Sektion Oxide & Fluoride

Sektion Oxide & Fluoride

Mission

Die Sektion ist auf die Herstellung von Oxid- und Fluorideinkristallen spezialisiert. Diese werden als Substrate für ferroelektrische und oxidische elektronische Anwendungen sowie als optische, piezoelektrische oder Laserkomponenten verwendet. Unsere Kristalle dienen auch als Referenzproben für Materialien mit höchster struktureller Perfektion und Reinheit. Durch Kooperationen und Dienstleistungen für Unternehmen und Forschungseinrichtungen stellen wir die Materialbasis für viele Forschungsprojekte innerhalb und außerhalb des IKZ zur Verfügung.

Forschungsaktivitäten

In der Sektion entwickeln wir Substrate aus Oxidhalbleitern wie z.B. β-Ga2O3 sowie Oxidkristalle mit Perowskitstruktur z.B. für verspannte ferroelektrische Schichten oder dünne Filme mit neuen Funktionalitäten. Wir erforschen Oxid- und Fluoridkristalle für optische Anwendungen und Laser. Mit Hilfe der thermochemischen Analyse entwickeln wir maßgeschneiderte Wachstumstechniken, um das Kristallwachstum neuartiger Verbindungen zu ermöglichen.

 

Themen

Nachwuchs-Forschungsgruppe "Fluoridkristalle für Photonik-Anwendungen"

Fluorid-Einkristalle sind Schlüsselkomponenten für eine Vielzahl von Photonik-Anwendungen, z.B. Lasermaterialien, optische Isolatoren sowie nichtlineare Frequenzwandler und optische Fenster im tiefen UV-Bereich. Optische Isolatoren aus Fluoriden können bei höheren Leistungen betrieben werden als Oxide. Sie sind auch ideal geeignet für die Festkörper-Laserkühlung (optische Kühlung), dabei werden feste Materialien durch Laseranregung unter Raumtemperatur abgekühlt.

Die Nachwuchsgruppe arbeitet insbesondere an der Schmelzzüchtung von hochwertigen mit Seltenerd-Ionen dotierten Fluorid-Einkristallen für die Laserkühlung. Dazu müssen die Bildung von Fremdphasen und Farbzentren verringert sowie die Sauerstoffkontamination und interne Spannungen minimiert werden. Durch eine Fluorierung der Ausgangsstoffe werden Kristalle höchster Reinheit hergestellt. Die anwendungsrelevanten Eigenschaften der gezüchteten Kristalle werden in Zusammenarbeit mit dem IKZ Zentrum für Lasermaterialien demonstriert.

Stefan Püschel, Felix Mauerhoff, Christian Kränkel, Hiroki Tanaka
Laser cooling in Yb:KY3F10: a comparison with Yb:YLF (Link zu DOI: 10.1364/OE.472633)
DOI: 10.1364/OE.472633

Stefan Püschel, Felix Mauerhoff, Christian Kränkel, Hiroki. Tanaka
Solid-state laser cooling in Yb:CaF2 and Yb:SrF2 by anti-Stokes fluorescence
Opt. Lett. 47 (2022) 333–336
DOI: 10.1364/OL.449115

Stefan Püschel, Sascha Kalusniak, Christian Kränkel, Hiroki Tanaka
Temperature-dependent radiative lifetime of Yb:YLF: refined cross sections and potential for laser cooling
Opt. Express 29, (2021) 11106–11120
DOI: 10.1364/OE.422535

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Dr. Hiroki Tanaka

Dr. Hiroki Tanaka

Tel. +49 30 6392 2821

Einkristalle aus Oxid-Halbleitern

Wir stellen transparente leitende oder halbleitende Oxid-Einkristalle her. Das Thema ist vor allem durch unsere Pionierarbeit zu 2" β-Ga2O3-Einkristallen (mittels Czochralski-Verfahren) und anderen binären Oxiden (In2O3, SnO2) bekannt. In den letzten Jahren haben wir Gallium-basierte Spinelle (MgGa2O4, ZnGa2O4), Bariumstannat (BaSnO3) und Lanthanindat (LaInO3) entwickelt. Substrate und dünne Filme aus diesen Kristallen ermöglichen neue Bauelementstrukturen z.B. in der Leistungs- und Optoelektronik, für Sensoren und ferrimagnetische Dünnschichten und als Szintillatormaterial.

Die Züchtung dieser Kristalle wird durch die Tendenz zur Zersetzung bei Temperaturen nahe dem Schmelzpunkt erschwert. Daher verwenden wir spezielle Züchtungsmethoden, setzen dynamische Gasatmosphären ein und erhöhen die Wachstumsstabilität, um große Kristallvolumina zu erhalten. Ein besonderer Schwerpunkt liegt auf der Kontrolle und Charakterisierung der elektrischen und optischen Eigenschaften in Abhängigkeit von Wachstums-, Dotierungs- und Temperbedingungen.

