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13.03.2025

NextGO Epi

NextGO Epi ist ein Spin-off des Leibniz-Instituts für Kristallzüchtung (IKZ) im Forschungsverbund Berlin e.V. Das Unternehmen hat sich zum Ziel gesetzt, hochwertige und großflächige Galliumoxid-(Ga2O3)-Epitaxiewafer mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) bereitzustellen. Es stützt sich dabei auf die umfangreiche Forschungserfahrung des IKZ im Bereich der Ga₂O₃-Materialien. Basierend auf diesen wissenschaftlichen Erkenntnissen des exzellenten Teams am IKZ wurde die Technologie von den Gründern zur Marktreife entwickelt und treibt so die Innovation von NextGO Epi voran. Das IKZ stellt insbesondere die notwendige Infrastruktur als Basis zur Verfügung.

Die einzigartigen Stärken von Ga2O3 als Halbleitermaterial der vierten Generation mit extrem großer Bandlücke liegen in seinen potenziellen Kostensenkungen und Leistungsvorteilen im Vergleich zu herkömmlichen Leistungshalbleitern wie SiC und GaN.

Als führender Innovator in Europa konzentriert sich NextGO Epi darauf, die nächste Generation der Hochleistungselektronik zu ermöglichen. Das Unternehmen liefert maßgeschneiderte, hochentwickelte Ga2O3-Epitaxieschichten, mit denen Bauelemente günstiger, kompakter und effizienter hergestellt werden können. Zudem eröffnen sie neue Anwendungsbereiche jenseits von 10 kV. Mit tiefgehender Expertise in der Epitaxieentwicklung, KI-gestützter Prozessoptimierung und Marktzugang spielt NextGO Epi eine zentrale Rolle bei der Überführung innovativer Materialien in die industrielle Nutzung.

NextGO Epi ist auf dem Weg, hochwertige und großflächige Ga2O3-Epitaxieschichten an mehrere Pilotkunden weltweit zu liefern.

Besuchen Sie die Unternehmens-Homepage unter www.nextgoepi.com und die LinkedIn-Seite unter https://www.linkedin.com/company/nextgoepi/.

Dr. Ta-Shun Chou

Ta-Shun Chou promovierte in Chemie mit Spezialisierung auf Kristallwachstumstheorie und künstliche Intelligenz. Seine Doktorarbeit absolvierte er von 2020 bis 2023 am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ). In seiner Dissertation erzielte er entscheidende Durchbrüche im Wachstum hochwertiger Ga2O3-Epitaxieschichten. Als Wissenschaftler und Unternehmer verfolgt er die Mission, die Lücke zwischen Forschung und Industrie zu schließen und die Kommerzialisierung von Ga2O3  für zukünftige Technologien zu beschleunigen.

Dr. Andreas Popp

Dr. Andreas Popp studierte Physik und promovierte 2017. Seine Doktorarbeit befasste sich mit der elektronischen Struktur und Morphologie epitaktisch gewachsener Chalcopyrit-Dünnschichten für die Photovoltaik. Im Dezember 2017 wechselte er als Postdoc an das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), wo er für die epitaktische Abscheidung oxidischer Dünnschichten mittels MOVPE verantwortlich war. Seit April 2019 leitet er die Forschungsgruppe „Epitaxie von halbleitendem Galliumoxid“, die sich auf die Materialentwicklung für die Leistungselektronik konzentriert.
Durch von Dr. Popp eingeworbene Forschungsprojekte (1x BMFTR, 2x DFG, 1x EFRE) konnte seine Forschungsgruppe aufgebaut und ausgebaut werden, wodurch sie heute zu den weltweit führenden akademischen Gruppen auf dem Gebiet von Ga2O3  zählt. Der Erfolg seiner Arbeit spiegelt sich in zahlreichen Publikationen, international eingeladenen Vorträgen und zwei Patenten wider. Die Möglichkeit, durch Materialentwicklung einen Beitrag zur Dekarbonisierung zu leisten und gesellschaftliche Herausforderungen zu lösen, motiviert ihn besonders.

Dr. Andreas Fiedler

Andreas Fiedler ist Experimentalphysiker mit Schwerpunkt Halbleiterphysik und Bauelemente. Als Leiter der BMFTR-NanoMatFutur-Nachwuchsforschungsgruppe All-GO-HEMT verfügt er über fundierte Kenntnisse in den Bereichen Elektrotechnik, fortgeschrittene Materialcharakterisierung, Prozessierung und Synthese. Seit über einem Jahrzehnt forscht er an Ga2O3 und bringt seine gesamte Erfahrung in NextGO Epi ein – mit dem klaren Ziel, seine wissenschaftlichen Erkenntnisse in praxisnahe Anwendungen zu überführen und der Gesellschaft zugänglich zu machen.