Arbeitsgruppe Oxide & Fluoride - Überblick

Den Aufgabenschwerpunkt dieser Gruppe bilden Untersuchungen zur Schmelzzüchtung von Volumenkristallen mit Durchmessern bis zu zwei Zoll und von einkristallinen Fasern mit Durchmessern um 1 mm. Die Forschungsaktivitäten der Arbeitsgruppe Oxide & Fluoride fokussieren sich vorwiegend auf die Bereiche transparente halbleitende Oxide, Hochtemperatur-Piezomaterialien und Perowskite.

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Transparente halbleitende Oxide

Transparente halbleitende Oxide (TSO) stellen eine neue Klasse von breitlückigen Halbleitern mit einem großen Spektrum von Anwendungen in der Elektronik, Optoelektronik, Sensorik, Sicherheit und Umweltkontrolle dar. Ihre große thermische Instabilität, oft schon weit unterhalb der Schmelztemperatur beginnend, erforderten z.T. völlig neue Ansätze und Methoden für ihre Züchtung als Einkristall. So gelang es der Gruppe – in einigen Fällen weltweit erstmalig - folgende Volumenkristalle zu züchten: β-Ga2O3, In2O3, SnO2, MgGa2O4, BaSnO3 und InGaZnO4. Die Verfügbarkeit dieser Volumenkristalle und die Untersuchung ihrer Volumen- und Oberflächeneigenschaften eröffnen viele Möglichkeiten für die Entwicklung von Devices mit völlig neuen Funktionalitäten.

Die Arbeiten der Gruppe auf diesem Gebiet initiierten bisher über 20 nationale und internationale Kooperationen. Sie sind außerdem wesentlicher Teil des jüngsten Leibniz Science Campus GraFOx.


Hochtemperatur-Piezomaterialien

Piezoelektrische Bauelemente weisen bei hohen Temperaturen ein weit reichendes Anwendungspotential auf. Beispielsweise bietet die Masseempfindlichkeit resonanter Sensoren Möglichkeiten zur Sensorik von Gasen bzw. Rußpartikeln und unterstützt damit die Effizienzsteigerung und Umweltverträglichkeit von Energiewandlungsprozessen. Mit Aktuatoren wiederum lässt sich Ultraschall zur In-situ-Überwachung von Bauteilen erzeugen. Eine zentrale Fragestellung für die Entwicklung von Bauelementen stellen die Untersuchung, das Verständnis und die Minimierung von Verlusten in piezoelektrischen Kristallen dar.

Unsere eigenen Aktivitäten in diesem Bereich konzentrieren sich auf Kristalle vom Strukturtyp des Langasits (La3Ga5SiO4). Gemeinsam mit unseren Partnern untersuchen wir Struktur-Eigenschafts-Beziehungen und schaffen somit eine wichtige Voraussetzung für die Entwicklung neuer Sensoren und Aktuatoren.

Perowskite

Die Oxidkristalle aus der Strukturfamilie der Perowskite weisen eine unerreichte Vielfalt an Materialeigenschaften auf. So decken sie das gesamte Spektrum an elektronischen Eigenschaften ab. Sie können sowohl isolierend, als auch halbleitend und sogar supraleitend sein. Zu dieser Familie gehören desweiteren Kristalle, die magnetisch oder ferroelektrisch sind oder beide Eigenschaften in sich vereinen. Eine besonders große Herausforderung besteht darin, diese Materialien in geeigneter Perfektion herzustellen um ihre ausgezeichneten Eigenschaften uneingeschränkt nutzbar machen zu können. In der Regel werden diese Devices mit epitaktischen Schichten realisiert. Die hohen Forderungen nach struktureller Perfektion gelten deshalb zuerst natürlich für die Substratkristalle dieser Schichten.

