Meine Forschungsschwerpunkte:
- Schmelz- und Lösungszüchtung von Oxiden und Fluoriden für optische, piezoelektrische und Laser-Kristalle sowie als Substrate für neuartige elektronische Bauelemente.
- Züchtung und Charakterisierung von Halbleiter-Volumeneinkristallen aus der Gasphase. Die Kristalle finden Verwendung als Substratmaterial in der Halbleitertechnik.
- Züchtungstechnologien, Charakterisierungmethoden und Korrelation zwischen Herstellung und Eigenschaften von Volumen-Einkristallen allgemein.
(Übersicht geförderte Projekte)Ehemaliges Mitglied im Fachkollegium Materialwissenschaft (2020-2024)
Deutsche Gesellschaft für Kristallzüchtung und Kristallwachstum e.V.Mitglied seit 2010
Co-Sprecher des Arbeitskreises
"Kristalle für die Photonik" seit 2023
Initiativgemeinschaft außeruniversitärer Forschungsinstitute in Adlershof e.V. - Vorstandsmitglied seit 2015
Gründungspate und assoziiertes Mitglied der Berlin Research 50
2026 E-MRS Fall Meeting and ExhibitWarschau, Sept 14 to 17, 2026
Symposium Co-Organisator
"Wide and Ultra-Wide-Bandgap Semiconductors Challenges: From Materials to Applications"
International Workshop on Nitride Semiconductors 2026Kumamoto, Japan, 8.-13. Nov. 2026
Mitglied im Programmkomitee
9th European Conference on Crystal Growth (ECCG-9)
5th European School on Crystal Growth (ESCG-5)
Berlin/Potsdam, Juli 2027
Veranstalter, Co-Organisator
5th European School on Crystal Growth (ESCG-5)
Berlin/Potsdam, Juli 2027
Veranstalter, Co-Organisator
Lesen Sie mein Buchkapitel über AlN-Kristallzüchtung im BuchIII-Nitride Ultraviolet Emitters, Springer Verlag 2016
Lesen Sie mein Buchkapitel über die Kristallzüchtung von SiC und AlN im Elsevier Handbook of Crystal Growth, 2nd Ed., Vol. 2A
Journal of Crystal GrowthEditor seit 2020
Progress in Crystal Growth and Characterization of MaterialsAssoz. Editor seit 2014
Aktuelle Veröffentlichungen und Preprints:
- Bulk Rutile-GeO2 Single Crystals and Epi-ready Wafers Cryst. Res. Technol. (2026) in press
- Wide Bandgap Materials for Next-Generation Power Devices: Progress on AIN and beta-Ga2O3 Crystal Growth and Epitaxy at IKZ IEEE (2025) 12th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA), Fayetteville, AR, USA, 2025
- Structural and Optical Characterization of Highly Homogeneous Lithium Niobate Tantalate Single-Crystal Solid Solutions J. Crystal Growth 676 (2026) 128422
- Incorporation of Divalent Transition-Metal Ions in Bulk In2O3 Single Crystals Grown From the Melt and Their Impact on Optical and Electrical Properties J. Appl. Phys. 138 (2025) 025104
- Prediction of Impurity Concentrations by Absorption Spectra in AlN Single Crystals Using Random Forest Regression CrystEngComm 27 (2025) 184-190
- Bulk Single Crystals and Physical Properties of Rutile-GeO2 for High Power Electronics and DUV Optoelectronics Phys. Status Solidi B 262 (2025) 2400326
- Solid-Solution Limits and Thorough Characterization of Bulk β-(AlxGa1-x)2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski Method Adv. Mater. Interfaces 12 (2025) 2400122
- Thermal Conductivity in Solid Solutions of Lithium Niobate Tantalate Single Crystals from 300K up to 1300K J. Alloys Compounds 1008 (2024) 176549
- Evaluation and Thermodynamic Optimization of Phase Diagram of Lithium Niobate Tantalate Solid Solutions J. Mater. Sci. 59 (2024) 12305-12316
- Efficient Diameter Enlargement of Bulk AlN Single Crystals with High Structural Quality Appl. Phys. Express 16 (2023) 075502
- Fanout Periodic Poling of BaMgF4 Crystals Opt. Mater. Express 13 [8] (2023) 2158-2164
Aktuelle Abstracts/Vorträge:
- Crystals and Substrates for Next-Generation Oxide Semiconductor Devices
Invited talk at the 50. International Conference and Expo on Advanced Ceramics and Composites (Symposium 14) (ICACC 2026)
in Daytona Beach, Florida, USA on Jan 25–30, 2026 - Growth of Bulk Oxide Crystals for Next-Generation Oxide Semiconductors
Vortrag auf dem 14. Deutsch-Französischnr Oxidkristall-/Dielektrika-/Laserkristall-Workshop (WODIL 2025)
in Ettlingen am 24.-25. September 2025 - IKZ - Modern Crystal Science & Technology in Times of Geopolitical Change
Vortrag im Seminar von Prof. Daniel Vizman, Physik-Fakultät der West-Universität
in Timisoara, Rumänien am 23.-24. Juli 2025 - AlN and Ga2O3 Substrate Solutions for Next Generation Efficient Power Electronics Devices
Vortrag auf dem Arbeitstreffen zu Hochleistungsbauelementen für die Verteidigung
in ISL Saint-Louis, Frankreich am 11. Juni 2025 - Crystals and Substrates for Next-Generation Oxide Semiconductor Devices
Vortrag auf der Jahrestagung der DGKK (DKT 2025)
in Frankfurt am 5.-7. März 2025
Konferenzorganisation:
- 9. Europäische Kristallzüchtertagung (ECCG-9),
Potsdam, 25.-29. Juli 2027
(Konferenz-Mit-Veranstalter) - Internationaler Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2026 (IWN 2026),
Kumamoto, Japan, 8.-13. November 2026
(Mitglied im Programmkomitee) - Herbsttagung der Europäischen Materials Research Society 2026 (Symposium) (EMRS Fall 2026),
Warschau, Polen, 14.-17. September 2026
(Konferenz-Veranstalter Symposium xxx: Wide and Ultra-Wide-Bandgap Semiconductors Challenges: From Materials to Applications) - 9. Internationaler Workshop über Kristallzüchtungstechnologie (IWCGT-9),
Berlin, 8.-11. Juni 2026
(Konferenz-Veranstalter) - Jahrestagung der DGKK (DKT 2026),
Karlsruhe, 4.-6. März 2026
(Mitglied im Programmkomitee) - 7. Internationales Symposium über die Züchtung von Nitriden (ISGN-8),
Tainan, Taiwan, 9.-12. November 2025
(Mitglied im Programmkomitee)