise sogar aus dem Ausland angereist – ein Beleg für die Aktualität dieser erst im letzten Jahr am IKZ etablierten Forschungsthematik.

Während des dreitägigen Workshops behandelte der Dozent Prof. Dr. Günter Huber von der Universität Hamburg grundlegende Aspekte der Laserphysik und des Wachstums von Seltenerd-dotierten Laserkristallen. Im weiteren Verlauf wurden diese Grundlagen anhand vieler konkreter Beispiele vertieft und mit dem sehr aktiven Publikum intensiv diskutiert. Komplettiert wurde das Programm durch Laborführungen am IKZ und am MBI sowie einen Kennenlernabend organisiert von IKZ-Doktoranden.

 

Neben dem Dank an den Dozenten Prof. Dr. Günter Huber gebührt dieser auch allen an der Organisation der Sommerschule beteiligten, insbesondere den Kollegen vom MBI für die interessante Laborführung dort.

 

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"April/17 IKZ-News: Kick-off Veranstaltung anlässlich der Gründung des neuen
Zentrums für Lasermaterialien"

Im Rahmen eines zweitägigen Workshops lud das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) am 27. und 28.04.2017 Fachleute aus Forschung und Industrie dazu ein, einen Einblick in die Arbeit des neuen Zentrums für Lasermaterialien zu erlangen.

Unter Leitung von Herrn Dr. Christian Kränkel entsteht am IKZ seit April 2017 ein Kompetenzzentrum, welches in Zusammenarbeit mit dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), innovative Lasermaterialien erforscht, qualifiziert und entwickelt.

Die Teilnehmer des Workshops kamen in einem offenen Rahmen zusammen, um Einblicke in aktuelle Kompetenzen der Stakeholder und zukünftige Arbeitsschwerpunkte des neuen Zentrums zu gewinnen sowie Möglichkeiten für industrielle Anwendungen zu diskutieren. Eine Reihe von Fachvorträgen zum Thema Lasertechnologie rundete das Programm ab.

 


Zentrum für Lasermaterialien / Center for Laser Materials
(web presence)
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"Oktober 2018 IKZ-News: "IKZ-Wissenschaftlerin Dorothee Braun mit dem Marthe-Vogt-Preis 2018 ausgezeichnet"

Für ihre mit Auszeichnung abgeschlossene Dissertation im Bereich der Entwicklung von ferroelektrischen Materialien wurde Frau Dorothee Braun der Marthe-Vogt-Preis des Forschungsverbund Berlin e.V. (FVB) verliehen. Erstmalig ging der seit 2001 verliehene Preis des FVB an eine Forscherin des Leibniz-Institutes für Kristallzüchtung.

Logo MartheVogt farbe

Frau Braun untersuchte in ihrer Doktorarbeit Materialien mit ferro- und piezoelektrischen Eigenschaften, wie sie für elektronische Anwendungen, z.B. für Drucksensoren, nicht-flüchtige Speicherbauelemente oder Ultraschallgeräte, eingesetzt werden. Die derzeit verwendeten Materialien stellen aufgrund ihres Bleianteils ein potentielles Gesundheitsrisiko dar. Daher gilt es, bleifreie Materialien mit vergleichbaren oder neuartigen Eigenschaften zu finden. Hierzu untersuchte sie insbesondere dünne kristalline Kaliumnatriumniobat-Schichten und betrachtete die Beziehung zwischen der kristallinen Struktur und der sich ausbildenden ferroelektrischen Ordnung. Dorothee Braun legte mit ihrer Doktorarbeit die Basis für die weitere, zielgerichtete Forschung an der Struktur-Eigenschafts-Beziehung von Oxidschichten, insbesondere mit Perowskitstruktur. Die experimentellen und theoretischen Arbeiten wurden in der AG Ferroelektrische Oxidschichten, unter der Betreuung von Dr. Jutta Schwarzkopf, im IKZ durchgeführt.

 

„Mit Dr. Dorothee Braun zeichnet der Forschungsverbund Berlin e.V. eine herausragende Wissenschaftlerin aus, die in ihrer Promotion ein sehr anspruchsvolles Thema souverän bearbeitet hat.“ (Forschungsverbund Berlin e.V.)

 

Der begehrte Preis wurde Frau Braun in einem feierlichen Rahmen am 8. November 2018 im Haus der Leibniz-Gemeinschaft in Berlin übergeben.

 

Lesen Sie die vollständige Pressemitteilung des Forschungsverbundes Berlin e.V.:
Spannende Kristalle: Dorothee Braun erhält Marthe-Vogt-Preis

 

Weitere Informationen zum Marthe-Vogt-Preis:
http://www.fv-berlin.de/nachwuchs/nachwuchswissenschaftlerinnen-preis-1

 

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"September 2018: IKZ leitet Initiative zur Entwicklung von UV-Leuchtdioden"

Am 1. September startete ein neues Verbundprojekt, das im Rahmen des BMBF-Konsortiums „Advanced UV for Life“ gefördert und vom IKZ koordiniert wird. In den nächsten drei Jahren wird die Themengruppe „Aluminiumnitrid“ am IKZ mit ihren Partnern die Wertschöpfungskette aufbauen und entwickeln, um die kommerzielle Fertigung von UV-Leuchtdioden (UV-LEDs) mit ultrakurzen Wellenlängen um 230 nm auf AlN-Substraten zu ermöglichen. Solche Bauelemente sind für neue Anwendungen in der Gas- und biochemischen Sensorik, Medizin- und Umwelttechnik, Wasser-, Oberflächen- und Luftdesinfektion wichtig, aber noch nicht auf dem Markt verfügbar.

 

Die Entwicklung von UV-LEDs mit einer Wellenlänge im Bereich 265-310 nm steht im Mittelpunkt der derzeitigen Aktivitäten in "Advanced UV for Life". Dank der erfolgreich eingesetzten Technologie der Epitaxie von AlGaN-Schichten auf Saphirsubstraten stehen solche Bauelementen kurz vor der Markteinführung. Im Gegensatz dazu benötigen Bauelemente mit einer Wellenlänge unter 245 nm AlGaN-Schichten mit einem Al-Gehalt über 80%. Für diese Schichten sind Saphirsubstrate nicht mehr geeignet, und es sollten native, defektarme AlN-Substrate verwendet werden.

 

Als Element ganz am Beginn der Wertschöpfungskette entwickelt die Forschungsgruppe "Aluminiumnitrid" des IKZ die Züchtungstechnologie zur Herstellung von AlN-Substraten mittels physikalischem Gasphasentransport (PVT). Im aktuellen Vorhaben werden AlN-Substrate mit einer spezifizierten, geringen Defektdichte sowie einem industriell verwendbaren Substratdurchmesser von mindestens 25 mm benötigt. Zudem müssen die Substrate bei der Anwendungswellenlänge optisch transparent sein, um eine effiziente Extraktion der in den aktiven Schichten erzeugten Photonen zu ermöglichen. Für die geplante industrielle Herstellung von AlN-Substraten ist darüber hinaus entscheidend, die Reproduzierbarkeit und Ausbeute in der AlN-Kristallzüchtung zu erhöhen.

 

Zusätzlich zur Herstellung defektarmer AlN-Kristalle enthält der gemeinsame Arbeitsplan des IKZ und seiner Partner – Ferdinand-Braun-Institut (FBH), AG Nanophotonik (Prof. Kneissl) an der Technischen Universität Berlin sowie die Firmen Freiberger Compound Materials und CrysTec – die Konfektionierung in epitaxietaugliche Wafer, die Epitaxie pseudomorph verspannter Schichtsysteme und die Entwicklung der spezifischen Bauelementtechnologie (siehe die Abbildung)

AlN230 Eng

Wertschöpfungskette im Verbundprojekt „AlN-230nm“. (Foto: IKZ; C. Kuhn (TU Berlin))

 

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"August/17 IKZ-News: Thomas Schröder erhält Ruf als neuer Direktor des IKZ"

Am 15.08.2017 wurde der Ruf an Herrn Prof. Dr. Thomas Schröder für die Professur „Kristallwachstum“ an der Humboldt-Universität zu Berlin ausgesprochen. Damit verbunden ist die Position des Direktors des Leibniz-Instituts für Kristallzüchtung.

Herr Schröder ist derzeitig Abteilungsleiter der Sektion Materialforschung am Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik in Frankfurt (Oder) und besetzt eine Professur für Halbleitermaterialien an der BTU Cottbus – Senftenberg.


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"März/17 IKZ-News: Gründerpreis für IKZ-Ausgründung GOLARES"

Ausgezeichnet beschichten – Gründerpreis für IKZ-Ausgründung GOLARES

Die GOLARES GmbH wurde am 24. März 2017 mit dem mit 50.000 Euro dotierten Gründerpreis der Leibniz-Gemeinschaft ausgezeichnet. Die Ausgründung des Leibniz-Instituts für Kristallzüchtung (IKZ) bietet Beschichtung und Mikrostrukturierung mittels Plasmatechnologie von opto- und mikro­elektronischen Bauelementen an. Die Behandlung von Oberflächen mit Gas-Plasma ist ein Schlüsselschritt bei der Herstellung derartiger High-Tech-Produkte. Dr. Michael Arens und Dr. Sebastian Golka beschäftigen sich seit mehr als 10 Jahren mit dieser Technologie und haben GOLARES im Juni 2016 ausgegründet.

,,Unser Verfahren ist besonders schädigungsarm“, erklärt Sebastian Golka, ,,gleichzeitig sind unsere Schichten von hoher Qualität, die mit anderen Verfahren so nicht erreicht werden kann.“ Das wiederum erhöht die Effizienz und die Lebensdauer der Endprodukte. Hinzu kommt, dass es kaum Anbieter für Beschichtungen mit speziellen Materialien wie Titan- oder Aluminiumnitrid mit der plasmaunterstützten Gasphasenbeschichtung gibt. „Wir bieten Dienstleistungen, die besonders für kleine und mittlere Unternehmen interessant sind, die keine eigenen Plasmaanlagen haben“, ergänzt Michael Arens. Oftmals sind auch nur kleine Serien für die Forschung und Entwicklung notwendig.

Das Gründungsvorhaben erfolgte zunächst aus Mitteln des Bundeswirtschaftsministeriums im Rahmen eines EXIST-Gründerstipendiums. Mit dem Preisgeld von 50.000 € erhalten die beiden Gründer die Möglichkeit, den Markteintritt erfolgreich zu gestalten und damit ihr Unternehmenskonzept weiter auszubauen.

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"September 2018: Symposium "Epitaktische Oxidfilme für elektronische Anwendungen" auf dem EMRS Herbsttreffen 2018 in Warschau"

Vom 16. bis 20. September 2018 bietet die EMRS-Fachtagung ein spannendes Programm von 34 eingeladenen Vorträgen, 29 weiteren Vorträgen und 16 Posterpräsentationen zum hochmodernen Forschungsthema der funktionellen Oxid-Elektronik. Federführend hierbei ist IKZ-Abteilungsleiter Matthias Bickermann und seine Mitorganisatoren Pavlo Zubko (London), Debdeep Jena (Cornell, USA) und Ulrike Diebold (Wien).

 

Die Themen des Symposiums reichen von Wachstum, Charakterisierung und Bauelementdemonstration von Galliumoxid-Halbleiterschichten über leitfähige Oxidgrenzflächen und Dünnfilme, Perowskit- und Übergangsmetalloxid-Heterostrukturen, Ferroelektrika bis hin zu Defekten und resistiv schaltenden Schichten. Die Herausforderung ist hierbei, die bei der Halbleiter-Epitaxie üblichen Kontrolle und Perfektion auf die Herstellung funktioneller Oxidschichten zu übertragen.

 

Diese Themen wurden in Forscherkreisen bisher nicht gemeinsam verhandelt. Die internationale Teilnahme und die renommierten Vortragenden zeigen, dass diese Art von Forschung hochaktuell ist. Das IKZ beteiligt sich mit neun Vorträgen aus den Arbeitsgruppen "Ferroelektronische Oxidschichten", "Halbleitende Oxidschichten", "Physikalische Charakterisierung", "Elektronenmikroskopie" und "Oxide & Fluoride". Auch unsere Partner aus dem Leibniz-WissenschaftsCampus "GraFox" sind stark am Symposium beteiligt.

 

Ausführliche Informationen finden Sie auf der Symposium-Homepage unter:
https://www.european-mrs.com/epitaxial-oxide-films-electronic-applications-emrs
GraFOx: http://grafox-pdi-berlin.de

 

 

 

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"September/2018: IKZ gleich 3 Mal erfolgreich"

Bei bestem Wetter und guter Laune traten am vergangenen Donnerstag, 06. September 2018, für das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung gleich 3 Teams bei der 6. Adlershofer Firmenstaffel an. Auf einer Gesamtlänge von 8,7 km wurde in 3er-Teams gegen andere in Adlershof ansässige Firmen ins Rennen gegangen.

 

Jeder Läufer hatte hierbei eine Strecke von 2,9 km zu überwinden bis er den Staffelstab an seinen Teamkollegen abgeben konnte oder die Ziellinie erreicht hatte. Insgesamt kämpften bei der durch den Gesundheitssport Berlin-Brandenburg e.V. organisierten Laufveranstaltung 209 Teams um eine gute Zeit, wobei das IKZ erfolgreich die Plätze 25, 29 und 98 belegen konnte.

 

Wir gratulieren den teilgenommenen Teams herzlich zu diesen tollen Ergebnissen!

 

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"Februar/17 Development of large Gallium(III)oxide single crystals for electronic devices"

 

An intensive research on bulk growth of β-Ga2O3 by the Czochralski method resulted in development of large single crystals of 2 inch diameter and length up to 4 inch.
High thermal instability at high temperatures of that compound required an application of unique technical solutions to thermodynamically stabilize and make the growth of β-Ga2O3 stable. The provision of this proprietary technology allows for yet further scaling-up of melt grown β-Ga2O3 crystals.
β-Ga2O3 is a transparent semiconducting oxide with a wide energy gap of 4.85 eV, a wide range of possible free electron concentrations between 1016 and 1019 cm-3 and electron mobility up to 150 cm2V-1s-1. Electrically insulating crystals can also be obtained by doping with Mg.
A unique combination of electrical and optical properties make β-Ga2O3 a great candidate for designing devices in different areas of state of the art technology, such as in transparent or high power electronics, optoelectronics and detecting systems.

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"September/2018: IKZ gleich 3 Mal erfolgreich"

Bei bestem Wetter und guter Laune traten am vergangenen Donnerstag, 06. September 2018, für das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung gleich 3 Teams bei der 6. Adlershofer Firmenstaffel an. Auf einer Gesamtlänge von 8,7 km wurde in 3er-Teams gegen andere in Adlershof ansässige Firmen ins Rennen gegangen. Jeder Läufer hatte hierbei eine Strecke von 2,9 km zu überwinden bis er den Staffelstab an seinen Teamkollegen abgeben konnte oder die Ziellinie erreicht hatte. Insgesamt kämpften bei der durch den Gesundheitssport Berlin-Brandenburg e.V. organisierten Laufveranstaltung 209 Teams um eine gute Zeit, wobei das IKZ erfolgreich die Plätze 25, 29 und 98 belegen konnte.

Wir gratulieren den teilgenommenen Teams herzlich zu diesen tollen Ergebnissen.

 

Firmenstaffel 002

IKZ-Direktor Prof. Dr. Thomas Schröder beim Zieleinlauf der 6. Adlershofer Firmenstaffel
Foto: Stefanie Grüber
© IKZ

 

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Lange Nacht der Wissenschaften 2016 - 1.828 Besucher kamen zum Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Auch dieses Jahr fand in Berlin und Potsdam wieder die Lange Nacht der Wissenschaften statt. Am Samstag, den 11.06.2016, öffneten 73 wissenschaftliche Einrichtungen wieder ihre Türen, um interessierten Besuchern einen Einblick in ihre Räumlichkeiten und Forschungsinhalte zu geben! Dieses Jahr kamen 1.828 interessierte Besucher ans IKZ, um unsere Räumlichkeiten in der Max-Born-Str.2 in Berlin Adlershof zu besuchen. Zeitweise bestand eine 90minutige Wartezeit, aufgrund der sehr großen Nachfrage, um einen Platz für eine Führung zu erhalten.

