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Veröffentlichungen
Publikations­übersicht

Veröffentlichungen in Fachzeitschriften (inkl. Buchkapitel)

Detailliertere Informationen zu den Publikationen (z.B. bei Konferenzbeiträgen) und weitere Sortiermöglichkeiten finden Sie unter Publikationen und Vorträge. Zum Kopieren gibt es diese Literaturliste auch ohne Links.

  1. Wüstite (Fe1-xO) - Thermodynamics and Crystal Growth
    M. Hamada, S. Ganschow, D. Klimm, G. Serghiou, H. J. Reichmann, M. Bickermann
    Z. Naturforsch. B (2022) available online
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  2. 2 Inch Diameter, Highly Conducting Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski Method for High Power Switching Devices
    Z. Galazka, S. Ganschow, K. Irmscher, P. Seyidov, M. Pietsch, T.-S. Chou, S. Bin Anooz, R. Grueneberg, A. Popp, A. Dittmar, A. Kwasniewski, M. Suendermann, D. Klimm, T. Straubinger, T. Schroeder, M. Bickermann
    Appl. Phys. Lett. 120 (2022) 152101
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  3. Molten Ba(OH)2 + 10%MgO as Defect Selective Drop Etchant for Dislocation Analysis on AlN Layers
    L. Matiwe, C. Hartmann, L. Cancellara, M. Bickermann, A. Klump, J. Wollweber, S. Hagedorn, M. Weyers, T. Straubinger
    Phys. Status Solidi A 219 (2022) 2100707
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  4. Phase Diagram Studies for the Growth of (Mg,Zr):SrGa12O19 Crystals
    D. Klimm, B. Szczefanowicz, N. Wolff, M. Bickermann
    J. Therm. Anal. Calorim. 147 (2022) 7133-7139
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  5. Experimental Hall Electron Mobility of Bulk Single Crystals of Transparent Semiconducting Oxides
    Z. Galazka, K. Irmscher, M. Pietsch, S. Ganschow, D. Schulz, D. Klimm, I.M. Hanke, T. Schroeder, M. Bickermann
    J. Mater. Res. 36 (2021) 4746-4755
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  6. Melt Growth and Physical Properties of Bulk LaInO3 Single Crystals
    Z. Galazka, K. Irmscher, S. Ganschow, M. Zupancic, W. Aggoune, C. Draxl, M. Albrecht, D. Klimm, A. Kwasniewski, T. Schulz, M. Pietsch, A. Dittmar, R. Grueneberg, U. Juda, R. Schewski, K. Char, H. Cho, T. Schroeder, M. Bickermann
    Phys. Status Solidi A 218 (2021) 2100016
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  7. Photochromism and Influence of Point Defect Charge States on Optical Absorption in Aluminum Nitride (AlN)
    I. Gamov, C. Hartmann, T. Straubinger, M. Bickermann
    J. Appl. Phys. 129 (2021) 113103
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  8. Bulk Single Crystals of β-Ga2O3 and Ga-Based Spinels as Ultra-Wide Bandgap Transparent Semiconducting Oxides
    Z. Galazka, S. Ganschow, K. Irmscher, D. Klimm, M. Albrecht, R. Schewski, M. Pietsch, T. Schulz, A. Dittmar, A. Kwasniewski, R. Grueneberg, S. Bin Anooz, A. Popp, U. Juda, I.M. Hanke, T. Schroeder, M. Bickermann
    Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 67 (2021) 100511
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  9. TiSr Antisite: An Abundant Point Defect in SrTiO3
    A. Karjalainen, V. Prozheeva, I. Makkonen, C. Guguschev, T. Markurt, M. Bickermann, F. Tuomisto
    J. Appl. Phys. 127 (2020) 245702
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  10. Favourable Growth Conditions for the Preparation of Bulk AlN Single Crystals by PVT
    C. Hartmann, L. Matiwe, J. Wollweber, I. Gamov, K. Irmscher, M. Bickermann, T. Straubinger
    CrystEngComm 22 (2020) 1762-1768
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  11. Overgrowth of Nano-Pillar-Patterned Sapphire With Different Offcut Angle by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    S. Walde, S. Hagedorn, P.-M. Coulon, A. Mogilatenko, C. Netzel, J. Weinrich, N. Susilo, E. Ziffer, L. Matiwe, C. Hartmann, G. Kusch, A. Alasmari, G. Naresh-Kumar, C. Trager-Cowan, T. Wernicke, T. Straubinger, M. Bickermann, R. W. Martin, P. A. Shields, M. Kneissl, M. Weyers
