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Bücher und Buchkapitel
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Herstellung von semi-isolierenden Siliziumkarbid-EinkristallenShaker-Verlag, Aachen, 2002; ISBN 978-3-8322-0174-6Titel / Inhaltsverzeichnis
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Growth and Characterization of AlN bulk crystalsHerausgegeben im Eigenverlag 2008Titel / Inhaltsverzeichnis
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Vapor Transport Growth of Wide Bandgap Materialsin: Handbook of Crystal Growth, Second Edition, Vol 2A: Bulk Crystal Growth - Basic Technologies, P. Rudolph (ed.), Elsevier Science Ltd. 2015, ISBN: 978-0-44463-303-3, Chapter 16 (2015)Zur Verlagspublikation Manuskript
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Growth and Properties of Bulk AlN Substratesin: III-Nitride Ultraviolet Emitters - Technology and applications, M. Kneissl and J. Rass (eds.), Springer Series in Materials Science 227, Springer Verlag 2016, ISBN: 978-3-319-24098-5, Chapter 2 (2016)Zur Verlagspublikation Manuskript
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Patente und Patentanmeldungen
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Verfahren zur Sublimationszüchtung von Aluminiumnitrid-Einkristallenveröffentlicht z.B. als DE10248964B4Patent im Espacenet DE10248964B4
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AlN Bulk Single Crystal, Semiconductor Device, and Process for Producing AlN Single Crystal Bulkveröffentlicht z.B. als WO2009119896A1 (auf Japanisch), EP2264228A1 (auf Englisch), US2011081549A1 (auf Englisch)Patent im Espacenet WO2009119896A1 EP2264228A1 US2011081549A1
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Method for Cutting a Single Crystalveröffentlicht z.B. als WO2013185952A1, EP2861393A1 (auf Englisch), US2015165647A1 (auf Englisch)Patent im Espacenet WO2013185952A1 EP2861393A1 US2015165647A1
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Method for Growing Beta Phase of Gallium Oxide (β-Ga2O3) Single Crystals from the Melt Contained Within a Metal Crucible [by Controlling the Partial Pressure of Oxygen]veröffentlicht z.B. als WO2016110385A1 (auf Englisch), EP3042986B1 (auf Englisch), US11028501B2 (auf Englisch)Patent im Espacenet WO2016110385A1 EP3042986B1 US11028501B2
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(Sc,Y):AIN Einkristalle für Gitter-angepasste AlGaN Systemeveröffentlicht z.B. als WO2017050532A1, EP3353338A1, US20180258551A1 (auf Englisch)Patent im Espacenet WO2017050532A1 EP3353338A1 US20180258551A1
Veröffentlichungen in Fachzeitschriften (inkl. Buchkapitel)
Detailliertere Informationen zu den Publikationen (z.B. bei Konferenzbeiträgen) und weitere Sortiermöglichkeiten finden Sie unter Publikationen und Vorträge. Zum Kopieren gibt es diese Literaturliste auch ohne Links.
