Dr. Gradwohl ist seit 2023 aktives Mitglied dieser wissenschaftlichen Community und trägt seither mit bedeutenden Beiträgen in der Forschung zu SiGe-Quantum Materialien und Heterostrukturen bei. Beim diesjährigen ICSI/ISTDM-Meeting in Tokio war er eingeladen, die neuesten Ergebnisse seines Teams zum Valley-Splitting-Engineering in Silizium vorzustellen, die mithilfe ultrakurzperiodischer, kernspinfreier Germanium-Modulationen in verspannten Si Quantentopfschichten erzielt wurden. Die Arbeiten, kürzlich in Nano Letters veröffentlicht [REF], entstehen in enger Zusammenarbeit mit der Si-Qubit-Gruppe von Dr. Lars Schreiber an der RWTH Aachen (DFG-Einzelforschungsprojekt – Fördernummer 554676597).
Die Berufung in das International Advisory Committee würdigt sowohl die wissenschaftliche Bedeutung der Beiträge des IKZs als dessen wachsende Rolle bei der fachlichen Weiterentwicklung des Forschungsgebiets. Das Komitee berät zu wissenschaftlichen Themen, zur Programmentwicklung sowie zu zukünftigen Konferenzorten und trägt damit dazu bei, dass ICSI/ISTDM eine zentrale Plattform für Innovation in der Siliziumepitaxie und SiGe-Bauelementtechnologie bleibt.
Die Nominierung von Dr. Gradwohl unterstreicht nicht nur seine wissenschaftlichen Leistungen, sondern auch die wachsende Sichtbarkeit der IKZ-Aktivitäten in der Forschung zu quantenrelevanten Materialien der Gruppe IV.
Hinweis: Ein Teil der Reise wurde durch den Nachwuchspreis der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (DGKK) 2021 unterstützt.
[REF] Gradwohl, Kevin-P., et al. „Enhanced Nanoscale Ge Concentration Oscillations in Si/SiGe Quantum Wells through Controlled Segregation.” Nano Letters 25.11 (2025): 4204–4210.
Kontakt:
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ)
Dr. Kevin-Peter Gradwohl
Tel.: +49 (30) 246 499 306
Email: kevin-peter.gradwohlikz-berlin.de