Fast alle bekannten oxidischen Perowskitsubstratkristalle mit einer (pseudokubischen) Gitterkonstante bis zu 3,90 Å werden in dieser Gruppe gezüchtet. Für das seit Jahrzehnten bekannte SrTiO3 (3,90 Å) wurde im Rahmen eines SAW-Projektes eine neue Züchtungstechnologie entwickelt. Sie ermöglichte einen Qualitätssprung, der dieses Material jetzt auch für moderne Anwendungen interessant macht. Erst eine gemeinsame Entwicklung mit der Cornell University/USA und dem FZ Jülich machte Perowskitsubstrate oberhalb von 3,90 Å zugänglich: die Seltenerdscandate (SEScO3 mit SE=Dy-Pr), deren Gitterkonstanten zwischen 3,94 und 4,02 Å liegen. Diese Kristalle werden bis heute ausschließlich am IKZ gezüchtet. Jüngste eigene Entwicklungen beinhalten die erstmalige Züchtung von perowskitischen Substraten für den Bereich zwischen 4,02 und 4,18 Å.

Schlüsselpublikationen

D. G. Schlom, L. Q. Chen, C. J. Fennie, V. Gopalan, D. A. Muller, X. Pan, R. Ramesh, R. Uecker
Elastic Strain Engineering of Ferroic Oxides.
MRS BULLETIN 39 (2014) 118 - 130
doi:10.1557/mrs.2014.1

R. Uecker, B. Velickov, D. Klimm, R. Bertram, M. Bernhagen, M. Rabe, M. Albrecht, R. Fornari, D. G.
Schlom
Properties of Rare-Earth Scandate Single Crystals (Re = Nd-Dy).
J CRYST GROWTH 310 (2008) 2649-2658
doi:10.1016/j.jcrysgro.2008.01.019

J. H. Haeni, P. Irvin, W. Chang, R. Uecker, P. Reiche, Y. L. Li, S. Choudhury, M. E. Hawley, B. Craigo,
A. K. Tagantsev, X. Q. Pan, S. K. Steiffer, L. Q. Chen, S. Kirchoefer, J. Levy, D. G. Schlom
Room-Temperature Ferroelectricity in Strained SrTiO3.
NATURE 430 (2004) 758 - 761
doi:10.1038/nature02773

Z. Galazka, D. Klimm, K. Irmscher, R. Uecker, M. Pietsch, R. Bertram, M. Naumann, A. Kwasniewski, R. Schewski, M. Bickermann
MgGa2O4 as a New Wide Bandgap Transparent Semiconducting Oxide - Growth and Properties of Bulk Single Crystals. 
PHYS Status Solidi A 212 (2015) 1455 - 1460
doi:10.1002/pssa.201431835

C. Guguschev, Z. Galazka , D. J. Kok , U. Juda , A. Kwasniewski, R. Uecker
Growth of SrTiO3 Bulk Single Crystals Using Edge-Defined Film-Fed Growth and the Czochralski Methods. 
CRYSTENGCOMM 17 (2015) 4662 - 4668
doi: 10.1039/C5CE00798D

C. Guguschev, D. J. Kok, Z. Galazka , D. Klimm , R. Uecker , R. Bertram , M. Naumann , U. Juda , A. Kwasniewski, M. Bickermann
Influence of Oxygen Partial Pressure on SrTiO3 Bulk Crystal Growth from Non-Stoichiometric Melts. 
CRYSTENGCOMM 17 (2015) 3224 - 3234.
doi:10.1039/C5CE00095E 

Z. Galazka,K. Irmscher, R. Uecker, R. Bertram, M. Pietsch, A. Kwasniewski, M. Naumann, T. Schulz, R. Schewski, D. Klimm, M. Bickermann
On the Bulk Beta-Ga2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski Method. 
J CRYST GROWTH 404 (2014) 184 - 191
doi:10.1016/j.jcrysgro.2014.07.021

Z. Galazka, R. Uecker, R. Fornari
A Novel Crystal Growth Technique from the Melt: Levitation-Assisted Self-Seeding Crystal Growth Method.
J CRYST GROWTH 388 (2014) 61 - 69
doi:10.1016/j.jcrysgro.2013.11.049

Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Pietsch, R. Schewski, M. Albrecht, A. Kwasniewski, S. Ganschow, D. Schulz, C. Guguschev, R. Bertram, M. Bickermann, R.Fornari
Growth, Characterization, and Properties of Bulk SnO2 Single Crystals.
PHYS STATUS SOLIDI A 211 (2014) 66 - 73
doi:10.1002/pssa.201330020/abstract

D. Klimm, S. Ganschow, D. Schulz, R.  Fornari
The Growth of ZnO Crystals from the Melt.
J CRYST GROWTH 310 (2008) 3009 - 3013
doi:10.1016/j.jcrysgro.2008.02.027

S. Ganschow, D. Klimm, R. Bertram
On the Effect of Oxygen Partial Pressure on the Chromium Distribution Coefficient in Melt-Grown Ruby Crystals
J CRYST GROWTH 325 (2011) 81-84
doi:10.1016/j.jcrysgro.2011.04.033

S. Ganschow, D. Schulz, D. Klimm, R. Bertram, R. Uecker
Application of Predominance Diagrams in Melt Growth of Oxides. 
CRYST RES TECHNOL 45 (2010) 1219 - 1224
doi:10.1002/crat.201000358/pdf 

Arbeitsgruppe Oxide & Fluoride - Methoden

Die Kristallzüchtung erfolgt überwiegend aus der Schmelze bzw. Schmelzlösung. Als Standardzüchtungsmethode dient die Czochralski-Methode, die wichtigste Technik zur Herstellung von Volumenkristallen mit hoher struktureller Perfektion. Mit dieser Methode werden Kristalle von maximal 150 mm Länge und 50 mm Durchmesser gezüchtet.

Unsere Züchtungsmethoden umfassen:


Für Volumenkristalle

  • Czochralski
  • Edge-defined film-fed growth
  • Bridgman/VGF
  • Levitation-Assisted Self-Seeding Crystal Growth Method
  • Flux und TSSG-Verfahren (Schmelzlösung)
  • Physical Vapor Transport (Gasphasenzüchtung)

 

Für Fasern

  • Micro-Pulling Down

Arbeitsgruppe Oxide & Fluoride - Publikationen

J. Schwarzkopf, D. Braun, M. Hanke, R. Uecker, M. Schmidbauer
Strain Engineering of Ferrolectric Domains in KxNa1-xNbO3 Epitaxial Layers
FRONTIERS IN MATERIALS 4 (2017) Art. 26
doi: 10.3389/fmats.2017.00026

P. S. Miedema, R. Mitzner, S. Ganschow, A. Föhlisch, M. Beye
X-ray spectroscopy on the active ion in laser crystals 
PHYS CHEM CHEM PHYS 19 (2017) 21800 - 21806
doi.10.1039/c7cp03026f

C. V. Chandran, K. Volgmann, S. Nakhal, R. Uecker, E.  Witt, M. Lerch, P. Heitjans
Local Ion Dynamics in Polycrystalline ß-LiGa02: A Solid-State NMR Study 
Z PHYS CHEM 231 (2017) 1443 - 1453
doi:10.1515/zpch-2016-0920

D. Klimm, C. Guguschev, D. J. Kok,  M. Naumann, L. Ackermann, D. Rytz, M. Peltz, K. Dupré, M. D. Neumann, A. Kwasniewski, D. G. Schlom, M. Bickermann
Crystal growth and characterization of the pyrochlore Tb2Ti2O7
CRYSTENGCOM 19 (2017) 3908 - 3914
doi: 10.1039/c7ce00942a

L. Porz, T. Swamy, B. W. Sheldon, D. Rettenwander, T. Frömling, H. L. Thaman, S. Berendts, R. Uecker, W. C. Carter, Y.-M. Chiang
Mechanism of Lithium Metal Penetration through Inorganic Solid Electrolytes
ADV ENERGY MATER (2017) 1701003
doi:10.1002/aenm.201701003