"Mai/17 IKZ in der Presse: 25 Jahre Forschungsverbund Berlin - schwieriger Neuanfang nach der Wende - Gespräch mit Dr. Günter Wagner"

Quelle: Berliner Zeitung, 17.05.2017
25 Jahre Forschungsverbund Berlin - schwieriger Neuanfang nach der Wende

...So entstand auch das Institut für Kristallzüchtung (IKZ), das zum Forschungsverbund gehört und seinen Sitz in Adlershof hat. „Nach der Evaluierung wurde beschlossen, dass der Bereich Kristallzüchtung eines der Akademie-Institute gute Impulse für die gesamtdeutsche Forschungslandschaft geben würde“, erinnert sich Günter Wagner. Der Kristallograf ist seit 1992 wissenschaftlicher Mitarbeiter am IKZ. Aus diesem speziellen Bereich wurde ein neues, eigenständiges Institut gegründet – mit Wissenschaftlern aus unterschiedlichen Einrichtungen, die sich mit dem Thema Kristallzucht befassten. Heute ist das Institut europaweit führend. Die Kristalle werden beispielsweise für Datenspeicher, Quantentechnologie und Elektronik gebraucht.

 

Vollständiger Artikel...

"Juli 2018: Mechanismus der Spannungsrelaxation in Gruppe III-Nitrid filmen aufgedeckt"

Forscher der Arbeitsgruppe Elektronenmikroskopie am IKZ haben die grundlegende Frage nach der Entstehung von Fehlpassungsversetzungen in verspannten c-orientierten Wurtzit-Schichten geklärt. Die neuen Erkenntnisse, welche im Journal of Applied Physics veröffentlicht wurden, werden insbesondere dazu beitragen, das Wachstum von AlGaN/GaN-Heterostrukturen für UV-Emitter zu optimieren. Somit können entweder Filme mit geringer Defektdichte realisiert werden oder, für den Zweck eines Verspannungsmanagements, die plastische Relaxation in solchen Strukturen gezielt herbeigeführt werden.

 

Die Wissenschaftler des Leibniz-Instituts für Kristallzüchtung befassten sich mit dem entscheidenden Schritt der Nukleation der Fehlpassungsversetzungen und untersuchten insbesondere den Einfluss verschiedener Wachstumsarten auf den Relaxationsprozess. Ihre Arbeit liefert erstmals ein zuverlässiges quantitatives Modell für den plastischen Relaxationsprozess von verspannten c-orientierten Wurtzitfilmen und erlaubt es, die kritische Dicke in Abhängigkeit von der tatsächlichen Oberflächenmorphologie genau vorherzusagen.

 

Ob man die Verspannung zwischen zwei Schichten mit Gitterfehlpassung relaxieren will oder pseudomorphe, defektfreie Heterostrukturen wachsen möchte, , in beiden Fällen ist es von zentraler Bedeutung zu verstehen, unter welchen Bedingungen und wie genau sich Fehlpassungsversetzungen im Material bilden. Bisherige quantitative Untersuchungen zur plastischen Relaxation in Wurtzitfilmen nahmen die klassischen Modelle aus kubischen Materialien (InGaAs auf GaAs, SiGe auf Si) auf. In diesen Arbeiten berücksichtigten die Autoren nur den Aspekt der Energiebilanz, d.h. den Moment, in dem die plastische Relaxation energetisch günstig wird, während der Nuklationsprozess der Fehlpassungsversetzungen selbst völlig vernachlässigt wurde. Bei Wurtzitmaterialien ist es jedoch von entscheidender Bedeutung, diesen Schritt zu berücksichtigen, da die Möglichkeiten der Versetzungsausbreitung innerhalb des Wurtzitkristallgitters begrenzt sind. Als Ergebnis bestand seit vielen Jahren eine signifikante Diskrepanz zwischen theoretischen Vorhersagen und experimentellen Beobachtungen der plastischen Relaxation in III-Nitrid-Dünnschichten.

 

Die aktuelle Studie kombiniert eine eingehende experimentelle Analyse der Versetzungsbildung in AlGaN/GaN-Heterostrukturen bei jedem Wachstumsschritt mittels Transmissionselektronen-mikroskopie (TEM), Rasterelektronenmikroskopie (REM) und Rasterkraftmikroskopie (AFM) mit theoretischen Berechnungen der Spannungsverteilung an den Versetzungsnukleationsstellen nach der Finite-Elemente-Methode.

 

 "Wir haben festgestellt, dass bei c-orientierten Wurtzitfilmen erst das Vorhandensein von dreidimensionalen Oberflächenstrukturen, wie etwa Kanten und Ecken von Inseln, Risse, Makrostufen oder V-Pits - sowie die hohe Konzentration der Scherspannung an diesen Stellen die Nukleation und Ausbreitung von Fehlpassungsversetzungen in der Grenzflächenebene ermöglicht. Dies eröffnet einen effizienten Pfad für plastische Relaxation." - sagt Dr. Toni Markurt, der Autor der Arbeit und Forscher am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung.


Laut den Autoren ist zudem die kritische Dicke der Filme stark von der Oberflächenmorphologie und der tatsächlichen Geometrie der Oberflächenstrukturen abhängig: So können beispielsweise zweidimensionale Schichten mit Rissen dicker gewachsen werden als Filme mit dreidimensionalen Inseln, bevor sie anfangen plastisch zu relaxieren.

 

Die Arbeiten wurden in enger Zusammenarbeit mit OSRAM Opto Semiconductors durchgeführt, die ebenfalls e spezielle Proben für die experimentelle Studie zur Verfügung gestellt haben.

 

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"Juni 2018 - Eine Sommernacht in der Kristallwelt"

Am 9. Juni öffnete das IKZ wieder die Türen für die Besucher der Langen Nacht der Wissenschaften – eine jährliche Veranstaltung, die das Bewusstsein für Wissenschaft und Technik fördert.

Trotz der tropischen Hitze in Berlin kamen am Samstagabend 1452 Besucher an das Institut für Kristallzüchtung, um sich über Kristallzüchtung, moderne Kristalle und ihre Anwendung in der Technik zu erkundigen. 

 

Durch die Kombination von Lasern, Kristallwachstum, sowie Führungen durch unsere Züchtungshallen und wissenschaftlichen Vorträgen ist es uns gelungen, eine Balance zwischen einem "Wow"-Effekt und ernsthaften Denkanstößen für neugierige Gäste zu schaffen.

 

 

 

 

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"Juni 2018 - Weltweit effizientester direkt gelb emittierender Festkörperlaser"

Forscher am Zentrum für Lasermaterialien (ZLM) am IKZ haben unter Verwendung eines mit Terbium-Ionen (Tb3+) dotierten Fluoridkristalls den bisher effizientesten, direkt im Gelben emittierenden Festkörperlaser aufgebaut. Durch seine Emissionswellenlänge, sehr nahe an der Absorption der Natrium-D-Linie bei 589 nm, könnte dieser Laser zukünftig in der Natriumspektroskopie eingesetzt werden, z.B. für Laserleitsterne in der Astronomie oder in der Mikroskopie.

 

Die Erzeugung sichtbarer Laserstrahlung ist oft nicht einfach. So nutzen grüne Laserpointer zum Beispiel einen komplizierten nichtlinearen Prozess, um infrarotes Licht bei 1064 nm in grünes Licht bei 532 nm zu konvertieren. Dies begrenzt die Effizienz und damit auch die Batterielebensdauer dieser Laser deutlich. Farbstofflaser werden ebenfalls häufig für den sichtbaren Spektralbereich eingesetzt, jedoch sind sie durch ihr flüssiges und oft giftiges Verstärkermedium nicht unproblematisch in der Handhabung. Auch Halbleiterlaser weisen eine Lücke im grün-gelben Spektralbereich auf.

 

Diese Umstände motivieren die Forschung an seltenerd-dotierten Kristallen für Festkörperlaser mit direkter sichtbarer Laseremission am ZLM.

In den letzten Jahren wurden große Fortschritte im Bereich roter, grüner und orangener Laser, basierend auf trivalentem Praseodym (Pr3+) als aktivem Ion, erzielt. Für gelbe Laser ist Pr3+ aber nicht geeignet. Erst kürzlich wurde gezeigt, dass hier Tb3+ eine Alternative darstellen könnte.

 

Lange wurde Terbium für ungeeignet als Laserion gehalten, da es Licht nur sehr schwach absorbiert und emittiert. Zudem sind in Tb3+ unerwünschte parasitäre Absorptionsprozesse intrinsisch begünstigt. Die neueste Forschung am ZLM zeigte jedoch, dass sich diese Nachteile durch die Verwendung von Fluoriden als Wirtskristallen und die Verwendung sehr hoher Dotierungskonzentrationen weitgehend kompensieren lassen.

 

Auf diese Weise konnte der bisher effizienteste direkt gelb emittierende Festkörperlaser demonstriert werden. Unter optischem Pumpen mit einem blauen Halbleiterlaser emittierte ein 28% Tb3+-dotierter Lithium-Lutetium-Fluorid Kristall (Tb:LLF) eine Ausgangsleistung von 0.5 W bei einer Laserwellenlänge von 588 nm und einer Effizienz von 25%. Derzeit ist die Laserleistung noch durch die verfügbare Pumpleistung begrenzt. Die Aussichten für die Leistungsskalierung sind jedoch sehr gut, da LLF ein etabliertes Lasermaterial ist, das bei Dotierung mit anderen Laserionen bereits die Erzeugung sehr hoher Leistungen gestattete.

 

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16. Girls'Day! Auch das IKZ öffnet am 30.04.16 seine Türen für den diesjährigen Girls'Day

Auch am diesjährigen Girlsday nutzt das IKZ seine Chance, das Interesse von Mädchen der Klassen 5 bis 10 für unsere vielfältgen Arbeitsbereiche zu wecken und sich so vielfältige Personalressourcen für die Zukunft zu erschließen. An diesem Tag werden unsere Labore, Büros und Werkstätten für interessierte Teilnehmerinnen geöffnet sein!  

"Mai 2018 - Projekt CHEETAH erfolgreich beendet: in Richtung Zukunft der Photovoltaik durch europäische Zusammenarbeit"

Im März 2018 hat die Abteilung „Schichten und Nanostrukturen“ des Leibniz-Institutes für Kristallzüchtung (IKZ) das EU-Projekt CHEETAH erfolgreich abgeschlossen. Dieses, mit dem 7. Europäischen Rahmenprogramm geschaffene wissenschaftliche Verbundprojekt, förderte über 4 Jahre die Entwicklung von neuartigen Photovoltaiktechnologien in allen Stadien der Wertschöpfungskette. Ziel war es, ein neues Verfahren zu entwickeln, welches die Kosten durch Materialeinsparung reduziert und den Wirkungsgrad erhöht im Vergleich zur bestehenden multi- und polykristallinen Siliziumtechnologie. Das Projekt bündelte die Kompetenzen von 33 Mitglieds-einrichtungen der Europäischen Energieforschungsallianz (EERA), zu denen auch das IKZ zählt.

In unserer Abteilung erfolgte zum einen die Züchtung von einkristallinen Si-Schichten auf dünnen Folien aus reorganisiertem, porösem Silizium und auf Glas  (Abb. 1). Diese haben potentielle Vorteile gegenüber den herkömmlichen Si-Wafern und könnten in Solarzellen eingesetzt werden. Zum anderen wurde eine Methode entwickelt, um an definierten Orten auf einem Glassubstrat inselartige Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid (Cu(InxGa1-x)Se2)-Mikrokristalle (ca. 50 µm) aufzuwachsen. Diese sind die Basis für die Entwicklung von kostengünstigen CIGSe-Mikrokonzentrator-Solarzellen.


Neben den Forschungsaktivitäten spielten bei CHEETAH auch die europäische Nachwuchsförderung sowie der Aufbau eines Netzwerkes zu langfristigen Kooperationsbeziehungen eine wichtige Rolle. Im Rahmen des Projektes konnten zwei Postdoc-Stellen finanziert werden am IKZ. Darüber hinaus konnte fünf Nachwuchswissenschaftlern die Möglichkeit geboten werden, kurze Forschungsaufenthalte zu realisieren, wobei deren Ergebnisse auf Workshops und Konferenzen in den Partnerinstitutionen sowie in den USA, Singapur und Japan präsentiert werden konnte.

Unmittelbare Forschungspartner des IKZ für die Entwicklung von Dünnschicht-Siliziumsolarzellen waren IMEC (Belgien), INES (Frankreich), SINTEF (Norwegen), ECN (Niederlande) und ISE (Deutschland). Bei der Entwicklung von CIGSe-Mikrokonzentrator-Solarzellen kooperierte das IKZ mit ENEA (Italien), der Universität Estland, INL (Portugal) sowie dem Helmholtz-Zentrum und der Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung (BAM) aus Berlin, Deutschland.

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fig2 solarcell klein

Abb. 1: Prinzip des Aufwachsens einer Si-Epitaxieschicht auf reorganisiertem porösem Si

 

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"April 2018 - Entwicklung eines Messverfahrens für die Lebensdauer von Minoritätsladungsträgern in Silizium- und Germaniumkristallen"

Ein neu entwickeltes Auswertungsverfahren gestattet es die Lebensdauer von Minoritätsladungsträgern abzubilden. Die Möglichkeit gleichzeitig Defekte, Widerstandsinhomogenitäten und Trägerlebensdauerverteilung zu visualisieren, ist der Hauptvorteil des verbesserten kombinierten LPS & SPL-Systems. Damit lassen sich Unsicherheiten bei der Dateninterpretation vermeiden, die bei separaten Messungen auftreten können.

Elektrisch aktive Defekte in Silizium- oder Germaniumkristallen können durch Lateral Photovoltage Scanning (LPS) oder Scanning Photoluminescence (SPL) sichtbar gemacht werden. Beide Methoden wurden am IKZ konzipiert, weiterentwickelt und zur Charakterisierung routinemäßig eingesetzt, um Defekte, wie Korngrenzen, Versetzungen oder inhomogene Fremdstoffverteilungen (Striations) abzubilden.

Struktur- und Verunreinigungsdefekte verstärken die Ladungsträgerrekombination in Halbleitern. Wenn ein angeregtes Elektron-Loch-Paar an einen solchen Defekt rekombiniert, d.h. sich gegenseitig aufhebt, wird Energie, in Form von Licht oder Wärme freigesetzt. Je länger die Ladungsträger von der Rekombination verschont bleiben, desto länger ist ihre "Lebensdauer" die ein wichtiger Qualitätsparameter ist.

Das neue System, ausgestattet mit zwei Festkörperlasern mit variabler Leistung, deren Laserstrahlen zusätzlich fokussiert werden können, ermöglicht es Rekombinationszentren und ihre Auswirkungen auf die Lebensdauer ortsaufgelöst über die Probenfläche zu ermitteln.
Aufgabe des Messplatzes ist es, mit Hilfe der gleichzeitig gemessenen LPS- und SPL-Signale, Rekombinationszentren, die für die Qualität des Halbleitermaterials mit entscheidend sind, im 2D-Scan sichtbar zu machen und quantitativ zu vermessen. Dies ist für einkristallines und multikristallines Silizium interessant sowie für Germanium- und Silizium-Germanium-Mischkristalle.

Da sich Rekombinationszentren generell nachteilig auf die Qualität der in der Photovoltaik oder Elektronik eingesetzten Bauelemente auswirken, ist die Möglichkeit Rekombinationszentren zu visualisieren und ihren Ursprung zu verstehen ein wichtiger Bestandteil der Forschung im Bereich der Halbleiterkristallzüchtung.

 

Die LPS / SPL Forschungsarbeiten werden am IKZ in enger Zusammenarbeit mit der Firma LPCon durchgeführt:
https://www.lpcon.com/


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"März 2018 IKZ-News: Ein neuer Weg zur Züchtung von Perowskit-Kristallen"

Die Kristallzüchtung mittels Schmelzlösungsmittel gilt beim Perowskit-Prototyp CaTiO3 als die Methode der Wahl. Am IKZ konnte eine Mischung aus Calciumfluorid (CaF2) und Titan(IV)-oxid (TiO2) als vorteilhaftes Lösungsmittel für diese Kristalle identifiziert werden.

