Der Gegenstand des Vorhabens ist die Realisierung von lokalisierter Strukturbildung auf amorphen Oberflächen ohne Anwendung von aufwändigen Masken- oder Lithografieprozessen. Dazu soll fokussierte Laserstrahlung geeigneter Wellenlänge und Intensität eingesetzt werden. Durch einen Scanner bzw. durch ein Linsensystem ist ein musterförmiger Energieeintrag zu ermöglichen. Die resultierende thermische Inhomogenität soll die selektive Bildung flüssiger und letztlich kristalliner Strukturen auf der Oberfläche bewirken.
Derartige Inseln können als Präkursoren für das örtlich definierte Wachstum von Verbindungshalbleitern dienen. Das Wirtschaftsministerium fördert die Entwicklung mit 1,5 Mio Euro, wovon rund 700T € dem IKZ zugutekommen.
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Torsten Boeck
Sektion Halbleiternanostrukturen
