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Veröffentlichungen
Publikations­übersicht

Veröffentlichungen in Fachzeitschriften (inkl. Buchkapitel)

Detailliertere Informationen zu den Publikationen (z.B. bei Konferenzbeiträgen) und weitere Sortiermöglichkeiten finden Sie unter Publikationen und Vorträge. Zum Kopieren gibt es diese Literaturliste auch ohne DOI-Links.

  1. The Thermal Conductivity Tensor of β-Ga2O3 from 300 to 1275 K
    D. Klimm, B. Amgalan, S. Ganschow, A. Kwasniewski, Z. Galazka, M. Bickermann
    Cryst. Res. Technol. (2023) early view
    DOI: 10.1002/crat.202200204 Manuskript
  2. Fingerprints of Carbon Defects in Vibrational Spectra of GaN Considering the Isotope Effect
    I. Gamov, J.L. Lyons, G. Gärtner, K. Irmscher, E. Richter, M. Weyers, M.R. Wagner, M. Bickermann
    Phys. Rev. B 106 (2022) 184110
    DOI: 10.1103/PhysRevB.106.184110 Manuskript
  3. Wüstite (Fe1-xO) - Thermodynamics and Crystal Growth
    M. Hamada, S. Ganschow, D. Klimm, G. Serghiou, H. J. Reichmann, M. Bickermann
    Z. Naturforsch. B 77 [6] (2022) 463-468
    DOI: 10.1515/znb-2022-0071 Manuskript
  4. 2 Inch Diameter, Highly Conducting Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski Method for High Power Switching Devices
    Z. Galazka, S. Ganschow, K. Irmscher, P. Seyidov, M. Pietsch, T.-S. Chou, S. Bin Anooz, R. Grueneberg, A. Popp, A. Dittmar, A. Kwasniewski, M. Suendermann, D. Klimm, T. Straubinger, T. Schroeder, M. Bickermann
    Appl. Phys. Lett. 120 (2022) 152101
    DOI: 10.1063/5.0086996 Manuskript
  5. Molten Ba(OH)2 + 10%MgO as Defect Selective Drop Etchant for Dislocation Analysis on AlN Layers
    L. Matiwe, C. Hartmann, L. Cancellara, M. Bickermann, A. Klump, J. Wollweber, S. Hagedorn, M. Weyers, T. Straubinger
    Phys. Status Solidi A 219 (2022) 2100707
    DOI: 10.1002/pssa.202100707 Manuskript
  6. Phase Diagram Studies for the Growth of (Mg,Zr):SrGa12O19 Crystals
    D. Klimm, B. Szczefanowicz, N. Wolff, M. Bickermann
    J. Therm. Anal. Calorim. 147 (2022) 7133-7139
    DOI: 10.1007/s10973-021-11050-4 Manuskript
  7. Experimental Hall Electron Mobility of Bulk Single Crystals of Transparent Semiconducting Oxides
    Z. Galazka, K. Irmscher, M. Pietsch, S. Ganschow, D. Schulz, D. Klimm, I.M. Hanke, T. Schroeder, M. Bickermann
    J. Mater. Res. 36 (2021) 4746-4755
    DOI: 10.1557/s43578-021-00353-9 Manuskript
  8. Melt Growth and Physical Properties of Bulk LaInO3 Single Crystals
    Z. Galazka, K. Irmscher, S. Ganschow, M. Zupancic, W. Aggoune, C. Draxl, M. Albrecht, D. Klimm, A. Kwasniewski, T. Schulz, M. Pietsch, A. Dittmar, R. Grueneberg, U. Juda, R. Schewski, K. Char, H. Cho, T. Schroeder, M. Bickermann
    Phys. Status Solidi A 218 (2021) 2100016
    DOI: 10.1002/pssa.202100016 Manuskript
  9. Photochromism and Influence of Point Defect Charge States on Optical Absorption in Aluminum Nitride (AlN)
    I. Gamov, C. Hartmann, T. Straubinger, M. Bickermann
    J. Appl. Phys. 129 (2021) 113103
    DOI: 10.1063/5.0044519 Manuskript
  10. Bulk Single Crystals of β-Ga2O3 and Ga-Based Spinels as Ultra-Wide Bandgap Transparent Semiconducting Oxides
    Z. Galazka, S. Ganschow, K. Irmscher, D. Klimm, M. Albrecht, R. Schewski, M. Pietsch, T. Schulz, A. Dittmar, A. Kwasniewski, R. Grueneberg, S. Bin Anooz, A. Popp, U. Juda, I.M. Hanke, T. Schroeder, M. Bickermann
    Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 67 (2021) 100511
    DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2020.100511 Manuskript
  11. TiSr Antisite: An Abundant Point Defect in SrTiO3
    A. Karjalainen, V. Prozheeva, I. Makkonen, C. Guguschev, T. Markurt, M. Bickermann, F. Tuomisto
    J. Appl. Phys. 127 (2020) 245702
    DOI: 10.1063/5.0010304 Manuskript
  12. Favourable Growth Conditions for the Preparation of Bulk AlN Single Crystals by PVT
    C. Hartmann, L. Matiwe, J. Wollweber, I. Gamov, K. Irmscher, M. Bickermann, T. Straubinger
    CrystEngComm 22 (2020) 1762-1768
    DOI: 10.1039/c9ce01952a Manuskript