    J. Crystal Growth 531 (2020) 125343
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  12. Czochralski-Grown Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mono-, Di-, Tri-, and Tetravalent Ions
    Z. Galazka, K. Irmscher, R. Schewski, I.M. Hanke, M. Pietsch, S. Ganschow, D. Klimm, A. Dittmar, A. Fiedler, T. Schröder, M. Bickermann
    J. Crystal Growth 529 (2020) 125297
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  13. Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Ce, Ce+Si, Ce+Al, and Ce+Al+Si for Detection of Nuclear Radiation
    Z. Galazka, R. Schewski, K. Irmscher, W. Drozdowski, M.E. Witkowski, M. Makowski, A.J. Wojtowicz, I.M. Hanke, M. Pietsch, T. Schulz, D. Klimm, S. Ganschow, A. Dittmar, A. Fiedler, T. Schröder, M. Bickermann
    J. Alloys Compounds 818 (2020) 152842
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  14. REScO3 Substrates: Purveyors of Strain Engineering
    D. Klimm, C. Guguschev, S. Ganschow, M. Bickermann, D.G. Schlom
    Cryst. Res. Technol. 55 [2] (2020) 1900111
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  15. Carbon Pair Defects in Aluminum Nitride
    I. Gamov, C. Hartmann, J. Wollweber, A. Dittmar, T. Straubinger, M. Bickermann, I. Kogut, H. Fritze, K. Irmscher
    J. Appl. Phys. 126 (2019) 215102
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  16. Electromechanical Losses in Carbon- and Oxygen-Containing Bulk AlN Single Crystals
    I. Kogut, C. Hartmann, I. Gamov, Y. Suhak, M. Schulz, S. Schröder, J. Wollweber, A. Dittmar, K. Irmscher, T. Straubinger, M. Bickermann, H. Fritze
    Solid State Ionics 343 (2019) 115072
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  17. Ultra-Wide Bandgap, Conductive and High Mobility Melt-Grown Truly Bulk ZnGa2O4 Single Crystals
    Z. Galazka, S. Ganschow, R. Schewski, K. Irmscher, D. Klimm, A. Kwasniewski, M. Pietsch, A. Fiedler, I. Schulze-Jonack, M. Albrecht, M. Bickermann, T. Schröder
    APL Materials 7 (2019) 022512
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  18. Crystal Defect Analysis in AlN Layers Grown by MOVPE on Bulk AlN
    A. Mogilatenko, A. Knauer, U. Zeimer, C. Netzel, J. Jeschke, C. Hartmann, J. Wollweber, A. Dittmar, U. Juda, M. Weyers, M. Bickermann
    J. Crystal Growth 505 (2018) 69-73
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  19. Physical Vapor Transport Growth of bulk Al1-xScxN Single Crystals
    A. Dittmar, C. Hartmann, D. Klimm, M. Schmidbauer, J. Wollweber, M. Bickermann
    J. Crystal Growth 500 (2018) 74-79
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  20. The Thermal Conductivity of Single Crystalline AlN
    R. Rounds, B. Sarkar, A. Klump, C. Hartmann, T. Nagashima, R. Kirste, A. Franke, M. Bickermann, Y. Kumagai, Z. Sitar, R. Collazo
    Appl. Phys. Express 11 (2018) 71001
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  21. The Influence of Point Defects on the Thermal Conductivity of AlN Crystals
    R. Rounds, B. Sarkar, D. Alden, Q. Guo, A. Klump, C. Hartmann, T. Nagashima, R. Kirste, A. Franke, M. Bickermann, Y. Kumagai, Z. Sitar, R. Collazo
    J. Appl. Phys. 123 (2018) 185107
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  22. Doping of Czochralski-Grown Bulk β-Ga2O3 Single Crystals with Cr, Ce and Al
    Z. Galazka, S. Ganschow, A. Fiedler, R. Bertram, D. Klimm, K. Irmscher, R. Schewski, M. Pietsch, M. Albrecht, M. Bickermann
    J. Crystal Growth 486 (2018) 82-90
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  23. Preface: AlN and AlGaN Materials and Devices
    M. Bickermann, R. Collazo, E. Monroy, P. Perlin
    Phys. Status Solidi A 214 (2017) 1770155
    Konferenz-Grußwort auf der Herbsttagung der Europäischen Materials Research Society 2016 (Symposium F) (EMRS Fall 2016).