Calciumtitanat (CaTiO3) kommt in der Natur als Mineral vor. Eine Züchtung direkt aus der Schmelze ist allerdings nicht möglich, da die Phasenumwandlung bei 1625 K zu starker Zwillingsbildung und damit Schädigung der Kristalle führt. Durch den Zusatz von sogenannte Schmelzlösungsmittel kann dieses Problem umgangen werden. Hierbei handelt es sich um Substanzen mit relativ niedrigem Schmelzpunkt, welche die zu kristallisierende Substanz in flüssiger Phase lösen. Beim Abkühlen scheiden die Schmelzlösungsmittel die zu kristallisierende Substanz wieder aus.

Die Suche nach geeigneten Schmelzlösungsmitteln ist allerdings oftmals eine nahezu alchemistische Prozedur. Für
CaTiO3 wurden in der Literatur u.a. Kaliumfluorid und Blei(II)-fluorid beschrieben. Beide haben jedoch den Nachteil, dass nur sehr geringe Anteile CaTiO3 (etwa 1:12) in ihnen gelöst werden können. Darüber hinaus führen unerwünschte chemische Reaktionen zwischen Lösungsmittel und CaTiO3 zur Kontamination desselben.

Im Rahmen einer Masterarbeit wurde am IKZ eine Mischung aus den bleifreien Substanzen Calciumfluorid (CaF2) und
Titan(IV)-oxid (TiO2) als vorteilhafteres Lösungsmittel für CaTiO3 identifiziert. Aus einer Mischung dieser Substanzen im molaren Verhältnis 3:1:1 (grüner Punkt in Abbildung) kristallisiert CaTiO3 unterhalb der kritischen Phasenumwandlung in zwar derzeit noch kleinen (ca. 2,5 mm Kantenlängen) aber hochwertigen Kristallen. Die Ergebnisse wurden auf der Grundlage umfangreicher thermoanalytischer Messungen und eines darauf basierenden thermodynamischen Modells des ternären Phasendiagramms gewonnen. Der Anteil an gelöstem CaTiO3 konnte auf 1:4 verbessert werden und auch kommt es zu keinen nachweisbaren unerwünschten chemischen Reaktionen und somit zu Kontaminationen.

 

Wenngleich reines CaTiO3 nur geringe technische Relevanz besitzt, so sind doch die Kenntnis und das Verständnis seiner Eigenschaften von fundamentaler Bedeutung. Eine Reihe wichtiger Ferroelektrika (Bsp. Bariumtitanat, (Kalium, Natrium)-Niobat etc.) und andere Funktionsmaterialien wie Substrate für die Oxidelektronik (Bsp. Strontiumtitanat, Seltenerd-Scandate etc.) kristallisieren in der Perowskit oder verwandten Kristallstrukturen. Für Grundlagenuntersuchungen ist die Bereitstellung von CaTiO3 Einkristallen hoher Qualität als geeignete Modellsysteme zur Beantwortung fundamentaler Fragestellungen demnach essentiell.


Der Artikel ist publiziert im Journal of Crystal Growth.

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.01.025


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"Februar 2018 IKZ-News: Thomas Schröder als neuer Direktor des Leibniz-Institutes für Kristallzüchtung berufen"

Zum 1. Februar 2018 übernimmt Prof. Dr. Thomas Schröder die Leitung des Leibniz-Instituts für Kristallzüchtung (IKZ) in Berlin-Adlershof. Damit verbunden ist die Professur „Kristallwachstum“ an der Humboldt-Universität zu Berlin. Seit 2013 hat Prof. Dr. Günther Tränkle, Direktor des Ferdinand-Braun-Institutes für Höchstfrequenztechnik, die kommissarische Leitung des Institutes übernommen, unter dessen Führung sich das IKZ zu einem führenden Zentrum für Kristallzüchtung in Europa weiterentwickeln konnte.

Thomas Schröder hält seit 2012 eine Professur für Halbleitermaterialien an der Brandenburgischen Technischen Universität (BTU) Cottbus-Senftenberg und ist seit 2009 Leiter der Abteilung Materialforschung am Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP) in Frankfurt (Oder). Hier betreibt er mit seinem Team eine moderne Materialforschung im Bereich der „More than Moore“ Silizium Mikroelektronik. Als studierter Chemiker und Physiker erlangte Thomas Schröder seine Promotion im Bereich der physikalischen Chemie von Dielektrika an der Humboldt-Universität sowie dem Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft in Berlin.

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung erforscht die wissenschaftlichen und technologischen Fragestellungen des Kristallwachstums und der Kristallzüchtung. Dies reicht von der Grundlagenforschung bis hin zu industrienaher Technologieentwicklung. Die am Institut entwickelten Materialien bilden die Basis für moderne technische Anwendungen, die unter anderem in der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Photovoltaik, in Optik und Lasertechnik oder der Sensorik zum Einsatz kommen. Zusätzlich erfüllt das Institut eine überregionale Servicefunktion, zu der besonders die Bereitstellung spezieller Kristalle für die Forschung, die Charakterisierung von kristallinen Materialien oder die Entwicklung von Technologien für Forschung und Industrie zählen.


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"Januar 2018 IKZ-News: Grundlegende Limitierung im Schlüsselmaterial für LED aufgedeckt"

Internationale Forscher haben den Mechanismus aufgezeigt, der den Indium(In)-Einbau in Indium-Galliumnitrid ((In, Ga)N)-Dünnschichten begrenzt — dem Schlüsselmaterial für blaue Leuchtdioden (LED).

 

Die Erhöhung des In-Gehalts in InGaN-Dünnschichten ist der übliche Ansatz, die Emission von III-Nitrid-basierten LEDs in Richtung des grünen und roten Bereiches des optischen Spektrums zu verschieben, welcher für die modernen RGB-LEDs notwendig ist. Die neuen Erkenntnisse beantworten die langjährige Forschungsfrage: Warum scheitert dieser klassische Ansatz, wenn wir versuchen, effiziente grüne und rote LEDs auf InGaN-Basis zu gewinnen?

Trotz der Fortschritte auf dem Gebiet der grünen LEDs und Laser gelang es den Forschern nicht, einen höheren Indium-Gehalt als 30% in den Dünnschichten zu erreichen. Der Grund dafür war bisher unklar: Ist es ein Problem, die richtigen Wachstumsbedingungen zu finden oder eher ein nicht zu überwindender fundamentaler Effekt? Nun hat ein internationales Team aus Deutschland, Polen und China neues Licht auf diese Frage geworfen und den Mechanismus aufgezeigt, der für diese Begrenzung verantwortlich ist.

 

In ihrer Arbeit versuchten die Wissenschaftler, den Indium-Gehalt zu maximieren, indem sie einzelne atomare Schichten von InN auf GaN züchteten. Unabhängig von den Wachstumsbedingungen haben die Indium-Konzentrationen jedoch nie 25% - 30% überschritten - ein deutliches Zeichen für einen grundlegend begrenzten Mechanismus. Die Forscher verwendeten hochentwickelte Charakterisierungsmethoden, wie das Transmissionselektronenmikroskop mit atomarer Auflösung (TEM) und die In-situ-Reflexions-Hochenergie-Elektronenbeugung (RHEED), und entdeckten, dass, sobald der Indium-Gehalt etwa 25% erreicht, die Atome innerhalb der (In, Ga)N-Monoschicht in einem regelmäßigen Muster angeordnet sind - eine einzelne Indium-Atomreihe alterniert mit zwei Atomreihen von Gallium-Atomen. Umfassende theoretische Berechnungen ergaben, dass die atomare Anordnung durch eine bestimmte Oberflächenrekonstruktion induziert wird: Indium-Atome sind mit vier benachbarten Atomen verbunden, statt wie erwartet mit drei. Dadurch entstehen stärkere Bindungen zwischen Indium- und Stickstoffatomen, die es einerseits ermöglichen, während des Wachstums höhere Temperaturen zu nutzen und andererseits dem Material eine bessere strukturelle Qualität zu verleihen. Auf der anderen Seite begrenzt die geordnete atomare Anordnung den Indium-Gehalt auf 25%, welcher unter realistischen Wachstumsbedingungen nicht zu überwinden ist.

 

Die Arbeit ist das Ergebnis einer Zusammenarbeit zwischen dem Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (Berlin, Deutschland), dem Max-Planck-Institut für Eisenforschung (Düsseldorf, Deutschland), dem Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (Berlin, Deutschland), dem Institut für Hochdruckphysik (Warschau, Polen) und dem State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics (Peking, China).

Zur vollständigen Pressemitteilung.

Der Artikel ist erschienen in:
https://journals.aps.org/prmaterials/abstract/10.1103/PhysRevMaterials.2.011601


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Stellenangebote für Studenten/-innen

Stellenbeschreibung & Bewerbung

 

Stellenbeschreibung & Bewerbung

 

Aktuell (Archiv)

 

Hier finden sie einen Rückblick auf Veranstaltungen und Meldungen

 

 

 

 

January/Stellenangebot (K05/18): Research Scientist (m/f):
'Compound semiconductor research and development (R & D) for micro- / optoelectronic applications'

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and power electronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin e.V. and a member of the Leibniz-Association.

 

We are presently offering a

Research Scientist (m/f) Position


Topic:
Compound semiconductor research and development (R & D) for micro- / optoelectronic applications

 

IKZ is looking for an experienced senior doctoral scientists in the area of compound sem-iconductor research and development (R & D) for micro- / optoelectronic applications. R & D activities will focus on innovative compound semiconductor materials and substrates (e.g. AlN) to close the innovation gap between basic research activities and technology readiness in the area of crystals and substrates. The successful candidate is expected to actively collaborate a) with crystal growth and materials characterization teams to improve quality, size and reproducibility of crystals and b) with the crystal preparation laboratory to develop recipes in order to deliver well-defined substrates to partners in academia and industry for prototyping. A candidate with strong networking activities in academia and industry on national and international level for acquiring third party funds is highly wel-comed; experience in leadership in the area of crystal growth and substrate development in an industry environment is considered an advantage.

 

An University degree (MSc, diploma or comparable degree) in physics, chemistry or a related field of study as well as a successful doctorate study, demonstrated by scientific publications in international journals, is requested.

 

For academic questions please contact: 
Prof. Thomas Schröder
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3001

 

The employment will be limited to two years and paid according to the TVöD labour agreement. Among equally qualified applicants, preference will be given to disabled can-didates. The IKZ is an equal opportunity employer and actively supports reconciliation of work and family life.

 

We await your informative application with reference to the job number K05/18, including the usual documents,
by February 28, 2018.


Please send them to:
Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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Januar/18 Stellenangebot (K06/18): Doktorandin/Doktorand:
'Wachstum und Optimierung von verspannten ferroelektrischen Kalium-Natrium-Niobat-Schichten''

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.


Wir suchen zum 01.04.2018 in der Arbeitsgruppe „Ferroelektrische Oxidschichten

 

eine/einen
Doktorandin/Doktorand


Zum Thema:
"Wachstum und Optimierung von verspannten ferroelektrischen
Kalium-Natrium-Niobat-Schichten"

 

Die Gruppe „Ferroelektrische Oxidschichten“ des IKZ beschäftigt sich mit der Abscheidung und Charakterisierung von bleifreien ferro- und piezoelektrischen Perowskitschichten. Innerhalb des Projektes „Barium stannate based heterostructures for electronic applications“ sollen verspannte, ferroelektrische Kalium-Natrium-Niobat-Schichten mit der gepulsten Laserdeposition (PLD) und der metallorganischen Gasphasendeposition (MOCVD) abgeschieden werden.

Das übergeordnete Ziel des Projektes besteht in der Erforschung von epitaktischen Heterostrukturen für die Anwendung als ferroelektrischer Feldeffekttransistor (FeFET). Das Teilprojekt beinhaltet die Abscheidung und Optimierung von Kalium-Natrium-Niobat-Schichten auf verschiedenen Oxidsubstraten und -schichten. Dabei soll eine Korrelation zwischen Wachstumsparameter, Gitterverspannung, Interface- und Domänenbildung sowie den ferroelektrischen Eigenschaften wie remanente Polarisation und Curie-Temperatur erarbeitet werden.

Außerdem soll der Einbau von aliovalenten Ionen in die Schichten zur Reduktion des Leckstromes untersucht werden. Neben der Abscheidung sollen von dem Bewerber auch Messungen mit Röntgendiffraktometrie, dem Rasterkraftmikroskop (AFM/CAFM/PFM) und einem ferroelektrischen Tester durchgeführt werden.

Die Arbeiten finden in enger Kooperation mit den anderen Projektgruppen statt.

 

Voraussetzungen sind ein abgeschlossenes Studium in Physik, Chemie, Materialwissenschaften oder verwandten Fachgebieten, gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie Bereitschaft zur Teamarbeit. Erfahrungen mit der Abscheidung von Oxidschichten und Kenntnisse auf dem Gebiet der Dünnschichtcharakterisierung sind notwendig.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Jutta Schwarzkopf
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3053

 

Die Stelle ist für 3 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (75 %) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber/innen besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.


hre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis 23.02.2018 unter Angabe der Kennziffer 06/18 an:


Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany


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Februar/18 Ausbildungsplatz (K07/18): Zerspanungsmechaniker/in

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.


Zum 01. September 2018 bieten wir einen Ausbildungsplatz

 

zum/zur
Zerspanungsmechaniker/in

 

 

Der/Die Zerspanungsmechaniker/-in ist ein/eine qualifizierte/-r Facharbeiter/-in, der/die mit Hilfe konventioneller und numerisch gesteuerter Werkzeugmaschinen verschiedenste Materialien bearbeitet sowie Bauteile für Maschinen und Anlagen herstellt und montiert.

 

Voraussetzungen:
Wir erwarten ein ausgeprägtes Interesse an technischen und mechanischen Systemen, Realschulabschluss bzw. Abitur mit guten Noten in den Naturwissenschaften und Mathematik sowie gute PC-Kenntnisse. Zu Ihren Stärken sollten Lernbereitschaft, Teamfähigkeit, Fleiß und Disziplin sowie handwerkliches Geschick im Umgang mit Werkzeugen gehören.

 

Ausbildung:
Die Ausbildung dauert 3,5 Jahre und kann bei guten Leistungen um ein halbes Jahr verkürzt werden. Die nötige Praxis wird dem/der Auszubildenden am Institut, der theoretische Hintergrund an der Berufsschule vermittelt. Teile der Ausbildung finden in einem vom IKZ vertraglich gebundenen Ausbildungszentrum statt.

 

Fachliche Auskünfte:
Herr Bernd Spotowitz
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3064

 

Die Stelle wird nach dem Tarifrecht  für Auszubildende des Öffentlichen Dienstes TVAöD vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.


Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen (pdf-Format) senden Sie bitte bis zum 29.03.2018 unter Angabe der Kennziffer 07/18 an:


Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany


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März/18 Stellenangebot: studentische Hilfskraft: 'Modellierung von Kristallzüchtungsprozessen für Silizium'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovol-taik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundle-gende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu indust-riell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz Gemeinschft.