  13. Overgrowth of Nano-Pillar-Patterned Sapphire With Different Offcut Angle by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    S. Walde, S. Hagedorn, P.-M. Coulon, A. Mogilatenko, C. Netzel, J. Weinrich, N. Susilo, E. Ziffer, L. Matiwe, C. Hartmann, G. Kusch, A. Alasmari, G. Naresh-Kumar, C. Trager-Cowan, T. Wernicke, T. Straubinger, M. Bickermann, R. W. Martin, P. A. Shields, M. Kneissl, M. Weyers
    J. Crystal Growth 531 (2020) 125343
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125343 Manuskript
  14. Czochralski-Grown Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mono-, Di-, Tri-, and Tetravalent Ions
    Z. Galazka, K. Irmscher, R. Schewski, I.M. Hanke, M. Pietsch, S. Ganschow, D. Klimm, A. Dittmar, A. Fiedler, T. Schröder, M. Bickermann
    J. Crystal Growth 529 (2020) 125297
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125297 Manuskript
  15. Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Ce, Ce+Si, Ce+Al, and Ce+Al+Si for Detection of Nuclear Radiation
    Z. Galazka, R. Schewski, K. Irmscher, W. Drozdowski, M.E. Witkowski, M. Makowski, A.J. Wojtowicz, I.M. Hanke, M. Pietsch, T. Schulz, D. Klimm, S. Ganschow, A. Dittmar, A. Fiedler, T. Schröder, M. Bickermann
    J. Alloys Compounds 818 (2020) 152842
    DOI: 10.1016/j.jallcom.2019.152842 Manuskript
  16. REScO3 Substrates: Purveyors of Strain Engineering
    D. Klimm, C. Guguschev, S. Ganschow, M. Bickermann, D.G. Schlom
    Cryst. Res. Technol. 55 [2] (2020) 1900111
    DOI: 10.1002/crat.201900111 Manuskript
  17. Carbon Pair Defects in Aluminum Nitride
    I. Gamov, C. Hartmann, J. Wollweber, A. Dittmar, T. Straubinger, M. Bickermann, I. Kogut, H. Fritze, K. Irmscher
    J. Appl. Phys. 126 (2019) 215102
    DOI: 10.1063/1.5123049 Manuskript
  18. Electromechanical Losses in Carbon- and Oxygen-Containing Bulk AlN Single Crystals
    I. Kogut, C. Hartmann, I. Gamov, Y. Suhak, M. Schulz, S. Schröder, J. Wollweber, A. Dittmar, K. Irmscher, T. Straubinger, M. Bickermann, H. Fritze
    Solid State Ionics 343 (2019) 115072
    DOI: 10.1016/j.ssi.2019.115072 Manuskript
  19. Ultra-Wide Bandgap, Conductive and High Mobility Melt-Grown Truly Bulk ZnGa2O4 Single Crystals
    Z. Galazka, S. Ganschow, R. Schewski, K. Irmscher, D. Klimm, A. Kwasniewski, M. Pietsch, A. Fiedler, I. Schulze-Jonack, M. Albrecht, M. Bickermann, T. Schröder
    APL Materials 7 (2019) 022512
    DOI: 10.1063/1.5053867 Manuskript
  20. Crystal Defect Analysis in AlN Layers Grown by MOVPE on Bulk AlN
    A. Mogilatenko, A. Knauer, U. Zeimer, C. Netzel, J. Jeschke, C. Hartmann, J. Wollweber, A. Dittmar, U. Juda, M. Weyers, M. Bickermann
    J. Crystal Growth 505 (2018) 69-73
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.10.021 Manuskript
  21. Physical Vapor Transport Growth of bulk Al1-xScxN Single Crystals
    A. Dittmar, C. Hartmann, D. Klimm, M. Schmidbauer, J. Wollweber, M. Bickermann
    J. Crystal Growth 500 (2018) 74-79
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.07.022 Manuskript
  22. The Thermal Conductivity of Single Crystalline AlN
    R. Rounds, B. Sarkar, A. Klump, C. Hartmann, T. Nagashima, R. Kirste, A. Franke, M. Bickermann, Y. Kumagai, Z. Sitar, R. Collazo
    Appl. Phys. Express 11 (2018) 71001
    DOI: 10.7567/APEX.11.071001 Manuskript
  23. The Influence of Point Defects on the Thermal Conductivity of AlN Crystals
    R. Rounds, B. Sarkar, D. Alden, Q. Guo, A. Klump, C. Hartmann, T. Nagashima, R. Kirste, A. Franke, M. Bickermann, Y. Kumagai, Z. Sitar, R. Collazo
    J. Appl. Phys. 123 (2018) 185107
    DOI: 10.1063/1.5028141 Manuskript
  24. Doping of Czochralski-Grown Bulk β-Ga2O3 Single Crystals with Cr, Ce and Al
    Z. Galazka, S. Ganschow, A. Fiedler, R. Bertram, D. Klimm, K. Irmscher, R. Schewski, M. Pietsch, M. Albrecht, M. Bickermann
    J. Crystal Growth 486 (2018) 82-90
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.01.022 Manuskript
  25. Preface: AlN and AlGaN Materials and Devices
    M. Bickermann, R. Collazo, E. Monroy, P. Perlin
    Phys. Status Solidi A 214 (2017) 1770155
    Konferenz-Grußwort auf der Herbsttagung der Europäischen Materials Research Society 2016 (Symposium F) (EMRS Fall 2016).
