Juli/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft &) Masterarbeit 'Charakterisierung der Defektverteilung in epitaktisch gewachsenen AlN- und AlGaN-Schichten'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Charakterisierung der Defektverteilung in epitaktisch gewachsenen AlN- und AlGaN-Schichten"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung ab sofort eine

 

Masterarbeit.

 

Epitaktisch gewachsene AlN- bzw. AlGaN-Schichten mit hoher kristalliner Perfektion sind die Grundlage für Leuchtdioden (LEDs), die im tiefen ultravioletten Spektralbereich (210-280 nm) Licht emittieren. Die Effizienz dieser UVC-LEDs wird stark durch Kristalldefekte (Versetzungen, Korngrenzen, …) beeinträchtigt, die durch Elektronenmikroskopie sowie durch defekt-selektives Ätzen der AlN/AlGaN-Schichten mit basischen Schmelzlösungen charakterisiert werden können. Die gewonnenen Ergebnisse bilden die Grundlage zur Optimierung der Züchtungsbedingungen mit dem Ziel der Defektreduzierung.

 

Im Rahmen der Masterarbeit sollen:
die Ätzbedingungen (Zeit, Temperatur,…) für verschiedene AlN/AlGaN-Schichten optimiert und das wissenschaftliche Verständnis vertieft werden. Die Auswertungen der einzelnen Ätzversuche soll mittels Rasterkraftmikroskop (AFM) und Rasterelektronenmikroskop (SEM) erfolgen.
Weitere Schwerpunkte der Arbeit können je nach Vorkenntnissen und Interesse angepasst werden. Möglichkeiten sind:

 

  • die Optimierung der Ätzzusammensetzung inklusive Bestimmung von Phasendiagrammen durch die Software FactSage und durch Differenz-Thermoanalyse (DTA)
  • der Vergleich der Defektdichte zwischen defekt-selektiven Ätzen und der Analyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM)
  • die Zuordnung unterschiedlicher Versetzungstypen zu den verschiedenen Ätzpitgeometrien

 

Die hohe fachliche Expertise und die hervorragende Ausstattung des IKZ mit Charakterisierungsanlagen (AFM, SEM, DTA, TEM,…) sind exzellente Vorrausetzungen für die Durchführung wissenschaftlicher Abschlussarbeiten.

 

Erforderlich sind:

  • ein erfolgreich abgeschlossenes Bachelorstudium der Chemie, Materialwissenschaften oder Physik

 

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft bis zu 8 Wochenstunden a 11,24 € ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Carsten Hartmann
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+49 30 6392-2848

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Oktober/17 Stellenangebot: studentische Hilfskraft: 'Züchtung von Nioboxid-Kristallen'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Züchtung von Nioboxid-Kristallen"


Suchen wir ab sofort in der Arbeitsgruppe Oxide & Fluoride eine

 

studentische Hilfskraft

 

Innerhalb des Leibniz-Projektes „Physics and control of defects in oxide films for adaptive electronics“ sollen einkristalline Nioboxidschichten homoepitaktisch abgeschieden werden. Für diese Arbeiten sind Nioboxid-Substratkristalle erforderlich, welche mit dem tiegelfreien Zonenschmelzverfahren gezüchtet werden sollen. Zur Aufgabenstellung gehören präparative Arbeiten (Nähr- und Keimbarrenherstellung) sowie die Durchführung der Züchtungsexperimente.

 

Notwendige Voraussetzungen sind ein ausgeprägtes experimentelles Geschick, ein hohes Interesse an Kristallzüchtung und ein materialwissenschaftlich orientiertes Master- oder Bachelor-Studium (Chemie, Physik, Mineralogie, Werkstoffwissenschaften oder verwandte Studiengänge). Die Fähigkeit und Bereitschaft zur Teamarbeit sowie hinreichende Deutsch- und Englischkenntnisse werden erwartet.

 

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Christo Guguschev
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+49 30 6392-3124

 

Die Arbeitszeit beträgt ca. 10 Stunden pro Woche (nach Vereinbarung). Die Stelle ist zunächst auf 12 Monate befristet und wird mit 11,24 € pro Stunde vergütet.
Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 31.10.2017 an:


Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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wiss. Mitarbeiterstelle VZ - Arbeitsgruppe: Silizium & Germanium

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V.


Wir suchen ab sofort in der Arbeitsgruppe Silizium & Germanium einen

wissenschaftlichen Mitarbeiter/in (VZ)

 


Die Aufgaben
umfassen Züchtungen von halbleitenden Materialien nach dem Czochraslki-Verfahren und die selbstständige Entwicklung dazugehöriger Konzepte. In einer industrieorientierten, modernen Laborumgebung soll ein neues Verfahren für das Wachstum von qualitativ hochwertigen Ge- und Si-Kristallen für verschiedene Anwendungsbereiche in einem Team von Forschern erarbeitet werden. Ihre Aufgaben umfassen die Prozessentwicklung und die konzeptionelle Weiterentwicklung der Züchtungsapparaturen. Sie werden für Planung, Durchführung und Auswertung von Experimenten Verantwortung tragen.


Voraussetzungen:

  • abgeschlossenes Hochschulstudium der Verfahrenstechnik, der Physik oder der Materialwissenschaften
  • ausgeprägte experimentelle Erfahrungen in der Czochralski-Züchtung von Silicium oder Germanium
  • Erfahrung in der Konstruktionsentwicklung (technisches Zeichnen, 3-D Modelierung im AutoCAD)
  • Gute Kenntnisse in Vakuumtechnik und Elektrotechnik
  • Office Kenntnisse (Excel, Powerpoint)
  • Hands-on-Mentalität und zielorientierter, kollaborativer Arbeitsstil
  • Bereitschaft zur Schichtarbeit 

 

Für fachliche Auskünfte steht Ihnen Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! Tel.: 030/6392-3010, zur Verfügung.

Die Stelle ist auf 2 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung strebt die Erhöhung des Frauenanteils an. Bewerbungen von Frauen sind daher ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 19.09.2016 unter Angabe der Kennziffer 08/16 an:

 

Frau Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany
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Projektmitarbeiter/in - Wissenschaftsmanagement

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V..

Der Bereich Wissenschaftsmanagement des IKZ agiert als Schnittstelle zwischen Wissenschaft, Wirtschaft und Bildung und agiert als Dienstleister für die Fachabteilungen des Instituts. Zur Unterstützung der Aktivitäten im Bereich Marketing und Technologietransfer suchen wir zum nächstmöglichen Zeitpunkt eine/n

 

Projektmitarbeiter/in Wissenschaftsmanagement


 Ihre Aufgaben:

  • Erstellung von aussagefähigen Technologie-Exposés und Marketingunterlagen
  • Redaktion von Internetangeboten
  • Durchführung von Marktrecherchen und Direktmarketing
  • Organisation von themenbezogenen Workshops
  • Unterstützung bei der Planung und Kalkulation von Projektanträgen
  • Recherche nach für das Institut geeigneten Förderprogrammen


 Ihre Qualifikation:

  •          Abgeschlossenes Hochschulstudium, vorzugsweise in den Natur- oder Ingenieurwissenschaften
  • Selbstständige und zuverlässige Arbeitsweise, strukturiertes und konzeptionelles Arbeiten, Organisationstalent, sehr gute Kommunikations- und Teamfähigkeit
  • Fähigkeit zur Analyse und Vermittlung komplexer Sachverhalte
  • sehr gute Deutsch- und Englischkenntnisse in Wort und Schrift

 
Wünschenswert sind:

  • Erfahrungen in Öffentlichkeitsarbeit/Marketing im Wissenschaftsbereich
  • Gute Kenntnisse des nationalen Wissenschaftssystems sowie der nationalen und europäischen Förderlandschaft
  • Erfahrungen über Abläufe und Vorschriften im öffentlichen Dienst
  • Erfahrungen in der Antragsstellung öffentlich geförderter Projekte

 

Für fachliche Auskünfte steht Ihnen Frau Dr. Maike Schröder (Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!), Tel.: 030/6392 3008, zur Verfügung. 

Diese Stelle ist bis zum 30.06.2018 befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht (TVöD) vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 13.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 13/16 an:

 

 

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

 

Masterarbeit Gruppe Si/Ge Nanostrukturen

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V.


Für das Thema

"Wachstum und Charakterisierung von Silizium auf amorphen Substraten"

vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

ab März 2016 eine Masterarbeit.


Die Entwicklung einer Kristallisationsmethode für ein kontinuierliches Wachstum von Si aus einer metallischen Lösung mit der Zielsetzung kostengünstige Solarzellen herzustellen, ist Gegenstand einer Kooperation zwischen dem Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), dem Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme (ISE) und einer Reihe europäischer Partner. Die Forschung wird sowohl durch die EU als auch von der DFG gefördert.


Die Masterarbeit umfasst die Züchtung von kristallinem Silizium, durch Wachstum aus zinnreicher Lösung und durch Anwendung von Depositionsverfahren aus der Gasphase sowie die morphologische und elektrische Charakterisierung der Proben.

 

Erforderlich sind:

 

  • Bachelor in Physik, Chemie oder Materialwissenschaften
  • Vorkenntnisse und Interesse auf dem Gebiet der Kristallografie
  • Gute Kenntnisse in Thermodynamik und Physikalischer Chemie
  • Interesse an Charakterisierungsmethoden wie REM, AFM und elektrischen Messungen sowie an Laserexperimenten zur Desorption dünner Siliziumoxidschichten
  • Experimentelles Geschick im Umgang mit moderner Anlagentechnik und bei der nasschemischen Probenpräparation.

 

Kreative Mitarbeit bei der Anlagen- und Verfahrensentwicklung sowie sehr gute englische Sprachkenntnisse sind weitere Voraussetzungen.
Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als Studentische Hilfskraft ist möglich.

Für detaillierte Informationen wenden Sie sich bitte an:
Dr. Torsten Boeck, Tel.: 030-6392-3051.

Ihre kurze Bewerbung richten Sie bitte an:
Frau B. Ruthenberg
Email: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!

Postdoc - Arbeitsgruppe: Ferroelektrische Oxidschichten

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V.


