Der DGKK-Arbeitskreis „Herstellung und Charakterisierung von massiven Halbleiterkristallen“ lädt ein zum jährlichen Arbeitskreistreffen am 7.-8. Oktober 2015 in Berlin-Adlershof. Das Treffen bietet Gelegenheit, Ergebnisse aktueller Arbeiten auf dem Gebiet der Massivkristallzüchtung und -charakterisierung vorzustellen und darüber gemeinsam zu diskutieren.
Ich freue mich sehr, Sie zum DGKK-Arbeitskreistreffen begrüßen zu dürfen und bitte um Weitergabe dieser Informationen an interessierte Fachkollegen.
Prof. Dr.-Ing. Matthias Bickermann
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) Berlin
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) Berlin, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin-Adlershof
ab |
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13:20 Uhr |
Begrüßung |
13:30 Uhr |
Characterization of n-type Si-doped GaN grown by HVPEG. Lukin1, G. Schreiber2, F. Zimmermann3, O. Pätzold1
2 Institut für Werkstoffwissenschaften, TU Bergakademie Freiberg 3 Institut für Angewandte Physik, TU Bergakademie Freiberg |
13:50 Uhr |
Photoluminescence of GaN grown by high temperature vapor phase epitaxyFriederike Zimmermann1, Jan Beyer1, Gleb Lukin2, Olf Pätzold2, Christian Röder3, Michael Stelter2, Johannes Heitmann1
2 Institut für NE-Metallurgie und Reinststoffe, TU Bergakademie Freiberg 3 Institut für Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg |
14:10 Uhr |
Characterization of n-type Si-doped GaN grown by HVPEPatrick Hofmann1, Franziska C. Beyer2, Christian Röder3, Günter Gärtner4, Frank Habel5, Gunnar Leibiger5, Berndt Weinert5, Stefan Eichler5, Johannes Heitmann2, Thomas Mikolajick1,6
2 Institut für Angewandte Physik, TU Bergakademie Freiberg 3 Institut für Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg 4 Institut für Experimentelle Physik, TU Bergakademie Freiberg 5 Freiberger Compound Materials GmbH, Freiberg 6 Institute for Semiconductors and Microsystems, TU Dresden |
14:30 Uhr |
Pause |
15:00 Uhr |
Development of an industrial applicable crucible coating based on high pure Silzot® SQ Si3N4 powderV. Schneider1, C. Reimann1,2, M. Kuczynski33, J. Sans3, W. Gross3, J. Friedrich1,2
2 Fraunhofer THM, Freiberg 3 AlzChem AG, Dr.-Albert-Frank-Str. 32, 83308 Trostberg |
15:20 Uhr |
Comparison of different assisted nucleation methods for production of high-performance multi-crystalline silicon ingots and wafersIryna Buchovska1, Oleksandr Liaskovskiy2, Timur Vlasenko2, Sergey Beringov2, Frank-Michael Kiessling1
2 Pillar Ltd, member of Pillar Group, Severo-Syretskaya Str. 3, 04136, POB 42, Kiev, Ukraine |
15:40 Uhr |
Travelling magnetic fields in directional solidification of silicon: from lab-scale tests to commercial size equipmentNatasha Dropka, Torunn Ervik, Frank M. Kiessling
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16:00 Uhr |
Photoelastic characterization of silicon crystals, wafers and devices by SIRIS and SIREXMartin Herms
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16:20 Uhr |
Pause |
16:50 Uhr |
SrTiO3 bulk crystal growth from meltChristo Guguschev, R. Uecker, Z. Galazka, D. J. Kok, D. Klimm, R. Bertram, M. Naumann, U. Juda, A. Kwasniewski, M. Bickermann
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17:10 Uhr |
Oxygen-isotope doping of GaAs bulk crystals and identification of a carbon- related defectH. Ch. Alt1, H. E. Wagner1, V. Häublein1, Ch. Frank-Rotsch2, A. Glacki2, O. Root2
2 Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin |
17:30 Uhr |
Vertical Bridgman Growth of CdZnTe Crystals for HgCdTe Infrared DetectorsM. Bruder, R. Schmitt, H. Bitterlich, H. Figgemeier
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17:50 Uhr |
Aussprache |
19:00 Uhr |
Gemeinsame Abendveranstaltung im Ratskeller Köpenick |
09:00 Uhr |
The effect of impurity concentration gradient on structural and optical properties in ammonothermal GaNSakari Sintonen1, S. Suihkonen2, K. Irmscher1, T. Schulz1, A. N. Danilewsky3, T. O. Tuomi2, R. Stankiewicz4, M. Albrecht1
2 Aalto University School of Electrical Engineering, Department of Micro- and Nanosciences, Finland 3 Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Institut für Geo- und Umweltnaturwissenschaften, Kristallographie 4 Ammono S.A., Warsaw, Poland |
09:20 Uhr |
Oxygen and hydrogen profiles and electrical properties of unintentionally doped n-GaN grown by HVPEValentin Garbe1,2, Barbara Abendroth1, Hartmut Stöcker1, Arkadi Gavrilov2, Doron Cohen-Elias2 , Shlomo Mehari2 , Dan Ritter2, Dirk C. Meyer1
2 Department of Electrical Engineering, Technion, Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel |
09:40 Uhr |
Trace Element Analysis of Gallium Nitride: Methods for Local and Bulk Detection of ImpuritiesSusanne Richter, Stefanie Wahl, Sylke Meyer, Christian Hagendorf
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10:00 Uhr |
Beiträge zur Forschung an Germanium-MassivkristallenChristian Hell1, Michael Degel2, Hilmar Straube2, Nikolay Abrosimov3, Matthias Czupalla3
2 Jenoptik Optical Systems GmbH, Göschwitzer Str. 25, 07745 Jena 3 Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin |
10:20 Uhr |
Pause |
10:50 Uhr |
Determination of absolute Raman scattering cross sections in wz-GaNChristian Röder, Gert Irmer, Cameliu Himcinschi, Jens Kortus
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11:10 Uhr |
Preparation of epi-ready, highly UV transparent bulk AlN substrates for epitaxy of efficient UV-C emittersTobias Schulz1, Carsten Hartmann1, A. Dittmar1, S. Kollowa1, F. Langhans1, K. Irmscher1, U. Juda1, J. Wollweber1, M. Albrecht1, M. Bickermann1, A. Knauer2, J. Jeschke2, M. Weyers2
2 Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), Berlin |
11:30 Uhr |
Züchtung und Charakterisierung von siliziumdotierten AlN-VolumenkristallenSandro Kollowa, A. Dittmar, C. Hartmann, K. Irmscher, F. Langhans, M. Pietsch, J. Wollweber, M. Bickermann
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11:50 Uhr |
Cold split - A new technology for kerf-less waferingChristian Beyer, W. Drescher, J. Richter, F. Schilling, M. Swoboda
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12:10 Uhr |
Schlussworte |
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Freiberger Compund Materials GmbH | AUTEAM Industrie-Elektronik GmbH |
Die Tagungsleitung bedankt sich sehr herzlich für diese wichtige Unterstützung!
Die Teilnahme am Arbeitskreistreffen ist kostenlos. Wissenschaftliche Beiträge werden gerne angenommen.
Zur Vorbereitung bitte beachten:
Verbindliche Anmeldung
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