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  24. Crystal Growth and Characterization of the Pyrochlore Tb2Ti2O7
    D. Klimm, C. Guguschev, D. J. Kok, M. Naumann, L. Ackermann, D. Rytz, M. Peltz, K. Dupré, Maciej Neumann, A. Kwasniewski, D. G. Schlom, M. Bickermann
    CrystEngComm 19 (2017) 3908-3914
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  25. Czochralski Growth and Characterization of Cerium Doped Calcium Scandate
    C. Guguschev, J. Philippen, D. J. Kok, T. Markurt, D. Klimm, K. Hinrichs, R. Uecker, R. Bertram, M. Bickermann
    CrystEngComm 19 (2017) 2553-2560
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  26. Carbon Doped GaN Layers Grown by Pseudo-Halide Vapour Phase Epitaxy
    D. Siche, R. Zwierz, K. Kachel, N. Jankowski, C. Nenstiel, G. Callsen, M. Bickermann, A. Hoffmann
    Cryst. Res. Technol. 52 (2017) 1600364
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  27. Melt Growth and Properties of Bulk BaSnO3 Single Crystals
    Z. Galazka, R. Uecker, K. Irmscher, D. Klimm, R. Bertram, A. Kwasniewski, M. Naumann, R. Schewski, M. Pietsch, U. Juda, A. Fiedler, M. Albrecht, S. Ganschow, T. Markurt, C. Guguschev, M. Bickermann
    J. Phys.: Condens. Matter 29 (2017) 075701
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  28. Scaling-up of Bulk β-Ga2O3 Single Crystals by the Czochralski Method
    Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Naumann, M. Pietsch, A. Kwasniewski, R. Bertram, S. Ganschow, M. Bickermann
    ECS J. Solid State Sci. Technol. 6 (2017) Q3007-Q3011
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  29. Top-seeded Solution Growth of SrTiO3 Single Crystals Virtually Free of Mosaicity
    C. Guguschev, D. J. Kok, U. Juda, R. Uecker, S. Sintonen, Z. Galazka, M. Bickermann
    J. Crystal Growth 468 (2017) 305-310
    Eingeladener Vortrag von C. Guguschev auf der 18. Internationalen Konferenz über Kristallzüchtung und Epitaxie (ICCGE-18) in Nagoya, Japan am 7.-12. August 2016.
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  30. Growth and Properties of Bulk AlN Substrates
    M. Bickermann
    in: III-Nitride Ultraviolet Emitters - Technology and applications, M. Kneissl and J. Rass (eds.), Springer Series in Materials Science 227, Springer Verlag 2016, ISBN: 978-3-319-24098-5, Chapter 2 (2016)
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  31. Preparation of Deep UV Transparent AlN Substrates with High Structural Perfection for Optoelectronic Devices
    C. Hartmann, J. Wollweber, S. Sintonen, A. Dittmar, L. Kirste, S. Kollowa, K. Irmscher, M. Bickermann
    CrystEngComm 18 (2016) 3488-3497
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  32. FTIR Exhaust Gas Analysis of GaN Pseudo-Halide Vapour Phase Growth
    K. Kachel, D. Siche, S. Golka, P. Sennikov, M. Bickermann
    Mater. Chem. Phys. 177 (2016) 12-18
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  33. Precipitates Originating from Tungsten Crucible Parts in AlN Bulk Crystals Grown by the PVT Method
    F. Langhans, S. Kiefer, C. Hartmann, T. Markurt, T. Schulz, C. Guguschev, M. Naumann, S. Kollowa, A. Dittmar, J. Wollweber, M. Bickermann
    Cryst. Res. Technol. 51 (2016) 129-136
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  34. Vapor Transport Growth of Wide Bandgap Materials
    M. Bickermann, T. Paskova
    in: Handbook of Crystal Growth, Second Edition, Vol 2A: Bulk Crystal Growth - Basic Technologies, P. Rudolph (ed.), Elsevier Science Ltd. 2015, ISBN: 978-0-44463-303-3, Chapter 16 (2015)
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  35. MgGa2O4 as a New Wide Bandgap Transparent Semiconducting Oxide - Growth and Properties of Bulk Single Crystals
    Z. Galazka, D. Klimm, K. Irmscher, R. Uecker, M. Pietsch, R. Bertram, M. Naumann, A. Kwasniewski, R. Schewski, M. Bickermann
    Phys. Status Solidi A 212 (2015) 1455-1460
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  36. Influence of Oxygen Partial Pressure on SrTiO3 Bulk Crystal Growth from Non-stoichiometric Melts
    C. Guguschev, D. J. Kok, Z. Galazka, D. Klimm, R. Uecker, R. Bertram, M. Naumann, U. Juda, A. Kwasniewski, M. Bickermann
    CrystEngComm 17 (2015) 3224-3234
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  37. Temperature Dependent Dielectric Function and Reflectivity Spectra of Nonpolar Wurtzite AlN
    M. Feneberg, M. F. Romero, B. Neuschl, K. Thonke, M. Röppischer, C. Cobet, N. Esser, M. Bickermann, R. Goldhahn
    Thin Solid Films 571 (2014) 502-505
    Vortrag von M. Feneberg auf der 6. Internationalen Konferenz über Spektroskopische Ellipsometrie (ICSE-VI) in Kyoto, Japan am 26.-31. Mai 2013.