Wir suchen ab sofort befristet in der Arbeitsgruppe Ferroelektrische Oxidschichten eine/einen

wissenschaftlichen Mitarbeiter (Postdoc)

Die Gruppe Ferroelektrische Oxidschichten des IKZ beschäftigt sich mit epitaktisch verspannten Oxidschichten aus bleifreien Materialien mit verschiedenen funktionalen Eigenschaften wie Ferro- und Piezoelektrizität oder resistivem Schalten. Innerhalb des Projektes „Physics and Control of De-Fects in Oxide Films for Adaptive Electronics“ sollen Nioboxid- und Strontiumtitanatschichten sowohl mit der gepulsten Laserdeposition (PLD) als auch der metallorganischen Gasphasendeposition (MOCVD) abgeschieden werden. Ziele des Projektes sind u.a. das Wachstum von einkristallinen Schichten zu realisieren und durch die Wahl der Abscheideparameter die eingebauten Defekte zu kontrollieren. Dadurch soll ein fundamentales Verständnis des Wachstumsprozesses und der damit verbundenen resistiven Schichteigenschaften und Defekte erreicht werden. Neben der Abscheidung sollen von dem Bewerber oder der Bewerberin auch Messungen mit Röntgendiffraktometrie und dem Raster-kraftmikroskop (AFM/CAFM) durchgeführt werden. Die Arbeiten finden in enger Kooperation mit den Gruppen Elektronenmikroskopie und Physikalische Charakterisierung statt.

 

Voraussetzungen sind eine abgeschlossene Promotion in Physik, Chemie, Materialwissenschaften oder verwandten Fachgebieten, gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie Bereitschaft zur Teamarbeit. Erfahrungen mit der Abscheidung von Oxidschichten und Kenntnisse auf dem Gebiet der Dünnschichtcharakterisierung sind notwendig.

 

Für fachliche Auskünfte:
Frau Dr. Jutta Schwarzkopf
Tel.: 030/6392-3053, 
E-Mail: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! 

Die Stelle ist befristet bis zum 31.12.2019 und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.


Bewerbungsunterlagen:
Senden Sie bitte bis zum 5.12.2016 unter Angabe der Kennziffer 09/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin 

Juli/17 Stellenangebot: (Studentische Hilfskraft &) Masterarbeit 'Charakterisierung und Modellierung monokristalliner Germaniumkristalle mit der Lateral Photovoltage Scanning (LPS) - Methode' 

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Charakterisierung und Modellierung monokristalliner Germaniumkristalle
mit der Lateral Photovoltage Scanning (LPS) - Methode"


vergibt das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung ab sofort eine

 

Masterarbeit

 

Die Arbeit umfasst:
die Simulation und Untersuchung der physikalischen Zusammenhänge zwischen dem LPS-Messsignal von Germaniumkristallen im Vergleich zu Siliciumkristallen und Probenparametern wie:
•    Probengeometrie und Probenmaße
•    Spezifischer elektrischer Widerstand.

 

Erforderlich sind:
•    ein abgeschlossenes Bachelorstudium der Physik, mit aktueller Spezialisierung: Festkörperphysik.
•    Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Simulation von Messprozessen
•    Grundkenntnisse auf dem Gebiet der Charakterisierung von Halbleiterkristallen.

 

Kreative Mitarbeit in der Arbeitsgruppe, Fähigkeiten im Umgang mit moderner Computertechnik bei der Messwertauswertung sowie sehr gute englische Sprachkenntnisse und die Fähigkeit zur selbständigen Erarbeitung wissenschaftlicher Publikationen sind weitere Voraussetzungen.

 

Eine Kopplung mit einer Beschäftigung als studentische Hilfskraft bis zu 8 Wochenstunden a 11,24 € ist möglich.

 

Fachliche Auskünfte:
Stefan Kayser
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+49 30 6392-3126

 

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 24.08.2017 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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August/17 Stellenangebot: Postdoc/ wiss. Mitarbeiter:  'Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden oxidischen epitaktischen Schichten'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden oxidischen
epitaktischen Schichten"


Suchen wir ab November 2017 in der Arbeitsgruppe Halbleitende Oxidschichten eine/einen

 

Postdoc/ wiss. Mitarbeiter

 

Die Arbeitsaufgabe ist Bestandteil eines Projektes zur Erforschung und Herstellung von transpa-renten halbleitenden Oxiden als Basismaterial für eine neue Generation von elektronischen Bau-elementen in der Leistungselektronik. Sie besteht in der Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden Oxidschichten mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MO-VPE).

Ziel ist es, zu einem grundlegenden Verständnis des Zusammenhanges zwischen den Substratei-genschaften, den Abscheidebedingungen bei der MO-VPE und den strukturellen, optischen und elektronischen Eigenschaften von homo- und heteroepitaktischen Schichtstrukturen zu kommen. Die Ergebnisse sollen bei der Realisierung neuartiger mikroelektronischer Bauelemente genutzt werden.

Voraussetzung ist ein Studium der Physik, der Werkstoffwissenschaften, der Chemie oder eines verwandten Studienganges und eine abgeschlossene Promotion in diesem Fachgebiet. Neben ei-nem soliden physikalischen bzw. chemischen Grundlagenwissen werden experimentelles Ge-schick, eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit und gute Kenntnisse der englischen Sprache erwartet. Erfahrungen in der Herstellung von Epitaxieschichten und der Charakterisierung von strukturellen und elektrischen Materialeigenschaften sind erwünscht.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Günter Wagner
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+49 30 6392-2846

 

Die Stelle ist zu nächst für 3 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergü-tet. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung strebt die Erhöhung des Frauenanteils an. Bewerbungen von Frauen sind daher ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 06.Oktober 2017 unter Angabe der Kennziffer 08/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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Doktorandenstelle - Arbeitsgruppe: Ferroelektrische Schichten

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and power electronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin and a member of the Leibniz Association. You may find more details at www.ikz-berlin.de.

Commencing as soon as possible there is an opening for a PhD position 
for the topic: MOCVD of Perovskite Oxide Films


The group Ferroelectric Oxide Layers of the IKZ deals with epitaxially grown complex oxide films. SrTiO3 as a prototype of perovskite oxide is of particular interest. Despite many experimental and theoretical efforts, the fundamental understanding of growth process and related defects, oxygen vacancies, and interface phenomena is still limited yet. In the framework of this PhD study, SrTiO3 thin films shall be basically investigated in dependence of growth parameters and choice of the substrate (lattice strain). Systematic studies on point defects, electronic transport mechanisms, the the role of hydrogen and interface formation will be performed. The method of choice for the epitaxial deposition is focused mainly on the metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), which provides stoichiometric films with low defect density. Additionally, pulsed laser deposition will be used, whereby a large range of deposition conditions is available. Characterization of the thin films will be performed by x-ray diffraction and electron microscopy as well as atomic force microscopy equipped with a conductive (CAFM) module. 

Applicants should hold a Diploma or a MSc degree in physics, chemistry, materials science or a related discipline as well as good English language skills. Expertise in the field of oxides, thin film growth or knowledge regarding thin film characterization is highly desirable. The capability of working scientifically on an independent basis and ability to carry out structured scientific work within a highly motivated team of researchers and technicians are further requirements. 

The position is part of the Leibniz ScienceCampus “Growth and fundamentals of oxides for electronic applications (GraFox)”, which seizes to fuse the excellent individual activities and competencies in Berlin on one of the most prospective material systems for future electronic and (renewable) energy applications. Through collaborative research and publications, we aim to establish an internationally renowned key region in Berlin. The ScienceCampi of the Leibniz Association promote cooperation on an equal footing between Leibniz institutions and universities in the form of thematically-focused, complementary regional partnerships. These networks aim to strengthen the scientific environment for the relevant themes by conducting strategic research and encouraging interdisciplinarity in their topics, projects and methods. 

The position is available by September 2016 and its duration is limited to three years. Payment is according to TVöD (Treaty for German public service). IKZ is an equal opportunity employer. Therefore, female candidates are encouraged to apply and will be preferred in case of adequate qualification. Among equally qualified applicants preference will be given to disabled candidates.

Please submit your application by August 12st, 2016, to: 

Dr. Jutta Schwarzkopf:
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3053 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

wiss. Mitarbeiterstelle - Arbeitsgruppe: Ferroelektrische Oxidschichten

Die Arbeitsgruppe Ferroelektische Oxidschichten sucht ab sofort befristet auf 3 Jahre einen Doktoranden/in (VZ). Die bewerbungsfrist endet am 31.10.2016Weitere Informationen finden Sie hier:

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Doktorandenstelle - Arbeitsgruppe Elektronenmikroskopie

The Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) is a leading research institution in the area of crystal growth of technologically important materials for micro-, opto- and power electronics, sensors, optics and laser technology. This ranges from explorative fundamental research to pre-industrial development. It is part of Forschungsverbund Berlin and a member of the Leibniz Association. You may find more details at www.ikz-berlin.de.

 

Commencing as soon as possible there is an opening for a PhD position

for the topic: Transmission Electron Microscopy Studies on Phase Formation in Group III- Sesquioxides

 

IKZ has excellent expertise and facilities for the characterization of low-dimensional semiconductors, among them an aberration corrected TEM/STEM and a computer cluster for performing STEM and molecular dynamics simulations. Recently we are extending our activities in the field of Group III-Sesquioxides.  Group III sesquioxides oxides are distinguished by the fact that they can be efficiently n-doped despite a wide band gap that ranges from 2.7 eV for In2O3 over 4.8 eV for Ga2O3 to 8.9 eV for Al2O3. Possible fields of applications include unipolar devices like field effect devices, switching memories, and UV photodetectors. Full exploitation of these properties requires band gap engineering of these binary compounds through a formation of solid solutions of these oxides.

The main objective of the thesis to contribute by transmission electron microscopy investigations to a fundamental understanding of phase formation in this materials system. This comprises methodological developments to characterize parameters like coordination numbers and bond distortions as well as experimental studies on phase diagrams. The project on phase formation is performed in close collaboration with groups at Paul-Drude Institut and IKZ, who are performing growth and the Fritz-Haber-Institut providing ab-initio calculations.

The PhD project is performed in the framework of the Leibniz Science Campus GraFox - Growth and fundamentals of oxides for electronic applications, which seizes to fuse the excellent individual activities and competencies in Berlin on one of the most prospective material systems for future electronic and (renewable) energy applications. Through collaborative research and publications, we aim to establish an internationally renowned key region in Berlin. Details can be found on http://grafox.pdi-berlin.de.