U. Demirbas, R. Uecker, J.G. Fujimoto, A. Leitenstorfer
Multicolor lasers using birefringent filters: experimental demonstration with Cr:Nd:GSGG and Cr:LiSAF
OPT EXPRESS 25 (2017) 2594 - 2607
doi.org/10.1364/OE.25.002594

H. Riesen, A. Rebane, R. Papakutty Rajan, W. Hutchison, S. Ganschow, A. Szabo
Ultra-slow light propagation by self-induced transparency in ruby in the superhyperfine limit
OPT LETT 42 (2017) 1871 - 1874
doi.org/10.1364/OL.42.001871

M. F. Acosta, R. I. Merino, S. Ganschow,  D. Klimm 
Solidification of NaCl–LiF–CaF2 ternary composites
J MATER SCI 52 (2017) 5520 – 5530
doi.10.1007/s10853-017-0814-2

T. Hirsch, R. Uecker, D. Klimm
Reevaluation of phase relations in the chemical system neodymium lutetium oxide NdLuO3 
CRYST RES TECHNOL 52 (2017) 1600237
doi.10.1002/crat.201600237

H. Riesen, A. Rebane, R. P. Rajan, W. Hutchison, S. Ganschow, A. Szabo
Ultra-Slow Light Propagation by Self-Induced Transparency in Ruby in the Superhyperfine Limit
OPT LETT 42 (2017) 1871 - 1874
doi.org/10.1364/OL.42.001871

U. Demirbas, R. Uecker, J.G. Fujimoto, A. Leitenstorfer
Multicolor Lasers Using Birefringent Filters: Experimental Demonstration with Cr:Nd:GSGG and Cr:LiSAF
OPT EXPRESS 25 (2017) 2594 - 2607
doi.org/10.1364/OE.25.002594

T. Yerebakan, U. Demirbas, S. Eggert, R. Bertram, P. Reiche,  A. Leitenstorfer    
Red-Diode-Pumped Cr:Nd:GSGG Laser: Two-Colormode-Locked Operation
J OPT SOC AM B 34 (2017) 1023 - 1032
doi.org/10.1364/JOSAB.34.001023

P. Fielitz, K. Kelm, R. Bertram, A. H. Chokshi, G. Borchardt
Aluminium-26 Grain Boundary Diffusion in Pure and Y-Doped Polycrystalline a-Alumina
ACTA MATER 127 (2017) 302 - 311    
doi: 10.1016/j.actamat.2017.01.005

M. F. Acosta, R. I. Merino, S. Ganschow,  D. Klimm
Solidification of NaCl–LiF–CaF2 Ternary Composites
J MATER SCI 52 (2017) 5520 – 5530
doi: 10.1007/s10853-017-0814-2

R. Uecker, R. Bertram, M. Brützam, Z. Galazka, T. M. Gesing, C. Guguschev, D. Klimm, M. Klupsch, A. Kwasniewski, D. G. Schlom
Large-Lattice-Parameter Perovskite Single-Crystal Substrates
J CRYST GROWTH 457 (2017) 137 - 142    
doi.10.1016/j.jcrysgro.2016.03.014

Z. Galazka, R. Uecker, K. Irmscher, D. Klimm, R. Bertram, A. Kwasniewski, M. Naumann, R. Schewski, M. Pietsch, U. Juda, A. Fiedler, M. Albrecht,S. Ganschow, T. Markurt, C. Guguschev, M. Bickermann
Melt Growth and Properties of Bulk BaSnO3 Single Crystals
J PHYS-CONDENS MAT 29 (2017) 075701
doi: org/10.1088/1361-648X/aa50e2