    DOI: 10.1002/pssa.201770155 Manuskript
  26. Crystal Growth and Characterization of the Pyrochlore Tb2Ti2O7
    D. Klimm, C. Guguschev, D. J. Kok, M. Naumann, L. Ackermann, D. Rytz, M. Peltz, K. Dupré, Maciej Neumann, A. Kwasniewski, D. G. Schlom, M. Bickermann
    CrystEngComm 19 (2017) 3908-3914
    DOI: 10.1039/C7CE00942A Manuskript
  27. Czochralski Growth and Characterization of Cerium Doped Calcium Scandate
    C. Guguschev, J. Philippen, D. J. Kok, T. Markurt, D. Klimm, K. Hinrichs, R. Uecker, R. Bertram, M. Bickermann
    CrystEngComm 19 (2017) 2553-2560
    DOI: 10.1039/C7CE00445A Manuskript
  28. Carbon Doped GaN Layers Grown by Pseudo-Halide Vapour Phase Epitaxy
    D. Siche, R. Zwierz, K. Kachel, N. Jankowski, C. Nenstiel, G. Callsen, M. Bickermann, A. Hoffmann
    Cryst. Res. Technol. 52 (2017) 1600364
    DOI: 10.1002/crat.201600364 Manuskript
  29. Melt Growth and Properties of Bulk BaSnO3 Single Crystals
    Z. Galazka, R. Uecker, K. Irmscher, D. Klimm, R. Bertram, A. Kwasniewski, M. Naumann, R. Schewski, M. Pietsch, U. Juda, A. Fiedler, M. Albrecht, S. Ganschow, T. Markurt, C. Guguschev, M. Bickermann
    J. Phys.: Condens. Matter 29 (2017) 075701
    DOI: 10.1088/1361-648X/aa50e2 Manuskript
  30. Scaling-up of Bulk β-Ga2O3 Single Crystals by the Czochralski Method
    Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Naumann, M. Pietsch, A. Kwasniewski, R. Bertram, S. Ganschow, M. Bickermann
    ECS J. Solid State Sci. Technol. 6 (2017) Q3007-Q3011
    DOI: 10.1149/2.0021702jss Manuskript
  31. Top-seeded Solution Growth of SrTiO3 Single Crystals Virtually Free of Mosaicity
    C. Guguschev, D. J. Kok, U. Juda, R. Uecker, S. Sintonen, Z. Galazka, M. Bickermann
    J. Crystal Growth 468 (2017) 305-310
    Eingeladener Vortrag von C. Guguschev auf der 18. Internationalen Konferenz über Kristallzüchtung und Epitaxie (ICCGE-18) in Nagoya, Japan am 7.-12. August 2016.
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.10.048 Manuskript
  32. Growth and Properties of Bulk AlN Substrates
    M. Bickermann
    in: III-Nitride Ultraviolet Emitters - Technology and applications, M. Kneissl and J. Rass (eds.), Springer Series in Materials Science 227, Springer Verlag 2016, ISBN: 978-3-319-24098-5, Chapter 2 (2016)
    DOI: 10.1007/978-3-319-24100-5_2 Manuskript
  33. Preparation of Deep UV Transparent AlN Substrates with High Structural Perfection for Optoelectronic Devices
    C. Hartmann, J. Wollweber, S. Sintonen, A. Dittmar, L. Kirste, S. Kollowa, K. Irmscher, M. Bickermann
    CrystEngComm 18 (2016) 3488-3497
    DOI: 10.1039/C6CE00622A Manuskript
  34. FTIR Exhaust Gas Analysis of GaN Pseudo-Halide Vapour Phase Growth
    K. Kachel, D. Siche, S. Golka, P. Sennikov, M. Bickermann
    Mater. Chem. Phys. 177 (2016) 12-18
    DOI: 10.1016/j.matchemphys.2016.03.010 Manuskript
  35. Precipitates Originating from Tungsten Crucible Parts in AlN Bulk Crystals Grown by the PVT Method
    F. Langhans, S. Kiefer, C. Hartmann, T. Markurt, T. Schulz, C. Guguschev, M. Naumann, S. Kollowa, A. Dittmar, J. Wollweber, M. Bickermann
    Cryst. Res. Technol. 51 (2016) 129-136
    DOI: 10.1002/crat.201500201 Manuskript
  36. Vapor Transport Growth of Wide Bandgap Materials
    M. Bickermann, T. Paskova
    in: Handbook of Crystal Growth, Second Edition, Vol 2A: Bulk Crystal Growth - Basic Technologies, P. Rudolph (ed.), Elsevier Science Ltd. 2015, ISBN: 978-0-44463-303-3, Chapter 16 (2015)
    DOI: 10.1016/B978-0-444-63303-3.00016-X Manuskript
  37. MgGa2O4 as a New Wide Bandgap Transparent Semiconducting Oxide - Growth and Properties of Bulk Single Crystals
    Z. Galazka, D. Klimm, K. Irmscher, R. Uecker, M. Pietsch, R. Bertram, M. Naumann, A. Kwasniewski, R. Schewski, M. Bickermann
    Phys. Status Solidi A 212 (2015) 1455-1460
    DOI: 10.1002/pssa.201431835 Manuskript
  38. Influence of Oxygen Partial Pressure on SrTiO3 Bulk Crystal Growth from Non-stoichiometric Melts
    C. Guguschev, D. J. Kok, Z. Galazka, D. Klimm, R. Uecker, R. Bertram, M. Naumann, U. Juda, A. Kwasniewski, M. Bickermann
    CrystEngComm 17 (2015) 3224-3234
    DOI: 10.1039/C5CE00095E Manuskript
  39. Temperature Dependent Dielectric Function and Reflectivity Spectra of Nonpolar Wurtzite AlN
    M. Feneberg, M. F. Romero, B. Neuschl, K. Thonke, M. Röppischer, C. Cobet, N. Esser, M. Bickermann, R. Goldhahn
    Thin Solid Films 571 (2014) 502-505
    Vortrag von M. Feneberg auf der 6. Internationalen Konferenz über Spektroskopische Ellipsometrie (ICSE-VI) in Kyoto, Japan am 26.-31. Mai 2013.
