Patente & Lizenzen

Wir haben uns zur Aufgabe gemacht, potentielle Innovationen zusammen mit unseren Wissenschaftlern, Forschungspartnern und Industriekooperationen zu identifizieren, zu sichern und deren wirtschaftliche Verwertung anzuregen und zu begleiten.

Das IKZ verfügt über ein umfangreiches Patentportfolio, welches kontinuierlich erweitert wird. Das Portfolio umfasst alle Forschungsschwerpunkte des IKZ und kann bei Interesse an Unternehmen lizensiert werden.

Durch Lizenzen erhalten Sie Nutzungsrechte an unserem umfassenden, geschützten, technischen Knowhow, das sich kontinuierlich erweitert und zu neuartigen Produkten und innovativen Verfahren führen kann. Art und Umfang der Lizenzen sind vielfältig, ebenso wie die Form, die individuell vereinbart werden kann.

Für weiterführende Informationen wenden Sie sich bitte an uns.


Kristallzüchtung im Magnetfeld: Halbleiter Gruppe III-V, IV


Ch. Frank-Rotsch, P. Rudolph, O. Klein, B. Nacke, R.-P. Lange
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
DE102007028548B4; EP2162571B1 (08784553.3) (DK, ES, FR, NO) KRISTMAG®


R.-P. Lange, D. Jockel, B. Nacke, H. Kasjanow, M. Ziem, P. Rudolph, F. Kießling, Ch. Frank-Rotsch, M. Czupalla
Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
DE102007028547B4; EP 2162570B1 (08784554.1) (DK, ES, FR, NO) KRISTMAG®


Ch. Frank-Rotsch, P. Rudolph, R.-P. Lange, D. Jockel
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
DE102007046409B4 KRISTMAG®


M. Ziem, P. Rudolph, R.-P. Lange
Vorrichtung zum Züchten von Einkristallen aus elektrisch leitfähigen Schmelzen
DE102007020239B4 KRISTMAG®


R.-P. Lange, P. Rudolph, M. Ziem
Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
DE102008035439B4


F. Büllesfeld, N. Dropka, W. Miller, U. Rehse, U. Sahr, P. Rudolph
Verfahren zum Erstarren einer Nichtmetall-Schmelze
EP 2370617B1 (09749132.8) (DE, ES, IT, NO, FR, GB)


N. Dropka, P. Rudolph, U. Rehse
Verfahren zur Herstellung von Kristallblöcken hoher Reinheit
DE102010028173B4


N. Dropka, Ch. Frank-Rotsch, P. Lange, M. Ziem
Verfahren und Vorrichtung zur gerichteten Kristallisation von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
DE102012204313B3


N. Dropka, Ch. Frank-Rotsch, P. Rudolph, R.-P. Lange, U. Rehse
Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren zur Herstellung eines Blocks aus einem Material, dessen Schmelze elektrisch leitend ist
DE102010041061B4


M. Czupalla, B. Lux, F. Kießling, O. Klein, P. Rudolph, W. Miller, M. Ziem, F. Kirscht, R.-P. Lange
Verfahren zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, die in der Diamant- oder Zinkblendestruktur kristallisieren
DE102009027436B4


F. Kießling, , P. Rudolph, Ch. Frank-Rotsch, N. Dropka
Verfahren zur gerichteten Kristallisation von Ingots
DE102011076860B4


N. Dropka, Ch. Frank-Rotsch, P. Lange, P. Krause
Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren zur Kristallisation aus elektrisch leitenden Schmelzen sowie über das Verfahren erhältliche Ingots
DE102013211769A1  


Registered Trademark

KRISTMAG® 

  

 

Gruppe IV Halbleiter: Float Zone, Eigentiegelverfahren


M. Wünscher, H. Riemann
Vorrichtung für das tiegelfreie Zonenziehen von Kristallstäben
DE102012022965B4, EP 2920342B1 (DE, DK, LV)


N. Abrosimov, J. Fischer, H. Riemann, M. Renner
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen aus Halbleitermaterial
EP2504470B1 (NO, ES, NL, FR, DK, GB, BE, IT), DE102010052522B4, JP 5484589B2, US 9422636

 

 

Oxide


Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, M. Bickermann
Method for growing beta phase of gallium oxide (ß-Ga2O3) single crystals from the melt contained within a metal crucible
EP3242965B1 (AT, BE, CH, DE, CZ, ES, FR, GB, IT, NL, PL), KR101979130B1, US20170362738A1


Z. Galazka, R. Uecker, R. Fornari
Method and apparatus for growing indium oxide (In2O3) single crystals and indium oxide (In2O3) single crystal
EP2841630B1 (DE, BE, FR, GB, IT), JP 6134379B2, US10208399

 

 

Aluminiumnitrid


A. Dittmar, C. Hartmann, J. Wollweber, M. Bickermann
(Sc, Y): Einkristalle für Gitter-angepasste AlGaN Systeme
DE102015116068A1, KR1020180048926A

 

A. Dittmar, C. Hartmann, J. Wollweber, U. Degenhardt, F. Stegner
Keimhalter einer Einkristallzüchtungsvorrichtung, Einkristallzüchtungsvorrichtung und Kompositwerkstoff
DE102014017021A1  

 

 

Halbleiterschichten
 

T. Boeck, R. Heimburger, G. Schadow, H.-P. Schramm, J. Schmidtbauer, T. Teubner, R. Fornari
Kristallisationsverfahren zur Erzeugung kristalliner Halbleiterschichten
DE102010044014A1

Dr. Maike Schröder
Tel.: +49 30 6392 3008
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