Wir suchen ab sofort
in der Arbeitsgruppe Silizium & Germanium eine

 

studentische Hilfskraft


für das Thema:
„Modellierung von Kristallzüchtungsprozessen für Silizium“

 

Aufgaben:
•    Untersuchungen des Wärme- und Stofftransports in Kristallzüchtungsprozessen
•    Durchführung und Auswertung von numerischen Simulationen
•    Entwicklung von Modellexperimenten zur Validierung der Simulation
•    Vorbereitung, Durchführung und Auswertung von Experimenten


Voraussetzungen:
•    Mindestens 4 abgeschlossene Studien-Semester in Natur- oder Ingenieurswissenschaften
•    Vertiefte Kenntnisse in den Bereichen Wärmetransport und Strömungsmechanik
•    Erfahrung mit Software für numerische Simulation (z.B. Comsol, ANSYS, OpenFOAM)
•    Erfahrung im Aufbau von Versuchsständen für naturwissenschaftliche Experimente
•    Basiswissen in Mess- und Regelungstechnik


Unser Angebot:
•    Zukunftsorientiertes und industrierelevantes Forschungsthema im High-Tech Bereich
•    Arbeit im interdisziplinären Projektteam sowohl im technischen als auch wissenschaftlichen Bereich
•    Bei Interesse: Möglichkeit für eine Bachelor-, Master- oder Praktikumsarbeit

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Kaspars Dadzis
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.: +49 30 6392-2830

 

Die Arbeitszeit beträgt ca. 10 Stunden pro Woche (nach Vereinbarung). Die Stelle ist zunächst auf 6 Monate befristet und wird mit 11,24 € pro Stunde vergütet. Schwerbehinderte werden bei glei-cher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancen-gleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 27.04.2018 an:


Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany


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Stellenbeschreibung & Bewerbung

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November/17 Stellenangebot: Technische/n Mitarbeiter/in -
Arbeitsgruppe Ferroelektrische Oxidschichten

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Wir suchen ab sofort in der Arbeitsgruppe Ferroelektrische Oxidschichten eine/einen

 

Technische/n Mitarbeiter/in

 

Die Arbeitsaufgabe ist eingebettet in die Entwicklung und Optimierung von bleifreien ferroelektrischen Oxidschichten. Sie umfasst die Vorbereitung und Durchführung von Schichtabscheidungen mittels chemischer Gasphasendeposition, die Charakterisierung der Schichtenoberflächen mit Hilfe der Rasterkraftmikroskopie, die Präparation von Substratoberflächen sowie die Wartung der Züchtungsanlagen.

Voraussetzungen sind eine abgeschlossene Berufsausbildung als physikalisch technische/r Assistent/in, Verfahrenstechniker/in, Mikrotechnologe/in oder in verwandten Gebieten. Kenntnisse auf dem Gebiet der Schichtabscheidung bzw. Anlagen- und Vakuumtechnik sind wünschenswert. Eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit und Englischkenntnisse werden erwartet.

 

Fachliche Auskünfte:
Frau Dr. Jutta Schwarzkopf
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3053

 

Die Stelle ist vorerst auf 2 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber/innen besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis 27.11.2017 unter Angabe der Kennziffer 15/17 an:

Frau Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

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Januar/18 Stellenangebot (K03/18): Research Scientist (m/f):
'Research and education in the area of crystalline inorganic materials for micro-/optoelectronics applications'

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and power electronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin e.V. and a member of the Leibniz-Association.

 

We are presently offering a

Research Scientist (m/f) Position


Topic:
Research and education in the area of crystalline inorganic materials for micro-/op-toelectronics applications

 

The Leibniz Institute for Crystal Growth in Berlin Adlershof is seeking a talented scientist to establish in collaboration with the Physics Department at HU Berlin a Nanolithography Centre to explore and evaluate novel functional crystalline materials with respect to po-tential micro-/ optoelectronics applications. The successful candidate is an highly inde-pendently working personality with an excellent knowledge of materials processing to-wards device test structures, including detailed experience on materials characterization, surface science and solid state physics of crystalline materials. Proven capability to ac-quire third party funds from public sources (e.g. DFG, AvH etc.) and / or private sector (e.g. industry, foundations etc.) is of central importance. Furthermore, the candidate is active on lectures about the fundamentals of growth and properties of crystalline materials as well as their applications in modern societies; networking within Berlin-Brandenburg research and education area by collaborations with partners is particularly welcomed. 

 

For academic questions please contact: 
Prof. Thomas Schröder
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3001

 

The employment will be limited to two years and paid according to the TVöD labour agreement. Among equally qualified applicants, preference will be given to disabled can-didates. The IKZ is an equal opportunity employer and actively supports reconciliation of work and family life.

We await your informative application with reference to the job number K03/18, including the usual documents, by February 28, 2018.


Please send them to:
Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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Januar/18 Stellenangebot (K04/18): Doktorandin/Doktorand:
'MOCVD of perovskite oxide films'

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and power electronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin e.V. and a member of the Leibniz-Association.


Commencing as soon as possible there is an opening for a


Ph.D. Student Position


Topic:
"MOCVD of perovskite oxide films"

 

The group "Ferroelectric oxide layers" of the IKZ deals with epitaxial growth of complex oxide films, thereby SrTiO3 as a prototype of perovskite oxide is of particular interest. Despite many experimental and theoretical efforts, the fundamental understanding of growth process and related defects, oxygen vacancies and interface phenomena in SrTiO3 is still limited yet. Therefore, within the Leibniz ScienceCampus GraFox, SrTiO3 thin films shall be basically investigated in dependence of growth parameters and choice of the substrate (lattice strain). Epitaxial deposition will be focused on metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), which provides stoichiometric films with low defect density. Additionally, pulsed laser deposition will be used, thus a large range of deposition parameters is available. This offers systematic studies on point defects, electronic transport mechanisms, and interface formation.
Characterization of the thin films shall be performed by x-ray diffraction and electron microscopy as well as atomic force microscopy equipped with a conductive (CAFM) module.

 

Applicants should hold a Diploma or a MSc degree in physics, chemistry, materials science or a related discipline as well as good English language skills. Expertise in the field of oxides/perovskites, thin film growth or knowledge regarding thin film characterization is highly desirable. Capability of working scientifically on an independent basis and ability to carry out structured scientific work within a highly motivated team of researchers and technicians are further requirements.

 

The position is part of the Leibniz ScienceCampus “Growth and fundamentals of oxides for electronic applications (GraFox)”, which seizes to fuse the excellent individual activities and competences in Berlin on one of the most prospective material systems for future electronic and (renewable) energy applications. Through collaborative research and publications we aim to establish an internationally renowned key region in Berlin. The ScienceCampi of the Leibniz Association promote cooperation on an equal footing between Leibniz institutions and universities in the form of thematically-focused, complementary regional partnerships. These networks aim to strengthen the scientific environment for the relevant themes by conducting strategic research and encouraging interdisciplinarity in their topics, projects and methods.

 

The position is limited to three years. Payment is according to TVöD (Treaty for German public service). IKZ is an equal opportunity employer. Therefore, female candidates are encouraged to apply and will be preferred in case of adequate qualification. Among equally qualified applicants preference will be given to disabled candidates.

 

 

 

For information about the project contact:
Dr. Jutta Schwarzkopf
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3053


The position is limited to three years. Payment is according to TVöD (Treaty for German public service). IKZ is an equal opportunity employer. Therefore, female candidates are encouraged to apply and will be preferred in case of adequate qualification. Among equally qualified applicants preference will be given to disabled candidates.


We await your informative application with reference to the job number K04/18, including the usual documents, by February 12th, 2018. Please send them to:


Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany


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April/18 Stellenangebot: Doktorandin/Doktorand:
'physics on SiGe heteroepitaxy materials science for future Silicon nanoelectronics'

Based on a collaboration between industry (Siltronic) and academia (IKZ & IHP), a Ph.D. position is opened for a young talented researcher in the area of advanced heteroepitaxy and state-of-the-art materials characterization for future Silicon nanoelectronics.

 

Science:
Due to their higher carrier mobility, SiGe or Ge based transistors are promising candidates for next-generation devices. Such transistors can be realized by SiGe heteroepitaxy on silicon substrates. A basic manufacturing process is available. However, one major obstacle for the introduction of the material class is the current defect level in the order of 1E5/cm2. These defects are threading dislocations (TDs) generated as a result of the lattice mismatch between a silicon substrate and SiGe epitaxial layer. The defect level is not only dependent on the deposition process but also on the Silicon substrate properties. It is the target of the thesis to gain understanding in the nucleation dynamics of the TDs and to reduce the TD density to a level suitable for sufficient device reliability.

 

International networking:
The thesis is planned to be incorporated into a funded pan-European 3-year project on next-generation lithography and device technology providing contract and collaboration with further international semiconductor partners and organizations.

 

Supervision & Organization:
The Ph.D. student will be enrolled at the Institute of Physics at the Humboldt University Berlin; the Ph.D. student will be hired by Siltronic and will mainly work at the company in Burghausen; research stays at IKZ Berlin and IHP Frankfurt (Oder) are carried out during the research work.

 

Your tasks:

  • Running epitaxial SiGe deposition tests with defined Germanium compositions
  • Analysis of the main impact parameter for the threading dislocation defect generation
  • Refinement and improvement of characterization methods on strain, composition and defect levels in cooperation with Siltronic metrology and supporting institutes

 

Your profile:

  • Master degree in physics or materials science
  • Experimental skills, most suitable first experience in epitaxial deposition
  • theoretical background on semiconductor materials and epitaxial processes
  • Strong motivation to look into defect formation and developing models on nucleation dynamics
  • Commitment to the project´s success and willingness to collaborate with an innovative R & D team.

 

Further information:

  • about supervision: Prof. Thomas Schroeder (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung)
    Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
  • about project work: Dr. Georg (Siltronic AG)
    Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!

 

We await your informative application  by May 15th, 2018
Please use the following link:
https://karriere.siltronic.com/jobposting/b4182d648811149e24621b7f1e7c969b19d8f627
for your application.


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Mai/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft) & Masterarbeit 'Charakterisierung und Modellierung monokristalliner Germaniumkristalle mit der Lateral Photovoltage Scanning (LPS)- Methode'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Charakterisierung und Modellierung monokristalliner Germaniumkristalle
mit der Lateral Photovoltage Scanning (LPS)- Methode"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung ab sofort eine

Masterarbeit

 

Die Arbeit umfasst:
die Simulation und Untersuchung der physikalischen Zusammenhänge zwischen dem LPS-Messsignal von Germaniumkristallen im Vergleich zu Siliciumkristallen und Probenparametern wie:
•    Probengeometrie und Probenmaße
•    Spezifischer elektrischer Widerstand.

 

Erforderlich sind:
•    ein abgeschlossenes Bachelorstudium der Physik, mit aktueller Spezialisierung: Festkörperphysik.
•    Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Simulation von Messprozessen (finite Volumen wünschenswert)  
•    Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Züchtung und Charakterisierung von Halbleiterkristallen.

 

Kreative Mitarbeit in der Arbeitsgruppe, Fähigkeiten im Umgang mit moderner Computertechnik bei der Messwertauswertung sowie sehr gute englische Sprachkenntnisse und die Fähigkeit zur selbständigen Erarbeitung wissenschaftlicher Publikationen sind weitere Voraussetzungen.

 

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft bis zu 8 Wochenstunden a 11,24 € ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Stefan Kayser
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3126

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 03.07.2017 an:

Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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November/17 Stellenangebot (K18/17): Doktorandin/Doktorand:
'Generation und Evolution von Strukturdefekten bei der AlN-Kristallzüchtung,
der AlN-Substratpräparation und der AlN/AlGaN-Epitaxie'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Generation und Evolution von Strukturdefekten bei der AlN-Kristallzüchtung,
der AlN-Substratpräparation und der AlN/AlGaN-Epitaxie"


Suchen wir ab sofort eine/einen

 

Doktorandin/Doktoranden

 

Nach dem erfolgreichen Einsatz weißer LEDs für Beleuchtungszwecke werden nun Möglichkeiten erforscht, UV-LEDs z.B. für Desinfektionsanwendungen herzustellen. Solche Bauelemente bestehen aus AlGaN- und AlN-Epitaxieschichten, die z.B. auf einkristallinen Substraten aus Aluminiumnitrid (AlN) abgeschieden werden. Die AlN-Substrate sollen auf ihrer Oberfläche eine möglichst geringe Dichte an Strukturdefekten (Versetzungen) aufweisen, um darauf Epitaxieschichten höchster Qualität herstellen zu können.
Am IKZ werden AlN-Volumenkristalle aus der Gasphase hergestellt (PVT-Verfahren), die als Basis für eine Substratpräparation dienen. Am Partnerinstitut FBH werden auf diesen Substraten Epitaxieversuche durchgeführt.
Das Aufgabengebiet umfasst neben der Mitwirkung bei der Züchtung von AlN-Volumenkristallen vor allem die Charakterisierung der Kristalle und der daraus hergestellten Substrate und Epitaxieschichten hinsichtlich ihrer strukturellen Eigenschaften. Die Defektstruktur soll durch defektselektives nasschemisches Ätzen der Probenoberfläche sowie durch die Anwendung optischer, röntgenographischer und elektronenmikroskopischer Methoden aufgeklärt werden.
Ziele der Arbeit sind die Erfassung und Beschreibung der Ursachen für die Versetzungsbildung, die Analyse der Defektevolution über die komplette Prozessabfolge sowie die Konzeption und Evaluation neuer Ansätze zur Verringerung der Defektdichte in den AlN-Kristallen, bei der Substratpräparation und in der Epitaxie.

Notwendige Voraussetzung ist ein abgeschlossenes Studium der Physik, Materialwissenschaften, Chemie oder eines verwandten Studiengangs. Experimentelle Erfahrungen auf dem Gebiet der strukturellen Charakterisierung von Festkörpern sind wünschenswert. Darüber hinaus werden gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit erwartet.

 

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Jürgen Wollweber
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+49 30 6392-2843

 

Die Stelle ist auf drei Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (75%) vergü-tet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 22.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 18/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

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Dezember/17 Stellenangebot (K20/17): Fachinformatiker/in für Systemintegration

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Zur Verstärkung des IT-Teams suchen wir ab sofort eine/n

Fachinformatiker/in für Systemintegration

 

 

Das Arbeitsgebiet der IT-Gruppe umfasst alle Aspekte des Betriebs einer modernen IT-Infrastruktur auf der Basis von MS Active Directory Services, MS Exchange 2013 und VMware vSphere von der Beschaffung und Bereitstellung von Internet-, Netzwerk- und Serverdiensten bis hin zur Hard- und Software für Büro- und Anlagenrechner und den Betrieb von Compute Server für Modellierungsaufgaben.


Ihre Aufgaben:

  • Hardware- und Software-Support (1st level Support)
  • Betreuung und Beratung unserer Mitarbeiter/innen hinsichtlich aller IT-Fragen
  • Implementation und Konfiguration von IT-Systemen
  • Unterstützen und Betreiben der IT-Infrastruktur / LAN


Fachliche Kenntnisse:

  • Kenntnisse im Netzwerkbereich (z.B. HP Procurve, Palo Alto Networks, Infoblox, Macmon)
  • Erfahrung im Bereich der Clientsysteme MS Windows 10 und MS Windows 7
  • Linux-Kenntnisse (RHEL / CentOS)
  • Von Vorteil sind außerdem Erfahrungen im Umgang mit NAS-Systemen (NetApp) in der Server-Virtualisierung mit VMware vSphere, mit Microsoft Server-Produkten (MS Windows 2012R2, MS SQL-Server, MS Exchange 2013), mit MS AD und/oder erste Erfahrungen im Systemmonitoring auf der Basis von Nagios.


Einstellungsvoraussetzungen:

  • abgeschlossene Berufsausbildung als Fachinformatiker/-in, staatlich geprüfte/-r Techniker/-in oder entsprechende, langjährige Berufserfahrung
  • Analytische Fähigkeiten bei der Erfassung komplexer Zusammenhänge
  • Bereitschaft, sich selbständig und aktiv in neue Soft- und Hardwareumgebungen einzuarbeiten
  • Bereitschaft zur nutzerorientierten Lösung von Problemstellungen sowie zur Kommunikation der dazu notwendigen Schritte an Mitarbeiterinnen/Mitarbeiter.

Eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit wird vorausgesetzt.

 

 

Fachliche Auskünfte:
Herr Rehse
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+49 30 6392-3070

 

Diese Stelle wird nach dem öffentlichen Tarifrecht (TVöD) vergütet. Die Besetzung erfolgt zunächst für 2 Jahre mit einer Probezeit von 6 Monaten und der Option der anschließenden Umwandlung in ein unbefristetes Arbeitsverhältnis. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt be-rücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 22.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 20/17 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
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Januar/18 Stellenangebot (K02/18): Postdoc / wiss. Mitarbeiter:
'Elektronenmikroskopische Charakterisierung von szintillierenden β-Ga2O3-Kristallen'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Wir suchen ab sofort in der Arbeitsgruppe Elektronenmikroskopie eine/einen

Postdoc / wiss. Mitarbeiter (m/w)


Für das Thema:
Elektronenmikroskopische Charakterisierung von szintillierenden β-Ga2O3-Kristallen

 

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung hat hervorragende Expertisen und Möglichkeiten in der elektronenmikroskopischen Charakterisierung von Halbleitermaterialien. Zur Ausstattung des Institutes gehören u.a. ein aberrationskorrigiertes TEM, ein Rasterelektronenmikroskop für Kathodolumineszenz sowie ein Computercluster für TEM/STEM Bildsimulationen und molekulardynamische Rechnungen.

