Galliumoxid

Beta-Galliumoxid (β-Ga₂O₃) hat sich in den letzten zehn Jahren zu einem vielversprechenden Material für die Leistungselektronik der nächsten Generation entwickelt. Aufgrund der breiten Bandlücke und damit hohen Durchbruchfeldstärke, der einfachen n-Typ Dotierung und damit einer breit abstimmbaren Leitfähigkeitsind β-Ga₂O₃ basierte Bauelemente hervorragend geeignet für die Anwendung in der Leistungselektronik, Hochfrequenztechnologie / drahtlose Kommunikation und für Anwendungen im Weltraum. Darüber hinaus dürfte das Vermarktungspotential von β-Ga₂O₃ durch die Entwicklung kostengünstiger, hochwertiger Substrate mehr als wettbewerbsfähig sein.
Spezfikationen

Galliumoxid-Substrate

Ein Schlüsselelement für die Entwicklung von auf Galliumoxid basierenden Technologien ist die Verfügbarkeit von einkristallinen Substraten höchster Qualität.
Wir am IKZ haben dazu eine eigene Technologie für die Züchtung von Galliumoxid-Einkristallen ( β-Ga₂O₃) mit einem Durchmesser von 2 Zoll nach der Czochralski-Methode entwickelt. Die Kristalle können halbisolierend, halbleitend und hochleitend (entartete Halbleiter) sein. Während leitendes Material den Forschungsthemen am IKZ gewidmet ist, können halbisolierende Substrate (100), einschließlich Verschnitt, von unserem Partner CrysTec GmbH bezogen werden.
Spezfikationen

Galliumoxid-Epi-Layer

Parallel zu der Züchtung der Volumenkristalle, haben wir zudem Methoden für die Abscheidung von β-Ga₂O₃ Schichten mit geringer Defektdichte, hoher Elektronenmobilität und hoher Oberflächenqualität mittels MOVPE (Metallorganische Gasphasenepitaxie) entwickelt. Wir bieten diese Epitaxie-Schichten höchster Qualität in einem breiten Bereich verschiedener Schichtdicken und mit den angegebenen Dotierungskonzentrationen an. Unser Epitaxieverfahren ist kompatibel mit den kristallinen Orientierungen (100) 4°off und (010) und hat das Potential für die Heteroepitaxie auf Fremdsubstraten wie Si, SiC, GaN…. Ec. Homo- und heteroepitaktische Schichten können individuell angepasst werden entsprechend den angegebenen Spezifikationen (s. Datenblatt). Für diese oder weitere Spezifikationen über die angegebenen hinaus können Sie uns gerne direkt kontaktieren.
Spezfikationen

• Download Datenblatt
• Download Flyer: „Gallium Oxide – The Next High Performance Material for High Power Devices“