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Wüstite (Fe1-xO) - Thermodynamics and Crystal GrowthZ. Naturforsch. B (2022) available onlineZur Verlagspublikation Manuskript
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2 Inch Diameter, Highly Conducting Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski Method for High Power Switching DevicesAppl. Phys. Lett. 120 (2022) 152101Zur Verlagspublikation Manuskript
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Molten Ba(OH)2 + 10%MgO as Defect Selective Drop Etchant for Dislocation Analysis on AlN LayersPhys. Status Solidi A 219 (2022) 2100707Zur Verlagspublikation Manuskript
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Phase Diagram Studies for the Growth of (Mg,Zr):SrGa12O19 CrystalsJ. Therm. Anal. Calorim. 147 (2022) 7133-7139Zur Verlagspublikation Manuskript
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Experimental Hall Electron Mobility of Bulk Single Crystals of Transparent Semiconducting OxidesJ. Mater. Res. 36 (2021) 4746-4755Zur Verlagspublikation Manuskript
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Melt Growth and Physical Properties of Bulk LaInO3 Single CrystalsPhys. Status Solidi A 218 (2021) 2100016Zur Verlagspublikation Manuskript
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Photochromism and Influence of Point Defect Charge States on Optical Absorption in Aluminum Nitride (AlN)J. Appl. Phys. 129 (2021) 113103Zur Verlagspublikation Manuskript
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Bulk Single Crystals of β-Ga2O3 and Ga-Based Spinels as Ultra-Wide Bandgap Transparent Semiconducting OxidesProg. Cryst. Growth Charact. Mater. 67 (2021) 100511Zur Verlagspublikation Manuskript
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TiSr Antisite: An Abundant Point Defect in SrTiO3J. Appl. Phys. 127 (2020) 245702Zur Verlagspublikation Manuskript
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Favourable Growth Conditions for the Preparation of Bulk AlN Single Crystals by PVTCrystEngComm 22 (2020) 1762-1768Zur Verlagspublikation Manuskript
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Overgrowth of Nano-Pillar-Patterned Sapphire With Different Offcut Angle by Metalorganic Vapor Phase EpitaxyJ. Crystal Growth 531 (2020) 125343Zur Verlagspublikation Manuskript
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Czochralski-Grown Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mono-, Di-, Tri-, and Tetravalent IonsJ. Crystal Growth 529 (2020) 125297Zur Verlagspublikation Manuskript
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Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Ce, Ce+Si, Ce+Al, and Ce+Al+Si for Detection of Nuclear RadiationJ. Alloys Compounds 818 (2020) 152842Zur Verlagspublikation Manuskript
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REScO3 Substrates: Purveyors of Strain EngineeringCryst. Res. Technol. 55 [2] (2020) 1900111Zur Verlagspublikation Manuskript
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Carbon Pair Defects in Aluminum NitrideJ. Appl. Phys. 126 (2019) 215102Zur Verlagspublikation Manuskript
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Electromechanical Losses in Carbon- and Oxygen-Containing Bulk AlN Single CrystalsSolid State Ionics 343 (2019) 115072Zur Verlagspublikation Manuskript
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Ultra-Wide Bandgap, Conductive and High Mobility Melt-Grown Truly Bulk ZnGa2O4 Single CrystalsAPL Materials 7 (2019) 022512Zur Verlagspublikation Manuskript
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Crystal Defect Analysis in AlN Layers Grown by MOVPE on Bulk AlNJ. Crystal Growth 505 (2018) 69-73Zur Verlagspublikation Manuskript
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Physical Vapor Transport Growth of bulk Al1-xScxN Single CrystalsJ. Crystal Growth 500 (2018) 74-79Zur Verlagspublikation Manuskript
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The Thermal Conductivity of Single Crystalline AlNAppl. Phys. Express 11 (2018) 71001Zur Verlagspublikation Manuskript
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The Influence of Point Defects on the Thermal Conductivity of AlN CrystalsJ. Appl. Phys. 123 (2018) 185107Zur Verlagspublikation Manuskript
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Doping of Czochralski-Grown Bulk β-Ga2O3 Single Crystals with Cr, Ce and AlJ. Crystal Growth 486 (2018) 82-90Zur Verlagspublikation Manuskript
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Preface: AlN and AlGaN Materials and DevicesPhys. Status Solidi A 214 (2017) 1770155Konferenz-Grußwort auf der Herbsttagung der Europäischen Materials Research Society 2016 (Symposium F) (EMRS Fall 2016).Zur Verlagspublikation Manuskript