    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.092 Manuskript
  40. Growth, Characterization, and Properties of Bulk SnO2 Single Crystals
    Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Pietsch, R. Schewski, M. Albrecht, A. Kwasniewski, S. Ganschow, D. Schulz, C. Guguschev, R. Bertram, M. Bickermann, R. Fornari
    Phys. Status Solidi A 211 (2014) 66-73
    DOI: 10.1002/pssa.201330020 Manuskript
  41. On the Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski Method
    Z. Galazka, K. Irmscher, R. Uecker, R. Bertram, M. Pietsch, A. Kwasniewski, M. Naumann, T. Schulz, R. Schewski, D. Klimm, M. Bickermann
    J. Crystal Growth 404 (2014) 184-191
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.07.021 Manuskript
  42. A Study of the Step-flow Growth of the PVT-grown AlN Crystals by Multi-scale Modeling Method
    W. Guo, J. Kundin, M. Bickermann, H. Emmerich
    CrystEngComm 16 [29] (2014) 6564-6577
    DOI: 10.1039/C4CE00175C Manuskript
  43. Bulk AlN Growth by Physical Vapor Transport
    C. Hartmann, A. Dittmar, J. Wollweber, M. Bickermann
    Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 084002
    DOI: 10.1088/0268-1242/29/8/084002 Manuskript
  44. Performance Characteristics of UV-C AlGaN Quantum Well Lasers Grown on Sapphire and Bulk AlN Substrates
    M. Martens, F. Mehnke, C. Kuhn, C. Reich, V. Kueller, A. Knauer, C. Netzel, C. Hartmann, J. Wollweber, J. Rass, T. Wernicke, M. Bickermann, M. Weyers, M. Kneissl
    IEEE Photonics Lett. 26 [4] (2014) 342-345
    DOI: 10.1109/LPT.2013.2293611 Manuskript
  45. Negative Spin-Exchange Splitting in the Exciton Fine Structure of AlN
    M. Feneberg, M. F. Romero, B. Neuschl, K. Thonke, M. Röppischer, C. Cobet, N. Esser, M. Bickermann, R. Goldhahn
    Appl. Phys. Lett. 102 (2013) 052112
    DOI: 10.1063/1.4790645 Manuskript
  46. Anisotropic Absorption and Emission of Bulk (1-100) AlN
    M. Feneberg, M. F. Romero, M. Röppischer, C. Cobet, N. Esser, B. Neuschl, K. Thonke, M. Bickermann, R. Goldhahn
    Phys. Rev. B 87 (2013) 235209
    DOI: 10.1103/PhysRevB.87.235209 Manuskript
  47. Perpetuating Structural Perfection of Bulk AlN Single Crystals Using PVT Growth on AlN Seeds Cut from Freestanding Crystals
    C. Hartmann, J. Wollweber, A. Dittmar, K. Irmscher, A. Kwasniewski, F. Langhans, T. Neugut, M. Bickermann
    Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 08JA06
    Vortrag von C. Hartmann auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2012 (IWN 2012) in Sapporo, Japan am 15.-19. Oktober 2012.
    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JA06 Manuskript
  48. Identification of a Tri-carbon Defect and its Relation to the Ultraviolet Absorption in Aluminum Nitride
    K. Irmscher, C. Hartmann, C. Guguschev, M. Pietsch, J. Wollweber, M. Bickermann
    J. Appl. Phys. 114 (2013) 123505
    DOI: 10.1063/1.4821848 Manuskript
  49. Faceting in AlN Bulk Crystal Growth and its Impact on Optical Properties of the Crystals
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, B. Tautz, P. Heimann, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 9 [3-4] (2012) 449-452
    Vortrag auf der 9. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-9).
    DOI: 10.1002/pssc.201100345 Manuskript Foliensatz
  50. Ohmic and Rectifying Contacts on Bulk AlN for Radiation Detector Applications
    T. Erlbacher, M. Bickermann, B. Kallinger, E. Meissner, A. J. Bauer, L. Frey
    Phys. Status Solidi C 9 [3-4] (2012) 968-971
    Poster von T. Erlbacher auf der 9. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-9) in Glasgow, Großbritannien am 10.-15. Juli 2011.
    DOI: 10.1002/pssc.201100341 Manuskript
  51. Growth of Bulk AlN Single Crystals with Low Oxygen Content Taking into Account Thermal and Kinetic Effects of Oxygen-related Gaseous Species
    C. Guguschev, A. Dittmar, E. Moukhina, C. Hartmann, S. Golka, J. Wollweber, M. Bickermann, R.Fornari
    J. Crystal Growth 360 (2012) 185-188
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.02.019 Manuskript
  52. Growth of AlN Bulk Crystals on SiC Seeds: Chemical Analysis and Crystal Properties
    M. Bickermann, O. Filip, B.M. Epelbaum, P. Heimann, M. Feneberg, B. Neuschl, K. Thonke, E. Wedler, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 339 (2012) 13-21
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.11.043 Manuskript
  53. Structural Defects in Aluminum Nitride Bulk Crystals Visualized by Cathodoluminescence Maps
    M. Bickermann, S. Schimmel, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 8 [7-8] (2011) 2235-2238
    Vortrag auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2010 (IWN 2010).
    DOI: 10.1002/pssc.201000864 Manuskript Foliensatz
  54. Thermally Stimulated Luminescence in Aluminium Nitride Crystals
    M. Bickermann, S. Schuster, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 8 [7-8] (2011) 2104-2106
    Poster auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2010 (IWN 2010).
    DOI: 10.1002/pssc.201000863 Manuskript Poster
  55. Silicon in AlN: Shallow Donor and DX Behaviors
    N. T. Son, M. Bickermann, E. Janzén
    Phys. Status Solidi C 8 [7-8] (2011) 2167-2169
    Vortrag von N. T. Son auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2010 (IWN 2010) in Tampa, Florida, USA am 19.-24. September 2010.
    DOI: 10.1002/pssc.201001030 Manuskript
  56. Effects of Growth Direction and Polarity on Bulk Aluminum Nitride Crystal Properties
    O. Filip, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Heimann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 318 (2011) 427-431
    Vortrag von O. Filip auf der 16. Internationalen Konferenz über Kristallzüchtung (ICCG-16) in Peking, China am 16.-21. August 2010.
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.198 Manuskript
  57. Defects at Nitrogen Site in Electron-irradiated AlN
    N. T. Son, A. Gali, Á. Szabó, M. Bickermann, T. Ohshima, J. Isoya, E. Janzén
    Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 242116
    DOI: 10.1063/1.3600638 Manuskript
  58. Shallow Donor and DX States of Si in AlN
    N. T. Son, M. Bickermann, E. Janzén
    Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 092104
    DOI: 10.1063/1.3559914 Manuskript
  59. Deep-UV Transparent Bulk Single-crystalline AlN Substrates
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, M. Feneberg, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 7 [7-8] (2010) 1743-1745
    Vortrag auf der 8. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-8).
