Patents & Licenses

Our mission is to identify and secure potential innovations together with our scientists, research partners and industrial collaborators, and to stimulate and accompany their commercial exploitation.


The Leibniz-Institut für Kristallzüchtung possesses an extensive patent portfolio, which is being continuously expanded. The portfolio encompasses all of the institute's key research areas and can be licensed to companies if they are interested.

Licenses entitle you to use our comprehensive, proprietary, technical know-how, which is constantly expanding and can lead to new products and innovative processes. The type and scope of the licenses are varying, as well as their form that can be agreed upon individually.

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Dr. Maike Schröder

Dr. Maike Schröder

Ph. +49 30 6392 3008

Crystal growth in the magnetic field: semiconductors group III-V, IV

Ch. Frank-Rotsch, P. Rudolph, O. Klein, B. Nacke, R.-P. Lange
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
(Device and method for producing crystals from electrically conductive melts)
DE102007028548B4; EP2162571B1 (08784553.3) (DK, ES, FR, NO) KRISTMAG®

R.-P. Lange, D. Jockel, B. Nacke, H. Kasjanow, M. Ziem, P. Rudolph, F. Kießling, Ch. Frank-Rotsch, M. Czupalla
Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
(Device for producing crystals from electroconductive melts)
DE102007028547B4; EP 2162570B1 (08784554.1) (DK, ES, FR, NO) KRISTMAG®

Ch. Frank-Rotsch, P. Rudolph, R.-P. Lange, D. Jockel
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
(Device and method for producing crystals from electrically conductive melts)
DE102007046409B4 KRISTMAG®

M. Ziem, P. Rudolph, R.-P. Lange
Vorrichtung zum Züchten von Einkristallen aus elektrisch leitfähigen Schmelzen
(Device for the manufacture of crystals from electrically conductive melts)
DE102007020239B4 KRISTMAG®

R.-P. Lange, P. Rudolph, M. Ziem
Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
(Device for producing crystals from electroconductive melts)

F. Büllesfeld, N. Dropka, W. Miller, U. Rehse, U. Sahr, P. Rudolph
Verfahren zum Erstarren einer Nichtmetall-Schmelze
(Method for freezing a nonmetal melt)
EP 2370617B1 (09749132.8) (DE, ES, IT, NO, FR, GB)

N. Dropka, P. Rudolph, U. Rehse
Verfahren zur Herstellung von Kristallblöcken hoher Reinheit
(Method for the preparation of crystalline blocks of high purity)

N. Dropka, Ch. Frank-Rotsch, P. Lange, M. Ziem
Verfahren und Vorrichtung zur gerichteten Kristallisation von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
(Method and device for the manufacture of crystals by directed solidification from electrically conducting melts)

N. Dropka, Ch. Frank-Rotsch, P. Rudolph, R.-P. Lange, U. Rehse
Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren zur Herstellung eines Blocks aus einem Material, dessen Schmelze elektrisch leitend ist
(Crystallization system and crystallization process for producing a block from a material with an electrically conductive molten mass)

M. Czupalla, B. Lux, F. Kießling, O. Klein, P. Rudolph, W. Miller, M. Ziem, F. Kirscht, R.-P. Lange
Verfahren zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, die in der Diamant- oder Zinkblendestruktur kristallisieren
(Method for growing crystals that crystallize in diamond or zinc blende structure from electrically conductive melts)

F. Kießling, , P. Rudolph, Ch. Frank-Rotsch, N. Dropka
Verfahren zur gerichteten Kristallisation von Ingots
(Method for the directed solidification of ingots)

N. Dropka, Ch. Frank-Rotsch, P. Lange, P. Krause
Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren zur Kristallisation aus elektrisch leitenden Schmelzen sowie über das Verfahren erhältliche Ingots
(Crystallisation system and crystallisation method for crystallisation from electrically conductive melts, and ingots that can be obtained by means of the method)

J. Boschker, Ch. Frank-Rotsch, M. Zorn, T. Schröder
Substrat für ein Halbleiterbauelement Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Substrats für ein Halbleiterbauelement
DE102020131850, PCT/EP2021/082758

Registered Trademark




Group IV Semiconductors: Float Zone, self-sealing process

M. Wünscher, H. Riemann
Vorrichtung für das tiegelfreie Zonenziehen von Kristallstäben
(Apparatus for continuous zone-melting a crystalline rod)
DE102012022965B4, EP 2920342B1 (DE, DK, LV)

N. Abrosimov, J. Fischer, H. Riemann, M. Renner
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen aus Halbleitermaterial
(Process and apparatus for producing semiconductor single crystals)
EP2504470B1 (NO, ES, NL, FR, DK, GB, BE, IT), DE102010052522B4, JP 5484589B2, US 9422636




Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, M. Bickermann
Method for growing beta phase of gallium oxide (ß-Ga2O3) single crystals from the melt contained within a metal crucible
EP3242965B1 (AT, BE, CH, DE, CZ, ES, FR, GB, IT, NL, PL), KR101979130B1, US20170362738A1

Z. Galazka, R. Uecker, R. Fornari
Method and apparatus for growing indium oxide (In2O3) single crystals and indium oxide (In2O3) single crystal
EP2841630B1 (DE, BE, FR, GB, IT), JP 6134379B2, US10208399

C. Guguschev, M. Brützam, D. Schlom, H. Paik
Method and setup for growing bulk single crystals
DE102020114524A1, US20200378030A1, KR1020200138082A

C. Guguschev, E. Haurat, D. Klimm, C. Kränkel, A. Uvarova
Verfahren und Vorrichtung zum Züchten eines Seltenerd-Sesquioxid-Kristalls
(Method and apparatus for growing a rare earth sesquioxide crystal)
DE102020120715, PCT/EP2021/068687

S. Ganschow, Ch. Kränkel
Oxidkristall mit Perowskit-Struktur
DE 102021134215.5



Aluminium Nitride

A. Dittmar, C. Hartmann, J. Wollweber, M. Bickermann
(Sc, Y): Einkristalle für Gitter-angepasste AlGaN Systeme
((Sc,Y):AlN single crystals for lattice-matches AlGaN systems)
DE102015116068A1, KR1020180048926A



Semiconducting Layers / Nanostructures

T. Boeck, R. Heimburger, G. Schadow, H.-P. Schramm, J. Schmidtbauer, T. Teubner, R. Fornari
Kristallisationsverfahren zur Erzeugung kristalliner Halbleiterschichten
(Crystallization method for producing crystalline semiconducting layers)

O. Ernst, T. Boeck, F. Lange, H.-P. Schramm, T. Teubner, D. Uebel
Verfahren zur Mikrostrukturierung
(Method for microstructuring)
DE102020126553, PCT/EP2021/076794

D. Uebel, R. Bansen, T. Boeck, O. Ernst, H.-P. Schramm, T. Teubner
Silizium-basierte Wafer und Verfahren zur Herstellung von Silizium-basierten Wafern
(Silicon-based wafers and method of manufacturing silicon-based wafers)
DE102020132900, PCT/EP2021/083974



Oxide Layers

M. Albrecht, A. Baki, K. Irmscher, T. Schulz, J. Schwarzkopf, J. Stöver
Verfahren zum Herstellen eines Kristalls mit Perowskitstruktur
(Formingless Resistive Switching by Off-Stoichiometry Control of ABO3 Perovskites)

T. Chou, A. Popp, W. Häckl
Method for producing a gallium oxid layer on a substrate
EP 21187231.2





P. Gaal
Bereitstellen eines transienten Gitters
(Providing a transient grid)
DE102019132393B4, PCT/EP2020/082942