J. Haeberle, S. Brizzi, D. Gaspar, P. Barquinha, Z. Galazka, D. Schulz, D.  Schmeißer
A Spectroscopic Comparison of IGZO Thin Films and the Parent In2O3, Ga2O3, and ZnO Single Crystals
MATER RES EXPRESS 3 (2016) 106302
doi: org/10.1088/2053-1591/3/10/106302

M. Handwerg, R Mitdank, Z. Galazka, S. F. Fischer
Temperature-Dependent Thermal Conductivity and Diffusivity of a Mg-Doped Insulating β-Ga2O3 Single Crystal Along [100], [010] and [001]
SEMICOND SCI TECHNOL 31 (2016) 125006
doi:org/10.1088/0268-1242/31/12/125006

K. D. Chabak,. N. Moser, A. J. Green, D. E. Walker, Jr.,S. E. Tetlak, E. Heller, A. Crespo, R. Fitch, J. P. Mc Candless, K. Leedy,  M. Baldini, G. Wagner, Z. Galazka, X. Li, G. Jessen
Enhancement-Mode Ga2O3 Wrap-Gate Fin Field-Effect Transistors on Native (100) β-Ga2O3 Substrate with High Breakdown Voltage
APPL PHYS LETT 109 (2016) 213501
doi: org/10.1063/1.4967931

G. Calvert, C. Guguschev, A. Burger, A. Groza, J. Derby,  R. S. Feigelson
High Speed Growth of SrI2 Scintillator Crystals by the EFG Process
J CRYST GROWTH 455 (2016)  143 - 151
doi: org/10.1016/j.jcrysgro.2016.10.024

J. Philippen, C. Guguschev, D. Klimm    
Single Crystal Fiber Growth of Cerium Doped Strontium Yttrate, SrY2O4:Ce3+
J CRYST GROWTH 459 (2017) 17 - 22
doi: org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.033

Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Naumann, M. Pietsch, A. Kwasniewski, R. Bertram, S. Ganschow, M. Bickermann
Scaling-Up of Bulk β-Ga2O3 Single Crystals by the Czochralski Method
ECS J SOLID STATE SCI TECHN 6 (2017) Q3007 - Q3011
doi: org/10.1149/2.0021702jss

Y. Suhak, M. Schulz, H. Wulfmeier, W.L. Johnson, A. Sotnikov, H. Schmidt, S. Ganschow, D. Klimm, H. Fritze
Langasite-Type Resonant Sensors for Harsh Environments.
MRS ADVANCES 21 (2016) 1513 - 1518
doi: org/10.1557/adv.2016.109

M. Feneberg, J. Nixdorf, C. Lidig, R. Goldhahn, Z. Galazka, O. Bierwagen, J.S. Speck
Many-Electron Effects on the Dielectric Function of Cubic In2O3: Effective Electron Mass, Band-Nonparabolicity, and Burstein-Moss Shift.
PHYS REV B 93 (2016) 045203
doi: 10.1103/PhysRevB.93.045203

L.A. King, Q. Yang, M.L. Grossett, Z. Galazka, R. Uecker, B.A. Parkinson
Photosensitization of Natural and Synthetic SnO2 Single Crystals with Dyes and Quantum Dots.
J PHYS CHEM C 120 (2016) 15735 – 15742
doi: 10.1021/acs.jpcc.5b11071

C. Cocchi, H. Zschiesche, D. Nabok, A. Mogilatenko, M. Albrecht, Z. Galazka, H. Kirmse, C. Draxl, C.T. Koch
Atomic Signatures of Local Environment from Core-Level Spectroscopy in β-Ga2O3.
PHYS REV B 94 (2016) 075147
doi: 10.1103/PhysRevB.94.075147

D. Wiedemann, S. Indris, M. Meven, B. Pedersen, H.  Boysen, R. Uecker, P. Heitjans, M. Lerch
Single-Crystal Neutron Diffraction on γ-LiAlO2: Structure Determination and Estimation of Lithium Diffusion Pathway.
Z KRISTALLOGR 231 (2016) 189 – 193
doi: 10.1515/zkri-2015-1896

