Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) in Berlin-Adlershof ist ein internationales Kompetenz-Zentrum für Wissenschaft & Technologie sowie Service & Transfer im Bereich kristalliner Materialien. Das F&E-Spektrum reicht dabei von Themen der Grundlagen- und Anwendungsforschung bis hin zu vorindustriellen Forschungsaufgaben.

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Forschungsschwerpunkte des Instituts

Volumenkristalle

Nanostrukturen & Schichten

Materialwissenschaften

Anwendungswissenschaften

Querschnittsthemen

Focus-Themen

Joint Labs

TALENTE FÖRDERN UND FACHKRÄFTE SICHERN.

Die Wiederherstellung der Zuverlässigkeit von Lieferketten in der Kristalltechnologie erfordert Maßnahmen auf europäischer und nationaler Ebene.

Künstliche Intelligenz: Durch den Einsatz künstlicher neuronaler Netze (KNN) wird die Prozessentwicklung in der Kristallzüchtung erheblich beschleunigt.

Moderne Mikroelektronik: Mobile Kommunikation und Navigation bestimmen unser tägliches Leben

Zentrum für Lasermaterialien: Laser sind Schlüsselkomponenten vieler Produkte, die wir im täglichen Leben nutzen

Metrologie: Jegliche Art zuverlässiger Messungen erfordert die Bezugnahme und Kalibrierung auf ein ultrapräzises Einheitensystem.

Medizin & Gesundheit: Kristalle sind oft das Herzstück moderner medizinischer Geräte

Quantentechnologien entwickeln sich von der Grundlagenforschung zur Zukunftstechnologie ("from lab to fab")

Energie & Klima: Die Notwendigkeit grüner Technologien für den Klimaschutz steht außer Frage

Kosmologie: Um unser Wissen über das Universum zu erweitern, werden in der Elementarphysik hochentwickelte Kristalle mit genau definierten Eigenschaften benötigt

Das Einstein Teleskop zur Detektion von Gravitationswellen benötigt Siliziumkristalle jenseits des heutigen Technologie-Standards

Aktuelles

OXIKON2: Neue Maßstäbe für energieeffiziente Leistungselektronik

Auszeichnung für IKZ-Forschung: „Editors’ Pick“ für herausragende Laserstudie

Paper zu Rutil-GeO₂ als „Top Cited Article“ ausgezeichnet

Veranstaltungen

Stellenangebote

Publikationen

Efficient spin transport across a disordered interface in a low damping magnetic insulator/heavy metal bilayer.

Toward a Universal Czochralski Growth Model Leveraging Data-Driven Techniques.

Unravelling the oxygen influence in cubic bixbyite In2O3 on Raman active phonon modes by isotope studies.

Demonstration of Advanced Timing Schemes in Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements.

Erratum: "Growth of conductive Si-doped α-Ga2O3 by suboxide molecular-beam epitaxy" APL Mater. 13, 101117 (2025).

Al composition dependence of band alignment in NiO/(AlxGa1-x)2O3 heterojunctions.

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