Publikationen und Vorträge von Matthias Bickermann

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Erscheinungsjahr Autorenname Zeitschrift Forschungsgebiet

Solid-Solution Limits and Thorough Characterization of Bulk β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ Single Crystals Grown by the Czochralski Method

Z. Galazka, A. Fiedler, A. Popp, P. Seyidov, S. Bin Anooz, R. Blukis, J. Rehm, K. Tetzner, M. Pietsch, A. Dittmar, S. Ganschow, T.-S. Chou, A. Kwasniewski, M. Suendermann, T. Schroeder, M. Bickermann

Adv. Mater. Interfaces (2024) 2400122
DOI: 10.1002/admi.202400122 Manuskript
Evaluation and Thermodynamic Optimization of Phase Diagram of Lithium Niobate Tantalate Solid Solutions

U. Bashir, D. Klimm, M. Rüsing, S. Ganschow, M. Bickermann

J. Mater. Sci. 59 (2024) 12305-12316
DOI: 10.1007/s10853-024-09932-7 Manuskript
Efficient Diameter Enlargement of Bulk AlN Single Crystals with High Structural Quality

C. Hartmann, M. Pinar Kabukcuoglu, C. Richter, A. Klump, D. Schulz, U. Juda, M. Bickermann, D. Hänschke, T. Schröder, T. Straubinger

Appl. Phys. Express 16 (2023) 075502
DOI: 10.35848/1882-0786/ace60e Manuskript
Fanout Periodic Poling of BaMgF₄ Crystals

S.J. Herr, H. Tanaka, I. Breunig, M. Bickermann, F. Kühnemann

Opt. Mater. Express 13 [8] (2023) 2158-2164
DOI: 10.1364/OME.492170 Manuskript
Solid Solutions of Lithium Niobate and Lithium Tantalate: Crystal Growth and the Ferroelectric Transition

U. Bashir, K. Böttcher, D. Klimm, S. Ganschow, F. Bernhardt, S. Sanna, M. Bickermann

Ferroelectrics 613 (2023) 250-262
DOI: 10.1080/00150193.2023.2189842 Manuskript
Bulk Single Crystals and Physical Properties of β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ (x = 0 - 0.35) Grown by the Czochralski Method

Z. Galazka, A. Fiedler, A. Popp, S. Ganschow, A. Kwasniewski, P. Seyidov, M. Pietsch, A. Dittmar, S. Bin Anooz, K. Irmscher, M. Suendermann, D. Klimm, T.-S. Chou, J. Rehm, T. Schroeder, M. Bickermann

J. Appl. Phys. 133 (2023) 035702
DOI: 10.1063/5.0131285 Manuskript
Dislocation Climb in AlN Crystals Grown at Low Temperature Gradients Revealed by 3D X-Ray Imaging

T. Straubinger, C. Hartmann, M.P. Kabukcuoglu, M. Albrecht, M. Bickermann, A. Klump, S. Bode, E. Hamann, S. Haaga, M. Hurst, T. Schröder, D. Hänschke, C. Richter

Crystal Growth Des. 23 [3] (2023) 1538-1546
DOI: 10.1021/acs.cgd.2c01131 Manuskript
The Thermal Conductivity Tensor of β-Ga₂O₃ from 300 to 1275 K

D. Klimm, B. Amgalan, S. Ganschow, A. Kwasniewski, Z. Galazka, M. Bickermann

Cryst. Res. Technol. 58 (2023) 2200204
DOI: 10.1002/crat.202200204 Manuskript
Fingerprints of Carbon Defects in Vibrational Spectra of GaN Considering the Isotope Effect

I. Gamov, J.L. Lyons, G. Gärtner, K. Irmscher, E. Richter, M. Weyers, M.R. Wagner, M. Bickermann

Phys. Rev. B 106 (2022) 184110
DOI: 10.1103/PhysRevB.106.184110 Manuskript
Wüstite (Fe_1-xO) - Thermodynamics and Crystal Growth

M. Hamada, S. Ganschow, D. Klimm, G. Serghiou, H. J. Reichmann, M. Bickermann

Z. Naturforsch. B 77 [6] (2022) 463-468
DOI: 10.1515/znb-2022-0071 Manuskript
2 Inch Diameter, Highly Conducting Bulk β-Ga₂O₃ Single Crystals Grown by the Czochralski Method for High Power Switching Devices

Z. Galazka, A. Fiedler, A. Popp, S. Ganschow, A. Kwasniewski, P. Seyidov, M. Pietsch, A. Dittmar, S. Bin Anooz, K. Irmscher, M. Suendermann, D. Klimm, T.-S. Chou, J. Rehm, T. Schroeder, M. Bickermann

Appl. Phys. Lett. 120 (2022) 152101
DOI: 10.1063/5.0086996 Manuskript
Molten Ba(OH)₂ + 10%MgO as Defect Selective Drop Etchant for Dislocation Analysis on AlN Layers

L. Matiwe, C. Hartmann, L. Cancellara, M. Bickermann, A. Klump, J. Wollweber, S. Hagedorn, M. Weyers, T. Straubinger

Phys. Status Solidi A 219 (2022) 2100707
DOI: 10.1002/pssa.202100707 Manuskript
Phase Diagram Studies for the Growth of (Mg,Zr):SrGa₁₂O₁₉ Crystals

D. Klimm, B. Szczefanowicz, N. Wolff, M. Bickermann

J. Therm. Anal. Calorim. 147 (2022) 7133-7139
DOI: 10.1007/s10973-021-11050-4 Manuskript
Experimental Hall Electron Mobility of Bulk Single Crystals of Transparent Semiconducting Oxides

Z. Galazka, K. Irmscher, M. Pietsch, S. Ganschow, D. Schulz, D. Klimm, I.M. Hanke, T. Schroeder, M. Bickermann

J. Mater. Res. 36 (2021) 4746-4755
DOI: 10.1557/s43578-021-00353-9 Manuskript
Melt Growth and Physical Properties of Bulk LaInO₃ Single Crystals

Z. Galazka, K. Irmscher, S. Ganschow, M. Zupancic, W. Aggoune, C. Draxl, M. Albrecht, D. Klimm, A. Kwasniewski, T. Schulz, M. Pietsch, A. Dittmar, R. Grueneberg, U. Juda, R. Schewski, K. Char, H. Cho, T. Schroeder, M. Bickermann

