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Patente und Lizenzen

Wir haben uns zur Aufgabe gemacht, potentielle Innovationen zusammen mit unseren Wissenschaftlern, Forschungspartnern und Industriekooperationen zu identifizieren, zu sichern und deren wirtschaftliche Verwertung anzuregen und zu begleiten.

Das IKZ verfügt über ein umfangreiches Patentportfolio, welches kontinuierlich erweitert wird. Das Portfolio umfasst alle Forschungsschwerpunkte des IKZ und kann bei Interesse an Unternehmen lizensiert werden.
Einen Überblick unserer Patente finden Sie hier:

 

Überblick Patente

S. Ganschow, R. Bertram, D. Klimm, P. Reiche, R. Uecker
Verfahren und Anordnung zur Herstellung von ZnO-Einkristallen
DE 10 2004 003 596.2

 

Ch. Frank-Rotsch, P. Rudolph, R.-P. Lange, O. Klein, B. Nacke
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
DE 10 2007 028 548.7; 08784553.3 (DK, ES, FR, NO) KRISTMAG®

 

R.-P. Lange, M. Ziem, D. Jockel, P. Rudolph, F. Kießling, Ch. Frank-Rotsch, M. Czupalla, B. Nacke, H. Kasjanow
Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
DE 10 2007 028 547.9; 08784554.1 (DK, ES, FR, NO) KRISTMAG®

 

Ch. Frank-Rotsch, P. Rudolph, R.-P. Lange, D. Jockel
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
DE 10 2007 046 409.8; KRISTMAG®

 

P. Rudolph, M. Ziem, R.-P. Lange
Vorrichtung zum Züchten von Einkristallen aus elektrisch leitfähigen Schmelzen
DE 10 2007 020 239.5; KRISTMAG®

 

R. Fornari, S. Ganschow, D. Klimm, M. Neubert, Schulz
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Zinkoxid-Einkristallen aus einer Schmelze
DE 10 2007 006 731.5

 

P. Rudolph, M. Ziem, R.-P. Lange, D. Jockel
Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
DE 10 2008 035 439.2

 

F. Büllesfeld, U. Sahr, W. Miller, P. Rudolph, U. Rehse, N. Dropka
Verfahren zum Erstarren einer Nichtmetall-Schmelze
DE 10 2008 059 521.7; 09 749 132.8 (DK, ES, IT, NO, R, GB)

 

R. Fornari
Vorrichtung zur Züchtung von III-Nitrid-Volumenkristallen
EP 2 154 271 (DE, PL, FR, GB, SE)

 

P. Rudolph, R.-P. Lange, M. Ziem
Vorrichtung zur Herstellung von Sililziumblöcken
DE 10 2009 045 680.5

 

N. Dropka, P. Rudolph, U. Rehse
Verfahren und Anordnung zur Herstelllung von Kristallblöcken von hoher Reinheit und dazugehörige Kristallisationsanlage
DE 10 2010 028 173.5

 

H. Riemann, N. Abrosimov, J. Fischer, M. Renner
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen aus Halbleitermaterial
EP 2 504 470 (NO, ES, NL, FR, DK, GB, BE, IT)

 

N. Dropka, Ch. Frank-Rotsch, M. Ziem, P. Lange
Verfahren und Vorrichtung zur gerichteten Kristallisation von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
DE 10 2012 204 313.6

 

N. Dropka, Ch. Frank-Rotsch, P. Rudolph, R.-P. Lange, U. Rehse
Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren zur Herstellung eines Blocks aus einem Material, dessen Schmelze elektrisch leitend ist
DE 10 2010 041 061.6

 

O. Klein, F. Kießling, M. Czupalla, P. Rudolph, R.-P. Lange, B. Lux, W. Miller, M. Ziem, F. Kirscht
Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, die in der Diamant- oder Zinkblendestruktur kristallisieren
DE 10 2009 027 436.7

 

H. Riemann, N. Abrosimov, J. Fischer, M. Renner
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen aus Halbleitermaterial
DE 10 2010 052 522.7 10801372.3 (EP), 13/511,751 (US), 2012-540285 (JP)

 

F. Kießling, Ch. Frank-Rotsch, N. Dropka, P. Rudolph
Verfahren zur gerichteten Kristallisation von Ingots
DE 10 2011 076 860.2

 

U. Rehse, P. Rudolph, W. Miller, N. Dropka, F. Büllesfeld, U. Sahr
Method for the solidification of a non-metal melt
US 2011 030 955 5

 

R. Fornari, F. Kießling, P. Rudolph, V. Trautmann
Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren
DE 10 2009 046 845.5

 

T. Boeck, R. Fornari, R. Heimburger, G. Schadow, J. Schmidtbauer, H.-P. Schramm, T. Teubner
Kristallisationsverfahren zur Erzeugung kristalliner Halbleiterschichten
DE 10 2010 044 014.0

 

Z. Galazka, R. Uecker, R. Fornari
Method and apparatus for growing indium oxide (In2O3) single crystals and indium oxide (In2O3) single crystal
PCT/EP2012/057447

 

M. Wünscher, H. Riemann
Vorrichtung für das tiegelfreie Zonenziehen von Kristallstäben
DE 10 2012 022 965

 

N. Dropka, Ch. Frank-Rotsch, P. Lange, P. Krause
Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren zur Kristallisation aus elektrisch leitenden Schmelzen sowie über das Verfahren erhältliche Ingots
DE 10 2013 211 769.8

 

A. Dittmar, C. Hartmann, J. Wollweber, U. Degenhardt, F. Stegner
Keimhalter einer Einkristallzüchtungsvorrichtung, Einkristallzüchtungsvorrichtung und Kompositwerkstoff
DE 10 2014 017 021.7

 

Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, M. Bickermann
Method for growing beta phase of gallium oxide (ß-Ga2O3) single crystals from the melt contained within a metal crucible
EP 15150582.3, PCT/EP2015/079938

 

A. Dittmar, C. Hartmann, J. Wollweber, M. Bickermann
(Sc, Y): Einkristalle für Gitter-angepasste AlGaN Systeme
DE 10 2015 116 068.4, PCT/EP2016/070539

 

Registered Trademark

KRISTMAG®

 

 

 

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