Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Aktuelles

05-2025 News

Neuer violetter Laser am IKZ entwickelt

05-2025 News

Intelligente Mikroskopie im Fokus - Drei Tage Innovation und Austausch am IKZ

04-2025 Pressemitteilung

Technologieentwicklung für Halbleitermaterial Galliumoxid gestartet

Weitere Meldungen

Veranstaltungen

Berlin-Adlershof13:0008. Jul

Ausbildungs-Allianz-Adlershof

Das IKZ öffnet wieder seine Türen im Rahmen von Betriebsbesichtigungen und beantwortet gerne Frage am Informationsstand auf der Messe im Bunsensaal Adlershof.

Alle Veranstaltungen

Stellenangebote

QualifikationIT-Mitarbeitende (m/w/d)PositionNetzwerkadministration Veröffentlichung05.05.2025Bewerbungsfrist

QualifikationPromovierende (m/w/d)PositionThema: “Growth and characterization of modulation-doped β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃/Ga₂O₃ heterostructures with high electron mobility for highly efficient power transistors” Veröffentlichung23.04.2025Bewerbungsfrist

QualifikationMasterarbeitPositionThema: „In Situ Environmental TEM and SEM for UV-LED Materials“ Veröffentlichung31.03.2025Bewerbungsfrist

QualifikationPromovierende (m/w/d)PositionThema: “Solid-State Optical Refrigeration of Fluoride Crystals” Veröffentlichung25.02.2025Bewerbungsfrist

Alle Stellenangebote

Publikationen

Journal of Crystal Growth;(2025), 128043 | 02-2025

Ultra-thin epitaxial orthorhombic ferroelectric Hf_0.97Y_0.03O₂ films on La₂/ ₃Sr₁/₃MnO₃/SrTiO₃ substrate with different orientations.

Optics and Laser Technology;(2025), 111787 | 02-2025

All-solid-state continuous-wave mode-locked Er:Lu₂O₃ laser at 3 μ m.

Materials Science in Semiconductor Processing;(2025), 108924 | 01-2025

Development and morphological analysis of the zone refining process for high purity germanium.

Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science;(2025), | 01-2025

Ferroelectric Hysteresis Measurement in the Lithium Niobate-Lithium Tantalate Single-Crystalline Family: Prospects for Lithium Niobate-Tantalate.

Applied Physics Letters;(2025), 022101 | 01-2025

Impurity-induced step pinning and recovery in MOVPE-grown (100) β-Ga₂O₃ film.

Journal of Applied Physics;(2025), 025301 | 01-2025

Optimizing time-of-flight secondary ion mass spectrometry depth profiles of semiconductor heterostructures.

Alle Publikationen

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) in Berlin-Adlershof ist ein internationales Kompetenz-Zentrum für Wissenschaft & Technologie sowie Service & Transfer im Bereich kristalliner Materialien. Das F&E-Spektrum reicht dabei von Themen der Grundlagen- und Anwendungsforschung bis hin zu vorindustriellen Forschungsaufgaben.

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Forschungsschwerpunkte des Instituts

Volumenkristalle

Nanostrukturen & Schichten

Materialwissenschaften

Anwendungswissenschaften

Querschnittsthemen

Focus-Themen

Joint Labs

Leibniz-Strategieforum „Technologische Souveränität“

Technologische Souveränität ist zu einem der wichtigsten Themen auf der innovationspolitischen Agenda geworden – sowohl auf nationaler als auch auf europäischer Ebene. Inzwischen ist klar, dass Europa die Entwicklung und Anwendung neuer Technologien international auf Augenhöhe mitgestalten muss. Einrichtungen der Leibniz-Gemeinschaft haben das interdisziplinäre Strategieforum „Technologische Souveränität“ gemeinsam angestoßen, um die einmalige Leibniz-Perspektive in dieses zentrale Themenfeld einzubringen.

weitere Informationen

TALENTE FÖRDERN UND FACHKRÄFTE SICHERN.

Die Wiederherstellung der Zuverlässigkeit von Lieferketten in der Kristalltechnologie erfordert Maßnahmen auf europäischer und nationaler Ebene.

Künstliche Intelligenz: Durch den Einsatz künstlicher neuronaler Netze (KNN) wird die Prozessentwicklung in der Kristallzüchtung erheblich beschleunigt.

Moderne Mikroelektronik: Mobile Kommunikation und Navigation bestimmen unser tägliches Leben

Zentrum für Lasermaterialien: Laser sind Schlüsselkomponenten vieler Produkte, die wir im täglichen Leben nutzen

Metrologie: Jegliche Art zuverlässiger Messungen erfordert die Bezugnahme und Kalibrierung auf ein ultrapräzises Einheitensystem.