    DOI: 10.1002/pssc.200983422 Manuskript Foliensatz
  60. Sublimation Growth of Bulk Crystals of AlN-Rich (AlN)x(SiC)1–x Solid Solutions
    M. Bickermann, O. Filip, B. M. Epelbaum, P. Heimann, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 7 [7-8] (2010) 1746-1748
    Poster auf der 8. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-8).
    DOI: 10.1002/pssc.200983423 Manuskript Poster
  61. UV Transparent Single-Crystalline Bulk AlN Substrates
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 7 [1] (2010) 21-24
    Vortrag auf der Frühjahrstagung der Europäischen Materials Research Society 2009 (Symposium J) (EMRS Spring 2009).
    DOI: 10.1002/pssc.200982601 Manuskript Foliensatz
  62. Crystal Growth of Mixed AlN-SiC Bulk Crystals
    O. Filip, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, P. Heimann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 312 [18] (2010) 2522-2526
    Vortrag von O. Filip auf dem 6. Internationalen Workshop über Nitrid-Volumenkristalle (IWBNS-VI) in Galindia, Polen am 23.-28. August 2009.
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.04.006 Manuskript
  63. High-excitation and High-resolution Photoluminescence Spectra of Bulk AlN
    M. Feneberg, R.A.R. Leute, B. Neuschl, K. Thonke, M. Bickermann
    Phys. Rev. B 82 (2010) 075208
    DOI: 10.1103/PhysRevB.82.075208 Manuskript
  64. Point Defect Content and Optical Transitions in Bulk Aluminum Nitride Crystals
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi B 246 (2009) 1181-1183
    Vortrag auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2008 (IWN 2008).
    DOI: 10.1002/pssb.200880753 Manuskript Foliensatz
  65. Seeded Growth of AlN on (0001)-plane 6H-SiC Substrates
    O. Filip, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 615-617 (2009) 983-986
    Vortrag von O. Filip auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2008) in Barcelona, Spanien am 8.-12. September 2008.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.983 Manuskript
  66. Defects in AlN: High-frequency EPR and ENDOR Studies
    S. B. Orlinskii, P. G. Baranov, A. P. Bundakova, M. Bickermann, J. Schmidt
    Physica B 404 (2009) 4873-4876
    DOI: 10.1016/j.physb.2009.08.239 Manuskript
  67. Growth on Rhombohedral (01-1n) Plane: An Alternative for Preparation of High Quality Bulk SiC Crystals
    O. Filip, B. Epelbaum, J. Li, M. Bickermann, X. Xu, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 600-603 (2009) 23-26
    Vortrag von O. Filip auf der 12. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2007) in Otsu, Kyoto, Japan am 13.-19. Oktober 2007.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.23 Manuskript
  68. Structural Properties of Aluminum Nitride Bulk Single Crystals Grown by PVT
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 5 [6] (2008) 1502-1504
    Poster auf der 7. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-7).
    DOI: 10.1002/pssc.200778422 Manuskript Poster
  69. Characterization of Bulk AlN Crystals With Positron Annihilation Spectroscopy
    F. Tuomisto, J.-M. Mäki, T. Yu. Chemekova, Yu. N. Makarov, O. V. Avdeev, E. N. Mokhov, A.S. Segal, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava, M. Bickermann, B. M. Epelbaum
    J. Crystal Growth 310 (2008) 3998-4001
    Vortrag von F. Tuomisto auf dem 5. Internationalen Workshop über Nitrid-Volumenkristalle (IWBNS-V) in Salvador, Bahia, Brasilien am 24.-28. September 2007.
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.06.013 Manuskript
  70. Polarization-Dependent Below Band-Gap Optical Absorption of Aluminum Nitride Bulk Crystals
    M. Bickermann, A. Münch, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    J. Appl. Phys. 103 (2008) 073522
    DOI: 10.1063/1.2903139 Manuskript
  71. Observation of the Triplet Meta-stable State of Shallow Donor Pairs in AlN Crystals with a Negative U Behavior: A High-frequency EPR/ENDOR Study
    S. B. Orlinskii, J. Schmidt, P. G. Baranov, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker
    Phys. Rev. Lett. 100 (2008) 256404
    DOI: 10.1103/PhysRevLett.100.256404 Manuskript
  72. Defect-Selective Etching of Aluminum Nitride Single Crystals
    M. Bickermann, S. Schmidt, B. M. Epelbaum, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 4 [7] (2007) 2609-2612
    Poster auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2006 (IWN 2006).
    DOI: 10.1002/pssc.200674724 Manuskript Poster
  73. Development of Natural Habit of Large Free-Nucleated AlN Single Crystals
    B. M. Epelbaum, S. Nagata, M. Bickermann, P. Heimann, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi B 244 [6] (2007) 1780-1783
    Vortrag von B. M. Epelbaum auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2006 (IWN 2006) in Kyoto, Japan am 22.-27. Oktober 2006.
    DOI: 10.1002/pssb.200674835 Manuskript
  74. Initial Growth Stage in PVT Growth of AlN on SiC Substrates: Influence of Al2O3
    P. Heimann, C. Pfeiffer, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 4 [7] (2007) 2223-2226
    Poster von P. Heimann auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2006 (IWN 2006) in Kyoto, Japan am 22.-27. Oktober 2006.
    DOI: 10.1002/pssc.200674723 Manuskript
  75. Growth of 4H-SiC on Rhombohedral (01-14) Plane Seeds
    J. Li, O. Filip, B. M. Epelbaum, X. Xu, M. Bickermann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 308 (2007) 41-49
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.07.039 Manuskript
  76. Similarities and Differences in Sublimation Growth of SiC and AlN
    B. M. Epelbaum, M. Bickermann, S. Nagata, P. Heimann, O. Filip, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 305 (2007) 317-325
    Vortrag von B. M. Epelbaum auf dem 4. Internationalen Workshop über Nitrid-Volumenkristalle (IWBNS-IV) in Makino, Shiga, Japan am 16.-21. Oktober 2006.