B. Burganov, C. Adamo, A. Mulder, M. Uchida, P. D. C. King, J. W. Harter, D. E. Shai, A. S. Gibbs, A. P. Mackenzie, R. Uecker, M. Bruetzam, M. R. Beasley, C. J. Fennie, D. G. Schlom, K. M. Shen    
Strain Control of Fermiology and Many-Body Interactions in Two-Dimensional Ruthenates.
PHYS REV LETT 116 (2016) 197003
doi:org/10.1103/PhysRevLett.116.197003

V. Scherer, Ch. Janowitz1, Z. Galazka, M. Nazarzadehmoafi, R. Manzke
Polaron Character of the Near-EF Band of Cleaved In2O3(111) Single Crystals.
EPL Journal 113 (2016) 26003 p1 - p6
doi: 10.1209/0295-5075/113/26003

Y. Choa, S. Sadofeva, S. Fernández-Garridoa, R.  Calarcoa, H. Riechert, Z. Galazka, R. Uecker, O. Brandt
Impact of Substrate Nitridation on the Growth of InN on In2O3(111) Byplasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy.
APPL SURF SCI 369 (2016) 159 - 162
doi:org/10.1016/j.apsusc.2016.01.268

A.J. Green, K.D. Chabak, E.R. Heller, R.C. Fitch, M. Baldini, A. Fiedler, K. Irmscher, G. Wagner, Z. Galazka,
S.E. Tetlak, A. Crespo, K. Leedy, G. H. Jessen
3.8-MV/cm Breakdown Strength of MOVPE-Grown Sn-Doped β-Ga2O3 MOSFETs.
IEEE ELECTR DEVICE L 37 (2016) 902 - 905
doi: 10.1109/LED.2016.2568139

S. Höfer, R. Uecker, A. Kwasniewski, J. Popp, Th. G. Mayerhöfer
Complete Dispersion Analysis of Single Crystal Yttrium Orthosilicate.        
VIB SPECTROSC 83 (2016) 151 – 158            
doi.org/10.1016/j.vibspec.2016.01.004

F. Kamutzki, C. Guguschev, D.J. Kok, R. Bertram, U. Juda, R. Uecker
The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO3 single crystal fibers.
CrystEngComm 18 (2016) 5658-5666
DOI: 10.1039/C6CE01109H

S. Ganschow, A. Kwasniewski, D. Klimm
Conditions for the Growth of Fe1−xO Crystals Using the Micro-Pulling-Down Technique.
J. Crystal Growth 450 (2016) 203-206
doi:10.1016/j.jcrysgro.2016.06.033

D.J. Kok, C. Guguschev, T. Markurt, M. Niu, R. Bertram, M. Albrecht, K. Irmscher
Origin of Brown Coloration in Top-Seeded Solution Grown SrTiO3 Crystals.
CRYSTENGCOMM 18 (2016) 4580 - 4586 
doi:10.1039/C6CE00247A

F. Langhans, S. Kiefer, C. Hartmann1, T. Markurt, T. Schulz, C. Guguschev, M. Naumann, S. Kollowa, A. Dittmar, J. Wollweber, M. Bickermann
Precipitates Originating from Tungsten Crucible Parts in AlN Bulk Crystals Grown by the PVT Method.
CRYST RES TECHNOL 51 (2016) 129 - 136
doi:10.1002/crat.201500201

E. Korhonen, V. Prozheeva, F. Tuomisto, O. Bierwagen, J. S. Speck, M. E. White, Z. Galazka, H. Liu, N. Izyumskaya, V. Avrutin, Ü. Özgür, H. Morkoç
Cation Vacancies and Electrical Compensation in Sb-Doped Thin-Film SnO2 and ZnO.
SEMICOND SCI TECH 30 (2015) 024011
doi:10.1088/0268-1242/30/024011