Medizin & Gesundheit: Kristalle sind oft das Herzstück moderner medizinischer Geräte

Quantentechnologien entwickeln sich von der Grundlagenforschung zur Zukunftstechnologie ("from lab to fab")

Energie & Klima: Die Notwendigkeit grüner Technologien für den Klimaschutz steht außer Frage

Kosmologie: Um unser Wissen über das Universum zu erweitern, werden in der Elementarphysik hochentwickelte Kristalle mit genau definierten Eigenschaften benötigt

Aktuelles

Neuer violetter Laser am IKZ entwickelt

Intelligente Mikroskopie im Fokus - Drei Tage Innovation und Austausch am IKZ

Technologieentwicklung für Halbleitermaterial Galliumoxid gestartet

Veranstaltungen

Das IKZ öffnet wieder seine Türen im Rahmen von Betriebsbesichtigungen und beantwortet gerne Frage am Informationsstand auf der Messe im Bunsensaal Adlershof.

Stellenangebote

Publikationen

Ultra-thin epitaxial orthorhombic ferroelectric Hf_0.97Y_0.03O₂ films on La₂/ ₃Sr₁/₃MnO₃/SrTiO₃ substrate with different orientations.

All-solid-state continuous-wave mode-locked Er:Lu₂O₃ laser at 3 μ m.

Development and morphological analysis of the zone refining process for high purity germanium.

Ferroelectric Hysteresis Measurement in the Lithium Niobate-Lithium Tantalate Single-Crystalline Family: Prospects for Lithium Niobate-Tantalate.

Impurity-induced step pinning and recovery in MOVPE-grown (100) β-Ga₂O₃ film.

Optimizing time-of-flight secondary ion mass spectrometry depth profiles of semiconductor heterostructures.

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Forschungsschwerpunkte des Instituts

Querschnittsthemen

Leibniz-Strategieforum „Technologische Souveränität“

Zahlen & Fakten

TALENTE FÖRDERN UND FACHKRÄFTE SICHERN.

Die Wiederherstellung der Zuverlässigkeit von Lieferketten in der Kristalltechnologie erfordert Maßnahmen auf europäischer und nationaler Ebene.

Künstliche Intelligenz: Durch den Einsatz künstlicher neuronaler Netze (KNN) wird die Prozessentwicklung in der Kristallzüchtung erheblich beschleunigt.

Moderne Mikroelektronik: Mobile Kommunikation und Navigation bestimmen unser tägliches Leben

Zentrum für Lasermaterialien: Laser sind Schlüsselkomponenten vieler Produkte, die wir im täglichen Leben nutzen

Metrologie: Jegliche Art zuverlässiger Messungen erfordert die Bezugnahme und Kalibrierung auf ein ultrapräzises Einheitensystem.

Medizin & Gesundheit: Kristalle sind oft das Herzstück moderner medizinischer Geräte

Quantentechnologien entwickeln sich von der Grundlagenforschung zur Zukunftstechnologie ("from lab to fab")

Energie & Klima: Die Notwendigkeit grüner Technologien für den Klimaschutz steht außer Frage

Kosmologie: Um unser Wissen über das Universum zu erweitern, werden in der Elementarphysik hochentwickelte Kristalle mit genau definierten Eigenschaften benötigt

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Neuer violetter Laser am IKZ entwickelt

Intelligente Mikroskopie im Fokus - Drei Tage Innovation und Austausch am IKZ

Technologieentwicklung für Halbleitermaterial Galliumoxid gestartet

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Das IKZ öffnet wieder seine Türen im Rahmen von Betriebsbesichtigungen und beantwortet gerne Frage am Informationsstand auf der Messe im Bunsensaal Adlershof.

Stellenangebote

Publikationen

Ultra-thin epitaxial orthorhombic ferroelectric Hf0.97Y0.03O2 films on La2/ 3Sr1/3MnO3/SrTiO3 substrate with different orientations.

All-solid-state continuous-wave mode-locked Er:Lu2O3 laser at 3 μ m.

Development and morphological analysis of the zone refining process for high purity germanium.

Ferroelectric Hysteresis Measurement in the Lithium Niobate-Lithium Tantalate Single-Crystalline Family: Prospects for Lithium Niobate-Tantalate.

Impurity-induced step pinning and recovery in MOVPE-grown (100) β-Ga2O3 film.

Optimizing time-of-flight secondary ion mass spectrometry depth profiles of semiconductor heterostructures.

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

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Ultra-thin epitaxial orthorhombic ferroelectric Hf_0.97Y_0.03O₂ films on La₂/ ₃Sr₁/₃MnO₃/SrTiO₃ substrate with different orientations.

All-solid-state continuous-wave mode-locked Er:Lu₂O₃ laser at 3 μ m.

Impurity-induced step pinning and recovery in MOVPE-grown (100) β-Ga₂O₃ film.