Im Rahmen eines Polnisch-Deutschen Verbundprojektes des Leibniz-Institutes für Kristallzüchtung und der Nikolaus-Kopernikus-Universität Torun, dass durch die DFG und das NCN finanziert wird, soll einkristallines, mit Ce dotiertes β-Ga2O3 für Anwendungen als Szintillator gezüchtet werden. Die Züchtung, sowie die strukturelle und physikalische Charakterisierung der Kristalle erfolgt am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung. Aktuell dominieren anorganische kristalline Szintillatoren das Gebiet der Hochenergiedetektoren in der Nuklearmedizin, (Positronen-Emissions-Tomographie), in der Hochenergiephysik und der Astrophysik. β-Ga2O3 ist ein breitlückiger Halbleiter (Bandlücke: 4.85 eV), der Transparenz im sichtbaren und tiefen UV des optischen Spektrums mit halbleitenden Eigenschaften verbindet. Das erlaubt neue Detektorkonzepte mit einem höheren Grad der Integration. Die Arbeitsaufgabe des hier ausgeschriebenen wissenschaftlichen Mitarbeiters/der Mitarbeiterin besteht in der grundlegenden Eigenschaften der strukturellen, elektrischen, optischen, szintillierenden und thermolumineszenten Eigenschaften von Ce dotiertem β-Ga2O3. Die Arbeiten dienen als Grundlage der Bauelemente-Entwicklung auf der Basis dieses Materialsystems, die beim polnischen Partner erfolgen. Dazu sollen vorrangig Methoden der hochauflösende Elektronenmikroskopie und der Kathodolumineszenz eingesetzt werden.

Voraussetzung ist ein Diplom oder Master in der Physik, der Kristallographie, den Materialwissenschaften oder einer vergleichbaren Disziplin mit experimenteller Ausrichtung. Ausgezeichnete Kenntnisse in der Physik, insbesondere der Festkörperphysik werden vorausgesetzt. Expertise in der aberrationskorrigierten hochauflösenden Transmissionselektronenmikroskopie, der Rastertransmissionselektronenmikroskopie, der Kathodolumineszenz, der elektronenmikroskopischen Bildsimulation sowie in der β-Ga2O3-Charakterisierung sind für einen sofortigen Start des Projektes notwendig. Wir suchen eine Person, die gut im Team arbeitet, über sehr guten Kommunikati-onsfähigkeiten verfügt und in der Lage ist selbstbewusst in einem hochmotivierten Team von Wissenschaftler*inne*n und Techniker*inne*n zu arbeiten.

 

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Zbigniew Galazka
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+49 30 6392-3020

 

Die Stelle ist für 3 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung strebt die Erhöhung des Frauenanteils an. Bewerbungen von Frauen sind daher ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung be-vorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 31.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 02/18 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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März/18 Stellenangebot (K08/18): Doktorandin/Doktorand:
'Transmission electron microscopy studies on Barium stanate based heterostructures for electronic applications'

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and powerelectronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin e.V. and a member of the Leibniz Association. You may find more details at www.ikz-berlin.de.


Commencing May, 1st  there is an opening for a

 

Ph.D. Student (f/m)


for the topic:
"Transmission electron microscopy studies on Barium stanate based
heterostructures for electronic applications"

 

IKZ has excellent expertise and facilities for the characterization of low-dimensional semiconductors, among them an aberration-corrected TEM/STEM equipped with in-situ holders for in-situ measurements of the structure under electrical bias. A computer cluster for performing STEM and molecular dynamics simulations is available. Recently we are extending our activities into the field of heterostructures between semiconductors and ferroelectric layers for nonvolatile memory applications. Such heterostructures are promising candidates to overcome the speed gap between logical and memory devices in data communication and processing.


The objective of the thesis is to study the relation between physical and structural properties of such heterostructures study by means of atomic scale (scanning) transmission electron microscopy. This comprises the structural properties of the epitaxial grown ferroelectric layers, the structure and physics of the various interfaces as well as in-situ studies of the ferroelectric layers under bias. The Ph.D. work is part of a joint project that is performed in close collaboration with groups at the Paul-Drude Institut and Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, performing growth of the structures, Humboldt-University, Berlin providing ab-initio calculations and the Technical University performing scanning tunneling microscopy.


The Ph.D. project is performed in the framework of the Leibniz Science Campus GraFox - Growth and fundamentals of oxides for electronic applications, which seizes to fuse the excellent individual activities and competences in Berlin on one of the most prospective material systems for future electronic and (renewable) energy applications. Through collaborative research and publications, we aim to establish an internationally renowned key region in Berlin. Details can be found on http://grafox.pdi-berlin.de.


Applicants should hold a Diploma or an MSc degree in physics, crystallography, materials science or a related discipline with a strong experimental background. Excellent knowledge of basic physics and of solid state physics are necessary. Expertise in high-resolution transmission electron microscopy and image simulation are highly desirable. We are looking for a team player with a high level of communication skills and the assertiveness to work in a highly motivated team of researchers and technicians.

 

 

For information about the project contact:
Dr. Martin Albrecht
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Phone +49 30 6392 3094.

 

The employment will be limited to three years and paid according to the TVöD labour agreement (75 %). Among equally qualified applicants, preference will be given to disabled candidates. The IKZ is an equal opportunity employer and actively supports reconciliation of work and family life.

 

We await your informative application with reference to the job number K08/18,
including the usual documents, by May 15th, 2018.
Please send them to:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany


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Stellenbeschreibung & Bewerbung

September/17 Stellenangebot: Doktorandin/Doktoranden (Teilzeit): 'Züchtung und Lasercharakterisierung von Er3+-dotierten Sesquioxiden'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Züchtung und Lasercharakterisierung von Er3+-dotierten Sesquioxiden"


Suchen wir zum 01.01.2018 eine/einen

 

Doktorandin/Doktoranden
(Teilzeit)

 

Kubische Seltenerd-Sesquioxide wie Lu2O3, Y2O2 und Sc2O3 sind hervorragende Wirtsmaterialien für Laser im nahen und mittleren infraroten Spektralbereich. Insbesondere bei Dotierung mit Er3+ wurden auf dem Übergang um 3 µm höhere Effizienzen und Ausgangsleistungen als mit jedem anderen Lasermaterial erzielt. Aufgrund Ihrer hohen Schmelzpunkte ist die Züchtung mit tiegelbasierten Verfahren jedoch aufwendig und teuer.


In dieser Arbeit sollen Sesquioxidkristalle mit dem tiegelfreien Zonenschmelzverfahren (engl. Optical floating zone technique, OFZ) hergestellt werden. Hierfür steht eine eigens zu diesem Zweck neu aufgebaute Züchtungsanlage zur Verfügung. Die Materialien sollen anschließend in den neu eingerichteten Laboratorien des Zentrums für Lasermaterialien am IKZ in Hinblick auf Ihre Eignung als Lasermaterialien spektroskopisch charakterisiert werden. An den vielversprechendsten Proben sollen Laserexperimente im Wellenlängenbereich um 3 µm durchgeführt werden.

 

Notwendige Voraussetzung ist ein abgeschlossenes Studium der Physik, Optical Sciences, Lasertechnik oder eines verwandten Studiengangs. Experimentelle Erfahrungen auf dem Gebiet der Kristallzüchtung und/oder Laserphysik sind wünschenswert. Bereitschaft zur Teamarbeit und sehr gute Englischkenntnisse werden vorausgesetzt, grundlegende Kenntnisse der deutschen Sprache wären hilfreich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Christian Kränkel
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+49 30 6392-3019

 

Die Stelle ist befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (Bund) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 01.11.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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November/17 Stellenangebot (K17/17): Doktorandin/Doktorand:
'Untersuchung von ferroelektrischen Domänen in verspannten dünnen Schichten mittels moderner Röntgenbeugungsverfahren'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Untersuchung von ferroelektrischen Domänen in verspannten dünnen Schichten
mittels moderner Röntgenbeugungsverfahren"


Suchen wir ab sofort eine/einen

 

Doktorandin/Doktoranden

 

Im Leibniz-Institut für Kristallzüchtung werden ferroelektrische Oxidschichten mittels Epitaxie her-gestellt. Diese sollen mit modernen Röntgenbeugungsverfahren (auch mittels hochbrillanter Syn-chrotronstrahlung) strukturell untersucht werden. Ferroelektrische Schichten bilden häufig komple-xe, periodische Domänenmuster aus, mit Strukturgrößen auf Nanometerskala. Im Fokus der vor-liegenden Arbeit stehen dabei vor allem Phasenübergänge, die in Abhängigkeit von der Temperatur in situ verfolgt werden sollen. Für eine detaillierte Interpretation der experimentell ermittelten Intensi-tätsverteilung sollen geeignete strukturelle Modelle entwickelt und entsprechende numerische Beu-gungssimulationen durchgeführt werden.

Ihr Profil

  • Sie haben ein erfolgreich abgeschlossenes Hochschulstudium der Fachrichtung Physik, Chemie, Materialwissenschaften oder vergleichbar
  • Sie besitzen tiefergehende Kenntnisse in mindestens zwei der Disziplinen: Materialwissen-schaften, Röntgenbeugung, Epitaxie, Piezo-/Ferroelektrizität und Synchrotronstrahlung
  • Sie arbeiten gerne in einem hochmotivierten Team
  • Sie besitzen sehr gute Kenntnisse der englischen Sprache in Wort und Schrift

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Martin Schmidbauer
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+49 30 6392-3079

 

Die Stelle ist auf drei Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (75%) vergü-tet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 02.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 17/17 an:

Birgit Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
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November/17 Stellenangebot (K19/17): Studentische Hilfskraft - IT-Team

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Zur Verstärkung des IT-Teams suchen wir ab sofort eine

 

Studentische Hilfskraft (m/w)

 

Das Arbeitsgebiet der IT-Gruppe umfasst alle Aspekte des Betriebs einer modernen IT-Infrastruktur auf der Basis von MS Active Directory Services, MS Exchange 2013 und VMware vSphere von der Beschaffung und Bereitstellung von Internet-, Netzwerk- und Serverdiensten bis hin zur Hard- und Software für Büro- und Anlagenrechner und den Betrieb von Compute Server für Modellierungsaufgaben.
Zu den aktuellen Projekten in der IT gehört die Erweiterung des Nagios-basierten Monitoringsystems Centreon mit dem Ziel, die Ergebnisse der technischen Systemüberwachung auch anderen Fachgruppen im Institut zugänglich zu machen.

Aufgaben:

Aus diesem Projekt leiten sich die Arbeitsaufgaben ab:

  • Update des bestehenden Monitoringsystems
  • Integration verschiedenster neuer SNMP-fähiger Systeme in die Überwachung
  • Wartung des zugrundeliegenden Linux-Servers sowie anderer im Institut eingesetzte Linux-Systeme

Darüber hinaus wird die Bereitschaft zur Unterstützung des Teams beim Endnutzersupport vorausgesetzt.

Voraussetzungen: 

Die Bearbeitung der geplanten Aufgaben erfordern:

  • Erfahrungen im Systemmonitoring mit Nagios oder einem vergleichbaren Tool
  • sichere Linux-Kenntnisse (RHES / CentOS)
  • sicheren Umgang mit Windows 7 und Windows 10
  • anwendungsbereite PC-Hardwarekenntnisse.

 

Fachliche Auskünfte:
Herr Uwe Rehse
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+49 30 6392-3070

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen (pdf-Format) senden Sie bitte bis zum 05.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 19/17 an:

Birgit Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

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Dezember/17 Stellenangebot (K01/18): Postdoc / wiss. Mitarbeiter:
'Herstellung und Charakterisierung oxidischer Lasermaterialien'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Wir suchen ab Mai 2018 in der Arbeitsgruppe Zentrum für Lasermaterialien eine/einen

Postdoc / wiss. Mitarbeiter


Für das Thema:
Herstellung und Charakterisierung oxidischer Lasermaterialien

 

Die Arbeitsaufgabe besteht in der Züchtung von seltenerd-dotierten oxidischen Lasermaterialien nach der Czochralski- und der Optical Floating Zone Methode sowie deren optische Charakterisierung. Diese Charakterisierung umfasst neben spektroskopischen Analysen auch die Untersuchung der Lasereigenschaften der gezüchteten Materialien in einfachen Laserresonatoren. In den im Aufbau befindlichen, neu ausgestatteten Laboren des Zentrums für Lasermaterialien wird neben den wissenschaftlichen Arbeiten auch die Bereitschaft zur Mitwirkung am Aufbau neuer und der Verbesserung bestehender Züchtungs- und Charakterisierungseinrichtungen sowie bei der Projektakquise erwartet.
Ziel der Arbeiten ist die Entwicklung neuer und die Optimierung der strukturellen und optischen Qualität bekannter Lasermaterialien zur Verwendung in neuartigen Lasersystemen in Industrie und Forschung.

Voraussetzung ist ein Studium der Physik, der Photonik, der Chemie oder eines verwandten Studienganges und eine abgeschlossene Promotion in diesem Fachgebiet. Neben fundierten Kenntnissen in der Kristallzüchtung werden auch Kenntnisse in der Spektroskopie und Lasercharakterisierung seltenerd-dotierter Lasermaterialien erwartet. Experimentelles Geschick, eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit und gute Kenntnisse der englischen Sprache werden ebenfalls vorausgesetzt. Praktische Erfahrungen im Umgang mit der für die elektronische Messdatenaufnahme benötigten Hard- und Software (Labview) sowie grundlegende Kenntnisse der deutschen Sprache sind wünschenswert.

 

Fachliche Auskünfte:
Herr Dr. Christian Kränkel
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3019

 

Die Stelle ist zu nächst für 2 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung strebt die Erhöhung des Frauenanteils an. Bewerbungen von Frauen sind daher ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie..

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 01.03.2018 unter Angabe der Kennziffer 01/18 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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September/17 Stellenangebot: Doktorandin/Doktoranden (Teilzeit): 'Generation und Evolution von Strukturdefekten bei der AlN-Kristallzüchtung, der AlN-Substratpräparation und der AlN/AlGaN- Epitaxie'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Generation und Evolution von Strukturdefekten bei der AlN-Kristallzüchtung, der AlN-Substratpräparation und der AlN/AlGaN- Epitaxie"


Suchen wir zum 01.12.2017  eine/einen

 

Doktorandin/Doktoranden
(Teilzeit)

 

Nach dem erfolgreichen Einsatz weißer LEDs für Beleuchtungszwecke werden nun Möglichkeiten erforscht, UV-LEDs z.B. für Desinfektionsanwendungen herzustellen. Solche Bauelemente bestehen aus AlGaN- und AlN-Epitaxieschichten, die z.B. auf einkristallinen Substraten aus Aluminium-nitrid (AlN) abgeschieden werden. Die AlN-Substrate sollen auf ihrer Oberfläche eine möglichst geringe Dichte an Strukturdefekten (Versetzungen) aufweisen, um darauf Epitaxieschichten höchster Qualität herstellen zu können.
Am IKZ werden AlN-Volumenkristalle aus der Gasphase hergestellt (PVT-Verfahren), die als Basis für eine Substratpräparation dienen. Am Partnerinstitut FBH werden auf diesen Substraten Epitaxieversuche durchgeführt.
Das Aufgabengebiet umfasst neben der Mitwirkung bei der Züchtung von AlN-Volumenkristallen vor allem die Charakterisierung der Kristalle und der daraus hergestellten Substrate und Epitaxieschichten hinsichtlich ihrer strukturellen Eigenschaften. Die Defektstruktur soll durch defektselektives nasschemisches Ätzen der Probenoberfläche sowie durch die Anwendung optischer, röntgenographischer und elektronenmikroskopischer Methoden aufgeklärt werden.
Ziele der Arbeit sind die Erfassung und Beschreibung der Ursachen für die Versetzungsbildung, die Analyse der Defektevolution über die komplette Prozessabfolge sowie die Konzeption und Evaluation neuer Ansätze zur Verringerung der Defektdichte in den AlN-Kristallen, bei der Substratpräparation und in der Epitaxie.

