A. Kamath, O. Skibitzki, D. Spirito, S. Dadgostar, I. M. Martinez, M. Schmidbauer, C. Richter, A. Kwasniewski, J. Serrano, J. Jimenez, C. Golz, M. A. Schubert, J. W. Tomm, G. Niu, F. Hatami
Phys. Rev. Mat. 7, 103801 (2023)
P. Gaal, D. Schmidt, M. Khosla, C. Richter, P. Boesecke, D. Novikov, M. Schmidbauer, J. SchwarzkopfApplied Surface Science 613 (2023) 155891
C. Kofahl, L. Dörrer, B. Muscutt, S. Sanna, S. Hurskyy, U. Yakhnevych, Y. Suhak, H. Fritze, S. Ganschow, H. SchmidtPhys. Rev. Materials 7 (2023) 033403
S. G. Pavlov, N. V. Abrosimov, H.-W. HübersPhys. Rev. B 107 (2023) 115205
E. Sauter, N. V. Abrosimov, J. Hübner, M. OestreichPhys. rev. res. 5 (2023) 013182
Q. Wang, R. Luo, Y. Wang, W. Fang, L. Jiang, Y. Liu,
R. Wang, L. Dai, J. Zhao, J. Bi, Z. Liu, L. Zhao,
Z. Jiang, Z. Song, J. Schwarzkopf, T. Schroeder, S. Wu,
Z. Ye, W. Ren, S. Song, G. NiuAdv. Funct. Mater. (2023) 2213296
W. Gilbert, T. Tanttu, W. H. Lim, M. Feng,
J. Y. Huang, J. D. Cifuentes, S. Serrano, P. Y. Mai, R. C. C. Leon, C. C. Escott, K. M. Itoh,
N. V. Abrosimov, H.-J. Pohl, M. L. W. Thewalt, F. E. Hudson, A. Morello, A. Laucht, C. H. Yang, A. Saraiva, A. S. DzurakNat. Nanotechnol. 18 (2023) 131–136
D. Klimm, B. Amgalan, S. Ganschow, A. Kwasniewski, Z. Galazka, M. BickermannCryst. Res. Technol. 58 (2023) 2200204
U. Yakhnevych, C. Kofahl, S. Hurskyy, S. Ganschow, Y. Suhak, H. Schmidt, H. FritzeSolid State Ion. 392 (2023) 116147
P. Abbasi, N. Shirato, R. E. Kumar, I. V. Albelo, M. R. Barone, D. N. Cakan, M. D. Cruz-Jauregui, S. Wieghold, D. G. Schlom, V. Rose, T. A. Pascal and D. P. Fenning
Acs Applied Nano Materials 6 (3), 2162-2170 (2023)
M. Agostini et al.European Physical Journal C 83 (4) (2023)
A. Attiaoui, G. Daligou, S. Assali, O. Skibitzki, T. Schroeder and O. MoutanabbirAdvanced Materials 35 (28) (2023)
K. Azizie, F. V. E. Hensling, C. A. Gorsak, Y. Kim, N. A. Pieczulewski, D. M. Dryden, M. K. I. Senevirathna, S. Coye, S. L. Shang, J. Steele, P. Vogt, N. A. Parker, Y. Birkholzer, J. P. McCandless, D. Jena, H. L. G. Xing, Z. K. Liu, M. D. Williams,Test
Silicon-doped beta-Ga2O3 films grown at 1 μm/h by suboxide molecular-beam epitaxy[10.1063/5.0139622](https://doi.org/10.1063/5.0139622)
A. Bachiri, M. Makowski, M. E. Witkowski, W. Drozdowski and Z. GalazkaOptical Materials Express 13 (5), 1345-1352 (2023)
M. Badtke, S. Kalusniak, H. Tanaka and C. KrankelOptics Letters 48 (13), 3379-3382 (2023)
A. Baki, M. Abdeldayem, C. Morales, J. I. Flege, D. Klimm, O. Bierwagen and J. SchwarzkopfCrystal Growth & Design 23 (4), 2522-2530 (2023)
U. Bashir, K. Bottcher, D. Klimm, S. Ganschow, F. Bernhardt, S. Sanna, M. Rusing, L. M. Eng, and M. BickermannFerroelectrics 613 (1), 250-262 (2023)
M. Bock, L. von Grafenstein, P. Fuertjes, D. Ueberschaer, M. Duda, O. Novak, N. Abrosimov, and U. GriebnerOptics Express 31 (9), 14096-14108 (2023)
L. Caretta, Y. T. Shao, J. Yu, A. B. Mei, B. F. Grosso, C. Dai, P. Behera, D. Lee, M. McCarter, E. Parsonnet, K. P. Harikrishnan, F. Xue, X. W. Guo, E. S. Barnard, S. Ganschow, Z. J. Hong, A. Raja, L. W. Martin, L. Q. Chen, M. Fiebig, K. J. Lai, N. A. Spaldin, D. A. Muller, D. G. Schlom, and R. RameshNature Materials 22 (2), 207-+ (2023)