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.04.008 Manuskript
  77. Wet KOH Etching of Freestanding AlN Single Crystals
    M. Bickermann, S. Schmidt, B. M. Epelbaum, P. Heimann, S. Nagata, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 300 (2007) 299-307
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.12.037 Manuskript
  78. Growth and Characterization of High-quality 6H-SiC (01-15) Bulk Crystals
    O. Filip, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 556-557 (2007) 17-20
    Poster von O. Filip auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2006) in Newcastle upon Tyne, Großbritannien am 3.-7. September 2006.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.17 Manuskript
  79. Photoluminescence, Cathodoluminescence, and Reflectance Study of AlN Layers and AlN Single Crystals
    G. M. Prinz, A. Ladenburger, M. Feneberg, M. Schirra, S. B. Thapa, M. Bickermann, B. Epelbaum, F. Scholz, K. Thonke, R. Sauer
    Superlatt. Microstruct. 40 (2006) 513-518
    Poster von G. M. Prinz auf der Frühjahrstagung der Europäischen Materials Research Society 2006 (Symposium S) (EMRS Spring 2006) in Nizza, Frankreich am 28. Mai-2. Juni 2006.
    DOI: 10.1016/j.spmi.2006.10.001 Manuskript
  80. Orientation-Dependent Properties of Aluminum Nitride Single Crystals
    M. Bickermann, P. Heimann, B. M. Epelbaum
    Phys. Status Solidi C 3 [6] (2006) 1902-1906
    Poster auf der 6. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-6).
    DOI: 10.1002/pssc.200565255 Manuskript Poster
  81. The Initial Growth Stage in PVT Growth of Aluminum Nitride
    P. Heimann, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, S. Nagata, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 3 [6] (2006) 1575-1578
    Poster von P. Heimann auf der 6. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-6) in Bremen am 28. August-2. September 2005.
    DOI: 10.1002/pssc.200565260 Manuskript
  82. Structural Properties of AlN Crystals Grown by Physical Vapor Transport
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 2 [7] (2005) 2044-2048
    Poster auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2004 (IWN 2004).
    DOI: 10.1002/pssc.200461422 Manuskript Poster
  83. Comparative Study of Initial Growth Stage in PVT Growth of AlN on SiC and on Native AlN Single-Crystalline Substrates
    B. M. Epelbaum, P. Heimann, M. Bickermann, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 2 [7] (2005) 2070-2073
    Vortrag auf dem Internationalen Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2004 (IWN 2004).
    DOI: 10.1002/pssc.200461472 Manuskript Foliensatz
  84. Growth and Characterization of Bulk AlN Substrates Grown by PVT
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, M. Kazan, Z. Herro, P. Masri, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi A 202 (2005) 531-535
    Vortrag auf der 7. Konferenz "Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies" (EXMATEC 2004).
    DOI: 10.1002/pssa.200460416 Manuskript Foliensatz
  85. Investigation of (0001) Lattice Plane Bending in Large SiC Crystals Using High Energy X-ray Technique
    B. M. Epelbaum, Z. G. Herro, M. Bickermann, C. Seitz, A. Magerl, P. Masri, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 2 [4] (2005) 1288-1291
    Poster von B. M. Epelbaum auf der 7. Konferenz "Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies" (EXMATEC 2004) in Montpellier, Frankreich am 2.-5. Juni 2004.
    DOI: 10.1002/pssc.200460428 Manuskript
  86. Orientation-Dependent Phonon Observation in Single-Crystalline Aluminum Nitride
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, P. Heimann, Z. G. Herro, A. Winnacker
    Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 131904
    DOI: 10.1063/1.1894610 Manuskript
  87. LPE of Silicon Carbide Using Diluted Si-Ge Flux
    O. Filip, B. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 483-485 (2005) 133-136
    Poster von O. Filip auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2004) in Bologna, Italien am 31. August-4. September 2004.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.133 Manuskript
  88. Liquid Phase Homoepitaxial Growth of 6H-SiC on (01-15) Oriented Substrates
    O. Filip, B. Epelbaum, Z. G. Herro, M. Bickermann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 282 (2005) 286-289
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.05.013 Manuskript
  89. Growth of 6H-SiC Crystals Along the [01-15] Direction
    Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, C. Seitz, A. Magerl, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 275 (2005) 496-503
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.12.024 Manuskript
  90. Approaches to Seeded PVT Growth of AlN Crystals
    B. M. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 275 (2005) e479-e484
    Vortrag von B. M. Epelbaum auf der 14. Internationalen Konferenz über Kristallzüchtung (ICCG-14) in Grenoble, Frankreich am 9.-13. August 2004.
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.113 Manuskript
  91. Micropipe Healing in SiC Wafers by Liquid-Phase Epitaxy in Si-Ge Melts
    O. Filip, B. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 271 (2004) 142-150
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.07.040 Manuskript
  92. Characterization of Bulk AlN with Low Oxygen Content
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 269 (2004) 432-442
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.05.071 Manuskript
  93. Natural Growth Habit of Bulk AlN Crystals
    B. M. Epelbaum, C. Seitz, A. Magerl, M. Bickermann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 265 (2004) 577-581
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.02.100 Manuskript
  94. Effective Increase of Single-Crystalline Yield During PVT Growth of SiC by Tailoring of Radial Temperature Gradient
    Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Masri, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 262 (2004) 105-112
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.10.060 Manuskript
  95. Structural, Optical, and Electrical Properties of Bulk AlN Crystals Grown by PVT
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 1541-1544
    Poster auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003).
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.1541 Manuskript Poster
  96. Analysis of Different Vanadium Charge States in Vanadium Doped 6H-SiC by Low Temperature Optical Absorption and Electron Paramagnetic Resonance
    M. Bickermann, K. Irmscher, R. Weingärtner, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 787-790
    Poster auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003).