Applicants should hold a Diploma or an MSc degree in physics, crystallography, materials science or a related discipline with a strong experimental background. Excellent knowledge of basic physics and of solid state physics are necessary. Expertise in high-resolution transmission electron microscopy and image simulation are highly desirable. We are looking for a team player with a high level of communication skills and the assertiveness to work in a highly motivated team of researchers and technicians.

The position is available by September 2016 and its duration is limited to three years. Payment is according to TVöD (Treaty for German public service). IKZ is an equal opportunity employer. Therefore, female candidates are encouraged to apply and will be preferred in case of adequate qualification. Among equally qualified applicants preference will be given to disabled candidates.

Please submit your application by August 1st, 2016, to:  

Dr. Martin Albrecht:
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!,
+49 30 6392-3094
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

wiss. Mitarbeiterstelle (Postdoc) - Arbeitsgruppe: Ferroelektrische Schichten

Die Gruppe Ferroelektrische Oxidschichten sucht einen Postdoc ab sofort. Ziele des Projektes sind u.a. das Wachstum von einkristallinen Schichten zu realisieren und durch die Wahl der Abscheideparameter die eingebauten Defekte zu kontrollieren. Neben der Abscheidung sollen von dem Bewerber oder der Bewerberin auch Messungen mit Röntgendiffraktometrie und dem Rasterkraftmikroskop (AFM/CAFM) durchgeführt werden. Die Arbeiten finden in enger Kooperation mit den Gruppen Elektronenmikroskopie und Physikalische Charakterisierung statt. Voraussetzungen sind eine abgeschlossene Promotion in Physik, Chemie, Materialwissenschaften oder verwandten Fachgebieten, gute englische Sprachkenntnisse, wissenschaftliche Selbstständigkeit sowie Bereitschaft zur Teamarbeit. Erfahrungen mit der Abscheidung von Oxidschichten und Kenntnisse auf dem Gebiet der Dünnschichtcharakterisierung sind notwendig. Weitere Informationen finden Sie hier:

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wiss. Mitarbeiterstelle TZ - Arbeitsgruppe: Silizium & Germananium

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren. Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den Forschungsverbund Berlin e.V.

 

Wir suchen ab sofort befristet bis 31.03.2017 in der Arbeitsgruppe Silizium & Germanium einen

wissenschaftlichen Mitarbeiter/in (TZ)

für das Thema: Aufbau eines Versuchsstandes zur Züchtung von Einkristallen aus Si Wirbelschichtgranulat

 

Zum Aufgabengebiet der zu besetzenden Stelle gehört:

•  Thermische und strömungsmechanische Berechnungen

•  Inbetriebnahme und Kalibrierung von Messinstrumenten (Thermoelemente, Pyrometer)

•  Spezifikation und Beschaffung von Versuchseinbauten und Rohmaterial

•  Dokumentation von experimentellen Ergebnissen

 

Voraussetzungen:

• abgeschlossenes Hochschulstudium der Chemie, der Physik oder der Materialwissenschaften

• vertiefte Kenntnisse in den Bereichen Strömungsmechanik und Wärmetransport

• Erfahrung im Aufbau von Versuchsständen im Maschinenbau o.Ä. und CAD Programmen

• Basiswissen in numerischer Simulation, vorzugsweise in der Software Comsol Multiphysics

• Office Kenntnisse (Excel, Powerpoint)

 

Für fachliche Auskünfte steht Ihnen Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!, Tel.: 030 6392-3071, zur Verfügung.

Die Stelle wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergütet und es handelt sich um eine Teilzeitstelle mit 19,5 Wochenstunden. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte per Email bis zum 09.09.2016 unter Angabe der Kennziffer 07/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!

+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany
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Studentische Hilfskraft - Bereich: Verwaltung

Wir suchen ab sofort eine studentische Hilfskraft (m/w) im Bereich Verwaltung. Der Aufgabenbereich umfasst unter anderem Sekretariats- und Verwaltungsaufgaben, die Unterstützung des Bereiches Personal & Einkauf
und die Dateneingabe und Datenpflege.Die Stelle ist zunächst bis zum 31.10.2017 befristet. Die Arbeitszeit beträgt 8 Wochenstunden. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Die Bewerbungsfrist endet am 02.01.2016. Weitere Informationen finden Sie hier:

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wiss. Mitarbeiterstelle - Arbeitsgruppe: Silizium & Germananium

Die Arbeitsgruppe Silizium & Germanium sucht ab sofort befristet auf 2 Jahre einen wissenschaftlichen Mitarbeiter/in (VZ). Die Aufgaben umfassen Züchtungen von halbleitenden Materialien nach dem Czochraslki-Verfahren und die selbstständige Entwicklung dazugehöriger Konzepte. In einer industrieorientierten, modernen Laborumgebung soll ein neues Verfahrens für das Wachstum von qualitativ hochwertigen Ge- und Si-Kristallen für verschiedene Anwendungsbereiche in einem Team von Forschern erarbeitet werden. Ihre Aufgaben umfassen die Prozessentwicklung und die konzeptionelle Weiterentwicklung der Züchtungsapparaturen. Sie werden für Planung, Durchführung und Auswertung von Experimenten Verantwortung tragen. Weitere Informationen finden Sie hier:

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wiss. Mitarbeiterstelle TZ - Arbeitsgruppe: Silizium & Germanium

Die Arbeitsgruppe Silizium & Germanium sucht ab sofort befristet bis 31.03.2017 einen wissenschaftlichen Mitarbeiter/in (TZ) für das Thema: Aufbau eines Versuchsstandes zur Züchtung von Einkristallen aus Si Wirbelschichtgranulat. Weitere Informationen finden Sie hier:

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18.06.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Joerg Schäfer:
'Novel Nanoscale Quantum Materials – From Design to Spectroscopy'

 

Am Montag, den 18.06.18, um 14:00 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Kolloquium


Prof. Dr. Joerg Schäfer

University of Wuerzburg, Experimental Physics IV


zum Thema:

"Novel Nanoscale Quantum Materials – From Design to Spectroscopy"


Abstract

Today, the quantum properties of a large range of materials have come into focus, because this reflects back onto the electronic and optical properties, and their application potential in terms of electron transport and computing. The underlying quantum physics becomes particularly apparent in nanoscale materials, where, e.g., the Coulomb interaction between atom starts to play a role, or when two-dimensional (2D) materials are realized that have specific spin transport properties. At the very heart of such studies is the epitaxial growth of materials with atomic scale control, which allows the realization of artificial material architectures that would otherwise not exist in nature. We will present an overview of several such designer materials. The high-resolution spectroscopic inspection by scanning tunneling microscopy and angle- and spin-resolved photoemission allows a full account of their electronic properties. By employing local spectroscopy with the tunneling tip, one can even detect the conduction channels of interest spatially resolved.

Key representatives include 2D electron systems grown on semiconductor wafers where one can control the degree of electron correlation, and the resulting conduction and spin properties. A second and very modern class of materials are topological insulators – which carry metallic conduction states at their surface, separated by spin character and inherently protected against defect scattering. These materials exist as bulk systems with large-area topological surface states, as photoemission data can illustrate nicely. With a perspective for applications, recent developments of 2D materials are particularly intriguing: when a graphene lattice is mimicked by very heavy atoms, specifically bismuth, one can generate a Bismuthene monolayer supported in an insulating substrate [F. Reis et al., Science 357, 287 (2017)]. It is a wide-gap quantum spin Hall insulator which exhibits protected conductive edge states at the flake boundaries – a candidate material for room temperature applications. The talk will present a perspective of the possibilities and challenges of such novel approaches for electronic quantum materials.


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

28.10.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Laura Bogula:
'Using in situ Grazing Incidence X-Ray Diffraction to unravel the ferroelectric phase transition in
anisotropically strained potassium-sodium-niobate / (110) neodymium-scandate epitaxial layers'

 

Am Montag, den 28.10.2019 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


MSc Laura Bogula
Sektion Experimentelle Charakterisierung, IKZ

zum Thema:

"Using in situ Grazing Incidence X-Ray Diffraction to unravel the ferroelectric phase transition in anisotropically strained K0.9Na0.1NbO3 / (110) NdScO3 epitaxial layers"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

26.02.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Andreas Fuhrer: 'From Transistors to Qubits'

 

Am Montag, den 26.02.18 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Andreas Fuhrer
Quantum Technology group at IBM Research - Zurich

zum Thema:

"From Transistors to Qubits"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof


Abstract
Since the invention of the first bipolar transistor, integrated circuits have evolved to incredibly complex, ultra-scaled devices with on the order of 109 transistors per chip. Even if these devices no longer rely on bipolar technology, excellent control of highly doped regions is still a critical factor for device performance. Moreover, single dopant atoms in a silicon crystal or nanoscale silicon transistors are thought to be candidates for spin qubits with a long spin lifetime.
The hydrogen resist lithography technique is capable of preparing atomic scale planar dopant devices. This is enabled by a large difference in chemical reactivity of the bare and hydrogen passivated Si (001): 2x1 surface. Using a scanning tunneling microscope (STM), the hydrogen layer of the H:Si (001) surface is locally desorbed with nanometer precision leaving behind exposed areas of reactive Si. When a gaseous dopant precursor such as phosphine or diborane is introduced, the hydrogen layer acts as a resist and the dopants stick only to the desorbed areas. Compared to conventional fabrication methods, hydrogen resist lithography enables degenerate delta-doping with sub-nanometer lateral resolution and highly abrupt doping profiles.
In the first part of my talk I’ll present results on how an STM fabricated 6 x 6 nm n-type quantum dot in the Coulomb blockade regime can be used to characterize nanoscale barriers between dopant contacts [1]. We have since extended the hydrogen-resist technique to p-type doping with diborane and I’ll show initial electrical transport measurements on p-type dopant wires and a simple planar pn-junction fabricated by STM patterning. In addition, I’ll also outline our efforts to simplify the slow STM-based device fabrication with UHV-compatible pre-patterned SOI chips that do not require in-situ surface preparation and can be reintegrated into a CMOS process flow.
In a second part I’ll give an outlook on how dopants and field effect transistors can also be used as qubits and I’ll discuss ideas on how we would like to integrate such silicon based qubits with superconducting qubit technology.

 

[1] N. Pascher, S. Hennel, S. Mueller, and A. Fuhrer. Tunnel barrier design in donor nanostructures defined by hydrogen-resist lithography. New Journal of Physics, 18, 083001 (2016).
[2] S. E. Nigg, A. Fuhrer, and D. Loss. Superconducting grid-bus surface code architecture for hole-spin qubits.Phys. Rev. Lett., 118, 147701 (2017).