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Crystal Growth and Characterization of the Pyrochlore Tb2Ti2O7CrystEngComm 19 (2017) 3908-3914Zur Verlagspublikation Manuskript
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Czochralski Growth and Characterization of Cerium Doped Calcium ScandateCrystEngComm 19 (2017) 2553-2560Zur Verlagspublikation Manuskript
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Carbon Doped GaN Layers Grown by Pseudo-Halide Vapour Phase EpitaxyCryst. Res. Technol. 52 (2017) 1600364Zur Verlagspublikation Manuskript
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Melt Growth and Properties of Bulk BaSnO3 Single CrystalsJ. Phys.: Condens. Matter 29 (2017) 075701Zur Verlagspublikation Manuskript
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Scaling-up of Bulk β-Ga2O3 Single Crystals by the Czochralski MethodECS J. Solid State Sci. Technol. 6 (2017) Q3007-Q3011Zur Verlagspublikation Manuskript
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Top-seeded Solution Growth of SrTiO3 Single Crystals Virtually Free of MosaicityJ. Crystal Growth 468 (2017) 305-310Eingeladener Vortrag von C. Guguschev auf der 18. Internationalen Konferenz über Kristallzüchtung und Epitaxie (ICCGE-18) in Nagoya, Japan am 7.-12. August 2016.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Growth and Properties of Bulk AlN Substratesin: III-Nitride Ultraviolet Emitters - Technology and applications, M. Kneissl and J. Rass (eds.), Springer Series in Materials Science 227, Springer Verlag 2016, ISBN: 978-3-319-24098-5, Chapter 2 (2016)Zur Verlagspublikation Manuskript
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Preparation of Deep UV Transparent AlN Substrates with High Structural Perfection for Optoelectronic DevicesCrystEngComm 18 (2016) 3488-3497Zur Verlagspublikation Manuskript
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FTIR Exhaust Gas Analysis of GaN Pseudo-Halide Vapour Phase GrowthMater. Chem. Phys. 177 (2016) 12-18Zur Verlagspublikation Manuskript
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Precipitates Originating from Tungsten Crucible Parts in AlN Bulk Crystals Grown by the PVT MethodCryst. Res. Technol. 51 (2016) 129-136Zur Verlagspublikation Manuskript
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Vapor Transport Growth of Wide Bandgap Materialsin: Handbook of Crystal Growth, Second Edition, Vol 2A: Bulk Crystal Growth - Basic Technologies, P. Rudolph (ed.), Elsevier Science Ltd. 2015, ISBN: 978-0-44463-303-3, Chapter 16 (2015)Zur Verlagspublikation Manuskript
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MgGa2O4 as a New Wide Bandgap Transparent Semiconducting Oxide - Growth and Properties of Bulk Single CrystalsPhys. Status Solidi A 212 (2015) 1455-1460Zur Verlagspublikation Manuskript
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Influence of Oxygen Partial Pressure on SrTiO3 Bulk Crystal Growth from Non-stoichiometric MeltsCrystEngComm 17 (2015) 3224-3234Zur Verlagspublikation Manuskript
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Temperature Dependent Dielectric Function and Reflectivity Spectra of Nonpolar Wurtzite AlNThin Solid Films 571 (2014) 502-505Vortrag von M. Feneberg auf der 6. Internationalen Konferenz über Spektroskopische Ellipsometrie (ICSE-VI) in Kyoto, Japan am 26.-31. Mai 2013.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Growth, Characterization, and Properties of Bulk SnO2 Single CrystalsPhys. Status Solidi A 211 (2014) 66-73Zur Verlagspublikation Manuskript
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On the Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski MethodJ. Crystal Growth 404 (2014) 184-191Zur Verlagspublikation Manuskript
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A Study of the Step-flow Growth of the PVT-grown AlN Crystals by Multi-scale Modeling MethodCrystEngComm 16 [29] (2014) 6564-6577Zur Verlagspublikation Manuskript
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Bulk AlN Growth by Physical Vapor TransportSemicond. Sci. Technol. 29 (2014) 084002Zur Verlagspublikation Manuskript
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Performance Characteristics of UV-C AlGaN Quantum Well Lasers Grown on Sapphire and Bulk AlN SubstratesIEEE Photonics Lett. 26 [4] (2014) 342-345Zur Verlagspublikation Manuskript
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Negative Spin-Exchange Splitting in the Exciton Fine Structure of AlNAppl. Phys. Lett. 102 (2013) 052112Zur Verlagspublikation Manuskript