Phys. Status Solidi A 218 (2021) 2100016
DOI: 10.1002/pssa.202100016 Manuskript
Photochromism and Influence of Point Defect Charge States on Optical Absorption in Aluminum Nitride (AlN)

I. Gamov, C. Hartmann, T. Straubinger, M. Bickermann

J. Appl. Phys. 129 (2021) 113103
DOI: 10.1063/5.0044519 Manuskript
Bulk Single Crystals of β-Ga₂O₃ and Ga-Based Spinels as Ultra-Wide Bandgap Transparent Semiconducting Oxides

Z. Galazka, S. Ganschow, K. Irmscher, D. Klimm, M. Albrecht, R. Schewski, M. Pietsch, T. Schulz, A. Dittmar, A. Kwasniewski, R. Grueneberg, S. Bin Anooz, A. Popp, U. Juda, I.M. Hanke, T. Schroeder, M. Bickermann

Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 67 (2021) 100511
DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2020.100511 Manuskript
Ti_Sr Antisite: An Abundant Point Defect in SrTiO₃

A. Karjalainen, V. Prozheeva, I. Makkonen, C. Guguschev, T. Markurt, M. Bickermann, F. Tuomisto

J. Appl. Phys. 127 (2020) 245702
DOI: 10.1063/5.0010304 Manuskript
Favourable Growth Conditions for the Preparation of Bulk AlN Single Crystals by PVT

C. Hartmann, L. Matiwe, J. Wollweber, I. Gamov, K. Irmscher, M. Bickermann, T. Straubinger

CrystEngComm 22 (2020) 1762-1768
DOI: 10.1039/c9ce01952a Manuskript
Overgrowth of Nano-Pillar-Patterned Sapphire With Different Offcut Angle by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

S. Walde, S. Hagedorn, P.-M. Coulon, A. Mogilatenko, C. Netzel, J. Weinrich, N. Susilo, E. Ziffer, L. Matiwe, C. Hartmann, G. Kusch, A. Alasmari, G. Naresh-Kumar, C. Trager-Cowan, T. Wernicke, T. Straubinger, M. Bickermann, R. W. Martin, P. A. Shields, M. Kneissl, M. Weyers

J. Crystal Growth 531 (2020) 125343
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125343 Manuskript
Czochralski-Grown Bulk β-Ga₂O₃ Single Crystals Doped with Mono-, Di-, Tri-, and Tetravalent Ions

Z. Galazka, K. Irmscher, R. Schewski, I.M. Hanke, M. Pietsch, S. Ganschow, D. Klimm, A. Dittmar, A. Fiedler, T. Schröder, M. Bickermann

J. Crystal Growth 529 (2020) 125297
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125297 Manuskript
Bulk β-Ga₂O₃ Single Crystals Doped with Ce, Ce+Si, Ce+Al, and Ce+Al+Si for Detection of Nuclear Radiation

Z. Galazka, R. Schewski, K. Irmscher, W. Drozdowski, M.E. Witkowski, M. Makowski, A.J. Wojtowicz, I.M. Hanke, M. Pietsch, T. Schulz, D. Klimm, S. Ganschow, A. Dittmar, A. Fiedler, T. Schröder, M. Bickermann

J. Alloys Compounds 818 (2020) 152842
DOI: 10.1016/j.jallcom.2019.152842 Manuskript
REScO₃ Substrates: Purveyors of Strain Engineering

D. Klimm, C. Guguschev, S. Ganschow, M. Bickermann, D.G. Schlom

Cryst. Res. Technol. 55 [2] (2020) 1900111
DOI: 10.1002/crat.201900111 Manuskript
Carbon Pair Defects in Aluminum Nitride

I. Gamov, C. Hartmann, J. Wollweber, A. Dittmar, T. Straubinger, M. Bickermann, I. Kogut, H. Fritze, K. Irmscher

J. Appl. Phys. 126 (2019) 215102
DOI: 10.1063/1.5123049 Manuskript
Electromechanical Losses in Carbon- and Oxygen-Containing Bulk AlN Single Crystals

I. Kogut, C. Hartmann, I. Gamov, Y. Suhak, M. Schulz, S. Schröder, J. Wollweber, A. Dittmar, K. Irmscher, T. Straubinger, M. Bickermann, H. Fritze

Solid State Ionics 343 (2019) 115072
DOI: 10.1016/j.ssi.2019.115072 Manuskript
Ultra-Wide Bandgap, Conductive and High Mobility Melt-Grown Truly Bulk ZnGa₂O₄ Single Crystals

Z. Galazka, S. Ganschow, R. Schewski, K. Irmscher, D. Klimm, A. Kwasniewski, M. Pietsch, A. Fiedler, I. Schulze-Jonack, M. Albrecht, M. Bickermann, T. Schröder

APL Materials 7 (2019) 022512
DOI: 10.1063/1.5053867 Manuskript
Crystal Defect Analysis in AlN Layers Grown by MOVPE on Bulk AlN

A. Mogilatenko, A. Knauer, U. Zeimer, C. Netzel, J. Jeschke, C. Hartmann, J. Wollweber, A. Dittmar, U. Juda, M. Weyers, M. Bickermann

J. Crystal Growth 505 (2018) 69-73
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.10.021 Manuskript
Physical Vapor Transport Growth of bulk Al_1-xSc_xN Single Crystals

A. Dittmar, C. Hartmann, D. Klimm, M. Schmidbauer, J. Wollweber, M. Bickermann

J. Crystal Growth 500 (2018) 74-79
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.07.022 Manuskript
The Thermal Conductivity of Single Crystalline AlN

R. Rounds, B. Sarkar, A. Klump, C. Hartmann, T. Nagashima, R. Kirste, A. Franke, M. Bickermann, Y. Kumagai, Z. Sitar, R. Collazo

Appl. Phys. Express 11 (2018) 71001
DOI: 10.7567/APEX.11.071001 Manuskript
The Influence of Point Defects on the Thermal Conductivity of AlN Crystals

R. Rounds, B. Sarkar, D. Alden, Q. Guo, A. Klump, C. Hartmann, T. Nagashima, R. Kirste, A. Franke, M. Bickermann, Y. Kumagai, Z. Sitar, R. Collazo

