Epitaxie von halbleitendem Gallium-Oxid

Die moderne Gesellschaft stützt sich auf eine Vielzahl elektrischer und elektronischer Systeme. Dafür muss elektrische Energie möglichst effizient umgewandelt werden. Das Materialsystem β-Ga₂O₃ hat aufgrund seines hohen Bandabstandes von ca. 4.8 eV und der daraus theoretisch resultierenden hohen Durchbruchfeldstärke die besten Voraussetzungen im Hochleistungssektor das Material der nächsten Generation zu werden. Unsere Mission ist es daher, durch Prozessentwicklung die vorausgesagten Materialeigenschaften zu erreichen um β-Ga₂O₃ den Weg in die Leistungselektronik zu ebnen.

Für die β-Ga₂O₃ MOVPE Prozessentwicklung liegt der Schwerpunkt auf der Untersuchung der Auswirkungen der Wachstumsparameter und der Art der Dotierung auf die elektrischen Eigenschaften der Schichten. Ein weiterer Schwerpunkt ist das homoepitaktische Wachstum auf unterschiedlich orientierten Substraten und dessen Einflusses auf die Erzeugung von Kristalldefekten. Hinzu kommen Untersuchungen zur Erhöhung der Wachstumsrate in Korrelation zur Schichtqualität. Um die positiven Eigenschaften von β-Ga₂O₃ sogar noch weiter zu verbessern, finden auch Legierungen des Materials mit Aluminium statt.

Angebot: Galliumoxid-Substrate und -Epi-Layer

Download Flyer: „Gallium Oxide – The Next High Performance Material for High Power Devices“

S. Bin Anooz, R. Grüneberg, C. Wouters, R. Schewski, M. Albrecht, A. Fiedler, K. Irmscher, Z. Galazka, W. Miller, G. Wagner, J. Schwarzkopf and A. Popp
Step flow growth of β-Ga₂O₃ thin films on vicinal (100) β-Ga₂O₃ substrates grown by MOVPE
Appl. Phys. Lett.116, 182106 (2020)
DOI: 10.1063/5.0005403

T.-S. Chou, P. Seyidov, S. Bin Anooz, R. Grüneberg, J. Rehm, T.T.V. Tran, A. Fiedler, Z. Galazka, M. Albrecht, and A. Popp
High-mobility 4 μm MOVPE-grown (100) β-Ga₂O₃ film by parasitic particles suppression
Jpn. J. Appl. Phys. 62, SF1004 (2023). [Spotlight Article]
DOI: 10.35848/1347-4065/acb360

T.-S. Chou, P. Seyidov, S. Bin Anooz, R. Grüneberg, M. Pietsch, J. Rehm, T.T.V. Tran, K. Tetzner, Z. Galazka, M. Albrecht, K. Irmscher, A. Fiedler, and A. Popp
Suppression of particle formation by gas-phase pre-reactions in (100) MOVPE-grown β-Ga₂O₃ films for vertical device application
Appl. Phys. Lett. 122, 052102 (2023).
DOI: 10.1063/5.0133589