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  38. Growth, Characterization, and Properties of Bulk SnO2 Single Crystals
    Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Pietsch, R. Schewski, M. Albrecht, A. Kwasniewski, S. Ganschow, D. Schulz, C. Guguschev, R. Bertram, M. Bickermann, R. Fornari
    Phys. Status Solidi A 211 (2014) 66-73
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  39. On the Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski Method
    Z. Galazka, K. Irmscher, R. Uecker, R. Bertram, M. Pietsch, A. Kwasniewski, M. Naumann, T. Schulz, R. Schewski, D. Klimm, M. Bickermann
    J. Crystal Growth 404 (2014) 184-191
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  40. A Study of the Step-flow Growth of the PVT-grown AlN Crystals by Multi-scale Modeling Method
    W. Guo, J. Kundin, M. Bickermann, H. Emmerich
    CrystEngComm 16 [29] (2014) 6564-6577
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  41. Bulk AlN Growth by Physical Vapor Transport
    C. Hartmann, A. Dittmar, J. Wollweber, M. Bickermann
    Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 084002
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  42. Performance Characteristics of UV-C AlGaN Quantum Well Lasers Grown on Sapphire and Bulk AlN Substrates
    M. Martens, F. Mehnke, C. Kuhn, C. Reich, V. Kueller, A. Knauer, C. Netzel, C. Hartmann, J. Wollweber, J. Rass, T. Wernicke, M. Bickermann, M. Weyers, M. Kneissl
    IEEE Photonics Lett. 26 [4] (2014) 342-345
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  43. Negative Spin-Exchange Splitting in the Exciton Fine Structure of AlN
    M. Feneberg, M. F. Romero, B. Neuschl, K. Thonke, M. Röppischer, C. Cobet, N. Esser, M. Bickermann, R. Goldhahn
    Appl. Phys. Lett. 102 (2013) 052112
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  44. Anisotropic Absorption and Emission of Bulk (1-100) AlN
    M. Feneberg, M. F. Romero, M. Röppischer, C. Cobet, N. Esser, B. Neuschl, K. Thonke, M. Bickermann, R. Goldhahn
    Phys. Rev. B 87 (2013) 235209
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  45. Perpetuating Structural Perfection of Bulk AlN Single Crystals Using PVT Growth on AlN Seeds Cut from Freestanding Crystals
    C. Hartmann, J. Wollweber, A. Dittmar, K. Irmscher, A. Kwasniewski, F. Langhans, T. Neugut, M. Bickermann
    Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 08JA06
    Vortrag von C. Hartmann auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2012 (IWN 2012) in Sapporo, Japan am 15.-19. Oktober 2012.
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  46. Identification of a Tri-carbon Defect and its Relation to the Ultraviolet Absorption in Aluminum Nitride
    K. Irmscher, C. Hartmann, C. Guguschev, M. Pietsch, J. Wollweber, M. Bickermann
    J. Appl. Phys. 114 (2013) 123505
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  47. Faceting in AlN Bulk Crystal Growth and its Impact on Optical Properties of the Crystals
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, B. Tautz, P. Heimann, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 9 [3-4] (2012) 449-452
    Vortrag auf der 9. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-9).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
  48. Ohmic and Rectifying Contacts on Bulk AlN for Radiation Detector Applications
    T. Erlbacher, M. Bickermann, B. Kallinger, E. Meissner, A. J. Bauer, L. Frey
    Phys. Status Solidi C 9 [3-4] (2012) 968-971
    Poster von T. Erlbacher auf der 9. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-9) in Glasgow, Großbritannien am 10.-15. Juli 2011.
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  49. Growth of Bulk AlN Single Crystals with Low Oxygen Content Taking into Account Thermal and Kinetic Effects of Oxygen-related Gaseous Species
    C. Guguschev, A. Dittmar, E. Moukhina, C. Hartmann, S. Golka, J. Wollweber, M. Bickermann, R.Fornari
    J. Crystal Growth 360 (2012) 185-188
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  50. Growth of AlN Bulk Crystals on SiC Seeds: Chemical Analysis and Crystal Properties
    M. Bickermann, O. Filip, B.M. Epelbaum, P. Heimann, M. Feneberg, B. Neuschl, K. Thonke, E. Wedler, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 339 (2012) 13-21
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  51. Structural Defects in Aluminum Nitride Bulk Crystals Visualized by Cathodoluminescence Maps
    M. Bickermann, S. Schimmel, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 8 [7-8] (2011) 2235-2238
    Vortrag auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2010 (IWN 2010).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
  52. Thermally Stimulated Luminescence in Aluminium Nitride Crystals
    M. Bickermann, S. Schuster, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 8 [7-8] (2011) 2104-2106
    Poster auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2010 (IWN 2010).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  53. Silicon in AlN: Shallow Donor and DX Behaviors
    N. T. Son, M. Bickermann, E. Janzén
    Phys. Status Solidi C 8 [7-8] (2011) 2167-2169
    Vortrag von N. T. Son auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2010 (IWN 2010) in Tampa, Florida, USA am 19.-24. September 2010.
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  54. Effects of Growth Direction and Polarity on Bulk Aluminum Nitride Crystal Properties
    O. Filip, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Heimann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 318 (2011) 427-431
    Vortrag von O. Filip auf der 16. Internationalen Konferenz über Kristallzüchtung (ICCG-16) in Peking, China am 16.-21. August 2010.
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  55. Defects at Nitrogen Site in Electron-irradiated AlN
    N. T. Son, A. Gali, Á. Szabó, M. Bickermann, T. Ohshima, J. Isoya, E. Janzén
    Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 242116
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  56. Shallow Donor and DX States of Si in AlN
    N. T. Son, M. Bickermann, E. Janzén
    Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 092104
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  57. Deep-UV Transparent Bulk Single-crystalline AlN Substrates
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, M. Feneberg, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 7 [7-8] (2010) 1743-1745
    Vortrag auf der 8. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-8).
