Tagung des DGKK-Arbeitskreises
"Massive Halbleiter" 2019

09. - 10. Oktober 2019 in Berlin-Adlershof

Einladung

Der DGKK-Arbeitskreis „Herstellung und Charakterisierung von massiven Halbleiterkristallen“ lädt ein zum jährlichen Arbeitskreistreffen am 9.-10. Oktober 2019 in Berlin-Adlershof. Das Treffen bietet Gelegenheit, Ergebnisse aktueller Arbeiten auf dem Gebiet der Massivkristallzüchtung und -charakterisierung vorzustellen und darüber gemeinsam zu diskutieren.

Eine Tagungsgebühr wird nicht erhoben. Wir freuen uns über Anmeldungen mit und ohne Vortrag.

Thematische Schwerpunkte sind
  • Silizium für die Mikroelektronik und die Photovoltaik,
  • andere "klassische" Halbleiter (Germanium-, III-V- und II-VI-Verbindungen), sowie
  • Wide Band Gap-Halbleiter (Nitride, Oxide und Carbide).

Schirmherrschaft

Veranstalter

Wir freuen uns sehr, Sie zum DGKK-Arbeitskreistreffen begrüßen zu dürfen, und bitten um Weitergabe dieser Informationen an interessierte Fachkollegen.

Weitere Informationen werden Sie zu gegebener Zeit in den folgenden Abschnitten finden. Wir werden darüber auch nochmals in einer Email an die AK-Mitglieder informieren. Wenn Sie in den Email-Verteiler aufgenommen werden möchten, dann wenden Sie sich bitte an einen der Organisatoren.

Frau Dr. habil. Radhakrishnan Sumathi,
Herr Dr. Thomas Straubinger und
Herr Prof. Dr.-Ing. Matthias Bickermann,
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) Berlin

Tagungsort

Max-Born-Saal, direkt neben dem Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) Berlin, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin-Adlershof

Programm des Arbeitskreistreffens

Mittwoch, 9. Oktober 2019

12:00 Uhr
Registrierung, Kaffee und Kekse
13:00 Uhr
Begrüßung
13.10 Uhr
Controlled 3D Growth in high temperature vapor phase epitaxy of GaN

Maik Förste1, T. Schneider1, M. Barchuk2, C. Schimpf2, P. Fischer2, C. Röder3, E. Niederschlag1, D. Rafaja2, O. Pätzold3

1Institut für NE-Metallurgie und Reinststoffe, TU Bergakademie Freiberg, Leipziger Str. 34, 09599 Freiberg
2Institut für Werkstoffwissenschaften, TU Bergakademie Freiberg, 09599 Freiberg
3Institut für theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg, 09599 Freiberg
13.30 Uhr
Investigation of the stress evolution in thick GaN layers grown by HVPE

Gleb Lukin, E. Meißner, J. Friedrich, C. Röder2, G. Leibiger3, F. Habel3

1Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Schottkystraße 10, 91058 Erlangen
2Institut für Angewandte Physik, TU Bergakademie Freiberg, Leipziger Str. 23, 09599 Freiberg
3Freiberger Compound Materials GmbH, Am Junger-Löwe-Schacht 5, 09599 Freiberg
13.50 Uhr
Effects of carbon concentration on the luminescence of GaN

Friederike Zimmermann1, E. Richter2, F. C. Beyer1, J. Beyer1, G. Gärtner3, K. Irmscher4, I. Gamov4, M. Weyers2, G. Tränkle2, J. Heitmann1

1Institute of Applied Physics, TU Bergakademie Freiberg, Leipziger Straße 23, 09599 Freiberg
2Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin
3Institute of Experimental Physics, TU Bergakademie Freiberg, 09599 Freiberg
4Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin
14.10 Uhr
Identification of Tri-Carbon Defects in Gallium Nitride

Ivan Gamov1, K. Irmscher1, E. Richter2, M. Weyers2

1Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin
2Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin
14:30 Uhr
Kaffeepause
15.00 Uhr
Growth and Investigation of dislocation-free HPGe crystals

Kevin-P. Gradwohl, R. Radhakrishnan Sumathi

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin
15.20 Uhr
Homogenization of resistivity for n-type multicrystaline silicon

Iryna Buchovska, N. Dropka, K. Dadzis, F.-M. Kiessling

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin
15.40 Uhr
3D numerical simulation of melt flow and dopant transport in directional solidification of silicon

Kaspars Dadzis, I. Buchovska, F.-M. Kiessling

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin
16.00 Uhr
AlN - Temperature field optimization for low dislocation density after growth and epitaxy

Thomas Straubinger, C. Hartmann, L. Mative, J. Wollweber, M. Bickermann

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin
16:20 Uhr
Kaffeepause
16.50 Uhr
Signatures for the entropy change in the anomalous Hall and Nernst signals in microstructures of the magnetic Weyl semimetal Co3Sn2S2

Andy Thomas

Institute for Metallic Materials, Leibniz-Institute for Solid State and Materials Research (IFW), Helmholtzstraße 20, 01069 Dresden
17.10 Uhr
(Cd,Zn)Te crystal growth by Travelling Heater Method - Ground experiments of Vampire-F1

Jiaona Zou1, A. Fauler1, A.S. Senchenkov2, N.N. Kolesnikov3, L. Kirste4, M. Fiederle1

1Materials Research Center FMF, Stefan-Meier-Straße 21, 79104 Freiburg im Breisgau
2Research and Development Institute for Launch Complexes, Moscow, Russia
3Institute of Solid State Physics of Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
4Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF, Freiburg
17.30 Uhr
Einsatz von eingekapselten Thermoelementen für die Stabilisierung der Temperaturmessungen in der Kristallzüchtung