J. Appl. Phys. 123 (2018) 185107
DOI: 10.1063/1.5028141 Manuskript
Doping of Czochralski-Grown Bulk β-Ga₂O₃ Single Crystals with Cr, Ce and Al

Z. Galazka, S. Ganschow, A. Fiedler, R. Bertram, D. Klimm, K. Irmscher, R. Schewski, M. Pietsch, M. Albrecht, M. Bickermann

J. Crystal Growth 486 (2018) 82-90
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.01.022 Manuskript
Preface: AlN and AlGaN Materials and Devices

M. Bickermann, R. Collazo, E. Monroy, P. Perlin

Phys. Status Solidi A 214 (2017) 1770155

Konferenz-Grußwort auf der Herbsttagung der Europäischen Materials Research Society 2016 (Symposium F) (EMRS Fall 2016).
DOI: 10.1002/pssa.201770155 Manuskript
Crystal Growth and Characterization of the Pyrochlore Tb₂Ti₂O₇

D. Klimm, C. Guguschev, D. J. Kok, M. Naumann, L. Ackermann, D. Rytz, M. Peltz, K. Dupré, Maciej Neumann, A. Kwasniewski, D. G. Schlom, M. Bickermann

CrystEngComm 19 (2017) 3908-3914
DOI: 10.1039/C7CE00942A Manuskript
Czochralski Growth and Characterization of Cerium Doped Calcium Scandate

C. Guguschev, J. Philippen, D. J. Kok, T. Markurt, D. Klimm, K. Hinrichs, R. Uecker, R. Bertram, M. Bickermann

CrystEngComm 19 (2017) 2553-2560
DOI: 10.1039/C7CE00445A Manuskript
Carbon Doped GaN Layers Grown by Pseudo-Halide Vapour Phase Epitaxy

D. Siche, R. Zwierz, K. Kachel, N. Jankowski, C. Nenstiel, G. Callsen, M. Bickermann, A. Hoffmann

Cryst. Res. Technol. 52 (2017) 1600364
DOI: 10.1002/crat.201600364 Manuskript
Melt Growth and Properties of Bulk BaSnO₃ Single Crystals

Z. Galazka, R. Uecker, K. Irmscher, D. Klimm, R. Bertram, A. Kwasniewski, M. Naumann, R. Schewski, M. Pietsch, U. Juda, A. Fiedler, M. Albrecht, S. Ganschow, T. Markurt, C. Guguschev, M. Bickermann

J. Phys.: Condens. Matter 29 (2017) 075701
DOI: 10.1088/1361-648X/aa50e2 Manuskript
Scaling-up of Bulk β-Ga₂O₃ Single Crystals by the Czochralski Method

Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Naumann, M. Pietsch, A. Kwasniewski, R. Bertram, S. Ganschow, M. Bickermann

ECS J. Solid State Sci. Technol. 6 (2017) Q3007-Q3011
DOI: 10.1149/2.0021702jss Manuskript
Top-seeded Solution Growth of SrTiO₃ Single Crystals Virtually Free of Mosaicity

C. Guguschev, D. J. Kok, U. Juda, R. Uecker, S. Sintonen, Z. Galazka, M. Bickermann

J. Crystal Growth 468 (2017) 305-310

Eingeladener Vortrag von C. Guguschev auf der 18. Internationalen Konferenz über Kristallzüchtung und Epitaxie (ICCGE-18) in Nagoya, Japan am 7.-12. August 2016.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.10.048 Manuskript
Growth and Properties of Bulk AlN Substrates

M. Bickermann

in: III-Nitride Ultraviolet Emitters - Technology and applications, M. Kneissl and J. Rass (eds.), Springer Series in Materials Science 227, Springer Verlag 2016, ISBN: 978-3-319-24098-5, Chapter 2 (2016)
DOI: 10.1007/978-3-319-24100-5_2 Manuskript
Preparation of Deep UV Transparent AlN Substrates with High Structural Perfection for Optoelectronic Devices

C. Hartmann, J. Wollweber, S. Sintonen, A. Dittmar, L. Kirste, S. Kollowa, K. Irmscher, M. Bickermann

CrystEngComm 18 (2016) 3488-3497
DOI: 10.1039/C6CE00622A Manuskript
FTIR Exhaust Gas Analysis of GaN Pseudo-Halide Vapour Phase Growth

K. Kachel, D. Siche, S. Golka, P. Sennikov, M. Bickermann

Mater. Chem. Phys. 177 (2016) 12-18
DOI: 10.1016/j.matchemphys.2016.03.010 Manuskript
Precipitates Originating from Tungsten Crucible Parts in AlN Bulk Crystals Grown by the PVT Method

F. Langhans, S. Kiefer, C. Hartmann, T. Markurt, T. Schulz, C. Guguschev, M. Naumann, S. Kollowa, A. Dittmar, J. Wollweber, M. Bickermann

Cryst. Res. Technol. 51 (2016) 129-136
DOI: 10.1002/crat.201500201 Manuskript
Vapor Transport Growth of Wide Bandgap Materials

M. Bickermann, T. Paskova

in: Handbook of Crystal Growth, Second Edition, Vol 2A: Bulk Crystal Growth - Basic Technologies, P. Rudolph (ed.), Elsevier Science Ltd. 2015, ISBN: 978-0-44463-303-3, Chapter 16 (2015)
DOI: 10.1016/B978-0-444-63303-3.00016-X Manuskript
MgGa₂O₄ as a New Wide Bandgap Transparent Semiconducting Oxide - Growth and Properties of Bulk Single Crystals

Z. Galazka, D. Klimm, K. Irmscher, R. Uecker, M. Pietsch, R. Bertram, M. Naumann, A. Kwasniewski, R. Schewski, M. Bickermann

Phys. Status Solidi A 212 (2015) 1455-1460
DOI: 10.1002/pssa.201431835 Manuskript
Influence of Oxygen Partial Pressure on SrTiO₃ Bulk Crystal Growth from Non-stoichiometric Melts

C. Guguschev, D. J. Kok, Z. Galazka, D. Klimm, R. Uecker, R. Bertram, M. Naumann, U. Juda, A. Kwasniewski, M. Bickermann

CrystEngComm 17 (2015) 3224-3234
DOI: 10.1039/C5CE00095E Manuskript
Temperature Dependent Dielectric Function and Reflectivity Spectra of Nonpolar Wurtzite AlN