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  58. Sublimation Growth of Bulk Crystals of AlN-Rich (AlN)x(SiC)1–x Solid Solutions
    M. Bickermann, O. Filip, B. M. Epelbaum, P. Heimann, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 7 [7-8] (2010) 1746-1748
    Poster auf der 8. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-8).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  59. UV Transparent Single-Crystalline Bulk AlN Substrates
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 7 [1] (2010) 21-24
    Vortrag auf der Frühjahrstagung der Europäischen Materials Research Society 2009 (Symposium J) (EMRS Spring 2009).
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  60. Crystal Growth of Mixed AlN-SiC Bulk Crystals
    O. Filip, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, P. Heimann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 312 [18] (2010) 2522-2526
    Vortrag von O. Filip auf dem 6. Internationalen Workshop über Nitrid-Volumenkristalle (IWBNS-VI) in Galindia, Polen am 23.-28. August 2009.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  61. High-excitation and High-resolution Photoluminescence Spectra of Bulk AlN
    M. Feneberg, R.A.R. Leute, B. Neuschl, K. Thonke, M. Bickermann
    Phys. Rev. B 82 (2010) 075208
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  62. Point Defect Content and Optical Transitions in Bulk Aluminum Nitride Crystals
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi B 246 (2009) 1181-1183
    Vortrag auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2008 (IWN 2008).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
  63. Seeded Growth of AlN on (0001)-plane 6H-SiC Substrates
    O. Filip, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 615-617 (2009) 983-986
    Vortrag von O. Filip auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2008) in Barcelona, Spanien am 8.-12. September 2008.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  64. Defects in AlN: High-frequency EPR and ENDOR Studies
    S. B. Orlinskii, P. G. Baranov, A. P. Bundakova, M. Bickermann, J. Schmidt
    Physica B 404 (2009) 4873-4876
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  65. Growth on Rhombohedral (01-1n) Plane: An Alternative for Preparation of High Quality Bulk SiC Crystals
    O. Filip, B. Epelbaum, J. Li, M. Bickermann, X. Xu, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 600-603 (2009) 23-26
    Vortrag von O. Filip auf der 12. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2007) in Otsu, Kyoto, Japan am 13.-19. Oktober 2007.
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  66. Structural Properties of Aluminum Nitride Bulk Single Crystals Grown by PVT
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 5 [6] (2008) 1502-1504
    Poster auf der 7. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-7).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  67. Characterization of Bulk AlN Crystals With Positron Annihilation Spectroscopy
    F. Tuomisto, J.-M. Mäki, T. Yu. Chemekova, Yu. N. Makarov, O. V. Avdeev, E. N. Mokhov, A.S. Segal, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava, M. Bickermann, B. M. Epelbaum
    J. Crystal Growth 310 (2008) 3998-4001
    Vortrag von F. Tuomisto auf dem 5. Internationalen Workshop über Nitrid-Volumenkristalle (IWBNS-V) in Salvador, Bahia, Brasilien am 24.-28. September 2007.
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  68. Polarization-Dependent Below Band-Gap Optical Absorption of Aluminum Nitride Bulk Crystals
    M. Bickermann, A. Münch, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    J. Appl. Phys. 103 (2008) 073522
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  69. Observation of the Triplet Meta-stable State of Shallow Donor Pairs in AlN Crystals with a Negative U Behavior: A High-frequency EPR/ENDOR Study
    S. B. Orlinskii, J. Schmidt, P. G. Baranov, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker
    Phys. Rev. Lett. 100 (2008) 256404
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  70. Defect-Selective Etching of Aluminum Nitride Single Crystals
    M. Bickermann, S. Schmidt, B. M. Epelbaum, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 4 [7] (2007) 2609-2612
    Poster auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2006 (IWN 2006).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  71. Development of Natural Habit of Large Free-Nucleated AlN Single Crystals
    B. M. Epelbaum, S. Nagata, M. Bickermann, P. Heimann, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi B 244 [6] (2007) 1780-1783
    Vortrag von B. M. Epelbaum auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2006 (IWN 2006) in Kyoto, Japan am 22.-27. Oktober 2006.
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  72. Initial Growth Stage in PVT Growth of AlN on SiC Substrates: Influence of Al2O3
    P. Heimann, C. Pfeiffer, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 4 [7] (2007) 2223-2226
    Poster von P. Heimann auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2006 (IWN 2006) in Kyoto, Japan am 22.-27. Oktober 2006.