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Anisotropic Absorption and Emission of Bulk (1-100) AlNPhys. Rev. B 87 (2013) 235209Zur Verlagspublikation Manuskript
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Perpetuating Structural Perfection of Bulk AlN Single Crystals Using PVT Growth on AlN Seeds Cut from Freestanding CrystalsJpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 08JA06Vortrag von C. Hartmann auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2012 (IWN 2012) in Sapporo, Japan am 15.-19. Oktober 2012.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Identification of a Tri-carbon Defect and its Relation to the Ultraviolet Absorption in Aluminum NitrideJ. Appl. Phys. 114 (2013) 123505Zur Verlagspublikation Manuskript
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Faceting in AlN Bulk Crystal Growth and its Impact on Optical Properties of the CrystalsPhys. Status Solidi C 9 [3-4] (2012) 449-452Vortrag auf der 9. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-9).Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
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Ohmic and Rectifying Contacts on Bulk AlN for Radiation Detector ApplicationsPhys. Status Solidi C 9 [3-4] (2012) 968-971Poster von T. Erlbacher auf der 9. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-9) in Glasgow, Großbritannien am 10.-15. Juli 2011.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Growth of Bulk AlN Single Crystals with Low Oxygen Content Taking into Account Thermal and Kinetic Effects of Oxygen-related Gaseous SpeciesJ. Crystal Growth 360 (2012) 185-188Zur Verlagspublikation Manuskript
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Growth of AlN Bulk Crystals on SiC Seeds: Chemical Analysis and Crystal PropertiesJ. Crystal Growth 339 (2012) 13-21Zur Verlagspublikation Manuskript
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Structural Defects in Aluminum Nitride Bulk Crystals Visualized by Cathodoluminescence MapsPhys. Status Solidi C 8 [7-8] (2011) 2235-2238Vortrag auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2010 (IWN 2010).Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
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Thermally Stimulated Luminescence in Aluminium Nitride CrystalsPhys. Status Solidi C 8 [7-8] (2011) 2104-2106Poster auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2010 (IWN 2010).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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Silicon in AlN: Shallow Donor and DX BehaviorsPhys. Status Solidi C 8 [7-8] (2011) 2167-2169Vortrag von N. T. Son auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2010 (IWN 2010) in Tampa, Florida, USA am 19.-24. September 2010.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Effects of Growth Direction and Polarity on Bulk Aluminum Nitride Crystal PropertiesJ. Crystal Growth 318 (2011) 427-431Vortrag von O. Filip auf der 16. Internationalen Konferenz über Kristallzüchtung (ICCG-16) in Peking, China am 16.-21. August 2010.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Defects at Nitrogen Site in Electron-irradiated AlNAppl. Phys. Lett. 98 (2011) 242116Zur Verlagspublikation Manuskript
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Shallow Donor and DX States of Si in AlNAppl. Phys. Lett. 98 (2011) 092104Zur Verlagspublikation Manuskript
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Deep-UV Transparent Bulk Single-crystalline AlN SubstratesPhys. Status Solidi C 7 [7-8] (2010) 1743-1745Vortrag auf der 8. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-8).Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
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Sublimation Growth of Bulk Crystals of AlN-Rich (AlN)x(SiC)1–x Solid SolutionsPhys. Status Solidi C 7 [7-8] (2010) 1746-1748Poster auf der 8. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-8).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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UV Transparent Single-Crystalline Bulk AlN SubstratesPhys. Status Solidi C 7 [1] (2010) 21-24Vortrag auf der Frühjahrstagung der Europäischen Materials Research Society 2009 (Symposium J) (EMRS Spring 2009).Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
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Crystal Growth of Mixed AlN-SiC Bulk CrystalsJ. Crystal Growth 312 [18] (2010) 2522-2526Vortrag von O. Filip auf dem 6. Internationalen Workshop über Nitrid-Volumenkristalle (IWBNS-VI) in Galindia, Polen am 23.-28. August 2009.Zur Verlagspublikation Manuskript