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.787 Manuskript Poster
  97. Sublimation Growth of Bulk AlN crystals: Process Temperature and Growth Rate
    B. M. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 1537-1540
    Vortrag von B. M. Epelbaum auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.1537 Manuskript
  98. Flux Growth of SiC Crystals from Eutectic Melt SiC-B4C
    B. M. Epelbaum, P. A. Gurzhiyants, Z. Herro, M. Bickermann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 119-122
    Poster von B. M. Epelbaum auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.119 Manuskript
  99. Uniform Axial Charge Carrier Concentration in PVT-grown p-type 6H-SiC by Non-uniform Distribution of Boron in the Powder Source
    Z. G. Herro, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, R. Weingärtner, U. Künecke, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 719-722
    Poster von Z. G. Herro auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.719 Manuskript
  100. Effect of Thermal Field on Interface Step Structures during PVT Growth of Si-face 6H-SiC
    Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Masri, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 95-98
    Poster von Z. G. Herro auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.95 Manuskript
  101. Natural Crystal Habit and Preferential Growth Directions in PVT of Silicon Carbide
    Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Masri, C. Seitz, A. Magerl, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 111-114
    Poster von Z. G. Herro auf der 10. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2003 (ICSCRM 2003) in Lyon, Frankreich am 5.-10. Oktober 2003.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.111 Manuskript
  102. AFM Investigation of Interface Step Structures On PVT-Grown of (0001)Si 6H-SiC crystals
    Z. G. Herro, B. M. Epelbaum, R. Weingärtner, M. Bickermann, P. Masri, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 270 (2004) 113-120
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.05.107 Manuskript
  103. On the Preparation of Vanadium Doped PVT Grown SiC Boules with High Semi-Insulating Yield
    M. Bickermann, R. Weingärtner, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 254 (2003) 390-399
    DOI: 10.1016/S0022-0248(03)01179-5 Manuskript
  104. PVT Growth of Bulk AlN Crystals with Low Oxygen Contamination
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, A. Winnacker
    Phys. Status Solidi C 0 [7] (2003) 1993-1996
    Vortrag auf der 5. Internationalen Konferenz über nitrid-basierte Halbleiter (ICNS-5).
    DOI: 10.1002/pssc.200303280 Manuskript Foliensatz
  105. Electrical and Optical Characterization of p-Type Boron Doped 6H-SiC Bulk Crystals
    M. Bickermann, R. Weingärtner, Z. Herro, D. Hofmann, U. Künecke, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 337-340
    Poster auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002).
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.337 Manuskript Poster
  106. Preparation of Semi-Insulating Silicon Carbide by Vanadium Doping During PVT Bulk Crystal Growth
    M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 51-54
    Poster auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002).
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.51 Manuskript Poster
  107. Seeded PVT Growth of Aluminum Nitride on Silicon Carbide
    B. M. Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 983-986
    Poster von B. M. Epelbaum auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.983 Manuskript
  108. Effective Increase of Single-Crystalline Yield During PVT Growth of SiC by Tailoring of Radial Temperature Gradient
    Z. Herro, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, P. Masri, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 67-70
    Poster von Z. Herro auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.67 Manuskript
  109. PVT Growth of Co-Doped Semi-Insulating 2 inch 6H-SiC Crystals
    M. Rasp, Th. L. Straubinger, E. Schmitt, M. Bickermann, S. Reshanov, H. Sadowski
    Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 55-58
    Poster von M. Rasp auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.55 Manuskript
  110. Impact of Compensation on Optical Absorption Bands in the Below Band Gap Region in n-type (N) 6H-SiC
    R. Weingärtner, M. Bickermann, Z. Herro, U. Künecke, S. A. Sakwe, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 433-436 (2003) 333-336
    Poster von R. Weingärtner auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2002 (ECSCRM 2002) in Linköping, Schweden am 1.-5. September 2002.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.333 Manuskript
  111. Aluminum p-type Doping of Silicon Carbide Crystals Using a Modified Physical Vapor Transport Growth Method
    T. L. Straubinger, M. Bickermann, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 240 (2002) 117-123
    DOI: 10.1016/S0022-0248(02)00917-X Manuskript
  112. On the Preparation of Vanadium-Doped Semi-insulating SiC Bulk Crystals
    M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 139-142
    Vortrag auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001).
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.139 Manuskript Foliensatz
  113. Incorporation of Boron and the Role of Nitrogen as a Compensation Source in SiC Bulk Crystal Growth
    M. Bickermann, R. Weingärtner, D. Hofmann, T. L. Straubinger, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 127-130
    Poster auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001).
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.127 Manuskript Poster
  114. Sublimation Growth of Bulk AlN Crystals: Materials Compatibility and Crystal Quality
    B. M. Epelbaum, D. Hofmann, M. Bickermann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 1445-1448
    Vortrag auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001).
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1445 Manuskript Foliensatz
  115. Aluminum Doping of 6H and 4H SiC with a Modified PVT Growth Method
    T. L. Straubinger, M. Bickermann, M. Rasp, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 131-134
    Poster von T. L. Straubinger auf der 9. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2001 (ICSCRM 2001) in Tsukuba, Japan am 28. Oktober-2. November 2001.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.131 Manuskript
  116. Determination of Charge Carrier Concentration in n- and p-Doped SiC Based on Optical Absorption Measurements
    R. Weingärtner, P. J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, A. Winnacker
    Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 70-72
    DOI: 10.1063/1.1430262 Manuskript
  117. Optical Quantitative Determination of Doping Levels and their Distribution in SiC
    P. J. Wellmann, R. Weingärtner, M. Bickermann, T. L. Straubinger, A. Winnacker
    Mater. Sci. Eng. B 91-92 (2002) 75-78
    Vortrag von P. J. Wellmann auf der 9. Konferenz über Defektbeobachtung und -physik in Halbleitern (DRIP-9) in Rimini, Italien am 25.-28. September 2001.
    DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00976-X Manuskript
  118. Incorporation of Boron and Vanadium during PVT Growth of 6H-SiC Crystals
    M. Bickermann, B. M. Epelbaum, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 233 (2001) 211-218
    DOI: 10.1016/S0022-0248(01)01579-2 Manuskript
  119. On the Preparation of Semi-Insulating SiC Bulk Crystals by the PVT Technique
    M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Appl. Surf. Sci. 184 (2001) 84-89
    Poster auf der Frühjahrstagung der Europäischen Materials Research Society 2001 (Symposium F) (EMRS Spring 2001).