M. Feneberg, M. F. Romero, B. Neuschl, K. Thonke, M. Röppischer, C. Cobet, N. Esser, M. Bickermann, R. Goldhahn

Thin Solid Films 571 (2014) 502-505

Vortrag von M. Feneberg auf der 6. Internationalen Konferenz über Spektroskopische Ellipsometrie (ICSE-VI) in Kyoto, Japan am 26.-31. Mai 2013.
DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.092 Manuskript
Growth, Characterization, and Properties of Bulk SnO₂ Single Crystals

Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Pietsch, R. Schewski, M. Albrecht, A. Kwasniewski, S. Ganschow, D. Schulz, C. Guguschev, R. Bertram, M. Bickermann, R. Fornari

Phys. Status Solidi A 211 (2014) 66-73
DOI: 10.1002/pssa.201330020 Manuskript
On the Bulk β-Ga₂O₃ Single Crystals Grown by the Czochralski Method

Z. Galazka, K. Irmscher, R. Uecker, R. Bertram, M. Pietsch, A. Kwasniewski, M. Naumann, T. Schulz, R. Schewski, D. Klimm, M. Bickermann

J. Crystal Growth 404 (2014) 184-191
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.07.021 Manuskript
A Study of the Step-flow Growth of the PVT-grown AlN Crystals by Multi-scale Modeling Method

W. Guo, J. Kundin, M. Bickermann, H. Emmerich

CrystEngComm 16 [29] (2014) 6564-6577
DOI: 10.1039/C4CE00175C Manuskript
Bulk AlN Growth by Physical Vapor Transport

C. Hartmann, A. Dittmar, J. Wollweber, M. Bickermann

Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 084002
DOI: 10.1088/0268-1242/29/8/084002 Manuskript
Performance Characteristics of UV-C AlGaN Quantum Well Lasers Grown on Sapphire and Bulk AlN Substrates

M. Martens, F. Mehnke, C. Kuhn, C. Reich, V. Kueller, A. Knauer, C. Netzel, C. Hartmann, J. Wollweber, J. Rass, T. Wernicke, M. Bickermann, M. Weyers, M. Kneissl

IEEE Photonics Lett. 26 [4] (2014) 342-345
DOI: 10.1109/LPT.2013.2293611 Manuskript
Negative Spin-Exchange Splitting in the Exciton Fine Structure of AlN

M. Feneberg, M. F. Romero, B. Neuschl, K. Thonke, M. Röppischer, C. Cobet, N. Esser, M. Bickermann, R. Goldhahn

Appl. Phys. Lett. 102 (2013) 052112
DOI: 10.1063/1.4790645 Manuskript
Anisotropic Absorption and Emission of Bulk (1-100) AlN

M. Feneberg, M. F. Romero, M. Röppischer, C. Cobet, N. Esser, B. Neuschl, K. Thonke, M. Bickermann, R. Goldhahn

Phys. Rev. B 87 (2013) 235209
DOI: 10.1103/PhysRevB.87.235209 Manuskript
Perpetuating Structural Perfection of Bulk AlN Single Crystals Using PVT Growth on AlN Seeds Cut from Freestanding Crystals

C. Hartmann, J. Wollweber, A. Dittmar, K. Irmscher, A. Kwasniewski, F. Langhans, T. Neugut, M. Bickermann

Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 08JA06

Vortrag von C. Hartmann auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2012 (IWN 2012) in Sapporo, Japan am 15.-19. Oktober 2012.
DOI: 10.7567/JJAP.52.08JA06 Manuskript
Identification of a Tri-carbon Defect and its Relation to the Ultraviolet Absorption in Aluminum Nitride

K. Irmscher, C. Hartmann, C. Guguschev, M. Pietsch, J. Wollweber, M. Bickermann

J. Appl. Phys. 114 (2013) 123505
DOI: 10.1063/1.4821848 Manuskript
Faceting in AlN Bulk Crystal Growth and its Impact on Optical Properties of the Crystals

M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, B. Tautz, P. Heimann, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 9 [3-4] (2012) 449-452

Vortrag auf der 9. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-9).
DOI: 10.1002/pssc.201100345 Manuskript Foliensatz
Ohmic and Rectifying Contacts on Bulk AlN for Radiation Detector Applications

T. Erlbacher, M. Bickermann, B. Kallinger, E. Meissner, A. J. Bauer, L. Frey

Phys. Status Solidi C 9 [3-4] (2012) 968-971

Poster von T. Erlbacher auf der 9. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-9) in Glasgow, Großbritannien am 10.-15. Juli 2011.
DOI: 10.1002/pssc.201100341 Manuskript
Growth of Bulk AlN Single Crystals with Low Oxygen Content Taking into Account Thermal and Kinetic Effects of Oxygen-related Gaseous Species

C. Guguschev, A. Dittmar, E. Moukhina, C. Hartmann, S. Golka, J. Wollweber, M. Bickermann, R.Fornari

J. Crystal Growth 360 (2012) 185-188
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.02.019 Manuskript
Growth of AlN Bulk Crystals on SiC Seeds: Chemical Analysis and Crystal Properties

M. Bickermann, O. Filip, B.M. Epelbaum, P. Heimann, M. Feneberg, B. Neuschl, K. Thonke, E. Wedler, A. Winnacker

J. Crystal Growth 339 (2012) 13-21
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.11.043 Manuskript
Structural Defects in Aluminum Nitride Bulk Crystals Visualized by Cathodoluminescence Maps

M. Bickermann, S. Schimmel, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 8 [7-8] (2011) 2235-2238

Vortrag auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2010 (IWN 2010).
DOI: 10.1002/pssc.201000864 Manuskript Foliensatz
Thermally Stimulated Luminescence in Aluminium Nitride Crystals

M. Bickermann, S. Schuster, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 8 [7-8] (2011) 2104-2106

Poster auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2010 (IWN 2010).
DOI: 10.1002/pssc.201000863 Manuskript Poster
Silicon in AlN: Shallow Donor and DX Behaviors

N. T. Son, M. Bickermann, E. Janzén

Phys. Status Solidi C 8 [7-8] (2011) 2167-2169

Vortrag von N. T. Son auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2010 (IWN 2010) in Tampa, Florida, USA am 19.-24. September 2010.
DOI: 10.1002/pssc.201001030 Manuskript
Effects of Growth Direction and Polarity on Bulk Aluminum Nitride Crystal Properties