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High-excitation and High-resolution Photoluminescence Spectra of Bulk AlNPhys. Rev. B 82 (2010) 075208Zur Verlagspublikation Manuskript
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Point Defect Content and Optical Transitions in Bulk Aluminum Nitride CrystalsPhys. Status Solidi B 246 (2009) 1181-1183Vortrag auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2008 (IWN 2008).Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
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Seeded Growth of AlN on (0001)-plane 6H-SiC SubstratesMater. Sci. Forum 615-617 (2009) 983-986Vortrag von O. Filip auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2008) in Barcelona, Spanien am 8.-12. September 2008.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Defects in AlN: High-frequency EPR and ENDOR StudiesPhysica B 404 (2009) 4873-4876Zur Verlagspublikation Manuskript
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Growth on Rhombohedral (01-1n) Plane: An Alternative for Preparation of High Quality Bulk SiC CrystalsMater. Sci. Forum 600-603 (2009) 23-26Vortrag von O. Filip auf der 12. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2007) in Otsu, Kyoto, Japan am 13.-19. Oktober 2007.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Structural Properties of Aluminum Nitride Bulk Single Crystals Grown by PVTPhys. Status Solidi C 5 [6] (2008) 1502-1504Poster auf der 7. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-7).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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Characterization of Bulk AlN Crystals With Positron Annihilation SpectroscopyJ. Crystal Growth 310 (2008) 3998-4001Vortrag von F. Tuomisto auf dem 5. Internationalen Workshop über Nitrid-Volumenkristalle (IWBNS-V) in Salvador, Bahia, Brasilien am 24.-28. September 2007.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Polarization-Dependent Below Band-Gap Optical Absorption of Aluminum Nitride Bulk CrystalsJ. Appl. Phys. 103 (2008) 073522Zur Verlagspublikation Manuskript
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Observation of the Triplet Meta-stable State of Shallow Donor Pairs in AlN Crystals with a Negative U Behavior: A High-frequency EPR/ENDOR StudyPhys. Rev. Lett. 100 (2008) 256404Zur Verlagspublikation Manuskript
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Defect-Selective Etching of Aluminum Nitride Single CrystalsPhys. Status Solidi C 4 [7] (2007) 2609-2612Poster auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2006 (IWN 2006).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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Development of Natural Habit of Large Free-Nucleated AlN Single CrystalsPhys. Status Solidi B 244 [6] (2007) 1780-1783Vortrag von B. M. Epelbaum auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2006 (IWN 2006) in Kyoto, Japan am 22.-27. Oktober 2006.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Initial Growth Stage in PVT Growth of AlN on SiC Substrates: Influence of Al2O3Phys. Status Solidi C 4 [7] (2007) 2223-2226Poster von P. Heimann auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2006 (IWN 2006) in Kyoto, Japan am 22.-27. Oktober 2006.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Growth of 4H-SiC on Rhombohedral (01-14) Plane SeedsJ. Crystal Growth 308 (2007) 41-49Zur Verlagspublikation Manuskript
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Similarities and Differences in Sublimation Growth of SiC and AlNJ. Crystal Growth 305 (2007) 317-325Vortrag von B. M. Epelbaum auf dem 4. Internationalen Workshop über Nitrid-Volumenkristalle (IWBNS-IV) in Makino, Shiga, Japan am 16.-21. Oktober 2006.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Wet KOH Etching of Freestanding AlN Single CrystalsJ. Crystal Growth 300 (2007) 299-307Zur Verlagspublikation Manuskript
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Growth and Characterization of High-quality 6H-SiC (01-15) Bulk CrystalsMater. Sci. Forum 556-557 (2007) 17-20Poster von O. Filip auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2006) in Newcastle upon Tyne, Großbritannien am 3.-7. September 2006.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Photoluminescence, Cathodoluminescence, and Reflectance Study of AlN Layers and AlN Single CrystalsSuperlatt. Microstruct. 40 (2006) 513-518Poster von G. M. Prinz auf der Frühjahrstagung der Europäischen Materials Research Society 2006 (Symposium S) (EMRS Spring 2006) in Nizza, Frankreich am 28. Mai-2. Juni 2006.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Orientation-Dependent Properties of Aluminum Nitride Single CrystalsPhys. Status Solidi C 3 [6] (2006) 1902-1906Poster auf der 6. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-6).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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The Initial Growth Stage in PVT Growth of Aluminum NitridePhys. Status Solidi C 3 [6] (2006) 1575-1578Poster von P. Heimann auf der 6. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-6) in Bremen am 28. August-2. September 2005.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Structural Properties of AlN Crystals Grown by Physical Vapor TransportPhys. Status Solidi C 2 [7] (2005) 2044-2048Poster auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2004 (IWN 2004).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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Comparative Study of Initial Growth Stage in PVT Growth of AlN on SiC and on Native AlN Single-Crystalline SubstratesPhys. Status Solidi C 2 [7] (2005) 2070-2073Vortrag auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2004 (IWN 2004).Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
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Growth and Characterization of Bulk AlN Substrates Grown by PVTPhys. Status Solidi A 202 (2005) 531-535Vortrag auf der 7. Konferenz "Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies" (EXMATEC 2004).Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
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Investigation of (0001) Lattice Plane Bending in Large SiC Crystals Using High Energy X-ray TechniquePhys. Status Solidi C 2 [4] (2005) 1288-1291Poster von B. M. Epelbaum auf der 7. Konferenz "Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies" (EXMATEC 2004) in Montpellier, Frankreich am 2.-5. Juni 2004.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Orientation-Dependent Phonon Observation in Single-Crystalline Aluminum NitrideAppl. Phys. Lett. 86 (2005) 131904Zur Verlagspublikation Manuskript
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LPE of Silicon Carbide Using Diluted Si-Ge FluxMater. Sci. Forum 483-485 (2005) 133-136Poster von O. Filip auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2004) in Bologna, Italien am 31. August-4. September 2004.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Liquid Phase Homoepitaxial Growth of 6H-SiC on (01-15) Oriented SubstratesJ. Crystal Growth 282 (2005) 286-289Zur Verlagspublikation Manuskript
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Growth of 6H-SiC Crystals Along the [01-15] DirectionJ. Crystal Growth 275 (2005) 496-503Zur Verlagspublikation Manuskript
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Approaches to Seeded PVT Growth of AlN CrystalsJ. Crystal Growth 275 (2005) e479-e484Vortrag von B. M. Epelbaum auf der 14. Internationalen Konferenz über Kristallzüchtung (ICCG-14) in Grenoble, Frankreich am 9.-13. August 2004.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Micropipe Healing in SiC Wafers by Liquid-Phase Epitaxy in Si-Ge MeltsJ. Crystal Growth 271 (2004) 142-150Zur Verlagspublikation Manuskript
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Characterization of Bulk AlN with Low Oxygen ContentJ. Crystal Growth 269 (2004) 432-442Zur Verlagspublikation Manuskript
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Natural Growth Habit of Bulk AlN CrystalsJ. Crystal Growth 265 (2004) 577-581Zur Verlagspublikation Manuskript
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Effective Increase of Single-Crystalline Yield During PVT Growth of SiC by Tailoring of Radial Temperature GradientJ. Crystal Growth 262 (2004) 105-112Zur Verlagspublikation Manuskript
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Structural, Optical, and Electrical Properties of Bulk AlN Crystals Grown by PVTMater. Sci. Forum 457-460 (2004) 1541-1544Poster auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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Analysis of Different Vanadium Charge States in Vanadium Doped 6H-SiC by Low Temperature Optical Absorption and Electron Paramagnetic ResonanceMater. Sci. Forum 457-460 (2004) 787-790Poster auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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Sublimation Growth of Bulk AlN crystals: Process Temperature and Growth RateMater. Sci. Forum 457-460 (2004) 1537-1540Vortrag von B. M. Epelbaum auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Flux Growth of SiC Crystals from Eutectic Melt SiC-B4CMater. Sci. Forum 457-460 (2004) 119-122Poster von B. M. Epelbaum auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Uniform Axial Charge Carrier Concentration in PVT-grown p-type 6H-SiC by Non-uniform Distribution of Boron in the Powder SourceMater. Sci. Forum 457-460 (2004) 719-722Poster von Z. G. Herro auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Effect of Thermal Field on Interface Step Structures during PVT Growth of Si-face 6H-SiCMater. Sci. Forum 457-460 (2004) 95-98Poster von Z. G. Herro auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Natural Crystal Habit and Preferential Growth Directions in PVT of Silicon CarbideMater. Sci. Forum 457-460 (2004) 111-114Poster von Z. G. Herro auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.Zur Verlagspublikation Manuskript