Zbigniew Galazka
Transparent Semiconducting Oxides - Bulk Crystal Growth and Fundamental Properties
ISBN 9789814800945; Jenny Stanford Publishing, 2020
https://www.jennystanford.com/9789814800945/transparent-semiconducting-oxides

Zbigniew Galazka
Growth of bulk β-Ga2O3 single crystals by the Czochralski method
J. Appl. Phys. 131 (2022) 031103
DOI: 10.1063/5.0076962

Zbigniew Galazka, Steffen Ganschow, Palvan Seyidov, Klaus Irmscher, Mike Pietsch, Ta-Shun Chou, Saud Bin Anooz, Raimund Grueneberg, Andreas Popp, Andrea Dittmar, Albert Kwasniewski, Manuela Suendermann, Detlef Klimm, Thomas Straubinger, Thomas Schroeder, Matthias Bickermann
2 Inch Diameter, Highly Conducting Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski Method for High Power Switching Devices
Appl. Phys. Lett. 120 (2022) 152101
DOI: 10.1063/5.0086996

Zbigniew Galazka, Andreas Fiedler, Andreas Popp, Steffen Ganschow, Albert Kwasniewski, Palvan Seyidov, Mike Pietsch, Andrea Dittmar, Saud Bin Anooz, Klaus Irmscher, Manuela Suendermann, Detlef Klimm, Ta-Shun Chou, Jana Rehm, Thomas Schroeder, Matthias Bickermann
Bulk Single Crystals and Physical Properties of ß-(AlxGa1-x)2O3 (x = 0- 0.35) Grown by the Czochralski Method
J. Appl. Phys. 133 (2023) 035702
 DOI: 10.1063/5.0131285

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Dr. Zbigniew Galazka

Dr. Zbigniew Galazka

Tel. +49 30 6392 3020

Substratkristalle für funktionelle Oxide

Schwerpunkt ist die Entwicklung von neuen Volumenkristallen mit definierten Gitterparametern v.a. mit Perowskit-, Pyrochlor- oder Magnetoplumbitstruktur. In Form von präparierten Substraten sind sie essentielle Voraussetzung für neue, epitaktisch gewachsene Oxidschichten mit interessanten ferroelektrischen, supraleitenden, ferromagnetischen, piezoelektrischen, multiferroischen oder elektronischen Eigenschaften. Einige der Kristalle sind auch für optische Anwendungen attraktiv. Die meisten Verbindungen werden ausschließlich am IKZ für unsere Industrie- und Kooperationspartner gezüchtet.

Die Wachstumstemperatur liegt zumeist im Bereich zwischen 1500°C und 3000°C. Abhängig von den Materialeigenschaften bei den hohen Temperaturen und den Anforderungen an Strukturqualität und Reinheit werden die Kristalle mit tiegelbasierten oder tiegelfreien Methoden aus der Schmelze oder aus der Schmelzlösung gezüchtet. Herausforderungen sind unzureichender Wärmetransport, innere Spannungen in den Kristallen und Tiegelstabilität. Die Kristalle werden hinsichtlich ihrer strukturellen Qualität und chemischen Zusammensetzung untersucht.

Christo Guguschev, Carsten Richter, Mario Brützam, Kaspars Dadzis, Christian Hirschle, Thorsten M. Gesing, Michael Schulze, Albert Kwasniewski, Jürgen Schreuer, Darrell G. Schlom
Revisiting the Growth of Large (Mg,Zr):SrGa12O19 Single Crystals: Core Formation and Its Impact on Structural Homogeneity Revealed by Correlative X-ray Imaging
Crystal Growth & Design 22 (2022) 2557–2568
DOI: 10.1021/acs.cgd.2c00030

Christo Guguschev, Detlef Klimm, Mario Brützam, Thorsten M. Gesing, Mathias Gogolin, Hanjong Paik, Andrea Dittmar, Vincent J. Fratello, Darrell G. Schlom
Single crystal growth and characterization of Ba2ScNbO6 – A novel substrate for BaSnO3 films
J. Crystal Growth 528 (2019) 125263
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125263

Christo Guguschev, Julia Hidde, Thorsten M. Gesing, Mathias Gogolin, Detlef Klimm
Czochralski growth and characterization of TbxGd1−xScO3 and TbxDy1−xScO3 solid-solution single crystals
CrystEngComm 20 (2018) 2868–2876
DOI: 10.1039/C8CE00335A

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Dr. Christo Guguschev

Dr. Christo Guguschev

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Referenzkristalle und Auftragszüchtung

Einzelne Einkristalle werden als Referenzmaterialien in verschiedenen Bereichen der Wissenschaft, z.B. Geologie, Materialwissenschaft, Festkörperchemie und Physik, benötigt. Forschungseinrichtungen, Unternehmen und Technologieunternehmen verwenden sie zur detaillierten Untersuchung, zur Demonstration des Anwendungspotenzials oder um daraus eine Produktion zu entwickeln. Wir können alle Materialien herstellen, die in unseren Kompetenzbereich fallen und die nicht kommerziell verfügbar sind.