06.12.17, 18 Uhr: Parlamentarischer Abend der Leibniz-Gemeinschaft Wissen — Wahrheit — Wunsch
Zur Rolle der Wissenschaft im Diskurs um Fakten und Meinungen

 

Am Mittwoch, den 06.12.2017 um 18 Uhr (Einlass 17.15 Uhr)


veranstaltet die Leibniz-Gemeinschaft
einen  Parlamentarischer Abend zum Thema:

 

  Wissen — Wahrheit — Wunsch  
  Zur Rolle der Wissenschaft im Diskurs um Fakten und Meinungen  


Programm und Einladung (PDF)
Weblink


Bitte senden Sie Ihre Anmeldung bis zum 24. November 2017 per E-Mail an Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! oder per Fax an +49 30 206049-28.

 

Veranstaltungsort:

Haus der Leibniz-Gemeinschaft,
Chausseestraße 111
10115 Berlin

 

11.10.19, 13.00 Uhr Kolloquium - Prof. Dr. Christian Teichert:
'Growth of organic semiconductor nanocrystals on two-dimensional materials'

 

Am Freitag, den 11.10.2019 um 13.00 Uhr

spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium


Prof. Dr. Christian Teichert
Materials Physics, Institute of Physics, Montanuniversität Leoben, Österreich

zum Thema:

"Growth of organic semiconductor nanocrystals on two-dimensional materials"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

14.10.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Elena Castellano:
'New terbium based materials for visible lasers''

 

Am Montag, den 14.10.2019 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


MSc Elena Castellano
IKZ, Crystalline Materials for Photonics

zum Thema:

"New terbium based materials for visible lasers"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

Congruently Melting Perovskite Solid Solutions

04.07.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Peter Gaal:
'Photoacoustics in synchrotron-based material science'

 

Am Mittwoch, den 04.07.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium


Dr. Peter Gaal
Institut für Nanostruktur- und Festkörperphysik, Universität Hamburg


zum Thema:

"Photoacoustics in synchrotron-based material science"

 


Abstract:

The talk will give a brief introduction to optical generation of tailored strain pulses and monitoring of coherent and incoherent nanoscale deformations in solids. In particular, I will discuss applications of tailored strain waves for synchrotron pulse shortening and coherent control of surface phonons. In the second part of my talk, I will discuss temperature dependent deformation of so-called air-gap heterostrucutres. The thermal expansion coefficient of the structure is determined by static XRD measurements and shows a strong deviation compared to properties of the bulk material. The unusual thermal expansion is reproduced in time-resolved XRD and optical reflectivity experiments.

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

21.10.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Dr. Tim Schröder:
'Diamond – Exciting resource for Quantum Technology'

 

Am Montag, den 21.10.2019 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Dr. Tim Schröder
Humboldt-Universität zu Berlin, Institut für Physik

zum Thema:

"Diamond – Exciting resource for Quantum Technology"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

28.10.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Laura Bogula:
'Using in situ Grazing Incidence X-Ray Diffraction to unravel the ferroelectric phase transition in
anisotropically strained potassium-sodium-niobate / (110) neodymium-scandate epitaxial layers'

 

Am Montag, den 28.10.2019 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


MSc Laura Bogula
Sektion Experimentelle Charakterisierung, IKZ

zum Thema:

"Using in situ Grazing Incidence X-Ray Diffraction to unravel the ferroelectric phase transition in anisotropically strained K0.9Na0.1NbO3 / (110) NdScO3 epitaxial layers"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

17.09.18, 14.00 Uhr Kolloquium MSc Christian Riha:
'Quantum transport investigations of low-dimensional electron gases in AlxGa1-xAs/GaAs- and Bi2Se3-based materials'

 

Am Montag, den 17.09.18 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Herr MSc Christian Riha
AG Neue Materialien, HUB


zum Thema:

"Quantum transport investigations of low-dimensional electron gases in
AlxGa1-xAs/GaAs- and Bi2Se3-based materials"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

10.11.17, 13 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Jürgen Schreuer -
'Elasticity - A powerful probe for the exploration of structure/property relationships'

 

Am Freitag, den 10.11.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr. Jürgen Schreuer
AG Kristallphysik, Institut für Geologie, Mineralogie und Geophysik,
Ruhr-Universität Bochum, Deutschland

zum Thema:

"Elasticity - A powerful probe for the exploration

of structure/property relationships"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

13.08.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Dr. h.c. Ullrich Pietsch:
'Probing Structure to property relations of single semiconductor nanowires'

 

Am Montag, den 13.08.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. Dr. h.c. Ullrich Pietsch
Department Physik, Festkörperphysik, Universität Siegen


zum Thema:

"Probing Structure to property relations of single semiconductor nanowires"

 


Abstract:

Semiconductor nanowires, including core-multi-shell nanowire heterostructures, grow in the cubic zincblende and/or the hexagonal wurtzite phases. Due to their different structural properties, these crystal phases can possess different physical properties. Here, we demonstrate the direct correlation between the structural and electrical and optical properties of several single core-multi-shell GaAs/In0.15Ga0.85As/GaAs/AlAs/GaAs nanowires grown by MBE onto pre-patterned 111 Si substrate. Due to alignment of electron beam lithography drilled holes along a single line, it was possible to access individual nanowires and to investigate both properties in as-grown geometry. The structural phase composition of single nanowires was revealed by synchrotron beam assisted X-ray nano-diffraction. The optical and electrical properties of the same NWs were extracted by home lab cathodoluminescence measurements and measuring I-V characteristics by a focussed beam equipment.


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

20. - 22. September 2017: Deutsch-Japanischer Workshop 'Advanced Material Science'

Vom 20. bis 22. September 2017 richtet die Leibniz-Gemeinschaft gemeinsam mit der Japan Science and Technology Agency (JST) am Leibniz-Institut für Polymerforschung Dresden e. V. (IPF) einen binationalen Workshop zum Thema „Advanced Material Science“ aus. Auch das IKZ ist an der Veranstaltung beteiligt: Dr. Tobias Schulz aus der Arbeitsgruppe Elektronenmikroskopie spricht zum Thema “InGaN structure at the atomic scale - correlation to optical properties“

 

Bei der Veranstaltung, die unter der Schirmherrschaft und in Anwesenheit der Präsidenten von Leibniz-Gemeinschaft und JST stattfindet, stellen rund 40 hochrangige Wissenschaftler aktuelle materialwissenschaftliche Forschungsarbeiten zu den Themengebieten Photonik, Polymer- und Nanotechnologie sowie (Nano)Messtechnik vor und loten Potenziale künftiger Kooperationen aus. Neben Direktoren und anderen leitenden Wissenschaftlern aus neun Leibniz-Instituten sowie von japanischer Seite aus sechs Universitäten und einem Industrieunternehmen nehmen am Workshop auch Vertreter von Förderorganisationen beider Seiten teil, um konkrete Unterstützungsmaßnahmen und Fördermöglichkeiten für bilaterale Vorhaben aufzuzeigen.

 

Die JST ist eine der wichtigsten Säulen der Förderung von Forschung und Entwicklung in Japan. Mit rund 900 Millionen EUR pro Jahr zu 95 Prozent staatlich finanziert, zielen die Aktivitäten der JST auf alle Bereiche von Forschung, der Schaffung der Infrastrukturen und Netzwerke dafür bis hin zum Wissenstransfer in Wirtschaft und Gesellschaft.

 

Die Leibniz-Gemeinschaft verbindet 91 selbständige Forschungseinrichtungen in Deutschland. Deren Ausrichtung reicht von den Natur-, Ingenieur- und Umweltwissenschaften über die Wirtschafts-, Raum- und Sozialwissenschaften bis zu den Geisteswissenschaften. Leibniz-Institute bearbeiten gesellschaftlich, ökonomisch und ökologisch relevante Fragestellungen. Aufgrund ihrer gesamtstaatlichen Bedeutung fördern Bund und Länder die Institute der Leibniz-Gemeinschaft gemeinsam. Die Leibniz-Institute beschäftigen rund 18.700 Personen, darunter 9.500 Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler. Der Gesamtetat der Institute liegt bei mehr als 1,8 Milliarden Euro.

 

Workshop-Programm

03.09.18, 14.00 Uhr: Kolloquium - Dr. Frank Zobel:
'Float-Zone Kristalle aus vorgezogenen Vorratsstäben für Anwendungen in der Photovoltaik'

 

Am Montag, den 03.09.18 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Dr. Frank Zobel
Fraunhofer-Center für Silizium Photovoltaik CSP


zum Thema:

"Float-Zone Kristalle aus vorgezogenen Vorratsstäben
für Anwendungen in der Photovoltaik"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

12.03.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Silvana Botti:
'Discovery and characterization of new materials using supercomputers:  crystal structure prediction and theoretical spectroscopy'

 

Am Montag, den 12.03.18, 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr. Silvana Botti
AG Festkörpertheorie, Institut für Festkörpertheorie und Optik (IFTO) der FSU Jena

zum Thema:

"Discovery and characterization of new materials using supercomputers:
crystal structure prediction and theoretical spectroscopy
"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

19.03.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Andreas Danilewsky: 'Diffraction imaging: More than nice pictures'

 

Am Montag, den 19.03.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr. Andreas Danilewsky
Kristallographie, Institut für Geo- und Umweltnaturwissenschaften Albert-Ludwigs-Universität, Freiburg

zum Thema:

"Diffraction imaging: More than nice pictures"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

19.06.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Linus Pithan:
'Enabling tailored molecular thin film growth through in-situ x-ray diffraction'

 

Am Dienstag, den 19.06.18, um 14:00 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Kolloquium


Dr. Linus Pithan

ESRF - The European Synchrotron
Experiments Division, ID03 Beamline, Grenoble


zum Thema:

"Enabling tailored molecular thin film growth through in-situ x-ray diffraction"


Abstract
Applied physical research on soft matter thin films based on small organic molecules has been a vital field in the past decade. Nowadays a significant share of research on organic thin film structures is attributed to new deposition techniques and the quest for additional growth control parameters in order to follow surface-by-design approaches. Besides the choice of the molecular specials employed in the organic thin film its functionality crucially depends on the structural properties which are in turn a result of the employed growth process.
In this talk a novel strategy to fabricate organic thin films with tailored structural properties is presented. More specifically, the impact of dynamic temperature oscillations on structural thin film properties is analysed in depth. These temperature oscillations are employed on the time scales of molecular monolayer growth. X-ray growth oscillation (at the anti-Bragg point) are used to trigger rapid thermal cooling cycles during the nucleation phase of each individual monolayer while growing the organic semiconducting molecule PTCDI-C8. Using in-situ grazing incidence small angle x-ray scattering (GISAXS) the enhanced layer-by-layer growth of the thin film is analyzed in real time. Following the concept of two motilities the island density is strongly increased during nucleation diffusive processes are selectively enhanced at later stages of mono-layer growth. Based on analytical growth models and phase field simulations the interplay between inter-layer transport and the size of molecular islands is analysed to shine light on kinetic processes during growth defining the surface morphology.


