August/17 Stellenangebot: Postdoc/ wiss. Mitarbeiter:  'Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden oxidischen epitaktischen Schichten'

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine der führenden Einrichtungen auf dem Gebiet des Wachstums und der Züchtung von kristallinen Festkörpern. Diese spielen u.a. in der Photovoltaik, der Mikro-, Opto- und Leistungselektronik, der Sensorik, Optik und Lasertechnik eine grundlegende Rolle. Die Forschungsthemen reichen dabei von der Grundlagenforschung bis hin zu industriell einsetzbaren Züchtungsverfahren.
Das IKZ wird rechtlich vertreten durch den  Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

 

Für das Thema:

"Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden oxidischen
epitaktischen Schichten"


Suchen wir ab November 2017 in der Arbeitsgruppe Halbleitende Oxidschichten eine/einen

 

Postdoc/ wiss. Mitarbeiter

 

Die Arbeitsaufgabe ist Bestandteil eines Projektes zur Erforschung und Herstellung von transpa-renten halbleitenden Oxiden als Basismaterial für eine neue Generation von elektronischen Bau-elementen in der Leistungselektronik. Sie besteht in der Herstellung und Charakterisierung von halbleitenden Oxidschichten mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MO-VPE).

Ziel ist es, zu einem grundlegenden Verständnis des Zusammenhanges zwischen den Substratei-genschaften, den Abscheidebedingungen bei der MO-VPE und den strukturellen, optischen und elektronischen Eigenschaften von homo- und heteroepitaktischen Schichtstrukturen zu kommen. Die Ergebnisse sollen bei der Realisierung neuartiger mikroelektronischer Bauelemente genutzt werden.

Voraussetzung ist ein Studium der Physik, der Werkstoffwissenschaften, der Chemie oder eines verwandten Studienganges und eine abgeschlossene Promotion in diesem Fachgebiet. Neben ei-nem soliden physikalischen bzw. chemischen Grundlagenwissen werden experimentelles Ge-schick, eine ausgeprägte Bereitschaft zur Teamarbeit und gute Kenntnisse der englischen Sprache erwartet. Erfahrungen in der Herstellung von Epitaxieschichten und der Charakterisierung von strukturellen und elektrischen Materialeigenschaften sind erwünscht.

 

Fachliche Auskünfte:
Dr. Günter Wagner
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+49 30 6392-2846

 

Die Stelle ist zu nächst für 3 Jahre befristet und wird nach dem öffentlichen Tarifrecht TVöD vergü-tet. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung strebt die Erhöhung des Frauenanteils an. Bewerbungen von Frauen sind daher ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie.

 

Ihre Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 06.Oktober 2017 unter Angabe der Kennziffer 08/17 an:

Birgit Ruthenberg
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+49 30 6392-3002
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung,
Max-Born-Straße 2,
D-12489 Berlin, Germany

 

Please submit your application with reference to the job number K12/16 including the usual documents by January 10, 2017, to: 

Birgit Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 
Max-Born-Straße 2, 
D-12489 Berlin, Germany

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

Bewerbungsunterlagen:
Bitte bis zum 02.01.2017 unter Angabe der Kennziffer 10/16 an:

Frau Ruthenberg
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!
Tel.:+49 30 6392-3002 
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung 
Max-Born-Straße 2 
12489 Berlin

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