20.06.18, 14:00 Uhr: Kolloquium -
Kuan-Kan HU: 'Moving direction of grain boundary during directional solidification of mc-Si' &
Lu-Chung CHUANG: 'Interaction between grain boundaries at the crystal/melt interface of mc-Si'

 

Am Mittwoch, den 20.06.18, um 14:00 Uhr
sprechen in einem außerordentlichen Kolloquium


Kuan-Kan HU
Tohoku University Sendai, Japan


zum Thema:

"Moving direction of grain boundary during directional solidification of mc-Si"


Lu-Chung CHUANG
Tohoku University Sendai, Japan


zum Thema:

"Interaction between grain boundaries at the crystal/melt interface of mc-Si"


Gäste sind herzlich willkommen.

 

Veranstaltungsort:

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Raum 316, Geb. 19.31,

Max-Born-Str. 2

12489 Berlin-Adlershof

 

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