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AFM Investigation of Interface Step Structures On PVT-Grown of (0001)Si 6H-SiC crystalsJ. Crystal Growth 270 (2004) 113-120Zur Verlagspublikation Manuskript
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On the Preparation of Vanadium Doped PVT Grown SiC Boules with High Semi-Insulating YieldJ. Crystal Growth 254 (2003) 390-399Zur Verlagspublikation Manuskript
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PVT Growth of Bulk AlN Crystals with Low Oxygen ContaminationPhys. Status Solidi C 0 [7] (2003) 1993-1996Vortrag auf der 5. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-5).Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
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Electrical and Optical Characterization of p-Type Boron Doped 6H-SiC Bulk CrystalsMater. Sci. Forum 433-436 (2003) 337-340Poster auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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Preparation of Semi-Insulating Silicon Carbide by Vanadium Doping During PVT Bulk Crystal GrowthMater. Sci. Forum 433-436 (2003) 51-54Poster auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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Seeded PVT Growth of Aluminum Nitride on Silicon CarbideMater. Sci. Forum 433-436 (2003) 983-986Poster von B. M. Epelbaum auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Effective Increase of Single-Crystalline Yield During PVT Growth of SiC by Tailoring of Radial Temperature GradientMater. Sci. Forum 433-436 (2003) 67-70Poster von Z. Herro auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.Zur Verlagspublikation Manuskript
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PVT Growth of Co-Doped Semi-Insulating 2 inch 6H-SiC CrystalsMater. Sci. Forum 433-436 (2003) 55-58Poster von M. Rasp auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Impact of Compensation on Optical Absorption Bands in the Below Band Gap Region in n-type (N) 6H-SiCMater. Sci. Forum 433-436 (2003) 333-336Poster von R. Weingärtner auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Aluminum p-type Doping of Silicon Carbide Crystals Using a Modified Physical Vapor Transport Growth MethodJ. Crystal Growth 240 (2002) 117-123Zur Verlagspublikation Manuskript
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On the Preparation of Vanadium-Doped Semi-insulating SiC Bulk CrystalsMater. Sci. Forum 389-393 (2002) 139-142Vortrag auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001).Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
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Incorporation of Boron and the Role of Nitrogen as a Compensation Source in SiC Bulk Crystal GrowthMater. Sci. Forum 389-393 (2002) 127-130Poster auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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Sublimation Growth of Bulk AlN Crystals: Materials Compatibility and Crystal QualityMater. Sci. Forum 389-393 (2002) 1445-1448Vortrag auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001).Zur Verlagspublikation Manuskript Foliensatz
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Aluminum Doping of 6H and 4H SiC with a Modified PVT Growth MethodMater. Sci. Forum 389-393 (2002) 131-134Poster von T. L. Straubinger auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001) in Tsukuba, Japan am 28. Oktober-2. November 2001.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Determination of Charge Carrier Concentration in n- and p-Doped SiC Based on Optical Absorption MeasurementsAppl. Phys. Lett. 80 (2002) 70-72Zur Verlagspublikation Manuskript
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Optical Quantitative Determination of Doping Levels and their Distribution in SiCMater. Sci. Eng. B 91-92 (2002) 75-78Vortrag von P. J. Wellmann auf der 9. Konferenz über Defektbeobachtung und -physik in Halbleitern (DRIP IX) in Rimini, Italien am 25.-28. September 2001.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Incorporation of Boron and Vanadium during PVT Growth of 6H-SiC CrystalsJ. Crystal Growth 233 (2001) 211-218Zur Verlagspublikation Manuskript