E. Korhonen, F. Tuomisto, D. Gogova, G. Wagner, M. Baldini, Z. Galazka, R. Schewski, M. Albrecht
Electrical Compensation by Ga Vacancies in Ga2O3 Thin Films.
APPL PHYS LETT 106 (2015) 242103
doi: 10.1063/1 4922814

Z. Galazka, D. Klimm, K. Irmscher, R. Uecker, M.Pietsch, R.Bertram, M. Naumann, M. Albrecht, A. Kwasniewski, R. Schewski, M. Bickermann
MgGa2O4 as a New Wide Bandgap Transparent Semiconducting Oxide: Growth and Properties of Bulk Single Crystals.
PHYS STATUS SOLIDI A  212 (2015) 1455 - 1460
doi:10.1002/pssa.201431835

L. Schwarz, Z. Galazka, T. M. Gesing, D. Klimm
On the Influence of Inversion on Thermal Properties of Magnesium Gallium Spinel.
CRYST RES TECHNOL 12 (2015) 961 - 966
doi:10.1002/crat.201500275/abstract

R. Schewski, G. Wagner, M. Baldini, D. Gogova , Z.  Glazaka, R. Uecker, T. Schulz, T. Remmele, T. Markurt, H. von Wenckstern, M. Grundmann, O. Bierwagen, P. Vogt, M. Albrecht
Epitaxial Stabilization of Pseudomorphic α-Ga2O3 on Sapphire (0001).
APPL PHYS EXPRESS 8 (2015) 011101
doi:10.7567/APEX.8.011101

A. Papadogianni, M. E. White, J. S. Speck, Z. Galazka, O. Bierwagen
Hall and Seebeck Measurements Estimate the Thickness of a (Buried) Carrier System: Identifying Interface Electrons in In-Doped SnO2 Films.
APPL PHYS LETT 107 (2015) 252105
doi:org/10.1063/1.4938471

A. Navarro-Quezada, S. Alamé, N. Esser, J. Furthmüller, F. Bechstedt, Z. Galazka, D. Skuridina, P. Vogt
Near Valence-Band Electronic Structure of Semiconducting β-Ga2O3 (100) Single Crystals.
PHYS REV B 92 (2015) 195306
doi:10.1103/PhysRevB.92.195306

A. Navarro-Quezada, Z. Galazka, S. Alamé, D. Skuridina, P. Vogt, N. Esser
Surface Properties of Annealed Semiconducting β-Ga2O3 (100) Single Crystals for Epitaxy.
APPL SURF SCI 349 (2015) 368 - 373
doi: 10.1016apusc2015.04.225

P. W. Metz, D.-T. Marzahl, C. Guguschev, R. Bertram, C. Kränkel, G. Huber
Growth and Diode-Pumped Laser Operation of Pr3+:β-(Y0.5,Gd0.5)F3 at Various Transitions.
OPT LETT 40 (2015) 2699 - 2702
doi: 10.1364/OL.40.002699

D. J. Kok, K. Irmscher, M. Naumann, C. Guguschev,  Z. Galazka, R. Uecker
Temperature-Dependent Optical Absorption of SrTiO3. 
PHYS STATUS SOLIDI A 212 (2015) 1880 - 1887
doi: 10.1002/pssa.201431836

M. Handwerg, R. Mitdank, Z. Galazka, S. F. Fischer
Temperature-Dependent Thermal Conductivity in Mg-Doped and Undoped β-Ga2O3 Bulk-Crystals.
SEMICOND SCI TECH 30 (2015) 024006
doi:10.1088/0268-1242/302/024006

C. Guguschev, R. Tagle, U. Juda, A. Kwasniewski
Microstructural Investigations of SrTiO3 Single Crystals and Polysilicon Using a Powerful New X-Ray Diffraction Surface Mapping Technique.
J APPL CRYST 48 (2015) 1883 - 1888
doi: 10.1107/S1600576715019949

