Genau hier liegt die Expertise des Leibniz-Instituts für Kristallzüchtung (IKZ). Insbesondere die Verwendung von isotopenreinem Silizium und Germanium (Si/Ge) gilt als ein wichtiger Ansatz für Quantenbauelemente.
Das IKZ profitiert im Bereich der Herstellung von reinen und isotopenangereicherten Si/Ge-Kristallen erheblich von seiner weltweit führenden Erfahrung, z.B. bei Projekten zur Definition des neuen kg-Kalibrierstandards.
Am 22. März 2019 organisierte das IKZ einen Si/Ge Quantum Materials Workshop, um die gesamte Wertschöpfungskette von der isotopenangereicherten Si/Ge-Materialreinigung und Einkristallzüchtung, der Heteroepitaxie durch CVD und MBE bis hin zur Herstellung von Qubit-Strukturen, einschließlich der Material und Device-Charakterisierung, zu erörtern.
Zu diesem Zweck begrüßte das IKZ eine Gruppe von weltweit führenden Forschern: Aus Russland (Prof. Petr G. Sennikov, Institute of Chemistry of High-Purity Substances of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod; Prof. Andrey D. Bulanov, Institute of Chemistry of High-Purity Substances of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod; Prof. Alexander A. Ezhevskii, Department of Physics of Semiconductors and Optoelectronics, Nizhny Novgorod Lobachevsky University), aus Australien (Prof. Sven Rogge, Department of Condensed Matter Physics, University of New South Wales, Sydney), aus Kanada (Prof. Oussama Moutanabbir, Department of Engineering Physics, Polytechnique Montréal), aus Italien (Prof. Giovanni Capellini, Department of Science, Roma Tre University) und aus Deutschland (Dr. Lars Schreiber, Institut für Quanteninformation, RWTH, Aachen; Dr. Wolfgang Klesse , Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP), Frankfurt/Oder)
Das IKZ wird auch weiterhin sein internationales Gastwissenschaftsprogramm nutzen, um die Verbindungen zu diesen führenden Forschungsgruppen durch gegenseitige Forschungsaufenthalte, sowie durch die Initiierung gemeinsamer, drittmittelgestützter Forschungsprojekte zu stärken.
