Die Anwendungsmöglichkeiten für AlN sind zahlreich und reichen von Leuchtdioden im UV-C-Bereich zur Desinfektion über Sensoren im Hochtemperaturbereich bis hin zu Transistoren für die Elektromobilität oder die drahtlose Kommunikation. Für die Entwicklung von Technologien und Bauteilen in diesen Bereichen ist die Verfügbarkeit von Materialien mit genau definierten und reproduzierbaren Eigenschaften ein Schlüsselelement. Bislang gab es für AlN nur wenige Bezugsquellen, insbesondere im europäischen Raum. Hier setzt das IKZ an, das über seine Webseite Aluminiumnitrid-Substrate mit geringer Versetzungsdichte, präziser Orientierung und hoher Oberflächenqualität für Forschungszwecke bzw. für die Technologieentwicklung anbietet.
Die Wafer sind epi-ready und können direkt für das Wachstum von funktionalen AlN/AlGaN-Epitaxieschichten eingesetzt werden. Für die Entwicklung von UVC-Leuchtdioden können auch Substrate mit geeigneten Absorptionseigenschaften angeboten werden. Das IKZ berät bei der anforderungsspezifischen Auswahl von Substrateigenschaften und bietet neben dem Verkauf von Substraten auch die Möglichkeit für gemeinsame Projekte.
Unser Angebot finden Sie unter: www.ikz-berlin.de/angebote
Weitere Informationen zur Kristallzüchtung und -bearbeitung von Aluminiumnitrid finden Sie unter: https://www.ikz-berlin.de/forschung-lehre/anwendungswissenschaften/sektion-kristalle-fuer-elektronik