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News | 11-01-2019

Galliumoxid

Der neue Stern am Halbleiterhimmel?

Wenn es um Kristalle geht, so richtig große Volumenkristalle für Forschung, Entwicklung und Service im Bereich der elektronischen / photonischen Technologieplattformen, ist das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) die erste Adresse. Hier werden isotopenreine Siliziumkristalle in der Größe von 2-Liter-Flaschen bei großer Hitze aus der Schmelze für Spezialanwendungen (wie etwa die Neudefinition des Kilogramms) gezüchtet und raffinierte, neue Verfahren entwickelt, die es erlauben, leitfähige Oxide von Metallen wie Zinn, Zink und Indium in Form von Einkristallen herzustellen.

Seit einigen Jahren forschen die Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler nun mit Hochdruck an Galliumoxid (Ga2O3). Dieser neue Halbleiter mit vergleichsweiser großer Bandlücke von 4,8 Elektronenvolt könnte vor allem im Bereich der Leistungselektronik – also z. B. bei der Umwandlung von Hochspannung zu niedrigen Spannungen – den derzeitigen Stars Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), zumindest teilweise, den Rang im Hochleistungsbereich ablaufen.

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Erschienen: Forschungsverbund Berlin e.V.