Im Rahmen des BMBF geförderten Verbundprojekts "ForMikro-GoNext" hat Dr. Chou maßgeblich zur Materialentwicklung von epitaktischen Beta-Galliumoxid (β-Ga2O3)-Schichten beigetragen, die sich als elektrisch aktiver Teil für spätere vertikale Transistoren eignen.
Seine Dissertation war herausragend in der pionierhaften Verbindung zwischen experimenteller Optimierung und aktuellen Ansätzen aus dem Maschinellen Lernen, um auch "versteckte" Zusammenhänge zwischen den Züchtungsparametern und den Materialeigenschaften herauszufinden und zu nutzen.
Weltweit erstmalig konnten so 4 µm dicke (100) orientierte β-Ga2O3 Schichten unter Beibehaltung des für die Schichtqualität so wichtigen Stufenflusswachstum hergestellt werden. Darüber hinaus wurden auch im Bereich Wachstumsrate und Dotierung signifikante Fortschritte erzielt – wichtige Schritte um die Industrierelevanz von β-Ga2O3 zu demonstrieren.
Weitere Informationen:
Andreas Popp (Nachwuchsgruppe "Epitaxie von halbleitendem Gallium-Oxid")