Alexei Plotnikov

Freiberger Compound Materials GmbH, Am Junger-Löwe-Schacht 5, 09599 Freiberg
17:50 Uhr
Aussprache
19:00 Uhr
Gemeinsame Abendveranstaltung im Restaurant "Krokodil"
  

Donnerstag, 10. Oktober 2019

09:00 Uhr
Analysis of the basal plane dislocation density and thermomechanical stress during 100 mm PVT growth of 4H-SiC

Johannes Steiner1, Melissa Roder2, Binh Duong Nguyen3, Stefan Sandfeld3, Andreas Danilewsky2 and Peter J. Wellmann1

1Crystal Growth Lab, Materials Department 6 (i-meet), University of Erlangen-Nürnberg (FAU), Martensstr. 7, 91058 Erlangen
2Crystallography, Institute of Earth Sciences, Albert-Ludwigs-University Freiburg, Herrmann-Herder-Str. 5, 79104 Freiburg i. Br.
3Micromechanical Materials Modelling (MiMM), Institute of Mechanics and Fluid Dynamics, Technical University Bergakademie Freiberg (TUBAF), Lampadiusstr. 4, 09599 Freiberg
09.20 Uhr
Influence on defects and lattice strain of 4H-SiC with varying growth conditions

Melissa Roder1, P. Wellmann2, J. Steiner2, M. Arzig2, M. Kabukcuoglu3, S.Haaga3, A.Danilewsky1

1Crystallography, Institute of Earth Sciences, Albert-Ludwigs-University Freiburg, Herrmann-Herder-Str. 5, 79104 Freiburg im Breisgau
2Crystal Growth Lab, Material Department 6 (i-meet), University of Erlangen-Nürnberg,91058 Erlangen
3Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Photon Science and Synchrotron Radiation (IPS), 76344 Eggenstein-Leopoldshafen
09.40 Uhr
Lifetime limiting substrate originated deep level defects in 4H-SiC epilayers

Jochen Friedrich, J. Erlekampf, B. Kallinger, M. Rommel, P. Berwian, T. Erlbacher

Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Schottkystraße 10, 91058 Erlangen
10.00 Uhr
Temperature Dependent Lifetime Measurements on Free-Standing 4H-SiC

Jan Beyer1, Masashi Kato2, Nadine Schüler3, Kay Dornich3, Johannes Heitmann1

1Institut für Angewandte Physik, TU Bergakademie Freiberg, Leipziger Str. 23, 09596 Freiberg
2Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan
3Freiberg Instruments GmbH, Delfter Str. 6, 09599 Freiberg
10:20 Uhr
Kaffeepause
10.50 Uhr
The influence of dislocation flow and the effect of the cooling rates on the dislocation microstructure in semiconductor material

Binh Duong Nguyen1, Alexander M. Rausch2, Johannes Steiner3, Peter Wellmann3, Stefan Sandfeld1

1Chair of Micromechanical Materials Modelling, Institute of Mechanics and Fluid Dynamics, Technische Universität Bergakademie Freiberg (TUBAF), Lampadiusstraße 4, 09599 Freiberg
2Chair of Materials Science and Engineering for Metals, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Martensstraße 5, 91058 Erlangen
3Crystal Growth Lab, Materials Department 6 (i-meet), Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Martensstraße 7, 91058 Erlangen
11.10 Uhr
Crystals and Substrates for Semiconducting Oxide Applications

Matthias Bickermann, Zbigniew Galazka, Steffen Ganschow, Detlef Klimm

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin
11.30 Uhr
Numerical Modelling of the Czochralski growth of NdScO3 single crystals

Klaus Böttcher, Wolfram Miller, Steffen Ganschow

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin
11.50 Uhr
Requirements, growth and evaluation of GaAs cryogenic scintillator crystals

Christiane Frank-Rotsch1, K. Stolze1, R. Zwierz1, E. Bourret2, F. Moretti2, S. Derenzo2

1Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin
2Lawrence Livermore Laboratory Berkeley, 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 94720, USA
12:10 Uhr
Features bei 2D/3D Modellierungen von industriellen VGF Prozessen

Dmitry Suptel

Freiberger Compound Materials GmbH, Am Junger Löwe Schacht 5, 09599 Freiberg
12:30 Uhr
Schlussworte
12:45 Uhr
Bei Interesse IKZ-Labtour nach Wunsch
  

Anmeldung und Vorträge

Die Teilnahme am Arbeitskreistreffen ist kostenlos. Wissenschaftliche Beiträge werden gerne angenommen.

Zur Vorbereitung bitte beachten:

  • Vortrag in deutscher oder englischer Sprache, bevorzugt aber mit englischem Foliensatz,
  • Dauer 20 Minuten plus 5 Minuten Diskussion (kann durch die Tagungsleitung geändert werden),
  • Beamer, Laptop und Präsentationshilfe stehen zur Verfügung, alternativ kann ein eigener Laptop verwendet werden.

Verbindliche Anmeldung

  • Bei Anmeldung eines wissenschaftlichen Beitrags bitte den Titel, den/die Vortragende/n und alle Autoren inkl. Affiliation angeben!
  • Die Anmeldung wird durch die Tagungsleitung bestätigt.

Kontakt

Tagungsleitung

    Frau Dr. habil. Radhakrishnan Sumathi,
    Herr Dr. Thomas Straubinger und
    Herr Prof. Dr.-Ing. Matthias Bickermann,
    Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin
    Tel.: (030) 6392-3047 (M. Bickermann)
    Fax: (030) 6392-3003