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  73. Growth of 4H-SiC on Rhombohedral (01-14) Plane Seeds
    J. Li, O. Filip, B. M. Epelbaum, X. Xu, M. Bickermann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 308 (2007) 41-49
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  74. Similarities and Differences in Sublimation Growth of SiC and AlN
    B. M. Epelbaum, M. Bickermann, S. Nagata, P. Heimann, O. Filip, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 305 (2007) 317-325
    Vortrag von B. M. Epelbaum auf dem 4. Internationalen Workshop über Nitrid-Volumenkristalle (IWBNS-IV) in Makino, Shiga, Japan am 16.-21. Oktober 2006.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  75. Wet KOH Etching of Freestanding AlN Single Crystals
    M. Bickermann, S. Schmidt, B. M. Epelbaum, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 300 (2007) 299-307
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  76. Growth and Characterization of High-quality 6H-SiC (01-15) Bulk Crystals
    O. Filip, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 556-557 (2007) 17-20
    Poster von O. Filip auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2006) in Newcastle upon Tyne, Großbritannien am 3.-7. September 2006.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  77. Photoluminescence, Cathodoluminescence, and Reflectance Study of AlN Layers and AlN Single Crystals
    G. M. Prinz, A. Ladenburger, M. Feneberg, M. Schirra, S. B. Thapa, M. Bickermann, B. Epelbaum, F. Scholz, K. Thonke, R. Sauer
    Superlatt. Microstruct. 40 (2006) 513-518
    Poster von G. M. Prinz auf der Frühjahrstagung der Europäischen Materials Research Society 2006 (Symposium S) (EMRS Spring 2006) in Nizza, Frankreich am 28. Mai-2. Juni 2006.
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  78. Orientation-Dependent Properties of Aluminum Nitride Single Crystals
    M. Bickermann, P. Heimann, B. M. Epelbaum
    Phys. Status Solidi C 3 [6] (2006) 1902-1906
    Poster auf der 6. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-6).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  79. The Initial Growth Stage in PVT Growth of Aluminum Nitride
    P. Heimann, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 3 [6] (2006) 1575-1578
    Poster von P. Heimann auf der 6. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-6) in Bremen am 28. August-2. September 2005.
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  80. Structural Properties of AlN Crystals Grown by Physical Vapor Transport
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 2 [7] (2005) 2044-2048
    Poster auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2004 (IWN 2004).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  81. Comparative Study of Initial Growth Stage in PVT Growth of AlN on SiC and on Native AlN Single-Crystalline Substrates
    B. M. Epelbaum, P. Heimann, M. Bickermann, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 2 [7] (2005) 2070-2073
    Vortrag auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2004 (IWN 2004).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
  82. Growth and Characterization of Bulk AlN Substrates Grown by PVT
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, M. Kazan, Z. Herro, P. Masri, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi A 202 (2005) 531-535
    Vortrag auf der 7. Konferenz "Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies" (EXMATEC 2004).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
  83. Investigation of (0001) Lattice Plane Bending in Large SiC Crystals Using High Energy X-ray Technique
    B. M. Epelbaum, Z. G. Herro, M. Bickermann, C. Seitz, A. Magerl, P. Masri, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 2 [4] (2005) 1288-1291
    Poster von B. M. Epelbaum auf der 7. Konferenz "Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies" (EXMATEC 2004) in Montpellier, Frankreich am 2.-5. Juni 2004.
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  84. Orientation-Dependent Phonon Observation in Single-Crystalline Aluminum Nitride
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, P. Heimann, Z. G. Herro, A. Winnacker
    Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 131904
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  85. LPE of Silicon Carbide Using Diluted Si-Ge Flux
    O. Filip, B. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 483-485 (2005) 133-136
    Poster von O. Filip auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2004) in Bologna, Italien am 31. August-4. September 2004.
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  86. Liquid Phase Homoepitaxial Growth of 6H-SiC on (01-15) Oriented Substrates
    O. Filip, B. Epelbaum, Z. G. Herro, M. Bickermann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 282 (2005) 286-289
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  87. Growth of 6H-SiC Crystals Along the [01-15] Direction
    Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, C. Seitz, A. Magerl, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 275 (2005) 496-503
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  88. Approaches to Seeded PVT Growth of AlN Crystals
    B. M. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 275 (2005) e479-e484
    Vortrag von B. M. Epelbaum auf der 14. Internationalen Konferenz über Kristallzüchtung (ICCG-14) in Grenoble, Frankreich am 9.-13. August 2004.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  89. Micropipe Healing in SiC Wafers by Liquid-Phase Epitaxy in Si-Ge Melts
    O. Filip, B. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 271 (2004) 142-150
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  90. Characterization of Bulk AlN with Low Oxygen Content
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 269 (2004) 432-442
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  91. Natural Growth Habit of Bulk AlN Crystals
    B. M. Epelbaum, C. Seitz, A. Magerl, M. Bickermann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 265 (2004) 577-581
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  92. Effective Increase of Single-Crystalline Yield During PVT Growth of SiC by Tailoring of Radial Temperature Gradient
    Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Masri, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 262 (2004) 105-112
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  93. Structural, Optical, and Electrical Properties of Bulk AlN Crystals Grown by PVT
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 1541-1544
    Poster auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  94. Analysis of Different Vanadium Charge States in Vanadium Doped 6H-SiC by Low Temperature Optical Absorption and Electron Paramagnetic Resonance
    M. Bickermann, K. Irmscher, R. Weingärtner, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 787-790
    Poster auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  95. Sublimation Growth of Bulk AlN crystals: Process Temperature and Growth Rate
    B. M. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 1537-1540
    Vortrag von B. M. Epelbaum auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  96. Flux Growth of SiC Crystals from Eutectic Melt SiC-B4C
