Willkommen beim Internetauftritt von Prof. Dr.-Ing. Matthias Bickermann

Schmelz- und Lösungszüchtung von Oxiden und Fluoriden für optische, piezoelektrische und Laser-Kristalle sowie als Substrate für neuartige elektronische Bauelemente.
Züchtung und Charakterisierung von Halbleiter-Volumeneinkristallen aus der Gasphase. Die Kristalle finden Verwendung als Substratmaterial in der Halbleitertechnik.
Züchtungstechnologien, Charakterisierungmethoden und Korrelation zwischen Herstellung und Eigenschaften von Volumen-Einkristallen allgemein.

(Übersicht geförderte Projekte) Mitglied im Fachkollegium 406 Materialwissenschaft

Mitglied seit 2010 Wir veranstalten die
Deutsche Kristallzüchtertagung DKT 2021

Initiativgemeinschaft außeruniversitärer Forschungsinstitute in Adlershof
Vorstandsmitglied seit 2015

Gründungsmitglied der Berlin Research 50

Conference Main Organizer:
8th International Workshop on Crystal Growth Technology
Berlin, 29. Mai-2. Juni 2022

7th European Conference on Crystal Growth (ECCG7)
Paris, 25.-27. Juli 2022
Mitglied im Programmkomitee

International Conference on Nitride Semiconductors
Fukuoka, verschoben auf 2023
Mitglied im Programmkomitee

Mitglied im Programmkomitee

JCG Editor seit 2020

PCGCM Assoc. Editor seit 2014

Melt Growth and Physical Properties of Bulk LaInO₃ Single Crystals Phys. Status Solidi A (2021) in press
Photochromism and Influence of Point Defect Charge States on Optical Absorption in Aluminum Nitride (AlN) J. Appl. Phys. 129 (2021) 113103
Bulk Single Crystals of β-Ga₂O₃ and Ga-Based Spinels as Ultra-Wide Bandgap Transparent Semiconducting Oxides Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 67 (2021) 100511
Ti_Sr Antisite: An Abundant Point Defect in SrTiO₃ J. Appl. Phys. 127 (2020) 245702
Favourable Growth Conditions for the Preparation of Bulk AlN Single Crystals by PVT CrystEngComm 22 (2020) 1762-1768
Overgrowth of Nano-Pillar-Patterned Sapphire With Different Offcut Angle by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy J. Crystal Growth 531 (2020) 125343
Bulk β-Ga₂O₃ Single Crystals Doped with Ce, Ce+Si, Ce+Al, and Ce+Al+Si Obtained by the Czochralski Method for Detection of Nuclear Radiation J. Alloys Compounds 818 (2020) 152842
Czochralski-Grown Bulk β-Ga₂O₃ Single Crystals Doped with Mono-, Di-, Tri-, and Tetravalent Ions J. Crystal Growth 529 (2020) 125297

Bulk Crystal Growth for Functional Materials, Using Silicon as an Example (Online-Vorlesung für Physikstudierende an der Universität Marburg am 18. Januar 2021)
Crystal Growth of Oxides and Fluorides at the IKZ (Vortrag auf der DGKK-Kristallzüchtertagung 2020, 11.-13. März 2020 in München)