O. Filip, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Heimann, A. Winnacker

J. Crystal Growth 318 (2011) 427-431

Vortrag von O. Filip auf der 16. Internationalen Konferenz über Kristallzüchtung (ICCG-16) in Peking, China am 16.-21. August 2010.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.198 Manuskript
Defects at Nitrogen Site in Electron-irradiated AlN

N. T. Son, A. Gali, Á. Szabó, M. Bickermann, T. Ohshima, J. Isoya, E. Janzén

Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 242116
DOI: 10.1063/1.3600638 Manuskript
Shallow Donor and DX States of Si in AlN

N. T. Son, M. Bickermann, E. Janzén

Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 092104
DOI: 10.1063/1.3559914 Manuskript
Deep-UV Transparent Bulk Single-crystalline AlN Substrates

M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, M. Feneberg, S. Nagata, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 7 [7-8] (2010) 1743-1745

Vortrag auf der 8. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-8).
DOI: 10.1002/pssc.200983422 Manuskript Foliensatz
Sublimation Growth of Bulk Crystals of AlN-Rich (AlN)_x(SiC)_1-x Solid Solutions

M. Bickermann, O. Filip, B. M. Epelbaum, P. Heimann, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 7 [7-8] (2010) 1746-1748

Poster auf der 8. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-8).
DOI: 10.1002/pssc.200983423 Manuskript Poster
UV Transparent Single-Crystalline Bulk AlN Substrates

M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 7 [1] (2010) 21-24

Vortrag auf der Frühjahrstagung der Europäischen Materials Research Society 2009 (Symposium J) (EMRS Spring 2009).
DOI: 10.1002/pssc.200982601 Manuskript Foliensatz
Crystal Growth of Mixed AlN-SiC Bulk Crystals

O. Filip, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, P. Heimann, A. Winnacker

J. Crystal Growth 312 [18] (2010) 2522-2526

Vortrag von O. Filip auf dem 6. Internationalen Workshop über Nitrid-Volumenkristalle (IWBNS-VI) in Galindia, Polen am 23.-28. August 2009.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.04.006 Manuskript
High-excitation and High-resolution Photoluminescence Spectra of Bulk AlN

M. Feneberg, R.A.R. Leute, B. Neuschl, K. Thonke, M. Bickermann

Phys. Rev. B 82 (2010) 075208
DOI: 10.1103/PhysRevB.82.075208 Manuskript
Point Defect Content and Optical Transitions in Bulk Aluminum Nitride Crystals

M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker

Phys. Status Solidi B 246 (2009) 1181-1183

Vortrag auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2008 (IWN 2008).
DOI: 10.1002/pssb.200880753 Manuskript Foliensatz
Seeded Growth of AlN on (0001)-plane 6H-SiC Substrates

O. Filip, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 615-617 (2009) 983-986

Vortrag von O. Filip auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2008) in Barcelona, Spanien am 8.-12. September 2008.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.983 Manuskript
Defects in AlN: High-frequency EPR and ENDOR Studies

S. B. Orlinskii, P. G. Baranov, A. P. Bundakova, M. Bickermann, J. Schmidt

Physica B 404 (2009) 4873-4876
DOI: 10.1016/j.physb.2009.08.239 Manuskript
Growth on Rhombohedral (01-1n) Plane: An Alternative for Preparation of High Quality Bulk SiC Crystals

O. Filip, B. Epelbaum, J. Li, M. Bickermann, X. Xu, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 600-603 (2009) 23-26

Vortrag von O. Filip auf der 12. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2007) in Otsu, Kyoto, Japan am 13.-19. Oktober 2007.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.23 Manuskript
Structural Properties of Aluminum Nitride Bulk Single Crystals Grown by PVT

M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 5 [6] (2008) 1502-1504

Poster auf der 7. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-7).
DOI: 10.1002/pssc.200778422 Manuskript Poster
Characterization of Bulk AlN Crystals With Positron Annihilation Spectroscopy

F. Tuomisto, J.-M. Mäki, T. Yu. Chemekova, Yu. N. Makarov, O. V. Avdeev, E. N. Mokhov, A.S. Segal, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava, M. Bickermann, B. M. Epelbaum

J. Crystal Growth 310 (2008) 3998-4001

Vortrag von F. Tuomisto auf dem 5. Internationalen Workshop über Nitrid-Volumenkristalle (IWBNS-V) in Salvador, Bahia, Brasilien am 24.-28. September 2007.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.06.013 Manuskript
Polarization-Dependent Below Band-Gap Optical Absorption of Aluminum Nitride Bulk Crystals

M. Bickermann, A. Münch, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker

J. Appl. Phys. 103 (2008) 073522
DOI: 10.1063/1.2903139 Manuskript
Observation of the Triplet Meta-stable State of Shallow Donor Pairs in AlN Crystals with a Negative U Behavior: A High-frequency EPR/ENDOR Study

S. B. Orlinskii, J. Schmidt, P. G. Baranov, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker

Phys. Rev. Lett. 100 (2008) 256404
DOI: 10.1103/PhysRevLett.100.256404 Manuskript
Defect-Selective Etching of Aluminum Nitride Single Crystals

M. Bickermann, S. Schmidt, B. M. Epelbaum, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 4 [7] (2007) 2609-2612

Poster auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2006 (IWN 2006).
DOI: 10.1002/pssc.200674724 Manuskript Poster
Development of Natural Habit of Large Free-Nucleated AlN Single Crystals

B. M. Epelbaum, S. Nagata, M. Bickermann, P. Heimann, A. Winnacker

Phys. Status Solidi B 244 [6] (2007) 1780-1783

Vortrag von B. M. Epelbaum auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2006 (IWN 2006) in Kyoto, Japan am 22.-27. Oktober 2006.
DOI: 10.1002/pssb.200674835 Manuskript
Initial Growth Stage in PVT Growth of AlN on SiC Substrates: Influence of Al₂O₃

P. Heimann, C. Pfeiffer, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, S. Nagata, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 4 [7] (2007) 2223-2226

Poster von P. Heimann auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2006 (IWN 2006) in Kyoto, Japan am 22.-27. Oktober 2006.
DOI: 10.1002/pssc.200674723 Manuskript
Growth of 4H-SiC on Rhombohedral (01-14) Plane Seeds