    B. M. Epelbaum, P. A. Gurzhiyants, Z. Herro, M. Bickermann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 119-122
    Poster von B. M. Epelbaum auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  97. Uniform Axial Charge Carrier Concentration in PVT-grown p-type 6H-SiC by Non-uniform Distribution of Boron in the Powder Source
    Z. G. Herro, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, R. Weingärtner, U. Künecke, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 719-722
    Poster von Z. G. Herro auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  98. Effect of Thermal Field on Interface Step Structures during PVT Growth of Si-face 6H-SiC
    Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Masri, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 95-98
    Poster von Z. G. Herro auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  99. Natural Crystal Habit and Preferential Growth Directions in PVT of Silicon Carbide
    Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Masri, C. Seitz, A. Magerl, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 111-114
    Poster von Z. G. Herro auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  100. AFM Investigation of Interface Step Structures On PVT-Grown of (0001)Si 6H-SiC crystals
    Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, R. Weingärtner, M. Bickermann, P. Masri, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 270 (2004) 113-120
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  101. On the Preparation of Vanadium Doped PVT Grown SiC Boules with High Semi-Insulating Yield
    M. Bickermann, R. Weingärtner, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 254 (2003) 390-399
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  102. PVT Growth of Bulk AlN Crystals with Low Oxygen Contamination
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 0 [7] (2003) 1993-1996
    Vortrag auf der 5. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-5).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
  103. Electrical and Optical Characterization of p-Type Boron Doped 6H-SiC Bulk Crystals
    M. Bickermann, R. Weingärtner, Z. Herro, D. Hofmann, U. Künecke, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 337-340
    Poster auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  104. Preparation of Semi-Insulating Silicon Carbide by Vanadium Doping During PVT Bulk Crystal Growth
    M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 51-54
    Poster auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  105. Seeded PVT Growth of Aluminum Nitride on Silicon Carbide
    B. M. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 983-986
    Poster von B. M. Epelbaum auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  106. Effective Increase of Single-Crystalline Yield During PVT Growth of SiC by Tailoring of Radial Temperature Gradient
    Z. Herro, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, P. Masri, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 67-70
    Poster von Z. Herro auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  107. PVT Growth of Co-Doped Semi-Insulating 2 inch 6H-SiC Crystals
    M. Rasp, Th. L. Straubinger, E. Schmitt, M. Bickermann, S. Reshanov, H. Sadowski
    Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 55-58
    Poster von M. Rasp auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  108. Impact of Compensation on Optical Absorption Bands in the Below Band Gap Region in n-type (N) 6H-SiC
    R. Weingärtner, M. Bickermann, Z. Herro, U. Künecke, S. A. Sakwe, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 333-336
    Poster von R. Weingärtner auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  109. Aluminum p-type Doping of Silicon Carbide Crystals Using a Modified Physical Vapor Transport Growth Method
    T. L. Straubinger, M. Bickermann, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 240 (2002) 117-123
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  110. On the Preparation of Vanadium-Doped Semi-insulating SiC Bulk Crystals
    M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 139-142
    Vortrag auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
  111. Incorporation of Boron and the Role of Nitrogen as a Compensation Source in SiC Bulk Crystal Growth
    M. Bickermann, R. Weingärtner, D. Hofmann, T. L. Straubinger, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 127-130
    Poster auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  112. Sublimation Growth of Bulk AlN Crystals: Materials Compatibility and Crystal Quality
    B. M. Epelbaum, D. Hofmann, M. Bickermann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 1445-1448
    Vortrag auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
  113. Aluminum Doping of 6H and 4H SiC with a Modified PVT Growth Method
    T. L. Straubinger, M. Bickermann, M. Rasp, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 131-134
    Poster von T. L. Straubinger auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001) in Tsukuba, Japan am 28. Oktober-2. November 2001.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  114. Determination of Charge Carrier Concentration in n- and p-Doped SiC Based on Optical Absorption Measurements
    R. Weingärtner, P. J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, A. Winnacker
    Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 70-72
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  115. Optical Quantitative Determination of Doping Levels and their Distribution in SiC
    P. J. Wellmann, R. Weingärtner, M. Bickermann, T. L. Straubinger, A. Winnacker
    Mater. Sci. Eng. B 91-92 (2002) 75-78
    Vortrag von P. J. Wellmann auf der 9. Konferenz über Defektbeobachtung und -physik in Halbleitern (DRIP IX) in Rimini, Italien am 25.-28. September 2001.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  116. Incorporation of Boron and Vanadium during PVT Growth of 6H-SiC Crystals
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 233 (2001) 211-218
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  117. On the Preparation of Semi-Insulating SiC Bulk Crystals by the PVT Technique
    M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Appl. Surf. Sci. 184 (2001) 84-89
    Poster auf der Frühjahrstagung der Europäischen Materials Research Society 2001 (Symposium F) (EMRS Spring 2001).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  118. SiC Crystal Growth from the Vapor and Liquid Phase
    D. Hofmann, M. Bickermann, D. Ebling, B. Epelbaum, L. Kadinski, M. Selder, T. Straubinger, R. Weingaertner, P. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 640 (2001) H1.1
    Eingeladener Vortrag von D. Hofmann auf der Herbsttagung der Materials Research Society 2000 (Symposium H) (MRS Fall 2000) in Boston, Massachusetts, USA am 27.-29. November 2000.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  119. Study of Boron Incorporation during PVT growth of p-type SiC Crystals
    M. Bickermann, D. Hofmann, M. Rasp, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 353-356 (2001) 49-52
    Poster auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2000 (ECSCRM 2000).
    Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
  120. Stability Criteria for 4H-SiC Bulk Growth
    T. L. Straubinger, M. Bickermann, D. Hofmann, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 353-356 (2001) 25-28
    Poster von T. L. Straubinger auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2000 (ECSCRM 2000) in Kloster Banz am 3.-7. September 2000.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  121. Absorption Measurements and Doping Level Evaluation in n-type and p-type 4H-SiC and 6H-SiC
    R. Weingärtner, M. Bickermann, D. Hofmann, M. Rasp, T. L. Straubinger, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 353-356 (2001) 397-400
    Poster von R. Weingärtner auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2000 (ECSCRM 2000) in Kloster Banz am 3.-7. September 2000.
    Zur Verlagspublikation Manuskript
  122. Absorption Mapping of Doping Level Distribution in n-type and p-type 4H-SiC and 6H-SiC
    R. Weingärtner, M. Bickermann, S. Bushevoy, D. Hofmann, M. Rasp, T. L. Straubinger, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Eng. B 80 (2001) 357-361
    Poster von R. Weingärtner auf der 5. Konferenz "Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies" (EXMATEC 2000) in Heraklion, Kreta, Griechenland am 21.-24. Mai 2000.
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  123. Analysis on the Formation of Filamentory and Planar Voids in Silicon Carbide Bulk Crystals
    D. Hofmann, M. Bickermann, W. Hartung, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 338-342 (2000) 445-448
    Vortrag von D. Hofmann auf der 8. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1999 (ICSCRM 1999) in Durham, North Carolina, USA am 10.-15. Oktober 1999.
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  124. Growth Rate Control in SiC-Physical Vapor Transport Method Through Heat Transfer Modeling and Non Stationary Process Conditions
    T. L. Straubinger, M. Bickermann, M. Grau, D. Hofmann, L. Kadinski, S. G. Müller, M. Selder, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 338-342 (2000) 39-42
    Vortrag von T. L. Straubinger auf der 8. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1999 (ICSCRM 1999) in Durham, North Carolina, USA am 10.-15. Oktober 1999.
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  125. Digital X-Ray Imaging of SiC PVT Process: Analysis of Crystal Growth and Powder Source Degradation
    P. J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, L. Kadinski, M. Selder, T. Straubinger, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 338-342 (2000) 71-74
    Vortrag von P. J. Wellmann auf der 8. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1999 (ICSCRM 1999) in Durham, North Carolina, USA am 10.-15. Oktober 1999.
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  126. In-Situ Visualization and Analysis of Silicon Carbide Physical Vapor Transport Growth Using Digital X-Ray Imaging
    P. J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, L. Kadinski, M. Selder, T. Straubinger, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 216 (2000) 263-272
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  127. Sublimation Growth of SiC Bulk Crystals: Experimental and Theoretical Studies on Defect Formation and Growth Rate Augmentation
    D. Hofmann, M. Bickermann, R. Eckstein, M. Kölbl, St. G. Müller, E. Schmitt, A. Weber, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 198/199 (1999) 1005-1010
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  128. Analysis on Defect Generation During the SiC Bulk Growth Process
    D. Hofmann, E. Schmitt, M. Bickermann, M. Kölbl, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Eng. B 61-62 (1999) 48-53
    Vortrag von D. Hofmann auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1998 (ECSCRM 1998) in Montpellier, Frankreich am 2.-4. September 1998.
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  129. Online Monitoring of PVT SiC Bulk Crystal Growth Using Digital X-Ray Imaging
    P. J. Wellmann, M. Bickermann, M. Grau, D. Hofmann, T. Straubinger, A. Winnacker
    Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 572 (1999) 259-264
    Vortrag von P. J. Wellmann auf der Frühjahrstagung der Materials Research Society 1999 (Symposium Y) (MRS Spring 1999) in San Francisco, Kalifornien, USA am 5.-9. April.
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  130. Studies on SiC Liquid Phase Crystallization as Technique for SiC Bulk Growth
    M. Müller, M. Bickermann, D. Hofmann, A.-D. Weber, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 264-268 (1998) 69-72
    Poster von M. Müller auf der 7. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und Gruppe III-Nitride 1997 (ICSCIII-N 1997) in Stockholm, Schweden am 31. August-5. September 1997.
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