    DOI: 10.1016/S0169-4332(01)00481-0 Manuskript Poster
  120. SiC Crystal Growth from the Vapor and Liquid Phase
    D. Hofmann, M. Bickermann, D. Ebling, B. Epelbaum, L. Kadinski, M. Selder, T. Straubinger, R. Weingaertner, P. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 640 (2001) H1.1
    Eingeladener Vortrag von D. Hofmann auf der Herbsttagung der Materials Research Society 2000 (Symposium H) (MRS Fall 2000) in Boston, Massachusetts, USA am 27.-29. November 2000.
    DOI: 10.1557/PROC-640-H1.1 Manuskript
  121. Study of Boron Incorporation during PVT growth of p-type SiC Crystals
    M. Bickermann, D. Hofmann, M. Rasp, T. L. Straubinger, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 353-356 (2001) 49-52
    Poster auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2000 (ECSCRM 2000).
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.49 Manuskript Poster
  122. Stability Criteria for 4H-SiC Bulk Growth
    T. L. Straubinger, M. Bickermann, D. Hofmann, R. Weingärtner, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 353-356 (2001) 25-28
    Poster von T. L. Straubinger auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2000 (ECSCRM 2000) in Kloster Banz am 3.-7. September 2000.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.25 Manuskript
  123. Absorption Measurements and Doping Level Evaluation in n-type and p-type 4H-SiC and 6H-SiC
    R. Weingärtner, M. Bickermann, D. Hofmann, M. Rasp, T. L. Straubinger, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 353-356 (2001) 397-400
    Poster von R. Weingärtner auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 2000 (ECSCRM 2000) in Kloster Banz am 3.-7. September 2000.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.397 Manuskript
  124. Absorption Mapping of Doping Level Distribution in n-type and p-type 4H-SiC and 6H-SiC
    R. Weingärtner, M. Bickermann, S. Bushevoy, D. Hofmann, M. Rasp, T. L. Straubinger, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Eng. B 80 (2001) 357-361
    Poster von R. Weingärtner auf der 5. Konferenz "Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies" (EXMATEC 2000) in Heraklion, Kreta, Griechenland am 21.-24. Mai 2000.
    DOI: 10.1016/S0921-5107(00)00599-7 Manuskript
  125. Analysis on the Formation of Filamentory and Planar Voids in Silicon Carbide Bulk Crystals
    D. Hofmann, M. Bickermann, W. Hartung, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 338-342 (2000) 445-448
    Vortrag von D. Hofmann auf der 8. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1999 (ICSCRM 1999) in Durham, North Carolina, USA am 10.-15. Oktober 1999.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.445 Manuskript
  126. Growth Rate Control in SiC-Physical Vapor Transport Method Through Heat Transfer Modeling and Non Stationary Process Conditions
    T. L. Straubinger, M. Bickermann, M. Grau, D. Hofmann, L. Kadinski, S. G. Müller, M. Selder, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 338-342 (2000) 39-42
    Vortrag von T. L. Straubinger auf der 8. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1999 (ICSCRM 1999) in Durham, North Carolina, USA am 10.-15. Oktober 1999.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.39 Manuskript
  127. Digital X-Ray Imaging of SiC PVT Process: Analysis of Crystal Growth and Powder Source Degradation
    P. J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, L. Kadinski, M. Selder, T. Straubinger, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 338-342 (2000) 71-74
    Vortrag von P. J. Wellmann auf der 8. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1999 (ICSCRM 1999) in Durham, North Carolina, USA am 10.-15. Oktober 1999.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.71 Manuskript
  128. In-Situ Visualization and Analysis of Silicon Carbide Physical Vapor Transport Growth Using Digital X-Ray Imaging
    P. J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, L. Kadinski, M. Selder, T. Straubinger, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 216 (2000) 263-272
    DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00372-9 Manuskript
  129. Sublimation Growth of SiC Bulk Crystals: Experimental and Theoretical Studies on Defect Formation and Growth Rate Augmentation
    D. Hofmann, M. Bickermann, R. Eckstein, M. Kölbl, St. G. Müller, E. Schmitt, A. Weber, A. Winnacker
    J. Crystal Growth 198/199 (1999) 1005-1010
    DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01212-3 Manuskript
  130. Analysis on Defect Generation During the SiC Bulk Growth Process
    D. Hofmann, E. Schmitt, M. Bickermann, M. Kölbl, P. J. Wellmann, A. Winnacker
    Mater. Sci. Eng. B 61-62 (1999) 48-53
    Vortrag von D. Hofmann auf der Europäischen Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe 1998 (ECSCRM 1998) in Montpellier, Frankreich am 2.-4. September 1998.
    DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00443-7 Manuskript
  131. Online Monitoring of PVT SiC Bulk Crystal Growth Using Digital X-Ray Imaging
    P. J. Wellmann, M. Bickermann, M. Grau, D. Hofmann, T. Straubinger, A. Winnacker
    Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 572 (1999) 259-264
    Vortrag von P. J. Wellmann auf der Frühjahrstagung der Materials Research Society 1999 (Symposium Y) (MRS Spring 1999) in San Francisco, Kalifornien, USA am 5.-9. April 2021.
    DOI: 10.1557/PROC-572-259 Manuskript
  132. Studies on SiC Liquid Phase Crystallization as Technique for SiC Bulk Growth
    M. Müller, M. Bickermann, D. Hofmann, A.-D. Weber, A. Winnacker
    Mater. Sci. Forum 264-268 (1998) 69-72
    Poster von M. Müller auf der 7. Internationalen Konferenz über Siliziumkarbid und Gruppe III-Nitride 1997 (ICSCIII-N 1997) in Stockholm, Schweden am 31. August-5. September 1997.
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.69 Manuskript