Wir haben Erfahrung in der Kristallzüchtung verschiedener Verbindungen und stellen Kristalle von höchster Qualität und Reinheit her. Unsere Kernkompetenz ist die Kristallzüchtung aus der Schmelze bei hohen Temperaturen, aber wir können wir eine Vielzahl von Züchtungsmethoden anwenden. Bei der Charakterisierung der Kristalle hilft uns die hauseigene Abteilung. Je nach Ziel und Aufwand arbeiten wir im Rahmen einer Forschungszusammenarbeit, einer gemeinsamen Entwicklung oder auf Vollkostenbasis.

Florian Flatscher, Martin Philipp, Steffen Ganschow, Martin R. Wilkening, Daniel Rettenwander
The natural critical current density limit for Li7La3Zr2O12 garnets
Journal of Materials Chemistry A 8, 15782-15788 (2020)
DOI: 10.1039/c9ta14177d

Maki Hamada, Steffen Ganschow, Detlef Klimm, George Serghiou , Hans-Josef Reichmann, Matthias Bickermann
Wüstite (Fe1-xO)  – Thermodynamics and crystal growth
Z. Naturforschung B 77 (2022) 463–468
DOI: 10.1515/znb-2022-0071

Claudia Kofahl, Lars Dörrer, Brendan Muscutt, Simone Sanna, Stepan Hurskyy, Uliana Yakhnevych, Yuriy Suhak, Holger Fritze, Steffen Ganschow, and Harald Schmidt
Li self-diffusion and ion conductivity in congruent LiNbO3 and LiTaO3 single crystals
Phys. Rev. Materials 7 (2023) 033403
DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.7.033403

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Dr. Zbigniew Galazka

Dr. Steffen Ganschow

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Thermochemische Analyse und Phasendiagramme

Mit thermochemischer Analyse finden wir heraus, wie ein bestimmtes Material am besten als Einkristall mit den gewünschten Eigenschaften gezüchtet werden kann. Typische Probleme wie inkongruentes Schmelzen, Materialzersetzung oder instabile Metalloxidationszustände können durch die Kenntnis geeigneter Phasendiagramme entschärft werden. Wir optimieren die Zusammensetzung der Ausgangsmaterialien für die jeweiligen Wachstumsmethoden und die Wachstumsatmosphäre. Mit unserer Expertise unterstützen wir auch die anderen IKZ-Aktivitäten hinsichtlich ihrer Prozesstechnologien.

Die optimalen Kristallwachstumsbedingungen werden durch die Bestimmung des Phasendiagramms von binären oder ternären Systemen mit Differenz-Thermoanalyse (DTA), Dynamische Differenzkalorimetrie (DSC) und Thermogravimetrie (TG) in oxidierenden, reduzierenden oder inerten Atmosphären bis 2400 °C ermittelt. Die DTA-Analyse kann durch die Analyse des entstehenden Gases mit einem Quadrupol-Massenspektrometer ergänzt werden. Darüber hinaus setzen wir Röntgenbeugung und Wärmeleitfähigkeitsmessungen (Laser-Flash) ein und führen thermodynamische Berechnungen durch.

Detlef Klimm, Bartosz Szczefanowicz, Nora Wolff, Matthias Bickermann
Phase diagram studies for the growth of (Mg,Zr):SrGa12O12 crystals
Journal of Thermal Analysis and Calorimetry 147 (2022) 7133–7139
DOI: 10.1007/s10973-021-11050-4

Detlef Klimm, Binderiya Amgalan, Steffen Ganschow, Albert Kwasniewski, Zbigniew Galazka, Matthias Bickermann
The Thermal Conductivity Tensor of β-Ga2O3 from 300 to 1275 K
Cryst. Res. Technol. 58 (2023) 2200204
DOI: 10.1002/crat.202200204

Nora Wolff, Detlef Klimm, Klaus Habicht, Katharina Fritsch
Crystal growth and thermodynamic investigation of Bi2M2+O4 (M = Pd, Cu)
CrystEngComm 23 (2021) 3230-3239
DOI: 10.1039/d1ce00220a

Kontakt

Dr. Roberts Blukis

Tel. +49 30 6392 3145