Die erzielten Kristalle weisen eine nutzbare Länge von bis zu einem Zoll auf und besitzen eine hohe strukturelle Qualität, bestimmt durch scharfe Röntgenreflexe in sog. Rocking-Kurven. Aufgrund der Si-Dotierung ist das Material n-leitend. Wichtig für Hochleistungsanwendungen ist, dass die elektrischen Eigenschaften durch eine Wärmebehandlung bei Temperaturen von bis zu 1000°C selbst in einer oxidierenden Atmosphäre nicht beeinträchtigt werden. Sowohl die hohe strukturelle Qualität als auch die elektrischen Eigenschaften machen die Kristalle zu gut geeigneten Substraten für die Homoepitaxie und die Herstellung effizienter leistungselektronischer Bauteile in vertikaler Anordnung.
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Z. Galazka, S. Ganschow, K. Irmscher, P. Seyidov, M. Pietsch, T.-S. Chou, S. Bin Anooz, R. Grueneberg, A. Popp, A. Dittmar, A. Kwasniewski, M. Suendermann, D. Klimm, T. Straubinger, T. Schroeder, M. Bickermann
2 Inch Diameter, Highly Conducting Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski Method for High Power Switching Devices
Appl. Phys. Lett. 120 (2022) 152101
DOI:10.1063/5.0086996