C. Guguschev, Z. Galazka , D. J. Kok , U. Juda , A. Kwasniewski, R. Uecker
Growth of SrTiO3 Bulk Single Crystals Using Edge-Defined Film-Fed Growth and the Czochralski Methods.
CRYSTENGCOMM 17 (2015) 4662 - 4668
doi: 10.1039/C5CE00798D

C. Guguschev, D. J. Kok, Z. Galazka , D. Klimm , R. Uecker , R. Bertram , M. Naumann , U. Juda , A. Kwasniewski, M. Bickermann
Influence of Oxygen Partial Pressure on SrTiO3 Bulk Crystal Growth from Non-Stoichiometric Melts. 
CRYSTENGCOMM 17 (2015) 3224 - 3234.
doi:10.1039/C5CE00095E 

D. Braun, V. Scherer, C. Janowitz, Z. Galazka, R. Fornari, R. Manzke
In-Gap States of In2O3 Single Crystals Investigated by Scanning Tunneling Spectroscopy.
PHYS STATUS SOLIDI 211 (2014) 59 - 65
doi:10.1002/pssa.201330089

Z. Galazka, R. Uecker, R. Fornari
A Novel Crystal Growth Technique from the Melt. Levitation-Assisted Self-Seeding Crystal Growth Method.
J CRYST GROWTH 388 (2014) 61 - 69
doi:10.1016/j.jcrysgro.2013.11.049

M. Albrecht, R. Schewski, K. Irmscher, Z. Galazka, T. Markurt, M. Naumann, T. Schulz, R. Uecker, R. Fornari, S. Meuret and M. Kociak
Coloration and Oxygen Vacancies in Wide Band Gap Oxide Semiconductors. Absorption at Metallic Nanoparticles Induced by Vacancy Clustering. A Case Study on Indium Oxide.
J APPL PHYS 115 (2014) 053504
doi:10.1063/1.4863211

M.F. Acosta, S. Ganschow, D. Klimm, S. Serrano-Zabaleta, A. Larrea, R.I. Merino
Directional Solidification of the Eutectic LiF--LiYF4 Using Bridgman and Micro-Pulling Down Techniques. Microstructural Study and Some Properties.
J EUR CERAM SOC 34 (2014) 2051 - 2059
doi:10.1016/j.jeurceramsoc.2013.09.010

Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Pietsch, R. Schewski, M. Albrecht, A. Kwasniewski, S. Ganschow, D. Schulz, C. Guguschev, R. Bertram, M. Bickermann, R. Fornari
Growth, Characterization and Properties of Bulk SnO2 Single Crystals.
PHYS STATUS SOLIDI 211 (2014) 66 - 73
doi:10.1002/pssa.201330020

U. Demirbas, R. Uecker, D. Klimm, B. Sumpf, G. Erbert
Intra-Cavity Frequency-Doubled Cr:LiCAF Laser with 265mW Continuous-Waveblue (395–405 nm) Output.
OPT COMMUN 320 (2014) 38 - 42
doi:10.1016/j.optcom.2014.01.045

K. Irmscher, M. Naumann, M. Pietsch, Z. Galazka, R. Uecker, T. Schulz, R. Schewski, M. Albrecht, R. Fornari
On the Nature and Temperature Dependence of the Fundamental Band Gap of In2O3.
PHYS STATUS SOLIDI 211 (2014) 54 - 58
doi:10.1002/pssa.201330184

J. Haeberle, M. Richter, Z. Galazka, C. Janowitz, D. Schmeißer
Resonant Photoemission at the O1s Threshold to Characterize In2O3 Single Crystals.
THIN SOLID FILMS 555 (2014) 53 - 56
doi:10.1016/j.tsf.2013.03.036

P. Fielitz, G. Borchardt, S. Ganschow, R. Bertram, R.A. Jackson, H. Fritze, K.-D. Becker
Tantalum and Niobium Diffusion in Single Crystalline Lithium Niobate.
SOLID STATE IONICS 259 (2014) 14 - 20
doi:10.1016/j.ssi.2014.02.005

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