 

Notwendige Voraussetzung ist ein abgeschlossenes Studium der Physik, Materialwissenschaften, Chemie oder eines verwandten Studiengangs. Experimentelle Erfahrungen auf dem Gebiet der strukturellen Charakterisierung von Festkörpern sind wünschenswert. Darüber hinaus werden gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit erwartet.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Wollweber
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+49 30 6392-2843

 

Die Stelle ist befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (Bund) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 15.10.2017 unter Angabe der Kennziffer 09/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Dezember/17 Stellenangebot (K14/17): Doktorand/Doktorandin  in der Massivkristallzüchtung:
'Entwicklung von Kristallisationsverfahren zur Herstellung von hochreinen Germaniumeinkristallen für Strahlungsdetektoren'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Entwicklung von Kristallisationsverfahren zur Herstellung von hochreinen
Germaniumeinkristallen für Strahlungsdetektoren"


Suchen wir in der Massivkristallzüchtung eine/n

 

Doktorand/Doktorandin

 

Die Forschungsarbeiten sind Bestandteil eines Verbundprojektes zur Entwicklung von Ge-Detektoren zum Nachweis des neutrinolosen ßß-Zerfalls. Ziel ist die Entwicklung von Verfahren zur Züchtung von ultrareinen Ge-Einkristallen mit definierter Defektstruktur.


Ihre Aufgaben

  • Sie arbeiten an der Entwicklung eines Zonenschmelz- und Czochralskiprozesses für Ge durch experimentelle Forschung an unseren Kristallzüchtungsanlagen
  • Sie analysieren Ge-Kristalle hinsichtlich ihrer Defektstruktur und Eignung als Detektormaterial
  • Sie ziehen daraus Rückschlüsse für die Optimierung von Prozessparametern und die konzeptionelle Weiterentwicklung der Züchtungsapparaturen.
  • Sie führen Parameterstudien mittels geeigneter Simulationen durch
  • Sie präsentieren die Ergebnisse Ihrer Arbeit an internationalen Fachtagungen und publizieren in wissenschaftlichen Fachzeitschriften


Ihr Profil

  • Sie haben ein erfolgreich abgeschlossenes Hochschulstudium der Fachrichtung Physik, Physikalische Ingenieurwissenschaften, Materialwissenschaften oder vergleichbar
  • Sie besitzen Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Züchtung und Charakterisierung von Halbleiterkristallen.
  • Sehr gute Kenntnisse der englischen Sprache in Wort und Schrift
  • Sie haben experimentelles Geschick und Freude an angewandter, industrienaher Forschung

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Frank M. Kießling
frank.kiessling@ikz-berlin
+49 30 6392-3033

 

Die Stelle ist auf drei Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (75%) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 22.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 14/17 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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November/17 Stellenangebot (K16/17): Technische/n Mitarbeiter/in -  Arbeitsgruppe Oxide & Fluoride

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Wir suchen ab sofort in der Arbeitsgruppe Oxide & Fluoride eine/einen

 

Technische/n Mitarbeiter/in

 

Die Arbeitsaufgabe besteht in der Durchführung technisch/wissenschaftlicher Labor-versuche, d.h. Züchtung von oxidischen und fluoridischen Einkristallen auf hochmoder-nen Schmelzzüchtungsanlagen, Präparation kristalliner Proben, Material- und Prozess-vorbereitung, Nachbereitung/Dokumentation und weitere Laborarbeiten.

Einstellungsvoraussetzung ist eine abgeschlossene Ausbildung beispielsweise als La-borant/in oder technische/r Assistent/in in einem der verwandten Gebiete. Experimentel-les Geschick, selbstständiges zielorientiertes Arbeiten und die Bereitschaft zur Team-arbeit werden vorausgesetzt. Eine einschlägige Berufserfahrung sowie Grundkenntnisse in der englischen Sprache sind von Vorteil

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Steffen Ganschow
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+49 30 6392-3024

 

Die Stelle ist vorerst auf 2 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber/innen besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 22.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 16/17 an:

Frau Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

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August/17 Stellenangebot: studentische Hilfskraft:  'Visualisierung und Auswertung von Prozessdaten bei der AlN-Züchtung'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Visualisierung und Auswertung von Prozessdaten bei der AlN-Züchtung"


Suchen wir ab sofort in der Arbeitsgruppe Aluminiumnitride eine

 

studentische Hilfskraft

 

Die Arbeitsgruppe züchtet Aluminiumnitride-Einkristalle durch Sublimati-on/Rekondensation bei zirka 2100°C in einer Stickstoff-Atmosphäre. Während des Pro-zesses fallen eine Vielzahl von charakteristischen Daten an, deren komplexe Zusam-menhänge durch eine flexible Visualisierung ausgewertet dargestellt werden sollen.

Zur Aufgabenstellung gehören die Definition einer Schnittstelle zur Anlagen-SPS, die Erarbeitung eines Programmkonzepts und die Programmierung der Datenvisualisierung auf Basis von MS Visual Basic oder OriginPro (LabTalk, Origin C oder Python).

Voraussetzungen sind ein Studium der Informatik, Industrie-Informatik, Mathematik oder Vergleichbares. Kenntnisse in der SPS-Programmierung sind förderlich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Wollweber
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+49 30 6392-2843

 

Die Arbeitszeit beträgt ca. 10 Stunden pro Wochen (nach Vereinbarung). Die Stelle ist zunächst bis 31.01.2018 befristet und wird mit 11,24 € pro Stunde vergütet. Schwerbe-hinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Dezember/17 Stellenangebot (K13/17): Doktorand/Doktorandin  in der Massivkristallzüchtung:
'Entwicklung eines Eigentiegelverfahrens zur Herstellung von einkristallinem Silizium'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Entwicklung eines Eigentiegelverfahrens zur Herstellung von einkristallinem Silizium"


Suchen wir in der Massivkristallzüchtung eine/n

 

Doktorand/Doktorandin

 

Die Promotionsstelle wird für das von der Leibniz-Gemeinschaft geförderte Forschungsprojekt: Silizium Granulat Eigentiegelverfahren (SiGrEt) ausgeschrieben. Ziel des Projektes ist die Entwicklung eines neuartigen Züchtungsprozesses für Silizium, mit für die Solar- und Halbleiterindustrie geeigneten Kristalleigenschaften.


Ihre Aufgaben

  • Sie arbeiten an der Entwicklung eines induktiven Zonenschmelzprozesses für Si durch experimentelle Forschung an unseren Kristallzüchtungsanlagen
  • Sie analysieren Konzepte für die Verbesserung des Verfahrens hinsichtlich ihrer physikalischen, technischen und wirtschaftlichen Machbarkeit
  • Sie charakterisieren das gezüchtete Material und ziehen daraus Rückschlüsse für die Optimierung von Prozessparametern
  • Sie präsentieren die Ergebnisse Ihrer Arbeit an internationalen Fachtagungen und publizieren in wissenschaftlichen Fachzeitschriften


Ihr Profil

  • Sie haben ein erfolgreich abgeschlossenes Hochschulstudium der Fachrichtung Physik, Physikalische Ingenieurwissenschaften, Chemieingenieur, Prozess- und Verfahrenstechnik, Materialwissenschaften oder vergleichbar
  • Sie besitzen tiefergehende Kenntnisse in mind. 2 der Disziplinen: Elektromagnetismus (Induktive Erwärmung), Wärme- und Stofftransport, Kristallographie, Mess- und Regelungstechnik, Maschinenbau
  • Vorkenntnisse der Siliziumkristallzüchtung, insbesondere Cz oder FZ Verfahren, sind von Vorteil aber nicht zwingend erforderlich
  • Sehr gute Kenntnisse der englischen Sprache in Wort und Schrift
  • Sie haben experimentelles Geschick und Freude an angewandter, industrienaher Forschung

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Robert Menzel
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+49 30 6392-3071

 

Die Stelle ist auf drei Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD (75%) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 22.01.2018 unter Angabe der Kennziffer 13/17 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

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November/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft) & Masterarbeit
'Thermochemische Untersuchungen im Phasensystem KF–TbF3'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Thermochemische Untersuchungen im Phasensystem KF–TbF3"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung in der Arbeitsgruppe „Chemische und Thermodynamische Analyse
ab dem 1. Januar 2018 eine


Masterarbeit

 

Am IKZ werden u.a. Oxide und Fluoride als Einkristalle für optische Anwendungen hergestellt. Eine aktuelle Aufgabe ist die Herstellung von Volumenkristallen aus Kalium-Terbium-Fluorid (KTb3F10). Grundvoraussetzung für eine erfolgreiche Züchtung von Einkristallen in optischer Qualität und ausreichender Größe ist die genaue Kenntnis des Phasendiagramms des entsprechenden Systems in der Umgebung der zu wachsenden Verbindung. Im Falle vom KTb3F10 sind die wenigen existierenden Berichte widersprüchlich.

Ziel der Masterarbeit ist eine sorgfältige Bestimmung des Phasendiagramms des Systems KF–TbF3 im Bereich der Zielverbindung bis hin zu den Nachbarphasen, ggfs. auch unter Berücksichtigung von Tb4+-haltigen Phasen und sauerstoffhaltigen Restverunreinigungen. Dazu steht ein exzellent ausgestattetes thermochemisches Labor mit Messinstrumenten zur Differential-Thermoanalyse (DTA), Kalorimetrie (DSC) und Thermogravimetrie (TG) zur Verfügung. Parallel wird die Modellierung des Phasensystems mit der Software FactSage durchgeführt. Die Ergebnisse werden mit Untersuchungen zum Phasenbestand der Proben und mit chemischen Analysen korreliert. Für eine fachliche Einarbeitung wird gesorgt.

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft am Institut ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Herr PD Dr. Detlef Klimm
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+49 30 6392-3018

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

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Doktorandenstelle  "Physics and control of defects in oxide films for adaptive electronics"

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) performs basic and applied research in the fields of growth, characterization and processing of crystalline matter. It is part of Forschungsverbund Berlin e. V. and a member of the Leibniz Association. The IKZ is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and powerelectonics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development.

 

IKZ invites applicants for a PhD Position

 within the framework of the project

“Physics and control of defects in oxide films for adaptive electronics”

 

(three-year grant of the Leibniz Competition). Anticipated start of work is March 1, 2017.

In information and communication technology, memristors are currently a hot topic. They allow storing information at higher speeds and densities with lower energy consumption and smaller dimensions compared to silicon technology. Their electrical properties are closely linked to the atomic microstructure of the host material, but a detailed understanding of the storage mechanism is still not well established. The project aims at exploring the role defects in single crystalline oxides play in charge transport and storage under the influence of switching electric fields. Within the project epitaxial thin films of SrTiO3 and Nb2O5 will be grown by pulsed laser deposition and metal-organic chemical vapor deposition and characterized with respect to their atomic microstructure by transmission electron microscopy. We are looking for a candidate working in the third work package “Electrical properties”. It comprises the electrical characterization of the oxide films, the spectroscopic identification of electrically active point defects relevant for resistive switching, and the proof of resistive switching behavior using simple Schottky barrier structures. As experimental methods, Hall effect and capacitance-voltage measurements, deep level transient, Fourier-transform infrared, Raman and electron paramagnetic resonance spectroscopies will be used.

We are looking for a candidate with excellent knowledge of basic physics, in particular solid-state physics, with experimental background and expertise in electrical and optical characterization techniques. Applicants must hold a Diploma or an MSc degree in physics, crystallography, materials science or a related discipline. Furthermore, we expect good English language skills, scientific self-dependence, cooperativeness, and ability to work in a team.


For technical information please contact:

Dr. Klaus Irmscher
phone:  +49 30 6392 3047
email:   Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!

 

The employment will be limited to three years, with the salary paid according to the TVöD labor agreement. Among equally qualified applicants, preference will be given to disabled candidates. The IKZ is an equivalent opportunity employer and actively supports reconciliation of work and family life.


Please submit your application with reference to the job number K14/16 including the usual documents
by January 31, 2017, to:

 

Birgit Ruthenberg
email: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Juli/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft &) Masterarbeit 'Charakterisierung der Defektverteilung in epitaktisch gewachsenen AlN- und AlGaN-Schichten'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Charakterisierung der Defektverteilung in epitaktisch gewachsenen AlN- und AlGaN-Schichten"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung ab sofort eine

 

Masterarbeit.

 

Epitaktisch gewachsene AlN- bzw. AlGaN-Schichten mit hoher kristalliner Perfektion sind die Grundlage für Leuchtdioden (LEDs), die im tiefen ultravioletten Spektralbereich (210-280 nm) Licht emittieren. Die Effizienz dieser UVC-LEDs wird stark durch Kristalldefekte (Versetzungen, Korngrenzen, …) beeinträchtigt, die durch Elektronenmikroskopie sowie durch defekt-selektives Ätzen der AlN/AlGaN-Schichten mit basischen Schmelzlösungen charakterisiert werden können. Die gewonnenen Ergebnisse bilden die Grundlage zur Optimierung der Züchtungsbedingungen mit dem Ziel der Defektreduzierung.

 

Im Rahmen der Masterarbeit sollen:
die Ätzbedingungen (Zeit, Temperatur,…) für verschiedene AlN/AlGaN-Schichten optimiert und das wissenschaftliche Verständnis vertieft werden. Die Auswertungen der einzelnen Ätzversuche soll mittels Rasterkraftmikroskop (AFM) und Rasterelektronenmikroskop (SEM) erfolgen.
Weitere Schwerpunkte der Arbeit können je nach Vorkenntnissen und Interesse angepasst werden. Möglichkeiten sind:

 

  • die Optimierung der Ätzzusammensetzung inklusive Bestimmung von Phasendiagrammen durch die Software FactSage und durch Differenz-Thermoanalyse (DTA)
  • der Vergleich der Defektdichte zwischen defekt-selektiven Ätzen und der Analyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM)
  • die Zuordnung unterschiedlicher Versetzungstypen zu den verschiedenen Ätzpitgeometrien

 

Die hohe fachliche Expertise und die hervorragende Ausstattung des IKZ mit Charakterisierungsanlagen (AFM, SEM, DTA, TEM,…) sind exzellente Vorrausetzungen für die Durchführung wissenschaftlicher Abschlussarbeiten.

 

Erforderlich sind:

  • ein erfolgreich abgeschlossenes Bachelorstudium der Chemie, Materialwissenschaften oder Physik

 

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft bis zu 8 Wochenstunden a 11,24 € ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Carsten Hartmann
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+49 30 6392-2848

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
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Oktober/17 Stellenangebot: studentische Hilfskraft: 'Züchtung von Nioboxid-Kristallen'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Züchtung von Nioboxid-Kristallen"


Suchen wir ab sofort in der Arbeitsgruppe Oxide & Fluoride eine

 

studentische Hilfskraft

 

Innerhalb des Leibniz-Projektes „Physics and control of defects in oxide films for adaptive electronics“ sollen einkristalline Nioboxidschichten homoepitaktisch abgeschieden werden. Für diese Arbeiten sind Nioboxid-Substratkristalle erforderlich, welche mit dem tiegelfreien Zonenschmelzverfahren gezüchtet werden sollen. Zur Aufgabenstellung gehören präparative Arbeiten (Nähr- und Keimbarrenherstellung) sowie die Durchführung der Züchtungsexperimente.

 

Notwendige Voraussetzungen sind ein ausgeprägtes experimentelles Geschick, ein hohes Interesse an Kristallzüchtung und ein materialwissenschaftlich orientiertes Master- oder Bachelor-Studium (Chemie, Physik, Mineralogie, Werkstoffwissenschaften oder verwandte Studiengänge). Die Fähigkeit und Bereitschaft zur Teamarbeit sowie hinreichende Deutsch- und Englischkenntnisse werden erwartet.