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On the Preparation of Semi-Insulating SiC Bulk Crystals by the PVT TechniqueAppl. Surf. Sci. 184 (2001) 84-89Poster auf der Frühjahrstagung der Europäischen Materials Research Society 2001 (Symposium F) (EMRS Spring 2001).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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SiC Crystal Growth from the Vapor and Liquid PhaseMater. Res. Soc. Symp. Proc. 640 (2001) H1.1Eingeladener Vortrag von D. Hofmann auf der Herbsttagung der Materials Research Society 2000 (Symposium H) (MRS Fall 2000) in Boston, Massachusetts, USA am 27.-29. November 2000.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Study of Boron Incorporation during PVT growth of p-type SiC CrystalsMater. Sci. Forum 353-356 (2001) 49-52Poster auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2000 (ECSCRM 2000).Zur Verlagspublikation Manuskript Poster
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Stability Criteria for 4H-SiC Bulk GrowthMater. Sci. Forum 353-356 (2001) 25-28Poster von T. L. Straubinger auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2000 (ECSCRM 2000) in Kloster Banz am 3.-7. September 2000.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Absorption Measurements and Doping Level Evaluation in n-type and p-type 4H-SiC and 6H-SiCMater. Sci. Forum 353-356 (2001) 397-400Poster von R. Weingärtner auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2000 (ECSCRM 2000) in Kloster Banz am 3.-7. September 2000.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Absorption Mapping of Doping Level Distribution in n-type and p-type 4H-SiC and 6H-SiCMater. Sci. Eng. B 80 (2001) 357-361Poster von R. Weingärtner auf der 5. Konferenz "Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies" (EXMATEC 2000) in Heraklion, Kreta, Griechenland am 21.-24. Mai 2000.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Analysis on the Formation of Filamentory and Planar Voids in Silicon Carbide Bulk CrystalsMater. Sci. Forum 338-342 (2000) 445-448Vortrag von D. Hofmann auf der 8. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1999 (ICSCRM 1999) in Durham, North Carolina, USA am 10.-15. Oktober 1999.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Growth Rate Control in SiC-Physical Vapor Transport Method Through Heat Transfer Modeling and Non Stationary Process ConditionsMater. Sci. Forum 338-342 (2000) 39-42Vortrag von T. L. Straubinger auf der 8. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1999 (ICSCRM 1999) in Durham, North Carolina, USA am 10.-15. Oktober 1999.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Digital X-Ray Imaging of SiC PVT Process: Analysis of Crystal Growth and Powder Source DegradationMater. Sci. Forum 338-342 (2000) 71-74Vortrag von P. J. Wellmann auf der 8. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1999 (ICSCRM 1999) in Durham, North Carolina, USA am 10.-15. Oktober 1999.Zur Verlagspublikation Manuskript
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In-Situ Visualization and Analysis of Silicon Carbide Physical Vapor Transport Growth Using Digital X-Ray ImagingJ. Crystal Growth 216 (2000) 263-272Zur Verlagspublikation Manuskript
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Sublimation Growth of SiC Bulk Crystals: Experimental and Theoretical Studies on Defect Formation and Growth Rate AugmentationJ. Crystal Growth 198/199 (1999) 1005-1010Zur Verlagspublikation Manuskript
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Analysis on Defect Generation During the SiC Bulk Growth ProcessMater. Sci. Eng. B 61-62 (1999) 48-53Vortrag von D. Hofmann auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1998 (ECSCRM 1998) in Montpellier, Frankreich am 2.-4. September 1998.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Online Monitoring of PVT SiC Bulk Crystal Growth Using Digital X-Ray ImagingMater. Res. Soc. Symp. Proc. 572 (1999) 259-264Vortrag von P. J. Wellmann auf der Frühjahrstagung der Materials Research Society 1999 (Symposium Y) (MRS Spring 1999) in San Francisco, Kalifornien, USA am 5.-9. April.Zur Verlagspublikation Manuskript
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Studies on SiC Liquid Phase Crystallization as Technique for SiC Bulk GrowthMater. Sci. Forum 264-268 (1998) 69-72Poster von M. Müller auf der 7. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und Gruppe III-Nitride 1997 (ICSCIII-N 1997) in Stockholm, Schweden am 31. August-5. September 1997.Zur Verlagspublikation Manuskript