J. Li, O. Filip, B. M. Epelbaum, X. Xu, M. Bickermann, A. Winnacker

J. Crystal Growth 308 (2007) 41-49
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.07.039 Manuskript
Similarities and Differences in Sublimation Growth of SiC and AlN

B. M. Epelbaum, M. Bickermann, S. Nagata, P. Heimann, O. Filip, A. Winnacker

J. Crystal Growth 305 (2007) 317-325

Vortrag von B. M. Epelbaum auf dem 4. Internationalen Workshop über Nitrid-Volumenkristalle (IWBNS-IV) in Makino, Shiga, Japan am 16.-21. Oktober 2006.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.04.008 Manuskript
Wet KOH Etching of Freestanding AlN Single Crystals

M. Bickermann, S. Schmidt, B. M. Epelbaum, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker

J. Crystal Growth 300 (2007) 299-307
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.12.037 Manuskript
Growth and Characterization of High-quality 6H-SiC (01-15) Bulk Crystals

O. Filip, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 556-557 (2007) 17-20

Poster von O. Filip auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2006) in Newcastle upon Tyne, Großbritannien am 3.-7. September 2006.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.17 Manuskript
Photoluminescence, Cathodoluminescence, and Reflectance Study of AlN Layers and AlN Single Crystals

G. M. Prinz, A. Ladenburger, M. Feneberg, M. Schirra, S. B. Thapa, M. Bickermann, B. Epelbaum, F. Scholz, K. Thonke, R. Sauer

Superlatt. Microstruct. 40 (2006) 513-518

Poster von G. M. Prinz auf der Frühjahrstagung der Europäischen Materials Research Society 2006 (Symposium S) (EMRS Spring 2006) in Nizza, Frankreich am 28. Mai-2. Juni 2006.
DOI: 10.1016/j.spmi.2006.10.001 Manuskript
Orientation-Dependent Properties of Aluminum Nitride Single Crystals

M. Bickermann, P. Heimann, B. M. Epelbaum

Phys. Status Solidi C 3 [6] (2006) 1902-1906

Poster auf der 6. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-6).
DOI: 10.1002/pssc.200565255 Manuskript Poster
The Initial Growth Stage in PVT Growth of Aluminum Nitride

P. Heimann, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, S. Nagata, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 3 [6] (2006) 1575-1578

Poster von P. Heimann auf der 6. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-6) in Bremen am 28. August-2. September 2005.
DOI: 10.1002/pssc.200565260 Manuskript
Structural Properties of AlN Crystals Grown by Physical Vapor Transport

M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 2 [7] (2005) 2044-2048

Poster auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2004 (IWN 2004).
DOI: 10.1002/pssc.200461422 Manuskript Poster
Comparative Study of Initial Growth Stage in PVT Growth of AlN on SiC and on Native AlN Single-Crystalline Substrates

B. M. Epelbaum, P. Heimann, M. Bickermann, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 2 [7] (2005) 2070-2073

Vortrag auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2004 (IWN 2004).
DOI: 10.1002/pssc.200461472 Manuskript Foliensatz
Growth and Characterization of Bulk AlN Substrates Grown by PVT

M. Bickermann, B. M. Epelbaum, M. Kazan, Z. Herro, P. Masri, A. Winnacker

Phys. Status Solidi A 202 (2005) 531-535

Vortrag auf der 7. Konferenz "Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies" (EXMATEC 2004).
DOI: 10.1002/pssa.200460416 Manuskript Foliensatz
Investigation of (0001) Lattice Plane Bending in Large SiC Crystals Using High Energy X-ray Technique

B. M. Epelbaum, Z. G. Herro, M. Bickermann, C. Seitz, A. Magerl, P. Masri, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 2 [4] (2005) 1288-1291

Poster von B. M. Epelbaum auf der 7. Konferenz "Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies" (EXMATEC 2004) in Montpellier, Frankreich am 2.-5. Juni 2004.
DOI: 10.1002/pssc.200460428 Manuskript
Orientation-Dependent Phonon Observation in Single-Crystalline Aluminum Nitride

M. Bickermann, B. M. Epelbaum, P. Heimann, Z. G. Herro, A. Winnacker

Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 131904
DOI: 10.1063/1.1894610 Manuskript
LPE of Silicon Carbide Using Diluted Si-Ge Flux

O. Filip, B. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 483-485 (2005) 133-136

Poster von O. Filip auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2004) in Bologna, Italien am 31. August-4. September 2004.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.133 Manuskript
Liquid Phase Homoepitaxial Growth of 6H-SiC on (01-15) Oriented Substrates

O. Filip, B. Epelbaum, Z. G. Herro, M. Bickermann, A. Winnacker

J. Crystal Growth 282 (2005) 286-289
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.05.013 Manuskript
Growth of 6H-SiC Crystals Along the [01-15] Direction

Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, C. Seitz, A. Magerl, A. Winnacker

J. Crystal Growth 275 (2005) 496-503
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.12.024 Manuskript
Approaches to Seeded PVT Growth of AlN Crystals

B. M. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker

J. Crystal Growth 275 (2005) e479-e484

Vortrag von B. M. Epelbaum auf der 14. Internationalen Konferenz über Kristallzüchtung (ICCG-14) in Grenoble, Frankreich am 9.-13. August 2004.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.113 Manuskript
Micropipe Healing in SiC Wafers by Liquid-Phase Epitaxy in Si-Ge Melts

O. Filip, B. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker

J. Crystal Growth 271 (2004) 142-150
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.07.040 Manuskript
Characterization of Bulk AlN with Low Oxygen Content

M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker

J. Crystal Growth 269 (2004) 432-442
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.05.071 Manuskript
Natural Growth Habit of Bulk AlN Crystals

B. M. Epelbaum, C. Seitz, A. Magerl, M. Bickermann, A. Winnacker

J. Crystal Growth 265 (2004) 577-581
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.02.100 Manuskript
Effective Increase of Single-Crystalline Yield During PVT Growth of SiC by Tailoring of Radial Temperature Gradient

Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Masri, A. Winnacker

J. Crystal Growth 262 (2004) 105-112
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.10.060 Manuskript
Structural, Optical, and Electrical Properties of Bulk AlN Crystals Grown by PVT

