Meine Forschungsschwerpunkte:
- Schmelz- und Lösungszüchtung von Oxiden und Fluoriden für optische, piezoelektrische und Laser-Kristalle sowie als Substrate für neuartige elektronische Bauelemente.
- Züchtung und Charakterisierung von Halbleiter-Volumeneinkristallen aus der Gasphase. Die Kristalle finden Verwendung als Substratmaterial in der Halbleitertechnik.
- Züchtungstechnologien, Charakterisierungmethoden und Korrelation zwischen Herstellung und Eigenschaften von Volumen-Einkristallen allgemein.


Vorstandsmitglied seit 2015


III-Nitride Ultraviolet Emitters, Springer Verlag 2016


Letzte Änderungen auf dieser Homepage: 23. November 2024
Kürzlich eingereichte Veröffentlichungen als Co-Autor:
- Prediction of Impurity Concentrations by Absorption Spectra in AlN Single Crystals Using Random Forest Regression CrystEngComm 27 (2025) 184-190
- Bulk Single Crystals and Physical Properties of Rutile-GeO2 for High Power Electronics and DUV Optoelectronics Phys. Status Solidi B (2025) Early View, DOI: 10.1002/pssb.202400326
- Solid-Solution Limits and Thorough Characterization of Bulk β-(AlxGa1-x)2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski Method Adv. Mater. Interfaces 12 (2025) 2400122
- Thermal Conductivity in Solid Solutions of Lithium Niobate Tantalate Single Crystals from 300K up to 1300K J. Alloys Compounds 1008 (2024) 176549
- Evaluation and Thermodynamic Optimization of Phase Diagram of Lithium Niobate Tantalate Solid Solutions J. Mater. Sci. 59 (2024) 12305-12316
- Efficient Diameter Enlargement of Bulk AlN Single Crystals with High Structural Quality Appl. Phys. Express 16 (2023) 075502
- Fanout Periodic Poling of BaMgF4 Crystals Opt. Mater. Express 13 [8] (2023) 2158-2164
- Solid Solutions of Lithium Niobate and Lithium Tantalate: Crystal Growth and the Ferroelectric Transition Ferroelectrics 613 (2023) 250-262
- Bulk Single Crystals and Physical Properties of β-(AlxGa1-x)2O3 (x = 0 - 0.35) Grown by the Czochralski Method J. Appl. Phys. 133 (2023) 035702
- Dislocation Climb in AlN Crystals Grown at Low Temperature Gradients Revealed by 3D X-Ray Imaging Crystal Growth Des. 23 (2023) 1538-1546
- The Thermal Conductivity Tensor of β-Ga2O3 from 300 to 1275 K Cryst. Res. Technol. 58 (2023) 2200204
Aktuelle Abstracts/Vorträge:
- Growth of Bulk Single Crystals of Novel Semiconductor Materials (AlN, Ga2O3, etc.) for Next Generation Efficient Power Electronics ,
Eingeladener Vortrag auf der 2. Internationalen Konferenz zu Materialien für das Energie- und Umweltengineering (ICM3E 2024)
in Algiers, Algerien am 26.-28. November 2024 - Bulk Crystals for Novel Semiconductors Prepared at IKZ: Gallium Oxide and Beyond
Vortrag im DGKK-Arbeitskreis "Massive Halbleiterkristalle"
in Berlin-Adlershof am 9.-10. Oktober 2024 - Growth and Investigation of Hexagallate Substrate Crystals for Strain-engineered Functional Oxide layers
Poster auf der 8. Europäischen Kristallzüchtertagung (ECCG-8)
in Warschau, Polen am 21.-25. Juli 2024 - Co-doping Effects on Anti-Stokes Fluorescence Cooling in Yb:YLF
Poster auf der Jahrestagung der DGKK (DKT 2024)
in Erlangen am 6.-8. März 2024
und auf der 8. Europäischen Kristallzüchtertagung (ECCG-8)
in Warschau, Polen am 21.-25. Juli 2024 - AlN Substrates for UV and Power Applications
Vorlesung auf der 5. IKZ-Winterschule (IKZ-School 2024)
im IKZ Berlin am 28. Februar-1. März 2024
Konferenzorganisation:
- Jahrestagung der DGKK (DKT 2025), 5.-7. März 2025 in Frankfurt
(Mitglied im Programmkomitee) - Internationaler Workshop über nitrid-basierte Halbleiter 2024 (IWN 2024), 3.-8. November 2024 in Oahu, Hawaii, USA
(Mitglied im Programmkomitee für die Volumenkristallzüchtung) - DGKK-Arbeitskreis "Massive Halbleiterkristalle", 9.-10. Oktober 2024 in Berlin
(Konferenz-Veranstalter) - 8. Europäische Kristallzüchtertagung (ECCG-8), 21.-25. Juli 2024 in Warschau, Polen
(Mitglied im International Advisory Committee)