 

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Christo Guguschev
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3124

 

Die Arbeitszeit beträgt ca. 10 Stunden pro Woche (nach Vereinbarung). Die Stelle ist zunächst auf 12 Monate befristet und wird mit 11,24 € pro Stunde vergütet.
Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 31.10.2017 an:


Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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wiss. Mitarbeiterstelle VZ - Arbeitsgruppe: Silizium & Germanium

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V.


Wir suchen ab sofort in der Arbeitsgruppe Silizium & Germanium einen

wissenschaftlichen Mitarbeiter/in (VZ)

 


Die Aufgaben
umfassen Züchtungen von halbleitenden Materialien nach dem Czochraslki-Verfahren und die selbstständige Entwicklung dazugehöriger Konzepte. In einer industrieorientierten, modernen Laborumgebung soll ein neues Verfahren für das Wachstum von qualitativ hochwertigen Ge- und Si-Kristallen für verschiedene Anwendungsbereiche in einem Team von Forschern erarbeitet werden. Ihre Aufgaben umfassen die Prozessentwicklung und die konzeptionelle Weiterentwicklung der Züchtungsapparaturen. Sie werden für Planung, Durchführung und Auswertung von Experimenten Verantwortung tragen.


Voraussetzungen:

  • abgeschlossenes Hochschulstudium der Verfahrenstechnik, der Physik oder der Materialwissenschaften
  • ausgeprägte experimentelle Erfahrungen in der Czochralski-Züchtung von Silicium oder Germanium
  • Erfahrung in der Konstruktionsentwicklung (technisches Zeichnen, 3-D Modelierung im AutoCAD)
  • Gute Kenntnisse in Vakuumtechnik und Elektrotechnik
  • Office Kenntnisse (Excel, Powerpoint)
  • Hands-on-Mentalität und zielorientierter, kollaborativer Arbeitsstil
  • Bereitschaft zur Schichtarbeit 

 

Für fachliche Auskünfte steht Ihnen Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! Tel.: 030/6392-3010, zur Verfügung.

Die Stelle ist auf 2 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung strebt die Erhöhung des Frauenanteils an. Bewerbungen von Frauen sind daher ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 19.09.2016 unter Angabe der Kennziffer 08/16 an:

 

Frau Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany
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Projektmitarbeiter/in - Wissenschaftsmanagement

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V..

Der Bereich Wissenschaftsmanagement des IKZ agiert als Schnittstelle zwischen Wissenschaft, Wirtschaft und Bildung und agiert als Dienstleister für die Fachabteilungen des Instituts. Zur Unterstützung der Aktivitäten im Bereich Marketing und Technologietransfer suchen wir zum nächstmöglichen Zeitpunkt eine/n

 

Projektmitarbeiter/in Wissenschaftsmanagement


 Ihre Aufgaben:

  • Erstellung von aussagefähigen Technologie-Exposés und Marketingunterlagen
  • Redaktion von Internetangeboten
  • Durchführung von Marktrecherchen und Direktmarketing
  • Organisation von themenbezogenen Workshops
  • Unterstützung bei der Planung und Kalkulation von Projektanträgen
  • Recherche nach für das Institut geeigneten Förderprogrammen


 Ihre Qualifikation:

  •          Abgeschlossenes Hochschulstudium, vorzugsweise in den Natur- oder Ingenieurwissenschaften
  • Selbstständige und zuverlässige Arbeitsweise, strukturiertes und konzeptionelles Arbeiten, Organisationstalent, sehr gute Kommunikations- und Teamfähigkeit
  • Fähigkeit zur Analyse und Vermittlung komplexer Sachverhalte
  • sehr gute Deutsch- und Englischkenntnisse in Wort und Schrift

 
Wünschenswert sind:

  • Erfahrungen in Öffentlichkeitsarbeit/Marketing im Wissenschaftsbereich
  • Gute Kenntnisse des nationalen Wissenschaftssystems sowie der nationalen und europäischen Förderlandschaft
  • Erfahrungen über Abläufe und Vorschriften im öffentlichen Dienst
  • Erfahrungen in der Antragsstellung öffentlich geförderter Projekte

 

Für fachliche Auskünfte steht Ihnen Frau Dr. Maike Schröder (Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!), Tel.: 030/6392 3008, zur Verfügung. 

Diese Stelle ist bis zum 30.06.2018 befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht (TVöD) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 13.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 13/16 an:

 

 

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

 

Masterarbeit Gruppe Si/Ge Nanostrukturen

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V.


Für das Thema

"Wachstum und Charakterisierung von Silizium auf amorphen Substraten"

vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

ab März 2016 eine Masterarbeit.


Die Entwicklung einer Kristallisationsmethode für ein kontinuierliches Wachstum von Si aus einer metallischen Lösung mit der Zielsetzung kostengünstige Solarzellen herzustellen, ist Gegenstand einer Kooperation zwischen dem Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), dem Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme (ISE) und einer Reihe europäischer Partner. Die Forschung wird sowohl durch die EU als auch von der DFG gefördert.


Die Masterarbeit umfasst die Züchtung von kristallinem Silizium, durch Wachstum aus zinnreicher Lösung und durch Anwendung von Depositionsverfahren aus der Gasphase sowie die morphologische und elektrische Charakterisierung der Proben.

 

Erforderlich sind:

 

  • Bachelor in Physik, Chemie oder Materialwissenschaften
  • Vorkenntnisse und Interesse auf dem Gebiet der Kristallografie
  • Gute Kenntnisse in Thermodynamik und Physikalischer Chemie
  • Interesse an Charakterisierungsmethoden wie REM, AFM und elektrischen Messungen sowie an Laserexperimenten zur Desorption dünner Siliziumoxidschichten
  • Experimentelles Geschick im Umgang mit moderner Anlagentechnik und bei der nasschemischen Probenpräparation.

 

Kreative Mitarbeit bei der Anlagen- und Verfahrensentwicklung sowie sehr gute englische Sprachkenntnisse sind weitere Voraussetzungen.
Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als Studentische Hilfskraft ist möglich.

Für detaillierte Informationen wenden Sie sich bitte an:
Dr. Torsten Boeck, Tel.: 030-6392-3051.

Ihre kurze Bewerbung richten Sie bitte an:
Frau B. Ruthenberg
Email: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!

Postdoc - Arbeitsgruppe: Ferroelektrische Oxidschichten

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V.


Wir suchen ab sofort befristet in der Arbeitsgruppe Ferroelektrische Oxidschichten eine/einen

wissenschaftlichen Mitarbeiter (Postdoc)

Die Gruppe Ferroelektrische Oxidschichten des IKZ beschäftigt sich mit epitaktisch verspannten Oxidschichten aus bleifreien Materialien mit verschiedenen funktionalen Eigenschaften wie Ferro- und Piezoelektrizität oder resistivem Schalten. Innerhalb des Projektes „Physics and Control of De-Fects in Oxide Films for Adaptive Electronics“ sollen Nioboxid- und Strontiumtitanatschichten sowohl mit der gepulsten Laserdeposition (PLD) als auch der metallorganischen Gasphasendeposition (MOCVD) abgeschieden werden. Ziele des Projektes sind u.a. das Wachstum von einkristallinen Schichten zu realisieren und durch die Wahl der Abscheideparameter die eingebauten Defekte zu kontrollieren. Dadurch soll ein fundamentales Verständnis des Wachstumsprozesses und der damit verbundenen resistiven Schichteigenschaften und Defekte erreicht werden. Neben der Abscheidung sollen von dem Bewerber oder der Bewerberin auch Messungen mit Röntgendiffraktometrie und dem Raster-kraftmikroskop (AFM/CAFM) durchgeführt werden. Die Arbeiten finden in enger Kooperation mit den Gruppen Elektronenmikroskopie und Physikalische Charakterisierung statt.

 

Voraussetzungen sind eine abgeschlossene Promotion in Physik, Chemie, Materialwissenschaften oder verwandten Fachgebieten, gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie Bereitschaft zur Teamarbeit. Erfahrungen mit der Abscheidung von Oxidschichten und Kenntnisse auf dem Gebiet der Dünnschichtcharakterisierung sind notwendig.

 

Für fachliche Auskünfte:
Frau Dr. Jutta Schwarzkopf
Tel.: 030/6392-3053, 
E-Mail: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! 

Die Stelle ist befristet bis zum 31.12.2019 und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.


Bewerbungsunterlagen:
Senden Sie bitte bis zum 5.12.2016 unter Angabe der Kennziffer 09/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin 

Juli/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft &) Masterarbeit 'Charakterisierung und Modellierung monokristalliner Germaniumkristalle mit der Lateral Photovoltage Scanning (LPS) - Methode' 

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Charakterisierung und Modellierung monokristalliner Germaniumkristalle
mit der Lateral Photovoltage Scanning (LPS) - Methode"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung ab sofort eine

 

Masterarbeit

 

Die Arbeit umfasst:
die Simulation und Untersuchung der physikalischen Zusammenhänge zwischen dem LPS-Messsignal von Germaniumkristallen im Vergleich zu Siliciumkristallen und Probenparametern wie:
•    Probengeometrie und Probenmaße
•    Spezifischer elektrischer Widerstand.

 

Erforderlich sind:
•    ein abgeschlossenes Bachelorstudium der Physik, mit aktueller Spezialisierung: Festkörperphysik.
•    Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Simulation von Messprozessen
•    Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Charakterisierung von Halbleiterkristallen.

 

Kreative Mitarbeit in der Arbeitsgruppe, Fähigkeiten im Umgang mit moderner Computertechnik bei der Messwertauswertung sowie sehr gute englische Sprachkenntnisse und die Fähigkeit zur selbständigen Erarbeitung wissenschaftlicher Publikationen sind weitere Voraussetzungen.

 

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft bis zu 8 Wochenstunden a 11,24 € ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Stefan Kayser
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+49 30 6392-3126

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 24.08.2017 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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August/17 Stellenangebot: Postdoc/ wiss. Mitarbeiter:  'Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden oxidischen epitaktischen Schichten'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden oxidischen
epitaktischen Schichten"


Suchen wir ab November 2017 in der Arbeitsgruppe Halbleitende Oxidschichten eine/einen

 

Postdoc/ wiss. Mitarbeiter

 

Die Arbeitsaufgabe ist Bestandteil eines Projektes zur Erforschung und Herstellung von transpa-renten halbleitenden Oxiden als Basismaterial für eine neue Generation von elektronischen Bau-elementen in der Leistungselektronik. Sie besteht in der Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden Oxidschichten mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MO-VPE).

Ziel ist es, zu einem grundlegenden Verständnis des Zusammenhanges zwischen den Substratei-genschaften, den Abscheidebedingungen bei der MO-VPE und den strukturellen, optischen und elektronischen Eigenschaften von homo- und heteroepitaktischen Schichtstrukturen zu kommen. Die Ergebnisse sollen bei der Realisierung neuartiger mikroelektronischer Bauelemente genutzt werden.

Voraussetzung ist ein Studium der Physik, der Werkstoffwissenschaften, der Chemie oder eines verwandten Studienganges und eine abgeschlossene Promotion in diesem Fachgebiet. Neben ei-nem soliden physikalischen bzw. chemischen Grundlagenwissen werden experimentelles Ge-schick, eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit und gute Kenntnisse der englischen Sprache erwartet. Erfahrungen in der Herstellung von Epitaxieschichten und der Charakterisierung von strukturellen und elektrischen Materialeigenschaften sind erwünscht.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Günter Wagner
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+49 30 6392-2846

 

Die Stelle ist zu nächst für 3 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergü-tet. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung strebt die Erhöhung des Frauenanteils an. Bewerbungen von Frauen sind daher ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 06.Oktober 2017 unter Angabe der Kennziffer 08/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Doktorandenstelle - Arbeitsgruppe: Ferroelektrische Schichten

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and power electronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin and a member of the Leibniz Association. You may find more details at www.ikz-berlin.de.

Commencing as soon as possible there is an opening for a PhD position 
for the topic: MOCVD of Perovskite Oxide Films


The group Ferroelectric Oxide Layers of the IKZ deals with epitaxially grown complex oxide films. SrTiO3 as a prototype of perovskite oxide is of particular interest. Despite many experimental and theoretical efforts, the fundamental understanding of growth process and related defects, oxygen vacancies, and interface phenomena is still limited yet. In the framework of this PhD study, SrTiO3 thin films shall be basically investigated in dependence of growth parameters and choice of the substrate (lattice strain). Systematic studies on point defects, electronic transport mechanisms, the the role of hydrogen and interface formation will be performed. The method of choice for the epitaxial deposition is focused mainly on the metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), which provides stoichiometric films with low defect density. Additionally, pulsed laser deposition will be used, whereby a large range of deposition conditions is available. Characterization of the thin films will be performed by x-ray diffraction and electron microscopy as well as atomic force microscopy equipped with a conductive (CAFM) module. 

Applicants should hold a Diploma or a MSc degree in physics, chemistry, materials science or a related discipline as well as good English language skills. Expertise in the field of oxides, thin film growth or knowledge regarding thin film characterization is highly desirable. The capability of working scientifically on an independent basis and ability to carry out structured scientific work within a highly motivated team of researchers and technicians are further requirements. 

The position is part of the Leibniz ScienceCampus “Growth and fundamentals of oxides for electronic applications (GraFox)”, which seizes to fuse the excellent individual activities and competencies in Berlin on one of the most prospective material systems for future electronic and (renewable) energy applications. Through collaborative research and publications, we aim to establish an internationally renowned key region in Berlin. The ScienceCampi of the Leibniz Association promote cooperation on an equal footing between Leibniz institutions and universities in the form of thematically-focused, complementary regional partnerships. These networks aim to strengthen the scientific environment for the relevant themes by conducting strategic research and encouraging interdisciplinarity in their topics, projects and methods. 

The position is available by September 2016 and its duration is limited to three years. Payment is according to TVöD (Treaty for German public service). IKZ is an equal opportunity employer. Therefore, female candidates are encouraged to apply and will be preferred in case of adequate qualification. Among equally qualified applicants preference will be given to disabled candidates.

Please submit your application by August 12st, 2016, to: 

Dr. Jutta Schwarzkopf:
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+49 30 6392-3053 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

wiss. Mitarbeiterstelle - Arbeitsgruppe: Ferroelektrische Oxidschichten

Die Arbeitsgruppe Ferroelektische Oxidschichten sucht ab sofort befristet auf 3 Jahre einen Doktoranden/in (VZ). Die bewerbungsfrist endet am 31.10.2016Weitere Informationen finden Sie hier:

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Doktorandenstelle - Arbeitsgruppe Elektronenmikroskopie

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and power electronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin and a member of the Leibniz Association. You may find more details at www.ikz-berlin.de.

 

Commencing as soon as possible there is an opening for a PhD position

for the topic: Transmission Electron Microscopy Studies on Phase Formation in Group III- Sesquioxides

 

IKZ has excellent expertise and facilities for the characterization of low-dimensional semiconductors, among them an aberration corrected TEM/STEM and a computer cluster for performing STEM and molecular dynamics simulations. Recently we are extending our activities in the field of Group III-Sesquioxides.  Group III sesquioxides oxides are distinguished by the fact that they can be efficiently n-doped despite a wide band gap that ranges from 2.7 eV for In2O3 over 4.8 eV for Ga2O3 to 8.9 eV for Al2O3. Possible fields of applications include unipolar devices like field effect devices, switching memories, and UV photodetectors. Full exploitation of these properties requires band gap engineering of these binary compounds through a formation of solid solutions of these oxides.

The main objective of the thesis to contribute by transmission electron microscopy investigations to a fundamental understanding of phase formation in this materials system. This comprises methodological developments to characterize parameters like coordination numbers and bond distortions as well as experimental studies on phase diagrams. The project on phase formation is performed in close collaboration with groups at Paul-Drude Institut and IKZ, who are performing growth and the Fritz-Haber-Institut providing ab-initio calculations.

