Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Aktuelles

06-2026 News

IKZ-Expertise in KI-gestützter Kristallzüchtung findet internationale Anerkennung

05-2026 News

OXIKON2: Neue Maßstäbe für energieeffiziente Leistungselektronik

04-2026 News

Auszeichnung für IKZ-Forschung: „Editors’ Pick“ für herausragende Laserstudie

Weitere Meldungen

Veranstaltungen

Berlin-Adlershof14:0006. Jul

06.07.2026: IKZ-Kolloquium

Robert Kernke: "In-situ studies on plastic relaxation of epitaxially strained InGaN buffer layers"

Berlin-Adlershof14:0013. Jul

13.07.2026: IKZ-Kolloquium

Iason Tsiapkinis: "In-situ measurements of melt flows during crystal growth processes"

Alle Veranstaltungen

Stellenangebote

QualifikationPersonal Kristallzüchtung (m/w/d) PositionThema: "Czochralski-Züchtung von Silizium, Germanium und SiGe-Einkristallen" Veröffentlichung24.06.2026Bewerbungsfrist

QualifikationPromovierende (m/w/d)PositionThema: "Processing, crystal growth and characterization of ultra-high purity germanium (HPGe) for radiation detection applications" Veröffentlichung24.06.2026Bewerbungsfrist

QualifikationMasterarbeitPositionThema: "Photoacoustics in functional materials" Veröffentlichung11.06.2026Bewerbungsfrist

QualifikationPromovierende (m/w/d)PositionThema: "Crystal growth and characterization of ultrapure CaWO₄ single crystals for quantum applications" Veröffentlichung10.06.2026Bewerbungsfrist

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Publikationen

Applied Physics Letters;(2025), 262403 | 12-2025

Efficient spin transport across a disordered interface in a low damping magnetic insulator/heavy metal bilayer.

Advanced Theory and Simulations;(2025), | 12-2025

Toward a Universal Czochralski Growth Model Leveraging Data-Driven Techniques.

Journal of Materials Chemistry C;(2025), 23545-23553 | 12-2025

Unravelling the oxygen influence in cubic bixbyite In2O3 on Raman active phonon modes by isotope studies.

Acs Omega;(2025), 57703-57710 | 12-2025

Demonstration of Advanced Timing Schemes in Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements.

Apl Materials;(2025), 129901 | 12-2025

Erratum: "Growth of conductive Si-doped α-Ga2O3 by suboxide molecular-beam epitaxy" APL Mater. 13, 101117 (2025).

Journal of Vacuum Science & Technology A;(2025), 063415 | 12-2025

Al composition dependence of band alignment in NiO/(AlxGa1-x)2O3 heterojunctions.

Alle Publikationen

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) in Berlin-Adlershof ist ein internationales Kompetenz-Zentrum für Wissenschaft & Technologie sowie Service & Transfer im Bereich kristalliner Materialien. Das F&E-Spektrum reicht dabei von Themen der Grundlagen- und Anwendungsforschung bis hin zu vorindustriellen Forschungsaufgaben.

weitere Informationen

Forschungsschwerpunkte des Instituts

Volumenkristalle

Nanostrukturen & Schichten

Materialwissenschaften

Anwendungswissenschaften

Querschnittsthemen

Focus-Themen

Joint Labs

TALENTE FÖRDERN UND FACHKRÄFTE SICHERN.

Die Wiederherstellung der Zuverlässigkeit von Lieferketten in der Kristalltechnologie erfordert Maßnahmen auf europäischer und nationaler Ebene.

Künstliche Intelligenz: Durch den Einsatz künstlicher neuronaler Netze (KNN) wird die Prozessentwicklung in der Kristallzüchtung erheblich beschleunigt.

Moderne Mikroelektronik: Mobile Kommunikation und Navigation bestimmen unser tägliches Leben

Zentrum für Lasermaterialien: Laser sind Schlüsselkomponenten vieler Produkte, die wir im täglichen Leben nutzen

Metrologie: Jegliche Art zuverlässiger Messungen erfordert die Bezugnahme und Kalibrierung auf ein ultrapräzises Einheitensystem.

Medizin & Gesundheit: Kristalle sind oft das Herzstück moderner medizinischer Geräte

Quantentechnologien entwickeln sich von der Grundlagenforschung zur Zukunftstechnologie ("from lab to fab")

Energie & Klima: Die Notwendigkeit grüner Technologien für den Klimaschutz steht außer Frage

Kosmologie: Um unser Wissen über das Universum zu erweitern, werden in der Elementarphysik hochentwickelte Kristalle mit genau definierten Eigenschaften benötigt

Das Einstein Teleskop zur Detektion von Gravitationswellen benötigt Siliziumkristalle jenseits des heutigen Technologie-Standards

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IKZ-Expertise in KI-gestützter Kristallzüchtung findet internationale Anerkennung

OXIKON2: Neue Maßstäbe für energieeffiziente Leistungselektronik

Auszeichnung für IKZ-Forschung: „Editors’ Pick“ für herausragende Laserstudie

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Robert Kernke: "In-situ studies on plastic relaxation of epitaxially strained InGaN buffer layers"

Iason Tsiapkinis: "In-situ measurements of melt flows during crystal growth processes"

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Efficient spin transport across a disordered interface in a low damping magnetic insulator/heavy metal bilayer.

Toward a Universal Czochralski Growth Model Leveraging Data-Driven Techniques.

Unravelling the oxygen influence in cubic bixbyite In2O3 on Raman active phonon modes by isotope studies.

Demonstration of Advanced Timing Schemes in Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements.

Erratum: "Growth of conductive Si-doped α-Ga2O3 by suboxide molecular-beam epitaxy" APL Mater. 13, 101117 (2025).

Al composition dependence of band alignment in NiO/(AlxGa1-x)2O3 heterojunctions.

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