Galliumoxid: Ein vielversprechendes Material für die Leistungselektronik der nächsten Generation
Der Besuch begann in den Büroräumen von NextGO Epi, wo Mitbegründer und CEO Dr. Ta-Shun Chou die Arbeit des Unternehmens auf dem Gebiet der Epitaxie von Galliumoxid (β-Ga₂O₃) vorstellte. Das 2025 von Dr. Chou gemeinsam mit den deutschen Mitbegründern Dr. Andreas Popp und Dr. Andreas Fiedler gegründete IKZ-Spin-off produziert epitaktische Galliumoxid-Wafer in Industriequalität mit einem Durchmesser von bis zu vier Zoll – mit einer elektrisch aktiven Schicht, die das Herzstück von Hochleistungsbauelementen der Leistungselektronik bildet.
Mit einer extrem breiten Bandlücke von etwa 4,8 eV und einem Durchbruchfeld von rund 8 MV/cm ermöglicht Galliumoxid die Entwicklung von Bauelementen, die höheren Spannungen standhalten und effizienter arbeiten als vergleichbare Bauelemente auf Basis von Siliziumkarbid oder Galliumnitrid. Zu den Anwendungsbereichen zählen unter anderem das Laden von Elektrofahrzeugen, Wechselrichter für erneuerbare Energien und KI-Rechenzentren.
IKZ: Wegbereiter für Innovationen im Bereich der Halbleiterkristalle
Anschließend besuchte die Delegation das IKZ, wo Institutsleiter Prof. Dr. Thomas Schröder die Gäste begrüßte und durch das Institut führte. Das IKZ gehört zu den international führenden Forschungseinrichtungen auf dem Gebiet der Kristallzüchtung und verfügt über langjährige Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von Halbleiterkristallen. Seit 2009 leisten die Forschenden des Instituts Pionierarbeit bei der Züchtung von β-Ga₂O₃-Einkristallen mittels eines patentierten Verfahrens auf Basis der Czochralski-Methode. Dabei werden 2-Zoll-Kristalle und -Substrate hergestellt, die von Forschenden weltweit genutzt werden, sowie MOVPE-epitaktische Galliumoxidschichten für die Leistungselektronik. NextGO Epi ist direkt aus diesen Forschungsarbeiten hervorgegangen: Die Gründer des Unternehmens haben die Galliumoxid-Epitaxie am IKZ über mehr als ein Jahrzehnt hinweg entwickelt. Das IKZ hat die Gründung des Spin-offs mit seiner wissenschaftlichen Expertise und Infrastruktur aktiv unterstützt und damit den Transfer von Forschungsergebnissen in die industrielle Anwendung gefördert.
Ein einzigartiges Modell der taiwanisch-deutschen Zusammenarbeit
NextGO Epi nimmt innerhalb der taiwanisch-deutschen Zusammenarbeit eine besondere Stellung ein: Ein gemeinsames taiwanisch-deutsches Gründungsteam bringt eine in Deutschland entwickelte Technologie aus dem Labor auf den Markt. Anstatt Technologie grenzüberschreitend zu transferieren, vereint das Unternehmen die Stärken beider Länder in einem gemeinsamen Vorhaben – Deutschlands Exzellenz in der Grundlagenforschung an Materialien und Taiwans umfassende Erfahrung bei der Industrialisierung von Halbleitertechnologien. In den Gesprächen wurde erörtert, inwiefern dieses Modell weitere Kooperationen im Bereich der Halbleitermaterialien anregen könnte. Die Teilnehmenden hoben zudem die Bedeutung des Wissenschafts- und Technologieparks Berlin-Adlershof für die Vernetzung von Forschung und Industrie hervor – ein Thema von besonderer Aktualität, da Europa im Rahmen des vorgeschlagenen „Chips Act 2.0“ daran arbeitet, seine Halbleiterlieferkette zu stärken.
Kontakt:
Dr. Ta-Shun Chou (周大順)
Co-founder & CEO
NextGO Epi GmbH (i.G.)
Telefon: +49 (0) 30 / 246 499 313
Email: t.s.chounextgoepi.com
Web: https://www.nextgoepi.com/
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ)
Stefanie Grüber
Presse- und Öffentlichkeitsarbeit
Telefon: +49 (0) 30 / 246 499 126
Email: stefanie.grueberikz-berlin.de
Web: https://www.ikz-berlin.de