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

20.06.18, 14:00 Uhr: Kolloquium -
Kuan-Kan HU: 'Moving direction of grain boundary during directional solidification of mc-Si' &
Lu-Chung CHUANG: 'Interaction between grain boundaries at the crystal/melt interface of mc-Si'

 

Am Mittwoch, den 20.06.18, um 14:00 Uhr
sprechen in einem außerordentlichen Kolloquium


Kuan-Kan HU
Tohoku University Sendai, Japan


zum Thema:

"Moving direction of grain boundary during directional solidification of mc-Si"


Lu-Chung CHUANG
Tohoku University Sendai, Japan


zum Thema:

"Interaction between grain boundaries at the crystal/melt interface of mc-Si"


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

25.06.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Roman Schnabel:
'Gravitational-wave detection and the role of 100kg-sized crystalline-silicon mirrors'

 

Am Montag, den 25.06.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. Roman Schnabel
Institut für Laserphysik und Zentrum für Optische Quantentechnologien, Universität Hamburg


zum Thema:

"Gravitational-wave detection
and the role of 100kg-sized crystalline-silicon mirrors"

 


Abstract:
Heavy high-quality mirrors that are suspended as pendulums are a key ingredient of gravitational-wave (GW) detectors. All GW detectors today use Suprasil 3001 as the mirror substrate material. Future GW detectors will use cryogenically-cooled crystalline mirrors, most likely made from crystalline silicon. The international GW community, which consists of more than a thousand researchers, is highly interested in know-how about minimizing the optical absorption of crystalline silicon bulk and surface between 1.55µm and 2.1µm. We aim for less than a few ppm/cm, and an absorption of superpolished surfaces down to below 1ppm. Solving this challenge will strongly push the realization of the next-generation of GW detectors such as the European Einstein Telescope.


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

14.05.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Stefan Schmult:
'Functional GaN/AlGaN heterostructures grown on bulk GaN by MBE'

 

Am Montag, den 14.05.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Stefan Schmult
TU Dresden, Electrical & Computer Engineering Inst. of Semiconductors and Microsystems,
Nanoelectronics Materials Laboratory (NaMLab)

zum Thema:

"Functional GaN/AlGaN heterostructures grown on bulk GaN by MBE"


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

02.07.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Brice Gautier:
'Nanoscale measurement of the electrical properties of ferroelectric thin films and crystals for the control and the engineering of domains and domain walls'

 

Am Dienstag, den 03.07.18, um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. Brice Gautier
INSA, Lyon


zum Thema:

"Nanoscale measurement of the electrical properties of ferroelectric thin films and crystals for the control and the engineering of domains and domain walls"

 


Abstract:

The goal of the presentation will be to present the research topics and past work from our INL team, in connection with ferroelectric materials, and also perspectives for the future. I will focus on results obtained with Piezoresponse Force Microscopy especially on the influence of water on the electrical properties of thin dielectrics and apparent growth speed of ferroelectric domains. Then I will switch on the limits of the PFM technique and development of new ways to assess ferroelectricity at the nanoscale based on current measurements. Eventually, I will present our projects around the control of ferroelectric domains and conductive domain walls.

Several words about the team :
Francis Calmon and I are the leaders of the "electronic devices" team of the Institute of Nanotechnology of Lyon. The team aims at studying and developing new types of transistors, memories and sensors in close collaboration with people involved in the microelectronics (including industrial partners like STMicroelectronics). My own work focuses on near field microscopies, and more precisely on the electrical measurement at the nanoscale using techniques derived from Atomic Force Microscopy (especially Conductive AFM, Piezoresponse Force Microscopy etc).


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

03.05.18, 13:30 Uhr: Kolloquium - Dr. Amol Choudhary: 'Miniature femtosecond laser sources'

 

Am Donnerstag, den 03.05.18, um 13:30 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Amol Choudhary
ARC DECRA Fellow in the School of Physics University of Sydney

zum Thema:

"Miniature femtosecond laser sources"


Abstract:


The first ever laser consisted of a flash-lamp-pumped ruby rod and was built by T.H. Maiman in 1960 and since then lasers have captured the imagination of many physicists and the general public alike. Lasers can operate in the continuous wave (CW) regime, where the intensity remains constant as a function of time or in the pulsed regime where periodic pulses of light are emitted with durations in the order of femtoseconds (mode-locking) to nanoseconds (Q-switching).

There has been a recent focus on the development of pulsed laser sources with high (> 1 GHz) repetition rates owing to various applications such as non-linear microscopy, optical sampling, optical frequency comb metrology, and in the calibration of astronomical spectrographs (astro-combs). For most of these applications, the available sources are quite bulky, making the setup quite complicated, expensive and prone to instability. There is in general, a need for low-cost, multi-GHz sources which are compact, mass-producible and energy-efficient.
In this talk, I will give a brief overview of the state of the art high-repetition-rate, mode-locked lasers. I will then focus on my research on the development compact lasers based on waveguides, micron-scale structures that can efficiently guide light. I will also outline the importance of material platforms, especially crystals in the realization of such high-performance integrated devices.


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

16.04.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Charlotte Wouters:
'TEM investigations on phase formation in (Ga1-xInx)2O3'

 

Am Montag, den 16.04.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  MSc Charlotte Wouters
IKZ, AG Elektronenmikroskopie

zum Thema:

"TEM investigations on phase formation in (Ga1-xInx)2O3

 


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

27. - 31.05.18: 1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference

 

  9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)  

Venue: Seminaris Seehotel Potsdam, Germany
The reception will be planned in the early evening of Sunday, May 27 and the scientific program will start on Monday, 28 May 2018


Homepage der Konferenz

 

09.04.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Kookrin Char:
'Progress in BaSnO3-based Materials and Devices'

 

Am Montag, den 09.04.18, um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr. Kookrin Char
Institute of Applied Physics, Dept. of Physics and Astronomy, Seoul National University

zum Thema:

"Progress in BaSnO3-based Materials and Devices"


Abstract:
A wide-bandgap perovskite oxide semiconductor BaSnO3 was recently found to possess high mobility and excellent stability. Its single crystal mobility value of about 300 cm2/Vs in the doping range of 1019~1020/cm3, when n-type La dopants in place of Ba are used, is the highest among all the semiconductors. Furthermore, the oxygen diffusion constant in BaSnO3 was measured to be several orders of magnitude lower than other oxides, demonstrating superb stability of the material.
Taking advantage of such properties, excellent field effect transistors were recently demonstrated using amorphous gate oxides (AlOx and HfOx) as well as high-k epitaxial gate oxides such as LaInO3 and BaHfO3, which led to development of an all-perovskite transparent high mobility field effect transistor. In addition, p-type doping by K in place of Ba is feasible and the pn-junctions made with K-doped BaSnO3 and La-doped
BaSnO3 were demonstrated to exhibit near-ideal IV characteristics. Moreover, 2DEG behavior is found at the polar interface of BaSnO3 and LaInO3. We will go over the parameters that control the 2DEG behavior and discuss the mechanism behind such behavior.
In spite of these tremendous progresses, the device performances are currently limited by defects such as threading dislocations. Once all the major defects are removed, the perovskite oxide semiconductor BaSnO3 system, especially when it is combined with other perovskite oxides, is expected to offer much more opportunities for science and technology.


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

05.11.18, 14.00 Uhr Kolloquium Dr. Roger Loo:
'Epitaxial growth schemes for fin and Gate All Around devices'

 

Am Montag, den 05.11.18 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Dr. Roger Loo
Principal Member of Technical Staff at IMEC, Leuven, Belgium


zum Thema:

"Epitaxial growth schemes for fin and Gate All Around devices"

 


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

18.01.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Prof. Dr. Oussama Moutanabbir:
'Isotopically Programmed Group IV Semiconductors: A Versatile Platform for Quantum Technologies'

 

Am Freitag, den 18.01.2019 um 14.00 Uhr

spricht in einem Sonder-Institutskolloquium


Prof. Dr. Oussama Moutanabbir
Polytechnique Montréal, Technological University, Canada


zum Thema:

"Isotopically Programmed Group IV Semiconductors: A Versatile Platform for Quantum Technologies"

 


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

30.09.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Prof. Detlev Grützmacher:
'Modern Epitaxy and Devices for Advanced Information Technology'

 

Am Montag, den 30.09.2019 um 14.00 Uhr

spricht in in unserem Institutskolloquium


Prof. Detlev Grützmacher
Direktor Forschungszentrum Jülich

zum Thema:

"Modern Epitaxy and Devices for Advanced Information Technology"

 


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

18.03.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Dr. Vincenzo Grillo:
'Quantum experiments in electron microscopy'

 

Am Montag, den 18.03.2019 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Dr. Vincenzo Grillo
CNR – NANO (Institute of Nanotechnology), Modena, Italy


zum Thema:

"Quantum experiments in electron microscopy"

 


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

12.06.2019 Ausbildungs-Allianz-Adlershof:

Am Mittwoch, 12.06.2019

findet in der Zeit von 9.30 - 14.00 Uhr die

"Ausbildungs-Allianz-Adlershof 2019"

statt.

9.00 - 10.30 Uhr Messe

Bunsensaal Adlershof

 

11 - 12 Uhr & 13 - 14 Uhr
Unternehmenserkundung am IKZ

Wie Sie sich anmelden können sowie weitere Informationen finden Sie hier.

