Die Sektion Halbleiter beschäftigt sich, oft in Zusammenarbeit mit der Sektion Fundamentale Beschreibung, mit der Effizienz von Wachstumsprozessen und der Verbesserung von Kristallqualitäten.
Beispiele hierfür sind Verbindungshalbleiter wie Galliumarsenid und Indiumphosphid sowie Czochralski Silizium / Germanium-Kristalle.
Ein weiteres Beispiel sind bleifreie piezoelektrische Dünnschicht-Heterostrukturen aus der Sektion Oxidschichten für Anwendungen als innovative Sensoren für das "Internet of Things (IoT)".