Der DGKK-Arbeitskreis „Herstellung und Charakterisierung von massiven Halbleiterkristallen“ lädt ein zum jährlichen Arbeitskreistreffen am 7.-8. Oktober 2015 in Berlin-Adlershof. Das Treffen bietet Gelegenheit, Ergebnisse aktueller Arbeiten auf dem Gebiet der Massivkristallzüchtung und -charakterisierung vorzustellen und darüber gemeinsam zu diskutieren.

Thematische Schwerpunkte sind

• Silizium für die Mikroelektronik und die Photovoltaik,

• Nitride und Oxide als Wide Band Gap-Halbleiter,

• „klassische“ III-V- und II-VI-Halbleiter sowie deren Verbindungen und SiC.

Schirmherrschaft

Deutsche Gesellschaft für Kristallzüchtung und Kristallwachstum (DGKK) e.V.

Veranstalter

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) im Forschungsverbund Berlin e.V.

Ich freue mich sehr, Sie zum DGKK-Arbeitskreistreffen begrüßen zu dürfen und bitte um Weitergabe dieser Informationen an interessierte Fachkollegen.

Prof. Dr.-Ing. Matthias Bickermann
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) Berlin

Mittwoch, 7. Oktober 2015

ab 12:00 Uhr	Registrierung
13:20 Uhr	Begrüßung
13:30 Uhr	Characterization of n-type Si-doped GaN grown by HVPE G. Lukin1, G. Schreiber2, F. Zimmermann3, O. Pätzold1 1 Institut für NE-Metallurgie und Reinststoffe, TU Bergakademie Freiberg 2 Institut für Werkstoffwissenschaften, TU Bergakademie Freiberg 3 Institut für Angewandte Physik, TU Bergakademie Freiberg
13:50 Uhr	Photoluminescence of GaN grown by high temperature vapor phase epitaxy Friederike Zimmermann1, Jan Beyer1, Gleb Lukin2, Olf Pätzold2, Christian Röder3, Michael Stelter2, Johannes Heitmann1 1 Institut für Angewandte Physik, TU Bergakademie Freiberg 2 Institut für NE-Metallurgie und Reinststoffe, TU Bergakademie Freiberg 3 Institut für Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg
14:10 Uhr	Characterization of n-type Si-doped GaN grown by HVPE Patrick Hofmann1, Franziska C. Beyer2, Christian Röder3, Günter Gärtner4, Frank Habel5, Gunnar Leibiger5, Berndt Weinert5, Stefan Eichler5, Johannes Heitmann2, Thomas Mikolajick1,6 1 NaMLab gGmbH Dresden 2 Institut für Angewandte Physik, TU Bergakademie Freiberg 3 Institut für Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg 4 Institut für Experimentelle Physik, TU Bergakademie Freiberg 5 Freiberger Compound Materials GmbH, Freiberg 6 Institute for Semiconductors and Microsystems, TU Dresden
14:30 Uhr	Pause
15:00 Uhr	Development of an industrial applicable crucible coating based on high pure Silzot® SQ Si3N4 powder V. Schneider1, C. Reimann1,2, M. Kuczynski33, J. Sans3, W. Gross3, J. Friedrich1,2 1 Fraunhofer IISB, Erlangen 2 Fraunhofer THM, Freiberg 3 AlzChem AG, Dr.-Albert-Frank-Str. 32, 83308 Trostberg
15:20 Uhr	Comparison of different assisted nucleation methods for production of high-performance multi-crystalline silicon ingots and wafers Iryna Buchovska1, Oleksandr Liaskovskiy2, Timur Vlasenko2, Sergey Beringov2, Frank-Michael Kiessling1 1 Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin 2 Pillar Ltd, member of Pillar Group, Severo-Syretskaya Str. 3, 04136, POB 42, Kiev, Ukraine
15:40 Uhr	Travelling magnetic fields in directional solidification of silicon: from lab-scale tests to commercial size equipment Natasha Dropka, Torunn Ervik, Frank M. Kiessling Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
16:00 Uhr	Photoelastic characterization of silicon crystals, wafers and devices by SIRIS and SIREX Martin Herms PVA Metrology & Plasma Solutions, Jena
16:20 Uhr	Pause
16:50 Uhr	SrTiO3 bulk crystal growth from melt Christo Guguschev, R. Uecker, Z. Galazka, D. J. Kok, D. Klimm, R. Bertram, M. Naumann, U. Juda, A. Kwasniewski, M. Bickermann Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
17:10 Uhr	Oxygen-isotope doping of GaAs bulk crystals and identification of a carbon- related defect H. Ch. Alt1, H. E. Wagner1, V. Häublein1, Ch. Frank-Rotsch2, A. Glacki2, O. Root2 1 Hochschule München, FK06 Angewandte Naturwissenschaften und Mechatronik 2 Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
17:30 Uhr	Vertical Bridgman Growth of CdZnTe Crystals for HgCdTe Infrared Detectors M. Bruder, R. Schmitt, H. Bitterlich, H. Figgemeier AIM INFRAROT-MODULE GmbH, Theresienstr.2, 74072 Heilbronn
17:50 Uhr	Aussprache
19:00 Uhr	Gemeinsame Abendveranstaltung im Ratskeller Köpenick