01.03.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Prof. Dr. Oleg Pronin: 'Femtosecond oscillators based on Yb:YAG, Ho:YAG, Cr: ZnS/Se gain media and broadband infrared generation in LGS, GaSe, ZGP nonlinear crystals'

 

Am Freitag, den 01.03.2019 um 14.00 Uhr

spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium


Prof. Dr. Oleg Pronin
Professur für Lasertechnologie, Helmut-Schmidt-Universität/Universität der Bundeswehr Hamburg


zum Thema:

"Femtosecond oscillators based on Yb:YAG, Ho:YAG, Cr: ZnS/Se gain media
and broadband infrared generation in LGS, GaSe, ZGP nonlinear crystals"

 


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

M.Sc. Leonard von Helden:
'Ferroelectric domains in potassium sodium niobate thin films: impact of epitaxial strain on thermally induced phase transitions'

 

Am Dienstag, den 25.06.2019 um 14.00 Uhr

spricht in in unserem Institutskolloquium


M.Sc. Leonard von Helden
Ferroelektrische Oxidschichten, IKZ


zum Thema:

"Ferroelectric domains in potassium sodium niobate thin films: impact of epitaxial strain on thermally induced phase transitions"

 


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

25.02.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Dr. Daniel Fritsch: 'Self-consistent hybrid functionals:
Implications for structural, electronic, and optical properties of oxide semiconductors'

 

Am Montag, den 25.02.2019 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Dr. Daniel Fritsch
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH


zum Thema:

"Self-consistent hybrid functionals: Implications for structural, electronic,
and optical properties of oxide semiconductors"

 


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

Leonardo Cancellara:
'TEM investigations on AlN/AlGaN structures for UV-emitters'

 

Am Montag, den 15.07.2019 um 14.00 Uhr

spricht in in unserem Institutskolloquium


M.Eng Leonardo Cancellara
Experimental Characterization, IKZ


zum Thema:

"TEM investigations on AlN/AlGaN structures for UV-emitters"

 


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Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

10.09.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Dr. Michael Beck: 'Optical spectroscopy of donor bound excitons and spin relaxation of donor electrons in isotopically enriched silicon'

 

Am Dienstag, den 10.09.2019 um 14.00 Uhr

spricht in in unserem Institutskolloquium


Dr. Michael Beck
Institute for Solid State Physics / Nanostructures Group, Leibniz University of Hannover


zum Thema:

"Optical spectroscopy of donor bound excitons and spin relaxation 

 of donor electrons in isotopically enriched silicon"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

08.11.17, 19 Uhr: Verleihung des Marthe-Vogt-Preises 2017

 

Marthe Vogt Logo kopie

 

Am Mittwoch, den 08.11.2017 um 19:00 Uhr

 

wird der diesjährige

 

"Marthe-Vogt-Preis"

 

verliehen.

 

 


 

Die Verleihung des Marthe-Vogt-Preises ist Teil der Berlin Science Week 2017.

Anmeldung unter: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! | Tel. 030 / 6392-3339

Weitere Informationen erhalten Sie unter:
http://www.fv-berlin.de/nachwuchs/nachwuchswissenschaftlerinnen-preis-1
oder auf der Einladung.


Veranstaltungsort:

Haus der Leibniz-Gemeinschaft,
Chausseestraße 111 (Ecke Invalidenstraße), 10115 Berlin
(U-Bahn-Station Naturkundemuseum)

 

11.02.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Dr. Daniel Rettenwander: 'The interplay of ionic conductivity and
crystal chemistry in ceramic electrolytes for all solid-state batteries'

 

Am Montag, den 11.02.2019 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Dr. Daniel Rettenwander
Institut für Chemische Technologie von Materialien, TU Graz


zum Thema:

"The interplay of ionic conductivity and crystal chemistry
in ceramic electrolytes for all solid-state batteries"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

17.09.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Apl. Prof. Dr. Andreas Klein:
'Fermi level and performance limits of oxides'

 

Am Dienstag, den 17.09.2019 um 14.00 Uhr

spricht in in einem außerordentlichen Institutskolloquium


Apl. Prof. Dr. Andreas Klein
Material- und Geowissenschaften, Fachgebiet Elektronenstruktur von Materialien, TU Darmstadt

zum Thema:

"Fermi level and performance limits of oxides"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof


Abstract
The Fermi energy in semiconductors can often be freely controlled across the whole energy gap by doping. This is not the case in oxides, where different mechanisms exist, which can limit the range of the Fermi energy. These limits can be caused by
i) dopants having deep rather than shallow charge transition levels,
ii) self-compensation where the Fermi energy dependence of the defect formation energy leads to spontaneous formation of compensating defects,
iii) the change of the oxidation state of either the cations or the oxygen.
The latter is particularly relevant for compounds with transition metal or rare earth cations and has been recently demonstrated to explain the low water splitting efficiency of hematite. It will be demonstrated how the limits of the Fermi energy can be assessed using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The variation of the Fermi energy can thereby be achieved either by deposition of thin films on different substrates, by deposition of differently doped films, by different surface treatments including oxygen and vacuum annealing, oxygen plasma treatments and water adsorption, or by formation of interfaces with low and high work function metal oxides. Extensive data sets for various oxides, including dielectric, semiconducting and ionically conducting materials are available. The effects will be illustrated using selected materials and the importance for different applications will be discussed.

16.09.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Prof. Dr. Norbert Esser: 'VUV-Ellipsometry with Synchrotron
Radiation: High-Resolution Broadband Analysis of Wide-Bandgap-Semiconductors'

 

Am Montag, den 16.09.2019 um 14.00 Uhr

spricht in in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. Norbert Esser
Direktor des Forschungsbereichs Grenzflächenanalytik, Leibniz-Institut für Analytische Wissenschaften, (ISAS), Berlin

zum Thema:

"VUV-Ellipsometry with Synchrotron Radiation:
High-Resolution Broadband Analysis of Wide-Bandgap-Semiconductors"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

18.02.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Dr. Markus R. Wagner:
'Excitions, phonons, and thermal transport in gallium oxide polymorphs'

 

Am Montag, den 18.02.2019 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Dr. Markus R. Wagner
Collaborative Research Center 787 "Semiconductor Nanophotonics", Institute of Solid State Physics, TU Berlin


zum Thema:

"Excitions, phonons, and thermal transport in Ga2O3 polymorphs"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

09.06.18 / 17:00 - 24:00 Uhr: Lange Nacht der Wissenschaften

 

  Lange Nacht der Wissenschaften am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung  

Kristalle sind das (versteckte) Herzstück fast aller technischen Lösungen, die uns in unserem Alltag begegnen. Sie bilden die Grundlage der modernen Beleuchtung, sind für die Computertechnik und die Datenübertragung unentbehrlich, sie ermöglichen die Erzeugung und Speicherung von Energie. Für Spezialanwendungen werden Kristalle mit genau bestimmten Eigenschaften benötigt, zum Beispiel für die Detektion von Strahlung im Weltall oder die Neudefinition des Kilogramm-Maßstabs. Wir zeigen ihre Entwicklung, Charakterisierung und Bearbeitung sowie die entsprechenden Herstellungstechnologien.


Homepage Lange Nacht der Wissenschaften

Download Programm-PDF

 

28.03.19: Girls'Day! Das IKZ öffnet seine Türen für den diesjährigen Girls'Day

 

  Faszination Kristalle  

Fazination kristalle


Tauche ein in die Wunderwelt der Kristalle und lerne wie sie dich in deinem alltäglichen Leben begleiten.

Du bist zwischen 10 und 14 Jahren alt und möchtest z.B. gerne wissen woraus Dein Handy besteht?

Dann verbringe mit uns einen Tag am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung!


Nach einer kurzen Einführung darüber, was wir machen und wo Kristalle überall zum Einsatz kommen werden unsere jungen Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler dir erklären, was Eisbären und Solarzellen gemeinsam haben. Im Anschluss hast du die Möglichkeit hautnah zu erleben, wie Kristalle gezüchtet werden und wirst auch selbst diese in kleinen Experimenten züchten und unter dem Mikroskop anschauen. Begleitet wird der Tag mit einem kleinen Quiz. Der Sieger erhält von uns einen echten Kristall.



Angebotsdauer
10:00 Uhr bis 14:00 Uhr

Platzangebot
Plätze insgesamt: 10
Anzahl der freien Plätze auf der Gils`Day-Website einsehbar

Anmeldung
Bei diesem Angebot musst du dich hier online anmelden.

 
Ansprechpartnerin
Frau Stefanie Grüber
Presse- und Öffentlichkeitsarbeit
Telefon: 030.6392 3263
E-Mail: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!

 

23.09.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Prof. Dr. Stefanie Kroker: 'Crystalline bulk materials and
meta-surfaces for high-precision experiments – status, prospects and challenges'

 

Am Montag, den 23.09.2019 um 14.00 Uhr

spricht in in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. Stefanie Kroker
LENA Laboratory for Emerging Nanometrology, TU Braunschweig and PTB Braunschweig

zum Thema:

"Crystalline bulk materials and meta-surfaces for high-precision experiments –
status, prospects and challenges"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

15.03.18, 11:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Hugo Schlich: 'Kristallzüchtung bei MaTecK'

 

Am Donnerstag, den 15.03.18, um 11:00 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium

  Dr. Hugo Schlich
Fa. MaTecK (Material-Technologie & Kristalle GmbH)

zum Thema:

"Kristallzüchtung bei MaTecK"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

18.05.18, 14:30 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Winicjusz Drozdowski:
'Advanced Techniques in Research on Scintillator Materials'

 

Am Freitag, den 18.05.18, um 14:30 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Kolloquium

  Prof. Dr. Winicjusz Drozdowski
Scintillator and Phosphor Materials Spectroscopy Group Optoelectronics,
Institute of Physics Nicolaus Copernicus University, Torun, Poland

zum Thema:

"Advanced Techniques in Research on Scintillator Materials"


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

12.03.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Dr. Ausrine Bartasyte:
'Lithium niobate thin films for next generation acoustic filter applications'

 

Am Dienstag, den 12.03.2019 um 14.00 Uhr

spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium


Dr. Ausrine Bartasyte
Universitè de Franche-Comté, Institut-FEMTO-ST


zum Thema:

"LiNbO3 thin films for next generation acoustic filter applications"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

15.10.18, 14.00 Uhr Kolloquium Prof. Dr. André Strittmatter:
'Epitaxy of III/V-Semiconductors at Otto-von-Guericke Universität Magdeburg'

 

Am Montag, den 15.10.18 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. André Strittmatter
Abteilung Halbleiterepitaxie
Institut für Experimentelle Physik, Universität Magdeburg


zum Thema:

"Epitaxy of III/V-Semiconductors at Otto-von-Guericke Universität Magdeburg"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

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22. - 25.04.18: International Conference on UV LED Technologies & Applications (ICULTA-2018)

 

  Welcome to the International Conference on UV LED Technologies & Applications 
  (ICULTA-2018)  

It is all about UV LEDs – the variety of their structures, manufacturing technologies, applications, trends, and novel developments. The International Conference ‘UV LED Technologies & Applications’ (ICULTA-2018) brings together experts from science and industry to crosslink and to discuss the related issues. The conference will be held from April 22 to 25, 2018 at the MELIÃ Hotel in Berlin, Germany.


