Patente & Lizenzen
Wir haben uns zur Aufgabe gemacht, potentielle Innovationen zusammen mit unseren Wissenschaftlern, Forschungspartnern und Industriekooperationen zu identifizieren, zu sichern und deren wirtschaftliche Verwertung anzuregen und zu begleiten.
Das IKZ verfügt über ein umfangreiches Patentportfolio, welches kontinuierlich erweitert wird. Das Portfolio umfasst alle Forschungsschwerpunkte des IKZ und kann bei Interesse an Unternehmen lizensiert werden.
Durch Lizenzen erhalten Sie Nutzungsrechte an unserem umfassenden, geschützten, technischen Knowhow, das sich kontinuierlich erweitert und zu neuartigen Produkten und innovativen Verfahren führen kann. Art und Umfang der Lizenzen sind vielfältig, ebenso wie die Form, die individuell vereinbart werden kann.
Für weiterführende Informationen wenden Sie sich bitte an uns.
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Halbleiter / Semiconductors
J. Boschker, Ch. Frank-Rotsch, M. Zorn, T. Schröder
Substrat für ein Halbleiterbauelement Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Substrats für ein Halbleiterbauelement
Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same
DE102020131850, US 18/039668
K. Stolze, P. Steglich, K, Berger, U. Juda, J. Martin
Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Halbleiterstruktur
Method and apparatus for fabricating a semiconductor structure
DE 102022100661.1, EP23151074.4
M. Wünscher, H. Riemann
Device for non-crucible zone pulling of crystal rods
EP 2920342B1
N. Abrosimov, J. Fischer, H. Riemann, M. Renner
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen aus Halbleitermaterial
Process and apparatus for producing semiconductor single crystals
DE102010005520B4
D. Souptel, D. Sokolov, Ch. Frank-Rotsch, A. Pötzsch, B. Weinert, O. Root, L. Smejkalova
Verbesserte dotierte InP Kristalle
Improved doped InP crystals
DE102024202321, PCT/EP2025/053419
Registered Trademark
KRISTMAG®
Oxide und Laser-Materialien / Oxides and laser materials
Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, M. Bickermann
Method for growing beta phase of gallium oxide (ß-Ga2O3) single crystals from the melt contained within a metal crucible
EP3242965B1, KR101979130B1, US20170362738A1, JP 2020-164415
Z. Galazka, R. Uecker, R. Fornari
Method and apparatus for growing indium oxide (In2O3) single crystals and indium oxide (In2O3) single crystal
US2015/0125717A1
C. Guguschev, M. Brützam, D. Schlom, H. Paik
Verfahren und Aufbau zum Züchten von Volumeneinkristallen
Method and setup for growing bulk single crystals
DE102020114524A1, US20200378030A1, KR1020200138082A
C. Guguschev, E. Haurat, D. Klimm, C. Kränkel, A. Uvarova
Verfahren und Vorrichtung zum Züchten eines Seltenerd-Sesquioxid-Kristalls
Method and device for growing a rare earth sesquioxide crystal
DE102020120715, WO/EP21748512.7
Z. Galazka, S. Ganschow, M. Bickermann, T. Schröder, W. Häckl
Method and apparatus for producing electrically conducting bulk ß-Ga203 single crystals and electrically conducting bulk ß-Ga203 single crystal
EP22154305.1, PCT/EP/2023051212, TW 112102595
Z. Galazka, S. Ganschow, M. Bickermann, T. Schröder
Melt-grown bulk -(AlxGa1-x)2O3 single crystals and method for producing bulk -(AlxGa1-x)2O3 single crystals
TW 202432918
Z. Galazka, M. Bickermann, S. Ganschow, T. Schröder
Method and apparatus for growing oxide single crystals from the melt containing at least one glass-forming binary oxide, and oxide single crystals containing at least one glassforming binary oxide
PCT/EP2025/076985
Aluminiumnitrid / Aluminium nitride
A. Dittmar, C. Hartmann, J. Wollweber, M. Bickermann
(Sc,Y):AlN single crystals for lattice-adapted AlGaN systems
KR1020180048926A1
C. Hartmann, T. Straubinger
Kristallzüchtungsvorrichtung und Verfahren zum Züchten eines Halbleiters
Crystal growth device and method for growing a semiconductor
DE 102022119343.8, US2024/0044044
Halbleiter-Schichten und Nanostrukturen / Semiconducting layers and nanostructures
O. Ernst, T. Boeck, F. Lange, H.-P. Schramm, T. Teubner, D. Uebel
Verfahren zur Mikrostrukturierung
Method for microstructuring
DE102020126553
D. Uebel, R. Bansen, T. Boeck, O. Ernst, H.-P. Schramm, T. Teubner
Silizium-basierte Wafer und Verfahren zur Herstellung von Silizium-basierten Wafern
Silicon-based wafers and method for fabricating silicon-based wafers
DE102020132900.8
O. Ernst, D. Uebel, T. Boeck
'Verfahren zur Herstellung von isotopenangereicherten Germanium-Wasserstoffverbindungen
Process for the preparation of isotope-enriched germanium-hydrogen compounds
DE 102022105177.3, EP 4486690
S. Zahedi-Azad, T. Boeck, O. Ernst, H.-P. Schramm, D. Uebel
Verfahren und Züchtungsaufbau zum Herstellen lokalisierter Strukturen
Method and growth setup for the fabrication of localized structures
DE 102022116962.6
Oxidschichten / Oxide layers
M. Albrecht, A. Baki, K. Irmscher, T. Schulz, J. Schwarzkopf, J. Stöver
Verfahren zum Herstellen eines Kristalls mit Perowskitstruktur
Method for producing an oxide crystal having a perovskite structure
DE1020132049, EP 4256115
T. Chou, A. Popp, W. Häckl
Method for producing a gallium oxide layer on a substrate
EP 4123061, DE 102020132900.8, TW202305870, CN 117677737A, WO2024052149
S. Bin-Anooz, T.-S. Chou, W. Häckl, A. Popp
Method for growing a gallium oxide layer on a substrate and semiconductor wafer
EP 4335949, WO2024/052149A1, TW 111126459 EP 4123061
Röntgenoptik / X-ray optics
P. Gaal
Bereitstellen eines transienten Gitters
Providing a transient grid
DE102019132393B4
