Das IKZ ist das einzige Forschungsinstitut in der EU, das 2-Zoll-Substrate aus Aluminiumnitrid (AlN) und Substrate aus Galliumoxid (Ga₂O₃) ausgewählten Technologiepartnern zur Entwicklung disruptiver Leistungselektronik-Technologien anbietet. Um diese Mission zu stärken, investierte das IKZ im Jahr 2025 mehrere Millionen Euro, um seinen Maschinenpark zu erweitern und dieses Ziel bis Anfang 2026 zu erreichen.
Gemeinsam mit dem Industrieunternehmen PVA Tepla installierte das IKZ eine Physical-Vapor-Transport-Kristallzüchtungsanlage, um in den kommenden Jahren AlN-Kristalle im Bereich von 2 bis 4 Zoll herzustellen. Ein weiterer Projektpartner ist das Industrieunternehmen Siltronic.
Darüber hinaus wurde innerhalb des EFRE Projekts G.O.A.L (EFRE 1.6-14) mittels Investmittel ein AIXTRON MOCVD-Epitaxie-Reaktor mit 3x2- bis 1x4-Zoll-Kapazität installiert, um die Skalierung von hochwertigen Ga₂O₃-Epitaxieschichten mit herausragender Homogenität und Schichtdicke zu realisieren. Das IKZ will sich damit als EU-weiter Forschungspartner und Anbieter für Ga₂O₃ Epi-Wafer als Basismaterial für Bauelemente für die Leistungselektronik etablieren.
Unzweifelhaft wird die EU-Vorreiterrolle des IKZ, disruptive Kristallmaterialien im Prototypmaßstab bereitzustellen, durch diese Investitionen weiter gestärkt.
Kontakt:
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ)
Dr. Carsten Hartmann
Gruppenleiter Aluminiumnitrid Prototyping
Tel.: +49 (30) 246 499 602
Email: carsten.hartmannikz-berlin.de
Dr. Andreas Popp
Gruppenleiter Epitaxie von halbleitendem Gallium-Oxid
Tel.: +49 (30) 246 499 312
Email: andreas.poppikz-berlin.de