Homepage der Konferenz

07.10.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Dr. Vincent Frantello:
'Congruently Melting Perovskite Solid Solutions'

 

Am Montag, den 07.10.2019 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Dr. Vincent Frantello
Director of Materials Research, Quest Integrated, LLC, Kent, Washington, USA

zum Thema:

"Congruently Melting Perovskite Solid Solutions"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

Congruently Melting Perovskite Solid Solutions

03.03.17, 13 Uhr: Kolloquim - Stefan Kayser - 'Modelling of Lateral-Photovoltage-Sannning Method'

Freitag, den 03.03.2017 um 13:00 Uhr spricht in unserem Institutskolloquium

MSc Phys Stefan Kayser
IKZ, AG Si/Ge

 

zum Thema: "Modelling of Lateral-Photovoltage-Sannning Method"

 

Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

15.01.18, 14:00 Uhr: Kolloquium - Dr. Neil Curson: 'Fabrication and characterisation of nanoscale donor devices towards silicon quantum information processing'

 

Am Montag, den 15.01.18 um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Neil Curson
London Centre for Nanotechnology,
and Dept. Electronic & Electrical Engineering, University College London

zum Thema:

"Fabrication and characterisation of nanoscale donor devices towards
silicon quantum information processing"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

Dr. Jens Martin:
'Layer Transfer: A Technology for Novel 2D-Hetero-Structures'

 

Am Montag, den 24.06.2019 um 14.00 Uhr

spricht in in unserem Institutskolloquium


Dr. Jens Martin
Physikalische Charakerisierung, IKZ


zum Thema:

"Layer Transfer: A Technology for Novel 2D-Hetero-Structures"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

28.01.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Prof. Dr. Thomas Mikolajick:
'Ferroelectricity in Hafnium Oxide: Basics and Applications'

 

Am Montag, den 28.01.2019 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. Thomas Mikolajick
Technische Universität Dresden, Institut für Halbleiter- und Mikrosystemtechnik; NaMLab gGmbH


zum Thema:

"Ferroelectricity in Hafnium Oxide: Basics and Applications"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

16.10.18, 14.00 Uhr Kolloquium Dr.-Ing. Nazmul Islam:
'Single crystal growth of some complex oxides in an optical floating zone machine'

 

Am Dienstag, den 16.10.18 um 14.00 Uhr

spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium


Dr.-Ing. Nazmul Islam
Head of the Crystal Growth Laboratory
Department of Quantum Phenomena in Novel Materials
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie


zum Thema:

"Single crystal growth of some complex oxides in an optical floating zone machine"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

01.04.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Prof. Dr. Bernd Witzigmann:
'Carrier Injection Efficiency and Impurity Modelling in III-nitride LEDs'

 

Am Montag, den 01.04.2019 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. Bernd Witzigmann
Universität Kassel, FB Elektrotechnik / Informatik, Computational Electronics and Photonics


zum Thema:

"Carrier Injection Efficiency and Impurity Modelling in III-nitride LEDs"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

19.02.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Prof. Dr. Andreas Stierle:
'Atomic structure of oxide surfaces and ultrathin oxide films'

 

Am Dienstag, den 19.02.2019 um 14.00 Uhr

spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium


Prof. Dr. Andreas Stierle
FS-NL DESY Nanolabor, X-Strahl-Physik und Nanowissenschaft,
Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY und Physik, Universität Hamburg


zum Thema:

"Atomic structure of oxide surfaces and ultrathin oxide films"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

26.04.18: Girls'Day! Das IKZ öffnet seine Türen für den diesjährigen Girls'Day

 

  Faszination Kristalle  

Tauche ein in die Wunderwelt der Kristalle und lerne wie sie dich in deinem alltäglichen Leben begleiten.

 

Du bist zwischen 10 und 14 Jahren alt und möchtest z.B. gerne wissen woraus Dein Handy besteht?


Dann verbringe mit uns einen Tag am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung!


Nach einer kurzen Einführung darüber, was wir machen und wo Kristalle überall zum Einsatz kommen werden unsere jungen Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler dir erklären, was Eisbären und Solarzellen gemeinsam haben. Im Anschluss hast du die Möglichkeit hautnah zu erleben, wie Kristalle gezüchtet werden und wirst auch selbst diese in kleinen Experimenten züchten und unter dem Mikroskop anschauen. Begleitet wird der Tag mit einem kleinen Quiz. Der Sieger erhält von uns einen echten Kristall.



Angebotsdauer
10:00 Uhr bis 14:00 Uhr

Platzangebot
Plätze insgesamt: 8
Anzahl der freien Plätze auf der Gils`Day-Website einsehbar

Anmeldung
Bei diesem Angebot musst du dich hier online anmelden.

 
Ansprechpartnerin
Frau Stefanie Grüber
Presse- und Öffentlichkeitsarbeit
Telefon: 030.6392 3263
E-Mail: Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!

 

13.10.17, 14 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr. Sven Rogge - 'Engineered quantum matter'

 

Am Freitag, den 13.10.2017 um 14:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr. Sven Rogge
School of Physics, ARC Centre for Quantum Computation and Communication Technology,
University of New South Wales, Sydney, Australia

zum Thema:

"Engineered quantum matter"

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

10.09.18, 14.00 Uhr Kolloquium Prof. Dr. Jan Ingo Flege:
'In situ microscopy of oxide growth and transformation in reactive environments'

 

Am Montag, den 10.09.18 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. Jan Ingo Flege
Chair Applied Physics and Semiconductor Spectroscopy BTU Cottbus-Senftenberg


zum Thema:

"In situ microscopy of oxide growth and transformation in reactive environments"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

05.05.17, 13 Uhr: Kolloquium - MSc Frederik Steib - 'Pulsed Sputter Deposition of group-III nitrides'

 

Am Freitag, den 05.05.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  MSc Frederik Steib
TU Braunschweig, Institut für Halbleitertechnik

zum Thema:

       "Pulsed Sputter Deposition of group-III nitrides"      

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

09.06.17, 13 Uhr: Kolloquium - Dr. Yuansu Luo - 'Thermophysical properties of SiGe-melt measured under microgravity conditions'

 

Am Freitag, den 09.06.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Yuansu Luo
I. Physikalisches Institut, Uni Göttingen

zum Thema:

       "Thermophysical properties of SiGe-melt       
       measured under microgravity conditions"      

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

07.04.17, 13 Uhr: Kolloquium - Dr. Joseph Janicsko - 'GERDA Phase II, from the concept to first results

 

Freitag, den 07.04.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

Dr. Joseph Janicsko
TU München E15, Chair for Experimental Physics and Astroparticle Physicszum

zum Thema:

       "GERDA Phase II - from the concept to the first results"      

 


Abstract
The GERmanium Detector Array (GERDA) experiment, located at the Gran Sasso underground laboratory in Italy, is built for the search of neutrinoless double beta decay in Ge-76. GERDA operates bare high purity germanium detectors submersed in liquid Argon (LAr).
Phase I of the experiment was successfully completed reaching an exposure of about 21 kg yr with the best background level in the field (if normalized to region of interest) of 10exp-2 counts/ (keV kg yr). GERDA Phase I set a limit on the neutrinoless doublel beta decay of Ge-76 of 2.1 x 10exp25 yr.

In Phase II of the experiment 35.6 kg of enriched germanium detectors are operated. The application of active background rejection methods, such as a liquid argon scintillation light read-out and pulse shape discrimination of germanium detector signals, allowed to reduce the background index to the intended level of 10exp-3 counts/(keV kg yr).

I will report about the hardware upgrades that were done for Phase II, the production of 30 new Germanium detectors and the installation of the LAr veto. Finally, I will give the results of the first five month of Phase II data taking with 10.8 kg yr of exposure.


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

Dr. Humberto Foronda:
'Achieving Grain Free (11-22) AlGaN/AlN surfaces on m-plane sapphire'

 

Am Montag, den 20.05.2019 um 14.00 Uhr

spricht in in unserem Institutskolloquium


Dr. Humberto Foronda
Alexander von Humboldt Fellow at TUB and IKZ


zum Thema:

"Achieving Grain Free (11-22) AlGaN/AlN surfaces on m-plane sapphire"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

31.01.17, 13 Uhr: Dissertationsverteidigung  - M.Sc. Dirk Johannes Kok -
'Influence of the growth conditions on the optical properties of  Strontium Titanate'

Dissertationsverteidigung

 

Herr M.Sc. Dirk Johannes Kok

Thema: „Influence of the growth conditions on the optical properties of SrTiO3

 

Dienstag, 31. Januar 2017 um 13:00 Uhr

 

Humboldt-Universität zu Berlin - Institut für Physik

Newtonstr. 14, Raum 0´05 im Lehrraumgebäude

12489 Berlin-Adlershof

 

Alle Interessenten sind herzlich eingeladen.

21.05.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Dr. Janis Virbulis:
'Modelling of silicon crystal growth'

 

Am Dienstag, den 21.05.2019 um 14.00 Uhr

spricht in in einem außerordentlichen Institutskolloquium


Dr. Janis Virbulis
Laboratory for Mathematical Modelling of Environmental and Technological Processes, University of Latvia, Riga


zum Thema:

"Modelling of silicon crystal growth"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

27. + 28.April 2017: Kick-off and laser materials meeting (ZLM)

briefkopf zlm blau


kick-off and laser materials meeting

on the occasion of the founding of the Zentrum für Lasermaterialien (ZLM)


taking place on
April 27th and 28th 2017
at the Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) in Berlin.


Workshop Schedule (Further details and updates regarding the program you find here)

Zentrum für Lasermaterialien / Center for Laser Materials (web presence)

 

As of March 1st 2017 Dr. Christian Kränkel will head the new Zentrum für Lasermaterialien - Kristalle (Center for Laser Materials - Crystals, ZLM-K) located at the Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ).

