Die ausgezeichnete Arbeit befasst sich mit den strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften von Rutil-GeO₂-Einkristallen und deren großem Potenzial für Anwendungen in der Leistungselektronik sowie in der tief-ultravioletten Optoelektronik. Besonders hervorzuheben ist, dass diese Arbeit erstmals eine zuverlässige n-Leitfähigkeit durch Dotierung mit Sb nachweist – eine wesentliche Voraussetzung für Anwendungen in der Hochleistungselektronik. Zudem zeigt GeO₂ eine große Bandlücke und starke optische Emission im blauen und grünen Bereich, wodurch es auch großes Potenzial für tief-ultraviolette Optoelektronik besitzt. Insgesamt bestätigt die Studie Rutil-GeO₂ als vielversprechendes Material für zukünftige elektronische und optische Anwendungen.
Wir gratulieren dem Team rund um Zbigniew Galazka herzlich zu diesem Erfolg.
Diese Publikation ist das Ergebnis eines Leibniz-Projekts, an dem das IKZ, das PDI und das FBH beteiligt waren, mit Beiträgen der folgenden Autoren: Zbigniew Galazka, Roberts Blukis, Andreas Fiedler, Saud Bin Anooz, Jijun Zhang, Martin Albrecht, Thilo Remmele, Tobias Schulz, Detlef Klimm, Mike Pietsch, Albert Kwasniewski, Andrea Dittmar, Steffen Ganschow, Uta Juda, Karoline Stolze, Manuela Suendermann, Thomas Schroeder, Matthias Bickermann.
Zur Publikation: https://doi.org/10.1002/pssb.202400326
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Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ)
Dr. Zbigniew Galazka
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