Donnerstag, 8. Oktober 2015

09:00 Uhr	The effect of impurity concentration gradient on structural and optical properties in ammonothermal GaN Sakari Sintonen1, S. Suihkonen2, K. Irmscher1, T. Schulz1, A. N. Danilewsky3, T. O. Tuomi2, R. Stankiewicz4, M. Albrecht1 1 Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin 2 Aalto University School of Electrical Engineering, Department of Micro- and Nanosciences, Finland 3 Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Institut für Geo- und Umweltnaturwissenschaften, Kristallographie 4 Ammono S.A., Warsaw, Poland
09:20 Uhr	Oxygen and hydrogen profiles and electrical properties of unintentionally doped n-GaN grown by HVPE Valentin Garbe1,2, Barbara Abendroth1, Hartmut Stöcker1, Arkadi Gavrilov2, Doron Cohen-Elias2 , Shlomo Mehari2 , Dan Ritter2, Dirk C. Meyer1 1 Institut für Experimentelle Physik, TU Bergakademie Freiberg 2 Department of Electrical Engineering, Technion, Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel
09:40 Uhr	Trace Element Analysis of Gallium Nitride: Methods for Local and Bulk Detection of Impurities Susanne Richter, Stefanie Wahl, Sylke Meyer, Christian Hagendorf Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP, Halle (Saale)
10:00 Uhr	Beiträge zur Forschung an Germanium-Massivkristallen Christian Hell1, Michael Degel2, Hilmar Straube2, Nikolay Abrosimov3, Matthias Czupalla3 1 Photonic Sense GmbH, Am Goldberg 3, 99817 Eisenach 2 Jenoptik Optical Systems GmbH, Göschwitzer Str. 25, 07745 Jena 3 Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
10:20 Uhr	Pause
10:50 Uhr	Determination of absolute Raman scattering cross sections in wz-GaN Christian Röder, Gert Irmer, Cameliu Himcinschi, Jens Kortus Institut für Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg
11:10 Uhr	Preparation of epi-ready, highly UV transparent bulk AlN substrates for epitaxy of efficient UV-C emitters Tobias Schulz1, Carsten Hartmann1, A. Dittmar1, S. Kollowa1, F. Langhans1, K. Irmscher1, U. Juda1, J. Wollweber1, M. Albrecht1, M. Bickermann1, A. Knauer2, J. Jeschke2, M. Weyers2 1 Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin 2 Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), Berlin
11:30 Uhr	Züchtung und Charakterisierung von siliziumdotierten AlN-Volumenkristallen Sandro Kollowa, A. Dittmar, C. Hartmann, K. Irmscher, F. Langhans, M. Pietsch, J. Wollweber, M. Bickermann Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
11:50 Uhr	Cold split - A new technology for kerf-less wafering Christian Beyer, W. Drescher, J. Richter, F. Schilling, M. Swoboda Siltectra GmbH, Manfred-von-Ardenne-Ring 20, 01099 Dresden
12:10 Uhr	Schlussworte