The PhD project is performed in the framework of the Leibniz Science Campus GraFox - Growth and fundamentals of oxides for electronic applications, which seizes to fuse the excellent individual activities and competencies in Berlin on one of the most prospective material systems for future electronic and (renewable) energy applications. Through collaborative research and publications, we aim to establish an internationally renowned key region in Berlin. Details can be found on http://grafox.pdi-berlin.de.

Applicants should hold a Diploma or an MSc degree in physics, crystallography, materials science or a related discipline with a strong experimental background. Excellent knowledge of basic physics and of solid state physics are necessary. Expertise in high-resolution transmission electron microscopy and image simulation are highly desirable. We are looking for a team player with a high level of communication skills and the assertiveness to work in a highly motivated team of researchers and technicians.

The position is available by September 2016 and its duration is limited to three years. Payment is according to TVöD (Treaty for German public service). IKZ is an equal opportunity employer. Therefore, female candidates are encouraged to apply and will be preferred in case of adequate qualification. Among equally qualified applicants preference will be given to disabled candidates.

Please submit your application by August 1st, 2016, to:  

Dr. Martin Albrecht:
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+49 30 6392-3094
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

wiss. Mitarbeiterstelle (Postdoc) - Arbeitsgruppe: Ferroelektrische Schichten

Die Gruppe Ferroelektrische Oxidschichten sucht einen Postdoc ab sofort. Ziele des Projektes sind u.a. das Wachstum von einkristallinen Schichten zu realisieren und durch die Wahl der Abscheideparameter die eingebauten Defekte zu kontrollieren. Neben der Abscheidung sollen von dem Bewerber oder der Bewerberin auch Messungen mit Röntgendiffraktometrie und dem Rasterkraftmikroskop (AFM/CAFM) durchgeführt werden. Die Arbeiten finden in enger Kooperation mit den Gruppen Elektronenmikroskopie und Physikalische Charakterisierung statt. Voraussetzungen sind eine abgeschlossene Promotion in Physik, Chemie, Materialwissenschaften oder verwandten Fachgebieten, gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie Bereitschaft zur Teamarbeit. Erfahrungen mit der Abscheidung von Oxidschichten und Kenntnisse auf dem Gebiet der Dünnschichtcharakterisierung sind notwendig. Weitere Informationen finden Sie hier:

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wiss. Mitarbeiterstelle TZ - Arbeitsgruppe: Silizium & Germananium

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V.

 

Wir suchen ab sofort befristet bis 31.03.2017 in der Arbeitsgruppe Silizium & Germanium einen

wissenschaftlichen Mitarbeiter/in (TZ)

für das Thema: Aufbau eines Versuchsstandes zur Züchtung von Einkristallen aus Si Wirbelschichtgranulat

 

Zum Aufgabengebiet der zu besetzenden Stelle gehört:

•  Thermische und strömungsmechanische Berechnungen

•  Inbetriebnahme und Kalibrierung von Messinstrumenten (Thermoelemente, Pyrometer)

•  Spezifikation und Beschaffung von Versuchseinbauten und Rohmaterial

•  Dokumentation von experimentellen Ergebnissen

 

Voraussetzungen:

• abgeschlossenes Hochschulstudium der Chemie, der Physik oder der Materialwissenschaften

• vertiefte Kenntnisse in den Bereichen Strömungsmechanik und Wärmetransport

• Erfahrung im Aufbau von Versuchsständen im Maschinenbau o.Ä. und CAD Programmen

• Basiswissen in numerischer Simulation, vorzugsweise in der Software Comsol Multiphysics

• Office Kenntnisse (Excel, Powerpoint)

 

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Die Stelle wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet und es handelt sich um eine Teilzeitstelle mit 19,5 Wochenstunden. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte per Email bis zum 09.09.2016 unter Angabe der Kennziffer 07/16 an:

Frau Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
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Studentische Hilfskraft - Bereich: Verwaltung

Wir suchen ab sofort eine studentische Hilfskraft (m/w) im Bereich Verwaltung. Der Aufgabenbereich umfasst unter anderem Sekretariats- und Verwaltungsaufgaben, die Unterstützung des Bereiches Personal & Einkauf
und die Dateneingabe und Datenpflege.Die Stelle ist zunächst bis zum 31.10.2017 befristet. Die Arbeitszeit beträgt 8 Wochenstunden. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Die Bewerbungsfrist endet am 02.01.2016. Weitere Informationen finden Sie hier:

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wiss. Mitarbeiterstelle - Arbeitsgruppe: Silizium & Germananium

Die Arbeitsgruppe Silizium & Germanium sucht ab sofort befristet auf 2 Jahre einen wissenschaftlichen Mitarbeiter/in (VZ). Die Aufgaben umfassen Züchtungen von halbleitenden Materialien nach dem Czochraslki-Verfahren und die selbstständige Entwicklung dazugehöriger Konzepte. In einer industrieorientierten, modernen Laborumgebung soll ein neues Verfahrens für das Wachstum von qualitativ hochwertigen Ge- und Si-Kristallen für verschiedene Anwendungsbereiche in einem Team von Forschern erarbeitet werden. Ihre Aufgaben umfassen die Prozessentwicklung und die konzeptionelle Weiterentwicklung der Züchtungsapparaturen. Sie werden für Planung, Durchführung und Auswertung von Experimenten Verantwortung tragen. Weitere Informationen finden Sie hier:

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wiss. Mitarbeiterstelle TZ - Arbeitsgruppe: Silizium & Germanium

Die Arbeitsgruppe Silizium & Germanium sucht ab sofort befristet bis 31.03.2017 einen wissenschaftlichen Mitarbeiter/in (TZ) für das Thema: Aufbau eines Versuchsstandes zur Züchtung von Einkristallen aus Si Wirbelschichtgranulat. Weitere Informationen finden Sie hier:

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06.12.17, 18 Uhr: Parlamentarischer Abend der Leibniz-Gemeinschaft Wissen — Wahrheit — Wunsch
Zur Rolle der Wissenschaft im Diskurs um Fakten und Meinungen

 

Am Mittwoch, den 06.12.2017 um 18 Uhr (Einlass 17.15 Uhr)


veranstaltet die Leibniz-Gemeinschaft
einen  Parlamentarischer Abend zum Thema:

 

  Wissen — Wahrheit — Wunsch  
  Zur Rolle der Wissenschaft im Diskurs um Fakten und Meinungen  


Programm und Einladung (PDF)
Weblink


Bitte senden Sie Ihre Anmeldung bis zum 24. November 2017 per E-Mail an Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! oder per Fax an +49 30 206049-28.

 

Veranstaltungsort:

Haus der Leibniz-Gemeinschaft,
Chausseestraße 111
10115 Berlin

 

26.02.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Andreas Fuhrer: 'From Transistors to Qubits'

 

Am Montag, den 26.02.18 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Andreas Fuhrer
Quantum Technology group at IBM Research - Zurich

zum Thema:

"From Transistors to Qubits"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof


Abstract
Since the invention of the first bipolar transistor, integrated circuits have evolved to incredibly complex, ultra-scaled devices with on the order of 109 transistors per chip. Even if these devices no longer rely on bipolar technology, excellent control of highly doped regions is still a critical factor for device performance. Moreover, single dopant atoms in a silicon crystal or nanoscale silicon transistors are thought to be candidates for spin qubits with a long spin lifetime.
The hydrogen resist lithography technique is capable of preparing atomic scale planar dopant devices. This is enabled by a large difference in chemical reactivity of the bare and hydrogen passivated Si (001): 2x1 surface. Using a scanning tunneling microscope (STM), the hydrogen layer of the H:Si (001) surface is locally desorbed with nanometer precision leaving behind exposed areas of reactive Si. When a gaseous dopant precursor such as phosphine or diborane is introduced, the hydrogen layer acts as a resist and the dopants stick only to the desorbed areas. Compared to conventional fabrication methods, hydrogen resist lithography enables degenerate delta-doping with sub-nanometer lateral resolution and highly abrupt doping profiles.
In the first part of my talk I’ll present results on how an STM fabricated 6 x 6 nm n-type quantum dot in the Coulomb blockade regime can be used to characterize nanoscale barriers between dopant contacts [1]. We have since extended the hydrogen-resist technique to p-type doping with diborane and I’ll show initial electrical transport measurements on p-type dopant wires and a simple planar pn-junction fabricated by STM patterning. In addition, I’ll also outline our efforts to simplify the slow STM-based device fabrication with UHV-compatible pre-patterned SOI chips that do not require in-situ surface preparation and can be reintegrated into a CMOS process flow.
In a second part I’ll give an outlook on how dopants and field effect transistors can also be used as qubits and I’ll discuss ideas on how we would like to integrate such silicon based qubits with superconducting qubit technology.

 

[1] N. Pascher, S. Hennel, S. Mueller, and A. Fuhrer. Tunnel barrier design in donor nanostructures defined by hydrogen-resist lithography. New Journal of Physics, 18, 083001 (2016).
[2] S. E. Nigg, A. Fuhrer, and D. Loss. Superconducting grid-bus surface code architecture for hole-spin qubits.Phys. Rev. Lett., 118, 147701 (2017).

18.06.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Joerg Schäfer:
'Novel Nanoscale Quantum Materials – From Design to Spectroscopy'

 

Am Montag, den 18.06.18, um 14:00 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Kolloquium


Prof. Dr. Joerg Schäfer

University of Wuerzburg, Experimental Physics IV


zum Thema:

"Novel Nanoscale Quantum Materials – From Design to Spectroscopy"


Abstract

Today, the quantum properties of a large range of materials have come into focus, because this reflects back onto the electronic and optical properties, and their application potential in terms of electron transport and computing. The underlying quantum physics becomes particularly apparent in nanoscale materials, where, e.g., the Coulomb interaction between atom starts to play a role, or when two-dimensional (2D) materials are realized that have specific spin transport properties. At the very heart of such studies is the epitaxial growth of materials with atomic scale control, which allows the realization of artificial material architectures that would otherwise not exist in nature. We will present an overview of several such designer materials. The high-resolution spectroscopic inspection by scanning tunneling microscopy and angle- and spin-resolved photoemission allows a full account of their electronic properties. By employing local spectroscopy with the tunneling tip, one can even detect the conduction channels of interest spatially resolved.

Key representatives include 2D electron systems grown on semiconductor wafers where one can control the degree of electron correlation, and the resulting conduction and spin properties. A second and very modern class of materials are topological insulators – which carry metallic conduction states at their surface, separated by spin character and inherently protected against defect scattering. These materials exist as bulk systems with large-area topological surface states, as photoemission data can illustrate nicely. With a perspective for applications, recent developments of 2D materials are particularly intriguing: when a graphene lattice is mimicked by very heavy atoms, specifically bismuth, one can generate a Bismuthene monolayer supported in an insulating substrate [F. Reis et al., Science 357, 287 (2017)]. It is a wide-gap quantum spin Hall insulator which exhibits protected conductive edge states at the flake boundaries – a candidate material for room temperature applications. The talk will present a perspective of the possibilities and challenges of such novel approaches for electronic quantum materials.


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

04.07.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Peter Gaal:
'Photoacoustics in synchrotron-based material science'

 

Am Mittwoch, den 04.07.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium


Dr. Peter Gaal
Institut für Nanostruktur- und Festkörperphysik, Universität Hamburg


zum Thema:

"Photoacoustics in synchrotron-based material science"

 


Abstract:

The talk will give a brief introduction to optical generation of tailored strain pulses and monitoring of coherent and incoherent nanoscale deformations in solids. In particular, I will discuss applications of tailored strain waves for synchrotron pulse shortening and coherent control of surface phonons. In the second part of my talk, I will discuss temperature dependent deformation of so-called air-gap heterostrucutres. The thermal expansion coefficient of the structure is determined by static XRD measurements and shows a strong deviation compared to properties of the bulk material. The unusual thermal expansion is reproduced in time-resolved XRD and optical reflectivity experiments.

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

20. - 22. September 2017: Deutsch-Japanischer Workshop 'Advanced Material Science'

Vom 20. bis 22. September 2017 richtet die Leibniz-Gemeinschaft gemeinsam mit der Japan Science and Technology Agency (JST) am Leibniz-Institut für Polymerforschung Dresden e. V. (IPF) einen binationalen Workshop zum Thema „Advanced Material Science“ aus. Auch das IKZ ist an der Veranstaltung beteiligt: Dr. Tobias Schulz aus der Arbeitsgruppe Elektronenmikroskopie spricht zum Thema “InGaN structure at the atomic scale - correlation to optical properties“

 

Bei der Veranstaltung, die unter der Schirmherrschaft und in Anwesenheit der Präsidenten von Leibniz-Gemeinschaft und JST stattfindet, stellen rund 40 hochrangige Wissenschaftler aktuelle materialwissenschaftliche Forschungsarbeiten zu den Themengebieten Photonik, Polymer- und Nanotechnologie sowie (Nano)Messtechnik vor und loten Potenziale künftiger Kooperationen aus. Neben Direktoren und anderen leitenden Wissenschaftlern aus neun Leibniz-Instituten sowie von japanischer Seite aus sechs Universitäten und einem Industrieunternehmen nehmen am Workshop auch Vertreter von Förderorganisationen beider Seiten teil, um konkrete Unterstützungsmaßnahmen und Fördermöglichkeiten für bilaterale Vorhaben aufzuzeigen.

 

Die JST ist eine der wichtigsten Säulen der Förderung von Forschung und Entwicklung in Japan. Mit rund 900 Millionen EUR pro Jahr zu 95 Prozent staatlich finanziert, zielen die Aktivitäten der JST auf alle Bereiche von Forschung, der Schaffung der Infrastrukturen und Netzwerke dafür bis hin zum Wissenstransfer in Wirtschaft und Gesellschaft.

 

Die Leibniz-Gemeinschaft verbindet 91 selbständige Forschungseinrichtungen in Deutschland. Deren Ausrichtung reicht von den Natur-, Ingenieur- und Umweltwissenschaften über die Wirtschafts-, Raum- und Sozialwissenschaften bis zu den Geisteswissenschaften. Leibniz-Institute bearbeiten gesellschaftlich, ökonomisch und ökologisch relevante Fragestellungen. Aufgrund ihrer gesamtstaatlichen Bedeutung fördern Bund und Länder die Institute der Leibniz-Gemeinschaft gemeinsam. Die Leibniz-Institute beschäftigen rund 18.700 Personen, darunter 9.500 Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler. Der Gesamtetat der Institute liegt bei mehr als 1,8 Milliarden Euro.

 

Workshop-Programm

10.11.17, 13 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Jürgen Schreuer -
'Elasticity - A powerful probe for the exploration of structure/property relationships'

 

Am Freitag, den 10.11.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr. Jürgen Schreuer
AG Kristallphysik, Institut für Geologie, Mineralogie und Geophysik,
Ruhr-Universität Bochum, Deutschland

zum Thema:

"Elasticity - A powerful probe for the exploration

of structure/property relationships"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

08.11.17, 19 Uhr: Verleihung des Marthe-Vogt-Preises 2017

 

Marthe Vogt Logo kopie

 

Am Mittwoch, den 08.11.2017 um 19:00 Uhr

 

wird der diesjährige

 

"Marthe-Vogt-Preis"

 

verliehen.

 

 


 

Die Verleihung des Marthe-Vogt-Preises ist Teil der Berlin Science Week 2017.

Anmeldung unter: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! | Tel. 030 / 6392-3339

Weitere Informationen erhalten Sie unter:
http://www.fv-berlin.de/nachwuchs/nachwuchswissenschaftlerinnen-preis-1
oder auf der Einladung.


Veranstaltungsort:

Haus der Leibniz-Gemeinschaft,
Chausseestraße 111 (Ecke Invalidenstraße), 10115 Berlin
(U-Bahn-Station Naturkundemuseum)

 

12.03.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Silvana Botti:
'Discovery and characterization of new materials using supercomputers:  crystal structure prediction and theoretical spectroscopy'

 

Am Montag, den 12.03.18, 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr. Silvana Botti
AG Festkörpertheorie, Institut für Festkörpertheorie und Optik (IFTO) der FSU Jena

zum Thema:

"Discovery and characterization of new materials using supercomputers:
crystal structure prediction and theoretical spectroscopy
"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

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