M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 1541-1544

Poster auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003).
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.1541 Manuskript Poster
Analysis of Different Vanadium Charge States in Vanadium Doped 6H-SiC by Low Temperature Optical Absorption and Electron Paramagnetic Resonance

M. Bickermann, K. Irmscher, R. Weingärtner, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 787-790

Poster auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003).
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.787 Manuskript Poster
Sublimation Growth of Bulk AlN crystals: Process Temperature and Growth Rate

B. M. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 1537-1540

Vortrag von B. M. Epelbaum auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.1537 Manuskript
Flux Growth of SiC Crystals from Eutectic Melt SiC-B4C

B. M. Epelbaum, P. A. Gurzhiyants, Z. Herro, M. Bickermann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 119-122

Poster von B. M. Epelbaum auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.119 Manuskript
Uniform Axial Charge Carrier Concentration in PVT-grown p-type 6H-SiC by Non-uniform Distribution of Boron in the Powder Source

Z. G. Herro, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, R. Weingärtner, U. Künecke, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 719-722

Poster von Z. G. Herro auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.719 Manuskript
Effect of Thermal Field on Interface Step Structures during PVT Growth of Si-face 6H-SiC

Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Masri, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 95-98

Poster von Z. G. Herro auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.95 Manuskript
Natural Crystal Habit and Preferential Growth Directions in PVT of Silicon Carbide

Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Masri, C. Seitz, A. Magerl, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 111-114

Poster von Z. G. Herro auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.111 Manuskript
AFM Investigation of Interface Step Structures On PVT-Grown of (0001)Si 6H-SiC crystals

Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, R. Weingärtner, M. Bickermann, P. Masri, A. Winnacker

J. Crystal Growth 270 (2004) 113-120
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.05.107 Manuskript
On the Preparation of Vanadium Doped PVT Grown SiC Boules with High Semi-Insulating Yield

M. Bickermann, R. Weingärtner, A. Winnacker

J. Crystal Growth 254 (2003) 390-399
DOI: 10.1016/S0022-0248(03)01179-5 Manuskript
PVT Growth of Bulk AlN Crystals with Low Oxygen Contamination

M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker

Phys. Status Solidi C 0 [7] (2003) 1993-1996

Vortrag auf der 5. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-5).
DOI: 10.1002/pssc.200303280 Manuskript Foliensatz
Electrical and Optical Characterization of p-Type Boron Doped 6H-SiC Bulk Crystals

M. Bickermann, R. Weingärtner, Z. Herro, D. Hofmann, U. Künecke, P. J. Wellmann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 337-340

Poster auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002).
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.337 Manuskript Poster
Preparation of Semi-Insulating Silicon Carbide by Vanadium Doping During PVT Bulk Crystal Growth

M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 51-54

Poster auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002).
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.51 Manuskript Poster
Seeded PVT Growth of Aluminum Nitride on Silicon Carbide

B. M. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 983-986

Poster von B. M. Epelbaum auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.983 Manuskript
Effective Increase of Single-Crystalline Yield During PVT Growth of SiC by Tailoring of Radial Temperature Gradient

Z. Herro, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, P. Masri, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 67-70

Poster von Z. Herro auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.67 Manuskript
PVT Growth of Co-Doped Semi-Insulating 2 inch 6H-SiC Crystals

M. Rasp, Th. L. Straubinger, E. Schmitt, M. Bickermann, S. Reshanov, H. Sadowski

Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 55-58

Poster von M. Rasp auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.55 Manuskript
Impact of Compensation on Optical Absorption Bands in the Below Band Gap Region in n-type (N) 6H-SiC

R. Weingärtner, M. Bickermann, Z. Herro, U. Künecke, S. A. Sakwe, P. J. Wellmann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 333-336

Poster von R. Weingärtner auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.333 Manuskript
Aluminum p-type Doping of Silicon Carbide Crystals Using a Modified Physical Vapor Transport Growth Method

T. L. Straubinger, M. Bickermann, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker

J. Crystal Growth 240 (2002) 117-123
DOI: 10.1016/S0022-0248(02)00917-X Manuskript
On the Preparation of Vanadium-Doped Semi-insulating SiC Bulk Crystals

M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 139-142

Vortrag auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001).
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.139 Manuskript Foliensatz
Incorporation of Boron and the Role of Nitrogen as a Compensation Source in SiC Bulk Crystal Growth

M. Bickermann, R. Weingärtner, D. Hofmann, T. L. Straubinger, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 127-130

Poster auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001).
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.127 Manuskript Poster
Sublimation Growth of Bulk AlN Crystals: Materials Compatibility and Crystal Quality

B. M. Epelbaum, D. Hofmann, M. Bickermann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 1445-1448

Vortrag auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001).
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1445 Manuskript Foliensatz
Aluminum Doping of 6H and 4H SiC with a Modified PVT Growth Method

T. L. Straubinger, M. Bickermann, M. Rasp, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 131-134

Poster von T. L. Straubinger auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001) in Tsukuba, Japan am 28. Oktober-2. November 2001.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.131 Manuskript
Determination of Charge Carrier Concentration in n- and p-Doped SiC Based on Optical Absorption Measurements

R. Weingärtner, P. J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, A. Winnacker

Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 70-72
DOI: 10.1063/1.1430262 Manuskript
Optical Quantitative Determination of Doping Levels and their Distribution in SiC

P. J. Wellmann, R. Weingärtner, M. Bickermann, T. L. Straubinger, A. Winnacker

Mater. Sci. Eng. B 91-92 (2002) 75-78

Vortrag von P. J. Wellmann auf der 9. Konferenz über Defektbeobachtung und -physik in Halbleitern (DRIP-9) in Rimini, Italien am 25.-28. September 2001.
DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00976-X Manuskript
Incorporation of Boron and Vanadium during PVT Growth of 6H-SiC Crystals

M. Bickermann, B. M. Epelbaum, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, A. Winnacker

J. Crystal Growth 233 (2001) 211-218
DOI: 10.1016/S0022-0248(01)01579-2 Manuskript
On the Preparation of Semi-Insulating SiC Bulk Crystals by the PVT Technique

M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker

Appl. Surf. Sci. 184 (2001) 84-89

Poster auf der Frühjahrstagung der Europäischen Materials Research Society 2001 (Symposium F) (EMRS Spring 2001).
DOI: 10.1016/S0169-4332(01)00481-0 Manuskript Poster
SiC Crystal Growth from the Vapor and Liquid Phase