The initiating project funded by the BMBF (project supervised by VDI) will be in close collaboration with the Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) in Berlin, where the Zentrum für Lasermaterialien - Halbleiter (Center for Laser Materials - Semiconductors, ZLM-H) will be installed.

The ZLM-K will be equipped to characterize and qualify laser crystals and other optical materials with respect to laser applications. Besides research on new materials, another important aspect of the ZLM will be the supply and qualification of optical materials as a service job for research groups and industrial users.

To promote the ZLM in the community and to solicit input for future activities of the ZLM, we will hold a two-day ZLM kick-off and laser materials meeting at the IKZ in Berlin on April 27th and 28th.

During this meeting we will introduce the ZLM and demonstrate its abilities. Renowned experts from research and industry will provide lectures on the state-of-the art of German laser research. Also, lab-tours are offered at the IKZ and the FBH and there will be enough time to discuss and exchange with the other participants.

Participating in the workshop is free, but we would request an informal registration via e-mail to Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein! before April 3rd.

 

10.02.17, 13 Uhr: Kolloquim - Dr.-Ing. Björn Hinze - 'Einkristalle in der Luftfahrt'

Freitag, den 10.02.2017 um 13:00 Uhr spricht in unserem Institutskolloquium

Dr.-Ing. Björn Hinze
Materials and Manufacturing Capability Acquisition
(ET-M3) Rolls-Royce, Deutschland

 

zum Thema: "Einkristalle in der Luftfahrt"

 

Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

03.06.19, 14.00 Uhr Kolloquium - Prof. Dr. Alois Lugstein:
'Synthesis and applications of quasi 1D metal-semiconductor nanowire heterostructures'

 

Am Montag, den 03.06.2019 um 14.00 Uhr

spricht in unserem Institutskolloquium


Prof. Dr. Alois Lugstein
Zentrum für Mikro- und Nanostrukturen, TU Wien


zum Thema:

"Zentrum für Mikro- und Nanostrukturen, TU Wien"

 


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Gebäude 19.31

Max-Born-Str. 2

D-12489 Berlin-Adlershof

 

24.02.17, 13 Uhr: Kolloquim - Dr. Vladimir Roddatis -
'Environmental Transmission Electron Microscopy of CaxPryMnO3 Perovskites'

Freitag, den 24.02.2017 um 13:00 Uhr spricht in unserem Institutskolloquium

Dr. Vladimir Roddatis
Institut für Materialphysik Universität Göttingen

 

zum Thema: "Environmental Transmission Electron Microscopy of CaxPryMnO3 Perovskites"

 

Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

Vortrag 'Impact of sodium excess on electric and structural properties of (...) thin films'

Am kommenden Donnerstag, den 17.11.16, 15:00 Uhr
hält im Seminarraum 316 in einem außerordentlichen internen Institutskolloquium
Herr Christoph Feldt einen Abschlussvortrag zu seiner Masterarbeit zum Thema:

“Impact of sodium excess on electric and structural properties of compressively strained NaNbO3 thin films”

Wie immer wird um rege Teilnahme gebeten.

18.08.17, 13 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr.-Ing. Ulf Schümann - 'Die Herausforderungen des Packaging von Wide-Bandgap Halbleitern und deren Einsatz in leistungselektronischen Schaltungen'

 

Am Freitag, den 18.08.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr.-Ing. Ulf Schümann
Institut für Elektrische Energietechnik
Fachbereich Informatik und Elektrotechnik der FH Kiel – Hochschule für angewandte Wissenschaften

zum Thema:

"Die Herausforderungen des Packaging von
Wide-Bandgap Halbleitern und deren Einsatz in
leistungselektronischen Schaltungen
"

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

04.08.17, 13 Uhr: Kolloquium - MSc Mariia Anikeeva - 'Optical and structural properties of In0.25Ga0.75N/GaN short-period superlattices'

 

Am Freitag, den 04.08.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  MSc Mariia Anikeeva
AG Elektronenmikroskopie, IKZ

zum Thema:

           "Optical and structural properties of          
 In0.25Ga0.75N/GaN short-period superlattices" 

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

17.07.17, 14 Uhr: Kolloquium - Dr. Hans Boschker - 'A two-dimensional interface superconductor with unconvential gap behaviour and in-gap states'

 

Am Montag, den 17.07.2017 um 14:00 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium

  Dr. Hans Boschker
Max Planck Institute für Festkörperforschung AG Festkörper-Quantenelektronik (Prof. Mannhart)

zum Thema:

       "A two-dimensional interface superconductor      
 with unconvential gap behaviour and in-gap states" 

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

16.06.17, 13 Uhr: Kolloquium - Dr. Dmitri V. Berkov -
'Multiscaling dislocation modelling and calculation of dislocation-induced stress'

 

Am Freitag, den 16.06.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  PD Dr. Dmitri V. Berkov
Research Director
General Numerics Research Lab e.V., Jena

zum Thema:

                "Multiscaling dislocation modelling               
       and calculation of dislocation-induced stress"      

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

09.06.17, 13 Uhr: Kolloquium - Dr. Jos Boschker -
'Growth of 2D materials: From fundamentals to nanoscale applications'

 

Am Freitag, den 02.06.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Dr. Jos Boschker
AG Ferroelektrische Oxidschichten

zum Thema:

       "TGrowth of 2D materials: From fundamentals to nanoscale applications"      

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

21.04.17, 13 Uhr: Kolloquium - Prof. Dr.-Ing. Jostein Grepstad -
'Controlling topological spin textures in epitaxial oxide thin film micromagnets'

 

Freitag, den 07.04.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Dr.-Ing. Jostein Grepstad
Norwegian University of Science and Technology (NTNU), Trondheim, Dept. of Electronics and Telecommunications,
Nanoelectronics and Photonics research group

zum Thema:

          Controlling topological spin textures          
      in epitaxial oxide thin film micromagnets      

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

23.06.17, 13 Uhr: Kolloquium - Leonhard von Helden - 'Ferroelectric Domains in Strained K0.7Na0.3NbO3 Thin Films for Surface Acoustic Wave Propagation'

 

Am Freitag, den 23.06.2017 um 13:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Leonhard von Helden
AG Ferroelektrische Oxidschichten

zum Thema:

       "Ferroelectric Domains in Strained K0.7Na0.3NbO3 Thin Films       
       for Surface Acoustic Wave Propagation"      

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

25.08.17, 13 Uhr: Kolloquium - Prof. Liang Wu - 'Novel Approach to Spontaneously Grow High-quality Freestanding AlN Single Crystals on Pre-sintered AlN Powder Source by PVT Method'

 

Am Freitag, den 25.08.2017 um 11:00 Uhr
spricht in unserem Institutskolloquium

  Prof. Liang Wu
School of Materials and Science Engineering, Shanghai University, China

zum Thema:

"Novel Approach to Spontaneously Grow High-quality
Freestanding AlN Single Crystals on Pre-sintered AlN Powder Source
by PVT Method
"

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

23.02.17, 13 Uhr: Kolloquim - Diana Karsch & Sven Jachalke -
'Charakterisierung und Anwendung pyroelektrischer Materialien'

Am Freitag, den 03.02.17 um 13:00 Uhr sprechen in unserem Institutskolloquium

M.Sc. Diana Karsch und Sven Jachalke

vom Institut für exp. Physik der TU Bergakademie Freiberg
AG Verbindungshalbleiter und Festkörperspektroskopie

 

zum Thema: "Charakterisierung und Anwendung pyroelektrischer Materialien"

 

Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

05.07.17, 13 Uhr: Kolloquium - Prof. Zuo-Guang Ye - 'Morphotropic Phase Boundary
and Structure-Property Relations in High-Performance Piezo-/ferroelectrics'

 

Am Mittwoch, den 05.07.2017 um 13:00 Uhr
spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium

  Prof. Zuo-Guang Ye
Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia, Canada

zum Thema:

       "Morphotropic Phase Boundary and Structure-Property Relations       
                            in High-Performance Piezo-/ferroelectrics"                           

 


Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

25.01.17, 14 Uhr: Kolloquim - Dr. Catherine Dubourdieu - 'Epitaxial complex oxides heterostructures'

Am Mittwoch, den 25.01.17 um 14:00 Uhr

 

spricht in einem außerordentlichen Institutskolloquium

Dr. Catherine Dubourdieu

Direktorin des Instituts Funktionale Oxide für die energieeffiziente IT, HZB-Berlin

 

zum Thema: "Epitaxial complex oxides heterostructures"

 

Es wird um rege Teilnahme gebeten.

Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

16.01 - 20.01.2017: Präsentationen der Bewerber für die Direktorenstelle am IKZ

Presentations for the position of Director of IKZ with associated Professorship at HU Berlin

 

Monday, 16th Jan 2017

09.00    Prof. Dr. Thomas Hannappel, TU Ilmenau

12.30    Prof. Dr. Markus Pollnau, KTH Royal Institute of Technology


Location:    IKZ, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin-Adlershof – Room 316

 


Friday, 20th Jan 2017

09.00    Prof. Dr. Thomas Schröder, IHP – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

12.00    Dr. Dirk Ehrentraut, Soraa Inc., California

 

Location:     Max-Born-Saal, Max-Born-Str. 2a, 12489 Berlin-Adlershof

02.07 - 06.07 2017: 7th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-7)

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) veranstaltet vom 2. - 6. Juli 2017 den

7th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-7)

weitere Informationen

Wachstum & Charakterisierung von Silizium aus Zinn - Lösungen für die Photovoltaik

Christian Ehlers
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
Mittwoch, 11. Mai 2016, 14:00
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
Max-Born-Str. 2
Geb. 19.31, Raum 316

Kolloquium Materialherstellung für CIGSe-Mikrokonzentrator-Solarzellen

Katharina Ehlers
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
AG HL-Mikrokristalle
Freitag, 15. Juli 2016, 13:00
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
Max-Born-Str. 2
Geb. 19.31, Raum 316

Kolloquium Nitridation & Polarity Control During MOVPE Growth of Group-III Nitrides on Sapphire Substrates

Natalia Stolyarchuk
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
Freitag, 27. Mai 2016, 13:00 Uhr
Leibniz- Institut für Kristallzüchtung
Max-Born-Str. 2
Geb. 19.31, Raum 316 

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