D. Hofmann, M. Bickermann, D. Ebling, B. Epelbaum, L. Kadinski, M. Selder, T. Straubinger, R. Weingaertner, P. Wellmann, A. Winnacker

Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 640 (2001) H1.1

Eingeladener Vortrag von D. Hofmann auf der Herbsttagung der Materials Research Society 2000 (Symposium H) (MRS Fall 2000) in Boston, Massachusetts, USA am 27.-29. November 2000.
DOI: 10.1557/PROC-640-H1.1 Manuskript
Study of Boron Incorporation during PVT growth of p-type SiC Crystals

M. Bickermann, D. Hofmann, M. Rasp, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 353-356 (2001) 49-52

Poster auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2000 (ECSCRM 2000).
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.49 Manuskript Poster
Stability Criteria for 4H-SiC Bulk Growth

T. L. Straubinger, M. Bickermann, D. Hofmann, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 353-356 (2001) 25-28

Poster von T. L. Straubinger auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2000 (ECSCRM 2000) in Kloster Banz am 3.-7. September 2000.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.25 Manuskript
Absorption Measurements and Doping Level Evaluation in n-type and p-type 4H-SiC and 6H-SiC

R. Weingärtner, M. Bickermann, D. Hofmann, M. Rasp, T. L. Straubinger, P. J. Wellmann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 353-356 (2001) 397-400

Poster von R. Weingärtner auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2000 (ECSCRM 2000) in Kloster Banz am 3.-7. September 2000.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.397 Manuskript
Absorption Mapping of Doping Level Distribution in n-type and p-type 4H-SiC and 6H-SiC

R. Weingärtner, M. Bickermann, S. Bushevoy, D. Hofmann, M. Rasp, T. L. Straubinger, P. J. Wellmann, A. Winnacker

Mater. Sci. Eng. B 80 (2001) 357-361

Poster von R. Weingärtner auf der 5. Konferenz "Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies" (EXMATEC 2000) in Heraklion, Kreta, Griechenland am 21.-24. Mai 2000.
DOI: 10.1016/S0921-5107(00)00599-7 Manuskript
Analysis on the Formation of Filamentory and Planar Voids in Silicon Carbide Bulk Crystals

D. Hofmann, M. Bickermann, W. Hartung, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 338-342 (2000) 445-448

Vortrag von D. Hofmann auf der 8. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1999 (ICSCRM 1999) in Durham, North Carolina, USA am 10.-15. Oktober 1999.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.445 Manuskript
Growth Rate Control in SiC-Physical Vapor Transport Method Through Heat Transfer Modeling and Non Stationary Process Conditions

T. L. Straubinger, M. Bickermann, M. Grau, D. Hofmann, L. Kadinski, S. G. Müller, M. Selder, P. J. Wellmann, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 338-342 (2000) 39-42

Vortrag von T. L. Straubinger auf der 8. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1999 (ICSCRM 1999) in Durham, North Carolina, USA am 10.-15. Oktober 1999.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.39 Manuskript
Digital X-Ray Imaging of SiC PVT Process: Analysis of Crystal Growth and Powder Source Degradation

P. J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, L. Kadinski, M. Selder, T. Straubinger, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 338-342 (2000) 71-74

Vortrag von P. J. Wellmann auf der 8. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1999 (ICSCRM 1999) in Durham, North Carolina, USA am 10.-15. Oktober 1999.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.71 Manuskript
In-Situ Visualization and Analysis of Silicon Carbide Physical Vapor Transport Growth Using Digital X-Ray Imaging

P. J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, L. Kadinski, M. Selder, T. Straubinger, A. Winnacker

J. Crystal Growth 216 (2000) 263-272
DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00372-9 Manuskript
Sublimation Growth of SiC Bulk Crystals: Experimental and Theoretical Studies on Defect Formation and Growth Rate Augmentation

D. Hofmann, M. Bickermann, R. Eckstein, M. Kölbl, St. G. Müller, E. Schmitt, A. Weber, A. Winnacker

J. Crystal Growth 198/199 (1999) 1005-1010
DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01212-3 Manuskript
Analysis on Defect Generation During the SiC Bulk Growth Process

D. Hofmann, E. Schmitt, M. Bickermann, M. Kölbl, P. J. Wellmann, A. Winnacker

Mater. Sci. Eng. B 61-62 (1999) 48-53

Vortrag von D. Hofmann auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1998 (ECSCRM 1998) in Montpellier, Frankreich am 2.-4. September 1998.
DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00443-7 Manuskript
Online Monitoring of PVT SiC Bulk Crystal Growth Using Digital X-Ray Imaging

P. J. Wellmann, M. Bickermann, M. Grau, D. Hofmann, T. Straubinger, A. Winnacker

Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 572 (1999) 259-264

Vortrag von P. J. Wellmann auf der Frühjahrstagung der Materials Research Society 1999 (Symposium Y) (MRS Spring 1999) in San Francisco, Kalifornien, USA am 5.-9. April 2021.
DOI: 10.1557/PROC-572-259 Manuskript
Studies on SiC Liquid Phase Crystallization as Technique for SiC Bulk Growth

M. Müller, M. Bickermann, D. Hofmann, A.-D. Weber, A. Winnacker

Mater. Sci. Forum 264-268 (1998) 69-72

Poster von M. Müller auf der 7. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und Gruppe III-Nitride 1997 (ICSCIII-N 1997) in Stockholm, Schweden am 31. August-5. September 1997.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.69 Manuskript
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Übersicht über die Herstellung von AlN-Einkristallen
Herstellung und Charakterisierung von AlN-basierten Mischkristallen
Optische Charakterisierung und Punktdefekte in AlN-Kristallen
Herstellung und strukturelle Eigenschaften von AlN-Kristallen
Züchtung von AlN auf SiC-Substraten
Epitaxie und Bauelemente
GaN und andere Nitride
Transparente halbleitende Oxidkristalle
Oxidische Substratkristalle
Laser-, optische und andere Kristalle
Untersuchungen zum Wachstum von SiC-Einkristallen aus der Gasphase
Herstellung und Charakterisierung von p-dotiertem und semi-isolierendem SiC
SiC-Wachstum auf anderen Facetten
Lösungszüchtung von Siliziumkarbid
Elektrische und optische Charakterisierung von Siliziumkarbid
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